【課題】データ処理装置などの機器間又は機器内において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、安価な作製手段で伝送速度高速化、小型・集積化、および部品実装性に優れるＳｉ集積の光モジュールおよび光電気混載ボードを提供する。
【解決手段】Ｓｉ同一基板１００上に、レーザ光源素子１０１と、Ｓｉ基板１００に直接設けられたＳｉ導波路１０２とを具備し、Ｓｉ導波路１０２が基板水平方向に形成され、Ｓｉ導波路光出射端からの光軸延長線上に、基板平行に対して傾斜角を有する第１のテーパ面１０６と、それと対向する位置に基板平行に対して傾斜角を有する第２のテーパ面１０７がそれぞれ表面に露呈した光路変換部１０６を設け、基板外部との間でやりとりされる光信号が、光路変換部１０４およびＳｉ基板１００内部を介して基板垂直方向に光学的に接続される光モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】発熱に伴う応力に起因する発光素子のダメージの低減、およびミラー部や隙間部分の内部導波路に剥離が発生しにくいように工夫した光モジュールを提供する。
【解決手段】 基板１の表面に形成された溝１ａ内に設けられた内部導波路１６と、この溝１ａの先端部に形成された光路変換用のミラー部１５とを備えている。このミラー部１５と対向するように基板１の表面に実装され、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７に光信号を発光し、若しくはミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７からの光信号を受光する光素子１２ａ，１２ｂとを少なくとも備えている。光素子１２ａ，１２ｂの内の発光素子１２ａとミラー部１５との間の隙間部分Ｓの内部導波路１６の材料は、それ以外の内部導波路１６の材料よりも低応力な別材料である。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】強誘電体結晶同士を接合する接着剤の剥離が生じない、強誘電体結晶からなる光導波路素子を提供する。
【解決手段】強誘電体結晶からなる基板１０と、基板１０上に形成された第１の接着層２０と、第１の接着層２０を介して基板１０と接合された強誘電体結晶からなる光導波路層３０と、光導波路層３０上に形成された第２の接着層４０と、第２の接着層４０を介して光導波路層３０と接合された、強誘電体結晶からなるキャップ層５０とを備え、両端部においてスラブ型導波路構造を形成し、両端部に挟まれた中央領域において３次元導波路構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】リッジ型の光導波路を有する光導波路（ＳＨＧ）素子の生産性を高める。
【解決手段】ＳＨＧ素子６は、主面にリッジ型の光導波路７を有する導波路基板８と、導波路基板８の主面と反対側の対向面に接合された支持基板９とからなる光導波路素子であり、光導波路７の入射面１５と出射面１６を導波路基板８の主面に設けた構成とした。入射面１５或いは出射面１６には研削加工やポッティングによりレンズを一体成形する。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、光の挿入損失について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器において、バイアス用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離が、高周波電気信号用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離よりも大きく形成され、バイアス用相互作用部における光の伝搬損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングを可能とするとともに、光ファイバや光導波路素子との結合効率が良好な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方の端面とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bは、活性層１３の光の導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で偏波を分離あるいは合成することのできる低損失な導波路型光デバイスを提供する。
【解決手段】基板上に入力用光導波路と出力用光導波路とを有する光導波路が形成されており、入力用３ｄＢカプラと出力用３ｄＢカプラを有し、入力用３ｄＢカプラと出力用３ｄＢカプラの間に２本の光導波路を具備し、２本の光導波路は、伝搬する光の等価屈折率が構造複屈折のために異なるように、少なくとも一部の幅が互いに異なった幅の広い光導波路と幅の狭い光導波路を具備するマッハツェンダー導波路のアームを構成しており、入力光導波路から入射したＴＥモードとＴＭモードの光が前記入力用３ｄＢカプラ通過後に略３ｄＢずつに分割され、略３ｄＢずつに分割された光が、幅の広い光導波路と幅の狭い光導波路とを伝搬することにより各々異なった量の位相変化を受け、出力用３ｄＢカプラ通過後に、出力用光導波路にＴＥモードとＴＭモードの混在波が伝搬する。 （もっと読む）

【課題】長波長用の可変光モジュールに用いることができる電気光学特性に優れた光学素子を提供する。
【解決手段】シリコンを含有する単結晶基板１１０と、単結晶基板１１０上にエピタキシャル成長により形成された第１の電極１３０と、第１の電極１３０上にエピタキシャル成長により形成された電気光学効果を有する電気光学膜１６０と、電気光学膜１６０上に形成された第２の電極１８０とを備え、第１及び第２の電極１３０及び１８０は、電気光学膜１６０の膜厚方向に電圧を印加するためのものであり、電気光学膜１６０は、単一配向を有しない結晶化膜である光学素子。 （もっと読む）

