【課題】ワークを均一に加熱する際や所定の温度分布を有するように加熱する際、複数の電極対を設ける必要性が乏しい、通電加熱装置を提供する。
【解決手段】給電部１に電気的に接続され、一方の電極１１及び他方の電極１２からなる電極対１３と、一方の電極１１及び他方の電極１３をワークｗに接触した状態でかつ給電部１から電極対１３を経由してワークｗに通電している状態で、一方の電極１１、他方の電極１３の何れか一方又は双方を移動して一方の電極１１と他方の電極１２との間隔を変化させる移動機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】筒部材に発熱体を簡便に収めることが可能な非鉄金属溶湯用ヒーターを提供する。
【解決手段】発熱体２とリード線３とセラミックスを主成分とする保護部材４と備え、保護部材４は、発熱体２を収める発熱体収容部１１と、リード線３を収める支持部１３と、発熱体収容部１１と支持部１３とを互いに交わる角度にて繋ぐとともに、発熱体収容部材１１からの延長上の部分に、発熱体２を出し入れ可能に設けられた第一の開口部１７と該第一の開口部１７を閉栓する蓋部材１４とが設けられた屈曲部１２と、を有する非鉄金属溶湯用ヒーター１。 （もっと読む）

【課題】載置面の中心部から外周部にかけて単調に温度変化するような温度分布を得ることが可能なセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】セラミックスヒータ１は、載置面Ｓに被加熱物Ｗが載置されるセラミックス基板２と、セラミックス基板２に埋設された内側発熱抵抗体Ｑ１と、内側発熱抵抗体Ｑ１の外側にてセラミックス基板２に埋設された外側発熱抵抗体Ｑ２と、発熱抵抗体Ｑ１，Ｑ２とに供給する電力を独立して制御可能な制御部とを備える。セラミックス基板２の上面の中心点Ｏから外端までの距離をＲとしたとき、内側発熱抵抗体Ｑ１は、上面視で中心点Ｏを中心とした０〜０．５Ｒの領域内に配置され、外側発熱抵抗体Ｑ２は、上面視で中心点Ｏを中心とした０．８Ｒ〜Ｒの領域内に配置される。 （もっと読む）

【課題】本体基材とヒータパターンとの間の電流リークが発生しない新規なポスト型セラミックスヒータ構造を提供する。
【解決手段】ヒータ本体１１の露出面をベースコート１１４で絶縁した後、ヒータ本体表面の端子ボルト挿入穴１１２に端子ボルト１３を挿入し、裏面側のポスト収容凹部に収容したポスト１２と螺合させることによりヒータ本体にポストを連結固定する。次いで、端子ボルト頭部１３３をヒータ本体の表面と面一になるように切除し、該切除頭部１３３’を含むヒータ本体表面に導電膜１１６を形成し、これを部分的に切除してヒータパターン１４を形成する。ポスト外周面にも導電膜１２３を形成すると、ポストおよびボルトに形成した被膜進入路１２２，１３６に入り込んでこれらを強固に連結する。ヒータパターンへの通電は端子ボルトのみを経由して行われるので、導電効率に優れている。 （もっと読む）

【課題】炉内温度の上昇を抑制しながら、分子間の水素結合を切断する能力に優れる近赤外線を集中的に放射してワークを効率よく加熱することができるとともに、ワークから揮発する成分を、炉内天井部に配置された赤外線ヒーターの表面に付着させることなく、炉外に速やかに排出することができる赤外線加熱炉を提供すること。
【解決手段】フィラメント１２の外周が３．５μｍ以上の赤外線を吸収する複数の管1３，１４によって覆われ、これらの複数の管の間に赤外線ヒーターの表面温度の上昇を抑制する冷却用流体の流路１６を形成した構造を有し、炉体天井部の幅方向に延びる赤外線ヒーターを、炉体天井部の長手方向に複数配置した赤外線加熱炉であって、該炉体１０の内部に、ワークの搬送手段と、該炉体入側から出側に向かう水平流を形成する水平流形成手段１９，２０を備え、該水平流形成手段は、該ワークと赤外線ヒーターとの間に、水平流を形成する。 （もっと読む）

【課題】本体基材とヒータパターンとの間の電流リークが発生しない新規なポスト型セラミックスヒータ構造を提供する。
【解決手段】表面側に端子ボルト挿入穴１１２、裏面側にポスト収容凹部１１３が形成されたヒータ本体１１を準備し、このヒータ本体の周囲および端子ボルト挿入穴とポスト収容凹部の内面をベースコート１１４で絶縁した後、端子ボルト挿入穴に端子ボルト１３を挿入し、ポスト収容凹部に収容したポスト上端の雌ネジ１２１に端子ボルトを螺合させることにより該端子ボルトを介してヒータ本体にポストを連結固定する。次いで、端子ボルトの頭部をヒータ本体の表面と面一になるように切除し、この端子ボルトの切除頭部を含むヒータ本体表面に導電性材料による被膜を形成し、この導電膜を部分的に切除してヒータパターン１４を形成し、さらに露出部全面をオーバーコート１６で絶縁して、ポスト型セラミックスヒータ１０を得る。 （もっと読む）

