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Fターム[2H079EA31]の内容

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【課題】大きな高周波電気信号が入力されても熱破壊されることのない高い信頼性を有する光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、光導波路と、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための電極とからなる光変調器と、電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、電気的終端用接地導体と、電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを接続し入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する複数でなる抵抗膜とを備え、電気的終端用中心導体の近傍に位置する第1抵抗膜は高周波電気信号が入力されることにより発生するジュール熱によって破壊されない吸収効率でなるとともに、別の抵抗膜は、第1抵抗膜の吸収効率よりも大きい吸収効率でなる。 (もっと読む)


【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 (もっと読む)


【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】PBS100は、第1の光カプラ110と、第1の複屈折率調整部120と、第2の複屈折率調整部130と、第2の光カプラ140とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板101上に備える。第1の複屈折率調整部120及び第2の複屈折率調整部130が位相シフタとして機能する。第1の複屈折率調整部120は、第1の幅の第1の導波路部102Aと、第2の幅の第2の導波路部103Aと、第1の電極102Bと、第2の電極103Bとで構成され、ここで、第1の幅は第2の幅よりも大きい。第2の複屈折率調整部130は、第1の導波路部102Aから傾斜して配置された第3の導波路部102Cと、第2の導波路部103Bから傾斜して第3の導波路部102Cと平行に配置された第4の導波路部103Cと、第3の電極102Dと、第4の電極103Dとで構成される。 (もっと読む)


【課題】熱膨張係数の差に起因して光導波路基板の内部に発生する応力を低減することのできる光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】厚さ30μm以下の光導波路基板11と、光導波路基板11を保持し光導波路基板11より誘電率が低い液晶ポリマ基板12と、を有し、光導波路基板11と液晶ポリマ基板12が接着剤層14によって接着された光導波路デバイス10であって、光導波路基板11と液晶ポリマ基板12の熱膨張係数はそれぞれ基板面内に異方性を有し、光導波路基板11の異方性の軸方向と液晶ポリマ基板12の異方性の軸方向が揃うように、光導波路基板11と液晶ポリマ基板12の相対的向きが調整されている。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数応答特性を得ることができる光モジュールを実現する。
【解決手段】リードピン1は、金属ステム2を貫通し、金属ステム2とは絶縁されている。電界吸収型光変調素子5は、金属ステム2上に設けられ、リードピン1の一端に接続されている。フレキシブル基板10は信号線路12,13を有する。信号線路12の一端はリードピン1の他端に接続されている。信号線路12の他端は信号線路13の一端に接続されている。リードピン1の金属ステム2を貫通する貫通部1aと信号線路13は、それぞれ信号線路12より小さいインピーダンスを持つ。 (もっと読む)


【課題】レーザ加工用等の用途に使用される高出力レーザ、例えばファイバーレーザに使用される光アイソレータ用に好適な小型化され高消光比の特性を有する光モジュールを提供すること。
【解決手段】波長1.06μmにおけるベルデ定数が0.27min/(Oe・cm)以上のファラディ回転子と、前記ファラディ回転子の外周に配置される中空マグネットとを備え、前記ファラディ回転子に印加される磁束密度B(Oe)は下記式(1)の範囲内にあり、前記ファラディ回転子が配置されるサンプル長L(cm)と外径D(cm)は下記式(2)及び(3)の範囲内にあることを特徴とし、更に前記ファラディ回転子は円筒形状であり、(2)及び(3)の寸法を満たし、1dB以下の挿入損失と35dB以上の消光比を有する光モジュール。
0.5×104≦B≦1.5×104 (1)
0.70≦L≦1.10 (2)
0.20≦D≦0.60 (3) (もっと読む)


【課題】時間軸上の隣り合うビットに対応する各光パルス間で偏波を直交させる光変調器を小型化する。
【解決手段】第1の導波路が出射端面に対して斜めに形成され、第2の導波路が第1の導波路と出射端面の双方に対して斜めに形成された光導波路素子と、第1,第2の導波路から出射された第1,第2変調光の光路を互いに平行にするレンズと、第1,第2変調光の少なくとも一方に位相遅延を付与する位相遅延素子と、第1,第2変調光の少なくとも一方の偏波を回転させて当該2つの変調光間で偏波を直交させる偏波回転部と、偏波が直交した第1,第2変調光を偏波合成する偏波合成素子と、を備え、位相遅延素子の光伝搬方向の厚さは、位相遅延素子による位相差と偏波合成素子による位相差とによって第1,第2変調光の各光パルスがビットインターリーブされる厚さに設定されている。 (もっと読む)


