【課題】ガラス等の研磨性を確保しつつ、酸化セリウム量を低減できる研磨材を提供する。
【解決手段】本発明の研磨材は、酸化ジルコニウムからなる基粒子により形成されたコア部と、該基粒子よりも粒径が小さく酸化セリウムからなる微粒子が該基粒子の外表面上に結合または生成して形成されたシェル部とにより構成された複合砥粒を含むことを特徴とする。この複合砥粒は、研磨性に影響するシェル部に酸化セリウムからなる微粒子を有し、研磨性に直接影響しないコア部はそれより比重の小さい酸化ジルコニウム粒子（基粒子）からなる。このため、酸化セリウムによる研磨性の確保と酸化セリウムの低減が両立されることに加えて、複合砥粒のスラリー中における分散安定性も高まり、さらなる研磨性の向上も図られる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨したときに、エッチングを原因とした段差が研磨対象物の表面に生じるのを抑えることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、砥粒、酸化剤、及び水溶性重合体を含有する。水溶性重合体は、研磨用組成物を２５℃の温度の環境下で一日間静置したときに、砥粒の表面積１μｍ^２あたりに５０００個以上の分子が吸着するものであってもよい。あるいは、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨した後の研磨対象物のＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分の水接触角を小さくするような化合物であってもよい。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分を同時に研磨する目的での使用に適した研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、異形の砥粒と、標準電極が０．３Ｖ以上である酸化剤とを含有し、好ましくはアンモニウム塩などの塩をさらに含有する。研磨用組成物のｐＨは１〜６又は８〜１４である。 （もっと読む）

【課題】 金属研磨用スラリの評価につき、コストの低減とスピードアップを図ることができる、金属研磨用スラリの評価方法を提供する。
【解決手段】 金属研磨用スラリによりエッチングされた基板（Ｃｕ膜）の表面粗さ（Ｒａ）と、エッチング速度との関係を表す数式を導出し、前記数式を用いて、前記金属研磨用スラリとは異なる組成の金属研磨用スラリによりエッチングされた基板（Ｃｕ膜）の表面粗さから、エッチング速度を算出する金属研磨用スラリの評価方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用したときにＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分に対する高い研磨選択性を発揮することができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、平均一次粒子径が４０ｎｍ以下である砥粒と、酸化剤とを含有し、好ましくは研磨対象物のケイ素材料を含有する部分の表面ＯＨ基と結合してケイ素材料を含有する部分の加水分解を抑制する働きをするサプレッサー化合物をさらに含有する。あるいは、本発明の研磨用組成物は、砥粒と、酸化剤と、サプレッサー化合物とを含有する。研磨用組成物のｐＨは中性であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板のファイナルポリッシングにおいて平滑性の低下や異物の増加を生じることなく、ウエハ自体の欠陥を低減し、優れた研磨表面が形成可能な半導体基板研磨液及び当該半導体基板研磨液を用いた半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 コロイダルシリカと水溶性高分子と水を含み、研磨液のｐＨが４．０以上８．０以下である半導体基板用研磨液、及び当該半導体基板研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨する半導体基板の研磨方法。 （もっと読む）

【解決手段】（ｉ）−［バリン-プロリン−グリシン−バリン−グリシン］−で示されるペンタペプチドを繰り返し単位として有し、分子量が８００〜１５０，０００である、オリゴペプチド又は上記ペンタペプチドとこれと共重合可能な他の単量体との共重合体、
（ｉｉ）コロイド溶液
を含む合成石英ガラス基板用研磨剤。
【効果】本発明によれば、特にフォトマスク、ナノインプリント、磁気ディスク等の半導体関連材料において重要な光リソグラフィー法に使用される合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、基板表面の高感度欠陥検査装置で検出される欠陥を少なくすることができ、しかも長い研磨ライフで使用することができるため、製造の品質の向上だけではなく、環境への負荷やコストの観点からも有益になる。 （もっと読む）

【課題】無機絶縁膜層等の被研磨面を、研磨傷の発生を抑え、かつ高速で研磨することが可能な研磨剤及び研磨方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物粒子及び媒体を含有する研磨剤であって、前記金属酸化物粒子が、金属塩、高分子化合物、及び高沸点有機溶媒を含有する混合物を加熱することにより生成する金属酸化物を焼成して得られる金属酸化物粒子を含む、研磨剤。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研磨時に欠陥の原因となる粗大粒子が従来に比べて大幅に低減された、また、これによりウェーハの研磨時において、ウェーハ表面のナノオーダーの欠陥を低減できる研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スラリー原液と純水とを混合した研磨スラリーを研磨装置に供給する供給方法であって、計量された前記スラリー原液に対して前記純水を単位時間当たりに所定量加えるように制御しながら前記スラリー原液と前記純水とを混合する工程と、該混合された研磨スラリーを前記研磨装置に供給する工程とを含むことを特徴とする研磨スラリーの供給方法。 （もっと読む）

