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Fターム[2H079EB12]の内容

光の変調 (22,262) | 制御電極構造 (1,652) | 電圧印加手段 (1,318) | 形状 (175)

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【課題】スタブ等のインピーダンス整合回路を使用することなく、小型化が可能で、大きな変調度を得ることができる光周波数コム信号発生器を提供する。
【解決手段】強誘電体基板1上にマッハツェンダー型光導波路2が形成され、分岐導波路を伝搬する光波を変調する変調電極31,32を各分岐導波路に対応して設け、マッハツェンダー型光導波路から出力される光波が、所定の周波数差を有する複数の光周波数成分を同時に生成している光波となる光周波数コム信号発生器において、各変調電極は、電極長の異なる共振電極31,32を備え、1種類の変調信号を各変調電極に印加する給電線路は、1つの給電線路40を2つに分岐し、分岐点41から各共振電極への接続点44,45までの距離が等しく、さらに、接続点は、各共振電極に形成される定在波W1,W2の位相が同相であり、かつ給電線路と共振電極とは接続点44,45においてインピーダンス整合している。 (もっと読む)


【課題】大きな高周波電気信号が入力されても熱破壊されることのない高い信頼性を有する光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、光を導波するための光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、光変調器の電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、電気的終端用中心導体と並んで形成された電気的終端用接地導体と、電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを接続し、入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜とを備え、抵抗膜の幅は電気的終端用接地導体に向かって少なくとも一部が徐々に狭まって形成されている。 (もっと読む)


【課題】温度ドリフトが小さく、かつ、電界の印加効率が良い光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器は、電気光学効果を有する基板と、前記基板内に形成された光導波路と、前記光導波路の上方に設けられたバッファ層と、前記バッファ層の上方に設けられ、前記光導波路の上部に開口を有する半導電性膜と、前記バッファ層の上方に設けられ、前記半導電性膜と電気的に接触する電極と、を備える。 (もっと読む)


【課題】信号電極の入力部から作用領域に至るまでの間でも、クロストーク現象が抑制可能であり、かつ製造コストの増加を抑制した進行波型光変調素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板1と、基板に形成された光導波路2と、光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する進行波型光変調素子において、変調電極は、2本以上の信号電極31,32と接地電極から構成され、信号電極の全ての入力部P1,P2は、基板の第1の側面11側に設けられ、信号電極が形成する電界が光導波路に作用する作用領域の位置が、第1の側面に最も近い第1の信号電極31と、作用領域の位置が、第1の側面に対向する第2の側面12に最も近い第2の信号電極32については、各作用領域の作用開始部C1,C2において、第1の信号電極は第1の側面側から、第2の信号電極は第2の側面側から、各々導入される。 (もっと読む)


【課題】基板の同じ側面側に2つの信号電極の入力部がある場合でも、電気的クロストークを抑制し、製造コストの増加も抑えた進行波型光変調素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板1と、基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路2と、光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを備える。変調電極は、マッハツェンダー型光導波路の2つの分岐導波路21,22に対して、別々の変調信号を印加する第1の信号電極31と第2の信号電極32とを有し、各信号電極は、基板の同じ側面側に変調信号入力部T1,T2を有する。信号電極の変調信号入力部T1、T2から作用部Sまでの少なくとも一部の領域では、第1の信号電極31と第2の信号電極32との間に配置された接地電極が、第1の信号電極に沿う第1の接地電極41と第2の信号電極に沿う第2の接地電極42に分離されている。 (もっと読む)


【課題】高周波電気信号のクロストークを小さくした光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、複数の中心導体のうちの隣接する中心導体に挟まれた接地導体の高さが等価的に高くなるように、前記接地導体の上面に導体が立設されている。 (もっと読む)