【課題】
特別な製造工程を用いることなく、光導波路自体に偏光子作用を安定的に付加することが可能な導波路型偏光子を提供すること。
【解決手段】
Ｚカット型のニオブ酸リチウム基板１と、該基板上にリッジ構造の光導波路が形成された導波路型偏光子において、該リッジ構造の幅は、該光導波路を伝播する光波の常光の光分布が変化するリッジ幅であり、かつ、該光波の異常光の光分布が変化しないリッジ幅であり、該リッジ構造の角度は９０°よりも小さく、該リッジ構造の側面に、膜厚が０≦ｎ・ｔ／λ≦０．３７４２の条件（ただし、ｎは屈折率，ｔは膜厚，λは光波の波長であり、膜厚、波長の単位はμｍである。）を満足する低屈折率膜３が形成され、該低屈折率膜の上に、膜厚が０．０８９≦ｎ・ｔ／λの条件を満足する高屈折率膜４が形成されて、異常光透過偏光子機能を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な光変調器を提供する。
【解決手段】分極を反転しない領域と反転する領域を有する基板と、その側部に溝部が形成された第１及び第２の光導波路とを備えた光導波路を具備し、第１及び第２の光導波路を伝搬する光と、中心導体及び接地導体からなる進行波電極を伝搬する電気信号が相互作用する相互作用部が、互いに異なる方向に分極した第１及び第２の相互作用部を含み、中心導体は第１及び第２の相互作用部で第１もしくは第２の光導波路に対向し、第１及び第２の相互作用部で第１及び第２の光導波路を伝搬する光の位相を変調する光変調器であって、第１及び第２の相互作用部の間に光導波路シフト部を設け、第１及び第２の相互作用部にて、中心導体及び接地導体と、第１及び第２の光導波路の相対位置が入れ替わるようにし、相互作用部における中心導体は直線でなり、光導波路シフト部にて中心導体の下方以外に溝部が形成される。 （もっと読む）

【課題】小型で低損失な光導波路を含むリッジ光導波路を提供する。
【解決手段】基板上に形成された光導波路にして、前記光導波路の少なくとも一部に所定の曲率半径で変形した曲がり部を有し、前記曲がり部の両側に前記基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの溝部を有するリッジ光導波路であって、前記曲がり部の曲率の外側の一部には、前記溝部が形成され、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されている領域と前記溝部が実質的に形成されていない領域とを成しており、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されていない領域における前記曲がり部の曲率半径が、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が形成されている領域における前記曲がり部の曲率半径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 主信号が通る光導波路とオフ光導波路との結合効率低下を抑制しつつ、オフ光導波路の製造ばらつきが抑制されたマッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ型光変調器は、電気光学効果を有する基板を備え、基板は、入力導波路部と、入力導波路部から分岐して接続される２つの中間導波路部と、２つの中間導波路部が結合して接続される出力導波路部と、出力導波路部の少なくともいずれかの脇に出力導波路部と離間して設けられ、２つの中間導波路部が結合する結合部から放出されるオフ光をガイドする副光導波路部と、を備え、副光導波路部は、開始点において出力導波路部よりも広い幅を有する。 （もっと読む）