【課題】パーティクル数及びＨａｚｅ値が小さいシリコンウエハを得ることが可能なシリコンウエハ用研磨液組成物を提供できる。
【解決手段】シリカ粒子（成分Ａ）と、水系媒体(成分Ｂ)と、水溶性アルカリ化合物(成分Ｃ)と、Ｒ¹−Ｇｙで表されるアルキルポリグリコシド(成分Ｄ)と、カチオン化ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）（成分Ｅ）とを含み、成分Ｅは、−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＨ）−で表される構成単位（ｅ２）、−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＣＯＲ²）−で表される構成単位（ｅ３）、―Ｘ―で表される構成単位（ｅ４）を含み、構成単位（ｅ４）のモル濃度がカチオン化ＰＶＡの全構成単位中０．００１〜１．５モル％であり、成分Ｄの含有量が０．００１５重量％以下、前記成分Ｄと前記成分Ａの重量％の比（成分Ｄの重量％／成分Ａの重量％）が０．０００１〜０．００８、２５℃におけるｐＨが８〜１２である、シリコンウエハ用研磨液組成物。 （もっと読む）

【解決手段】基板に接触され、多数の空孔を有するナップ層が、エーテル樹脂を含む少なくとも３種類の樹脂を有するベース樹脂にて形成された研磨布を用い、これに研磨スラリーを同伴させて基板表面を研磨する工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【効果】本発明によれば、基板表面の欠陥数が少なく、かつ高平滑性化された基板を製造することが可能となる。また、研磨布の使用時間を延長することができることから、コストダウン及び生産性の向上につながる。 （もっと読む）

【課題】
ガラス基板の精密研磨に適するジルコニア研磨剤を開発することを目的とした。
【解決手段】
ジルコニア粉末を構成する二次凝集粒子が略球状で、平均アスペクト比が１．０以上１．５以下であって、ＣＶ値（１００×標準偏差／平均値）が４０％以下であることを特徴とするジルコニア研磨剤が研磨能力が優れていることを見出した。 （もっと読む）

【課題】海水淡水化処理用途などの高圧運転下においても、集液管とこれに塗布された接着剤との固着界面部分に亀裂を生じさせることのない、すなわちシール漏れによるスパイラル型流体分離素子の性能低下を防ぐ。
【解決手段】集液孔を有する集液管の外周部に、分離膜、透過液流路材および原液流路材を含む膜ユニットが、分離膜が接着剤によって集液管と接着されるようにして巻回されてなるスパイラル型流体分離素子において、集液管の外周部の少なくとも一部が、ＪＩＳＲ ６００１の沈降試験方法により規定される番手が＃６００以上＃２０００以下の研磨材によって研磨されたものであることを特徴とするスパイラル型流体分離素子。 （もっと読む）

【課題】配線金属の表面における傷や腐食が生じにくく、層間絶縁膜及びバリヤ膜上の配線金属残りが生じにくく、しかも、充分な研磨速度を確保でき、ディッシングやエロージョンを防止して高い平坦性が得られる研磨組成物を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金を研磨するための研磨組成物であって、（Ａ）酸化剤と、（Ｂ）アミノ酸、炭素数８以下のカルボン酸、無機酸の中から選ばれる少なくとも１種以上の酸と、（Ｃ）アルキル基が炭素数８以上であるスルホン酸と、（Ｄ）アルキル基が炭素数８以上である脂肪酸と、（Ｅ）０．００５〜３質量％のＮ−ビニルイミダゾールとを含有する研磨組成物。 （もっと読む）

【課題】貴金属の研磨に適した研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明は、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、常温の研磨用組成物中で電位計の正極側を導電性物質に接続し、且つ負極側を導体に接続した条件において、導電性物質と導体を研磨したときに正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値（ゼロを含む。）を示すことを特徴とする研磨用組成物を提供する。さらには、研磨用組成物は、導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値（ゼロを含む。）にする添加剤を含有することが好ましい。 （もっと読む）