【課題】小型で製造が容易な光変調器付き面発光型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ装置10は、VCSEL10Aと光変調器10Bとを含む。VCSEL10Aは、GaAs基板100と、基板上に形成されたn型の下部DBR102と、活性領域104と、電流狭窄層108と、p型の上部DBR106と、環状のp側電極110とを有する。光変調器10Bは、上部DBR106上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるp型の第1の透明半導体膜120と、第1の透明半導体膜120上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるn型の第2の透明半導体膜122と、第2の透明半導体膜122に電気的に接続された変調電極130とを含む。p型電極110は、第1の透明半導体膜120にも電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】安価で容易に作製可能な光カプラを実現すること。
【解決手段】光カプラ1は、石英基板10と、石英基板10の両面にそれぞれ形成されたAgからなる金属膜11、12と、を有している。金属膜11は、石英基板10の一方の表面10aに形成され、金属膜12は、石英基板10の他方の表面10bの全面に形成されている。金属膜11には、その金属膜11を貫通する孔13が複数形成されている。孔13の石英基板10の主面に平行な面での断面は円形である。孔13の直径は、150nmである。孔13は正方格子状に配列されており、その孔13の間隔は500nmである。この光カプラ1では、石英基板10内の入射光14の一部を、入射光14の伝搬方向に対して111°の方向に分岐光15として放射させることができる。 (もっと読む)


【課題】製造が容易で、任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、バルク材料からなる活性層13、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造と、少なくともその一部が該導波路構造の上方に形成される上部電極21と、を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Iと、光入射端面10aおよび光出射端面10bのうちの少なくとも一方とハイメサ導波路構造Iとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Iと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造IIa、IIbと、を含み、上部電極21は、該導波路構造の少なくとも一部の上方に形成される主電極部21aと、ハイメサ導波路構造Iの導波方向の側方、かつ、半導体基板の上方に形成される電極パッド部21bと、主電極部21aと電極パッド部21bとを電気的に接続する接続部21cと、を含む。 (もっと読む)


本出願の実施形態に従う懸濁粒子デバイスの導電層と電源バスとの間の接続部が、良好な接着性および導電性の両方を与えるための金属粒子と結合された接着剤を含む。接着剤が、導電層の表面に設けられる。導電性銅箔または導電性布が、接着剤と接着され、電源バスの少なくとも一部を形成する。
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【課題】
共振型電極を用いながら、動作帯域を拡大すると共に、製造時の電極形状のバラツキに起因する特性の劣化を抑制することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板1と、該基板に形成された複数の光導波路2と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極3とを有する光制御素子において、該制御電極3は、共振型電極と、該共振型電極に制御信号を給電する給電電極とを備え、該共振型電極は、1本の信号電極30を有し、該信号電極の長さは、所定周波数を有する該制御信号が該信号電極上に形成する波長より長く設定され、該給電電極は、1本の入力配線部41を複数に分岐した分岐配線部42,43を有し、該分岐配線部の全てが、該信号電極上の異なる位置51,52に接続され、該信号電極には、該分岐配線部により同相又は所定位相差を有する制御信号が給電されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光配向膜における配向方向の異なる配向処理を1回の工程で実現可能にして配向処理工程を短縮する。
【解決手段】電気光学結晶材料から成る複数の光変調素子8を一定の配列ピッチで少なくとも一列に並べて有する空間光変調手段3と、前記各光変調素子8を個別に駆動して、前記空間光変調手段3に対向して配置され表面に光配向膜を塗布した基材7上に照射する偏光の偏光面の回転角度を制御する制御手段6と、前記空間光変調手段3を前記基材7に対して前記光変調素子8の並び方向と交差する方向に相対移動させる移動手段5と、を備えたものである。 (もっと読む)


【課題】高周波特性を損なうことなく、チップ単体又はウェハレベルでプローブ検査を可能とする半導体素子を提供する。
【解決手段】EAM領域12に電界を印加又は電流を注入するEAM部電極14と、EAM部電極14と接続されたワイヤボンディング用のパッド電極15とを有するEAM付き半導体レーザにおいて、パッド電極15を複数のメッシュ穴16を有するメッシュ形状に形成した。 (もっと読む)


【課題】 簡単な構成でマイクロ波帯などの超高周波域で高い変調効率を実現することが可能な導波路型光変調器を提供すること。
【解決手段】 基板2と、マッハツェンダー型光導波路3と変調電極とからなり、変調電極は電界印加線路4a、5aを備えた4段の共振電極部9と給電部6とからなり、給電結合線路7b、8b、共振結合線路4b、5bにより各部間の結合がなされている。各共振電極部および4段の共振電極部全体が変調信号の周波数において共振器となるように構成され、1段目と3段目の電界印加線路で同相の電界となり、2段目と4段目の電界印加線路で逆相の反転電界となるように、線路長が調整され、電界印加線路4a、5aの配置の周期Pは、位相シフト光導波路3b,3cの等価屈折率をn、変調信号の周波数をf、真空中での光速をcとすると、P=c/2nfとなるように配置されている。 (もっと読む)