【課題】FPC基板とTO-CANパッケージの接続部における特性インピーダンスを整合させて、40Gb/sのRF信号を低伝送損失・低反射損失でFPC基板からTO-CANパッケージ内部まで伝送することなどが可能な構成の光送信モジュールを提供する安。
【解決手段】TO-CANパッケージ13と、FPC基板12とを有し、FPC基板12の表面に高周波信号線26と接地電極28が配され、TO-CANパッケージ13に配された同軸ピン22が記高周波信号線26に接続され、高周波信号線26から、同軸ピン22を介して、TO-CANパッケージ13の内部に配された光半導体素子に高周波電気信号を導通し、高周波信号線26と接地電極28との間の距離が0.1mm以上0.3mm以下である構成の光送信モジュールとする。 (もっと読む)


【課題】フレキシブル基板の曲げ性を劣化させることなく配線密度を低下させ、線路間のアイソレーションを確保することができる光モジュールを得る。
【解決手段】フレキシブル基板5は、誘電体層11と、誘電体層11を挟んで対向する第1地導体パターン、および電気端子と電気的に接続された第1配線パターンを有する第1パターン対向部と、誘電体層を挟んで対向する第2地導体パターン、および電気端子と電気的に接続された第2配線パターンを有し、誘電体層11の長さ方向について、第1パターン対向部と対向する第2パターン対向部と、を有し、第1パターン対向部と第2パターン対向部との間の部分を中心に誘電体層11を折り曲げたときに、第1地導体パターンおよび第2地導体パターンの少なくとも一方が、第1配線パターンと第2配線パターンとの間に位置する。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧が低く、かつ高速で変調が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる進行波電極とを有し、前記進行波電極が、前記高周波電気信号を印加することにより前記光の位相を変調するための相互作用部と、外部回路から前記相互作用部に前記高周波電気信号を印加するための入力用フィードスルー部を具備する光変調器において、前記基板は、前記入力用フィードスルー部の下方における少なくとも一部の部位の厚みが当該部位を除く他の部位の厚みよりも薄く形成された薄厚部を備える。これにより、基板の共振周波数により決定される周波数ディップを所望の周波数よりも高い周波数領域にシフトさせる。 (もっと読む)


【課題】高周波接続配線基板を有する光変調器モジュールにおいて、環境温度が大きく変化した際にも変調用基板の破損が生じない光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】本体基板上に中心導体と接地導体とを有し、中心導体の一端側から10Gbps以上の高周波電気信号が入力され、中心導体の他端側から高周波電気信号が出力される高周波接続配線基板と、電気光学効果を有する変調用基板上に、光導波路と、中心導体と接地導体からなる電極が形成され、高周波接続配線基板から出力された高周波電気信号が入力されるよう、高周波接続配線基板と電気的に接続された光変調器チップと、高周波接続配線基板と光変調器チップとを内部に収納した筐体と、を具備し、高周波接続配線基板の端と光変調器チップの端とが、電気的に接続される部位において所定距離離れて対向配置され、該所定距離が6μm以上であり、かつ700μm以下である。 (もっと読む)


【課題】マッハツェンダ干渉部を有する導波路型光素子をパッケージに収納した光変調器において、導波路型光素子の設計位置からの位置ずれを低減すること。
【解決手段】光変調器400は、マッハツェンダ干渉部440を有する導波路型光素子410がパッケージ420に収納されており、マッハツェンダ干渉部440は、第1の方向性結合器445により分波を行い、第2の方向性結合器446により合波を行う。第1の方向性結合器445の一方のアームは第1の受光素子450Aへの出射に使用されるモニタ用であり、同様に、第2の方向性結合器446の一方のアームは第2の受光素子450Bへの出射に使用されるモニタ用である。光変調器400は、動作時には干渉光のモニタに使用する、予めパッケージ420に固定された第1及び第2の受光素子450A、450Bを、導波路型素子410のパッケージ420への精確な搭載のために利用する。 (もっと読む)


【課題】金属ステム上に実装された温度制御モジュール上に半導体光変調素子を配置した場合においても、周波数応答特性の劣化を防止できる半導体光変調装置を得る。
【解決手段】金属ステム1上に支持ブロック4が実装されている。金属ステム1上に温度制御モジュール5が実装されている。温度制御モジュール5上に第2の支持ブロック6が実装されている。第1の支持ブロック4の側面に誘電体基板7が実装されている。リードピン2に接続された信号線路9が誘電体基板7上に形成されている。支持ブロック6の側面に誘電体基板8が実装されている。誘電体基板8上に信号線路11が形成されている。誘電体基板8上に半導体光変調素子14が実装されている。信号線路11に容量20が接続されている。進行波の位相と反射波の位相とが180度ずれるような周波数において、半導体光変調素子14でのインピーダンス整合を行うように、容量20の値が設定されている。 (もっと読む)