【課題】静電チャック装置の載置面に単に載置するだけで、製品となる半導体ウエハそのものを使用することなく、静電チャック装置の載置面の面内温度分布や昇温特性や降温時における冷却特性を容易に最適化することが可能な温度測定用板状体及びそれを備えた温度測定装置を提供する。
【解決手段】本発明の温度測定用ウエハ（温度測定用板状体）１は、ウエハ２の表面２ａ全面に絶縁性接着剤３が貼着され、この絶縁性接着剤３上にヒーターエレメント４が設けられ、この絶縁性接着剤３の表面３ａ上のヒーターエレメント４を除く領域にウエハ２の表面２ａの温度を測定するための温度測定領域５が設けられ、これらヒーターエレメント４及び温度測定領域５は絶縁膜６により被覆されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加熱、焼成する製品の加熱温度や雰囲気条件等に関係なく使用することができる加熱炉用ヒーターを提供する。
【解決手段】加熱炉用ヒーター１０の第１ヒーターパイプ体２０、第２ヒーターパイプ体２２、第３ヒーターパイプ体２４、第４ヒーターパイプ体２６、第５ヒーターパイプ体２８はカバーパイプ３０と第１保持体３２と第２保持体３４を有している。第１保持体３２にはガス通路３２Ａと水通路３２Ｂが貫通形成され、第２保持体３４にはガス通路３４Ａと水通路３４Ｂが貫通形成されている。カバーパイプ３０の中間部には発熱体としてのカーボン体４２が配設されている。また、カバーパイプ３０の内部にはガス通過隙間４３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 抵抗発熱体に高い電圧を印加しても、温度均一性を犠牲にすることなく、抵抗発熱体の周囲の絶縁性を良好に維持できる基板保持体を提供する。
【解決手段】 半導体基板Ｗの載置面１ａとは反対側の面もしくは内部に半導体基板Ｗの加熱用の抵抗発熱体２を備えた基板保持体１であって、抵抗発熱体２は円弧状パターン２１ａおよび折り返しパターン２１ｂを交互に接続して構成される同心円状部分２１と、同心円状部分２１を構成する複数の折り返しパターン２１ｂのうち、互いに向かい合う折り返しパターン２１ｂ同士の間の領域に延在する直線状部分２２とからなり、抵抗発熱体２に給電するための１対の給電端子３が同心円状部分２１に接続されている （もっと読む）

【課題】抵抗発熱体の熱膨張収縮に伴う径方向の移動を許容しつつ抵抗発熱体が下方に移動するのを防止でき、抵抗発熱体の耐久性の向上が図れる熱処理炉及び熱処理炉用支持体を提供する。
【解決手段】被処理体を収容して熱処理するための処理容器３を囲繞する筒状の断熱材と、断熱材の内周面に沿って配置される螺旋状の抵抗発熱体と、断熱材の内周面に軸方向に所定のピッチで設けられ、抵抗発熱体を径方向に熱膨張収縮可能に支持する支持体１３とを備えた熱処理炉において、支持体１３は、先端が断熱材に埋設され、上面で抵抗発熱体を摺動可能に支持する水平部１３ａを有すると共に、水平部１３ａの後端から立ち上がった垂直部１３ｂとを有し、水平部１３ａの下面には、支持体１３の熱容量を小さくするための溝１８が長手方向に沿って形成される。 （もっと読む）