【課題】高速な波長掃引ができ、かつ安定なレーザ発振を得ることができる波長可変レーザ光源を提供する。
【解決手段】波長可変レーザ光源の一実施態様は、レーザ発振する波長に対し利得を有するレーザ媒質と、前記レーザ媒質の出力側の光軸上に設けられた可変焦点レンズ手段と、前記可変焦点レンズ手段の出力側の光軸上に設けられた第1のミラーと、前記第1のミラーと対向した位置に設けられ、前記レーザ媒質を含む共振器を構成する第2のミラーとを備えた。前記可変焦点レンズ手段は、前記電気光学材料を透過した光の焦点距離を可変することができ、前記焦点距離が波長依存性を有することにより、前記レーザ媒質を含む共振器においてレーザ発振する光の波長を選択する。 (もっと読む)


【課題】
低駆動電圧化及び小型化が可能な光制御素子を提供することであり、特に、低コストな駆動系部品の使用による低コスト化が可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板1と、該基板に形成された複数の光導波路2と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極3とを有する光制御素子において、該制御電極3は、同じ共振周波数を有する少なくとも2つの共振型電極31,32と、該共振型電極の各々に制御信号を給電する給電電極41,42とを備え、各共振型電極31,32の形状及び形成位置、並びに各共振型電極への給電電極による給電位置は、互いに奇モード結合が可能なように設定され、該給電電極は、1本の入力配線部40を複数に分岐した分岐配線部41,42を有し、各共振型電極には、該分岐配線部により同相又は所定位相差を有する制御信号が給電されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
低駆動電圧で安定動作することが可能な光制御素子を提供することであり、特に、2つの共振型電極を用いて、両電極間のクロストーク(結合)が発生しても安定動作が可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板1と、該基板に形成された複数の光導波路2と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極3とを有する光制御素子において、該制御電極は、同じ共振周波数を有する少なくとも共振型電極31,32と、該共振型電極の各々に制御信号を給電する給電電極41,42とを備え、各共振型電極の形状及び形成位置、並びに各共振型電極への給電電極による給電位置は、互いに奇モード結合が可能なように設定され、各共振型電極には、該給電電極により同相の制御信号が給電されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明は,広帯域であり,平坦性の高い光コム信号を発生する光コム発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は,基本的には,平坦性の高い光コム信号を発生する光コム発生器と,帰還回路とを組み合わせることで,広帯域であり,平坦性の高い光コム信号を発生する光コム発生装置を得ることができるという知見に基づく。光コム発生器13は,マッハツェンダー導波路を有する光変調器21と,光変調器21に印加される光コム発生器の駆動信号を発生するための信号源22を有する。そして,帰還回路15のループ長は,光コム発生器の駆動信号の波長のn倍である。 (もっと読む)


【課題】
駆動電圧の増加を抑制しながら周波数応答特性の広帯域化が可能な光変調器を提供することであり、さらには、製造に掛る時間やコストの増加を抑制した光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板1と、該基板に形成された光導波路2と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該変調電極は、信号電極Sとそれを挟むように配置される接地電極Gとからなるコプレーナ型電極であり、該信号電極と該接地電極との間隔(G1,G2)は、基板に最も近い部分から基板からはなれる方向に向かって徐々に広くなるよう構成され、少なくとも該信号電極全体は、単一の材料から構成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】プリチャープ伝送時にも良好な伝送特性を得ることができる半導体光変調器及びそれを用いた半導体光送信機を提供する。
【解決手段】半導体光変調器には、基板1上に設けられた光導波路4a及び4bを備えたマッハ・ツェンダ型光干渉計と、光導波路4a上に形成された電極11aと、光導波路4b上に形成され、電極11aとは長さが相違する電極11bと、が設けられている。更に、基板1上に光導波路4a及び4bから、光導波路4a及び4bから被変調光の波長以上離間して設けられた半導体メサ構造体7と、半導体メサ構造体7上に形成され、電極11bに電気的に接続された補助電極12と、が設けられている。 (もっと読む)


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