【課題】光デバイスや電子デバイスとそれらを駆動するための電気ドライバとの接続に適用する高周波コネクタの接合方法、及びこれにより製造した光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板上に形成された電極と、前記電極の上方に所定距離離れて配置されたコネクタの芯線とを半田ペレットを用いて接合する、コネクタの芯線の接合方法において、前記半田ペレットは、前記所定距離よりも厚みが厚く形成されるとともに、前記コネクタの芯線に接して又は近接して配置されており、加熱して前記半田ペレットを溶融させることにより、毛細管現象によって前記芯線と前記電極との間に当該溶融した半田が入り込んで前記芯線と前記電極とを接合する。 (もっと読む)


【課題】光導波路基板を安定かつ均一に温度調節すると共に、サブマウントに接着搭載したり、ペルチェモジュールを駆動した際にも、偏波依存周波数劣化量を最小限に留めることが可能な導波路型光遅延干渉計を提供する。
【解決手段】サブマウント5と光導波路基板2、サブマウント5とペルチェモジュール4を接着固定する接着剤の弾性率(ヤング率)が104Pa以下であり、ペルチェモジュール4は、そのサブマウント5に接着される面4aが平面視で矩形状に形成されると共に、前記サブマウントに接着される面4aの対角長さLpが、下式(1)
sub×t3/Lp≧32(GPa・mm2) ・・・(1)
但し、Esub:サブマウントの弾性率(ヤング率)(GPa)
t:サブマウントの高さ(mm)
p:ペルチェモジュールのサブマウントに接着される面の対角長さ(mm)
を満たす。 (もっと読む)


【課題】電気的終端中のコンデンサが壊れた場合でもバイアス電源を保護でき、またバイアス電源で使用されているオペアンプの発振を抑圧できる光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板1と、該基板に形成された光を導波するための光導波路2と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体3a及び接地導体3b、3cからなる電極とからなる光変調器50と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端21と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体7と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は終端抵抗22、23とコンデンサ14とを含んでおり、前記終端抵抗は複数で構成され、当該複数の終端抵抗の間からバイアス電圧が印加される。 (もっと読む)


【課題】電気的終端中のコンデンサが壊れた場合でもバイアス電源を保護でき、またバイアス電源で使用されているオペアンプの発振を抑圧できる光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板1と、該基板に形成された光を導波するための光導波路2と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体3a及び接地導体3b、3cからなる電極とからなる光変調器50と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端21と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体7と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は、終端抵抗13とコンデンサ14とを含んでおり、前記終端抵抗と前記電極の前記中心導体との間からバイアス電圧が印加される。 (もっと読む)


【課題】構成部材の熱膨張率の相違に基づく反りやクラック等の不具合の発生の防止を安価に実現することができる光学素子パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基部105の上方に光学素子103が設けられた光学素子パッケージ110は、前記基部105と前記光学素子103との間に、熱膨張係数が異なる材料の層210、220が複数接合されて成る熱膨張緩和構造体200が配設されていることを特徴とする。 (もっと読む)


磁気光学素子を組み込んだ低コストの反射型ディスプレイピクセルおよびディスプレイにおいて、外部磁界が、磁気光学素子の回転軸に垂直に、且つ磁気光学素子からなるディスプレイの表示平面に平行に印加される。ディスプレイ素子の回転は、ディスプレイ素子の長軸を中心とする回転に制限されており、ディスプレイ素子は、外部磁界によって起動されて双安定の電子的書込み可能な画像を生成する。さらに、この配置の構造体を変更することにより、ディスプレイに画像を書き込むのに必要な電力を低減することができ、全体ディスプレイ効率を増加させてピクセル間のクロストークをほとんど除去可能となる。 (もっと読む)


連続レーザー源は、低ノイズで狭い線幅の光パワーを、光ファイバー(17)を通して、アンテナまたはRFセンサー(23)が配置された遠隔部(19)のバイアスフリーの電気光学的位相変調器(21)に伝送する。RF電気信号は、遠隔部で位相変調器を変調し、電気信号を光信号に変換する。位相変調された光信号は、光ファイバーを経由して、そのフィルター変換特性を同調および再構成して相互調節歪み項、特に優勢な3次相互変調および2次を消去することができる光学フィルター(29)にフィードバックされる。フィルターを通した光信号は、光検出器(35)でRF信号に変換される。光学フィルターは、変調器の端部よりもむしろ、受信器の端部で信号を効率的に「線形化」するために効果的に使用される。
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