【課題】高精度で且つ微細な光導波路の製造が可能な光導波路の製造方法を提供する。
【解決手段】この光導波路１の製造方法は、光信号を伝送するコア層１６と、前記光信号を反射するミラー４、５とを備える光導波路１の製造方法であって、結晶性材料からなる基材２の所定の結晶面２ａ上に、所定形状にパターニングされたマスク層１０を形成する工程と、前記マスク層１０をエッチングマスクとするウェットエッチングプロセスにより前記所定の結晶面２ａをエッチングして、前記基材２に複数の他の結晶面３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄを出現させて該他の結晶面３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄが内壁の一部もしくは全部となる溝部３を形成する工程と、少なくとも一つの前記他の結晶面３ａ（３ｂ）に金属反射膜１２を設けてミラー４（５）を形成する工程と、前記溝部３内にコア材料を充填してコア層１６を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型で低損失な光導波路を含むマッハツェンダ光導波路、および当該マッハツェンダ光導波路を具備し、光導波路に入射した光を高周波電気信号で変調して光信号パルスとして出射する光変調器を提供する。
【解決手段】基板上に、入力光導波路と、出力光導波路と、前記入力光導波路と前記出力光導波路とにそれぞれ接続され、前記入力光導波路からの光が入力される、または前記出力光導波路へ光を出力する分岐光導波路と、前記分岐光導波路に接続され、曲率半径を有して曲線上に形成されたアームと、前記アームに沿って前記基板の一部が掘り下げられた溝部とが形成されたリッジ型のマッハツェンダ光導波路であって、前記アームは、前記アームの根元部近傍において実質的に前記溝部が形成されておらず、当該実質的に溝部が形成されていない領域における前記アームの曲率半径が、前記溝部が形成されている領域における前記アームの曲率半径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザ光源から射出された光束を２次高調波に変換し射出するレーザ光源ユニットに関し、ＳＨＧ素子の変換効率を高めてレーザ光源ユニットの高出力化を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために本発明は、レーザ光源１と集光光学素子４とＳＨＧ素子２とビーム成形素子を備えたレーザ光源ユニットにおいて、ＳＨＧ素子２はオフカット角を有する単結晶からなる強誘電体基板６に分極反転領域を設けた光導波路３を有し、レーザ光源１から射出される光束の偏波面１２の傾きと強誘電体基板６におけるＣ軸９の傾きを一致させるとともに、集光光学素子４としてアナモフィックレンズ４ｂを用いレーザ光源１から射出された光束のアスペクト比を調節し光導波路３内に集光させる構造とした。 （もっと読む）

【課題】斜め光導波路を有する光導波路部にＡｌ及びＡｓを含む半導体層を含む素子部がバットジョイントされた光半導体集積素子を製造する場合の歩留まりを良くする。
【解決手段】半導体基板の上方に斜め光導波路５４を形成するための第１半導体積層構造を成長させる工程と、第１半導体積層構造上にバットジョイント成長用マスク１３を形成する工程と、マスク１３をエッチングマスクとして用いて第１半導体積層構造を除去する工程と、マスク１３を用いてＡｌ及びＡｓを含む第２半導体層を含む第２半導体積層構造をバットジョイント成長させる工程とを含む光半導体集積素子の製造方法において、マスク１３を、光伝播方向に対して平行な直線及び直交する直線のみによって規定される複数の矩形部分１３Ａ〜１３Ｇが斜め光導波路５４を形成する領域に沿って接合された平面形状を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】発光領域が小さい光機能素子を低コストで提供する。
【解決手段】基板２上の透明薄膜４中に所定の間隔で所定の大きさの孔を配列したフォトニック結晶３１が形成され、フォトニック結晶導波路３０はこのフォトニック結晶の一部分に孔を形成しない領域を設けることによって形成されている。この導波路の下部に開口部が形成され、当該開口部が埋まるように窒化物半導体を基板上から透明薄膜の上側まで結晶成長させることによって発光素子１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】波長変換素子を従来よりも短時間で製造する。
【解決手段】自発分極の向きが第１方向Ａ１である第１ドメインＤ１と、自発分極の向きが第１方向とは反転した第２方向Ａ２である第２ドメインＤ２とが、光伝播方向ＡＬに沿って交互に配置されてなる周期的分極反転構造Ｓが形成されている強誘電体結晶製の基板を、光伝播方向に沿いかつ第１主面に対して垂直に、ダイシングソーを用いて切断して、切断面に対して垂直に測った厚みが第１厚みＨ１である細条体を形成する第１工程と、基材５２の表面５２ａに細条体を貼着する第２工程と、基材の表面に貼着された細条体に、第１及び第２方向に垂直な方向に沿って延在する２本の凹溝５６ａ及び５６ｂをダイシングソーにより切削形成することにより、２本の凹溝で挟まれた凸部として、横断面形状が矩形状のリッジ型光導波路５４ａを形成する第３工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】実装が容易で、入力する光源のパワーの損失を抑え、高いパワー入力が可能な、小型で低価格の波長変換デバイスを提供する。
【解決手段】波長λ₁とλ₂の入射光または波長λ₁とλ₃の入射光がマルチモード伝播することにより、内部でのモード干渉によって第１の波長（λ₁）の光と第２の波長（λ₂またはλ₃）の光とが結合され、第１の波長の光と第２の波長とが収束する点に出力端面が設けられた光合波部を備え、出力端面の収束する点に結合された非線形光学媒質から、波長λ₁とλ₂の入射光に対し波長λ₃の変換光を、波長λ₁とλ₃の入射光に対し波長λ₂の変換光が出力され、光合波部と前記非線形光学媒質とが同一基板上に集積されている。 （もっと読む）