【課題】温度分布の制御精度の向上を図ることができるセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】本発明のセラミックスヒータ１によれば、各発熱抵抗体Ｑｋ（ｋ＝１〜５）から発せられた熱を、セラミックス基板２から伝熱面としての接合界面Ｓｊ（ｊ＝１〜３）を通過させた上で、セラミックス支持部材４の低温箇所に流れ込ませることができる。セラミックス基板とセラミックス支持部材との接合界面Ｓｊは、セラミックス基板２の載置面Ｓに対して垂直な軸線を取り囲むとともに、当該軸線に対して垂直な方向に離散的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】長期間にわたって使用した場合にも発光管の破損が生じない長寿命のハロゲンヒータランプユニットおよび熱処理装置を提供することにある。
【解決手段】熱処理装置は、ワークを加熱する熱処理空間を取り囲む、断熱材からなる断熱筐体１１と、当該断熱筐体の上壁に形成された挿入孔１５に挿通されるよう配設された筒状体３０と、ワークを加熱する熱源として、水平部およびその両端から垂直方向に伸びる垂直部よりなるＵ字状の発光管を備え、発光管内における少なくとも水平部２１Ａにフィラメントが配設されたハロゲンヒータランプ２０とを備える熱処理装置であって、当該ハロゲンヒータランプが、当該ハロゲンヒータランプの発光管の各々の垂直部が前記筒状体内に当該垂直部の外周面と前記筒状体の内周面との間に間隙を介する状態で挿通されるよう配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒータの本体部分のみならず端部における防爆対策をも併せ持った二重管式ヒータの防爆構造を提供する。
【解決手段】フィラメント１２が封入された石英管１３を、冷却流体が供給される外側管１４の内部に封入して二重管式ヒータとし、その端子部にリード線収納用のチューブ１８を取り付け、このチューブ１８の内部にパージエアを供給して炉内ガスの侵入を阻止した。可燃性の有機溶媒蒸気が発生するワークを乾燥する炉の加熱源として適している。 （もっと読む）

【課題】強度を高めつつ耐熱性を向上させた設計自由度の高い断熱材を提供するとともに、上記断熱材を簡便に作製する方法および強度を高めつつ耐熱性を向上させた設計自由度の高い発熱構造体を提供する。
【解決手段】多孔質成形体からなる基材の少なくとも一部の孔中にエアロゲルが固着形成されてなることを特徴とする断熱材Ａ、および多孔質成形体からなる基材の少なくとも一部に対してエアロゲル前駆体を含浸した後、ゲル化処理することを特徴とする断熱材Ａの製造方法、多孔質成形体からなる基材の少なくとも一部の孔中にエアロゲルが固着形成されてなる断熱材Ａと発熱体Ｂとを有し、前記発熱体Ｂが前記断熱材Ａに保持されてなることを特徴とする発熱構造体である。 （もっと読む）

【課題】素線の膨脹の累積を防止した、素線のコイル状ヒーター要素を含む電気炉用のインサートを提供する
【解決手段】断熱シェルおよびコイル状ヒーター要素を含む電気炉用のインサートであって、ヒーター要素（２）が、折り曲げ部（１０）およびセクション（Ｓ_i、Ｓ₂）同士が共通の素線のループを形成するように、素線の折り曲げ部（１０）を介して相互接続している少なくとも２つのセクションからなる素線を含むインサート。折り曲げ部（１０）に直接接続しているセクション（Ｓ_i、Ｓ₂）中の素線が、締結部材（１１）を超えて膨脹するのを妨げるように、締結部材（１１）が断熱シェル中に固定され、折り曲げ部（１０）の領域内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】雰囲気温度の上昇を抑制しながら被処理品を効率よく熱処理する。
【解決手段】この発明の熱処理装置１０は、熱処理炉１、熱源２１、フィルタ３、および透光部材４を備える。熱処理炉１は被処理品１００を収容するものである。熱源２１は、赤外線を放射するものが用いられる。フィルタ３は、熱源２１に隣接して配置され、所定波長以上の赤外線をカットするものである。透光部材４は、フィルタ３に対向して熱源２１と反対側に離隔配置され、フィルタ３によりカットされない赤外線を透過させるとともにフィルタ３を熱処理路１内の雰囲気から分離するものである。 （もっと読む）

【課題】炉内温度の上昇を抑制して、ワークに対して分子間の水素結合を切断する能力に優れる近赤外線を集中的に放射して、塗膜を効率よく、連続して加熱乾燥することができる塗膜乾燥炉を提供する。
【解決手段】リチウムイオン電池用電極塗膜のような、３．５μｍ以下の電磁波の吸収スペクトルを持ち、水素結合を有する塗膜を炉体内部で走行させつつ乾燥させる塗膜乾燥炉である。炉体１０の内部に配置される赤外線ヒーター１１が、フィラメント１２の外周がローパスフィルターとして機能する管１３、１４によって同心円状に覆われ、これらの複数の管の間１６に流体の流路を形成した構造を有するものである。これにより炉内温度の上昇を抑制して有機溶媒蒸気の爆発を防止しながら、ワークに対して分子間の水素結合を切断する能力に優れる３．５μｍ以下の近赤外線を集中的に放射して、塗膜を効率よく加熱乾燥する。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】
均熱性に優れ、かつ、小型化に対応可能なセラミックヒータを提供する。
【解決手段】
セラミック基材と、セラミック基材２上に形成された抵抗発熱体３と、その上に抵抗発熱体３を覆うように形成されたセラミック被覆層１４からなるセラミックヒータにおいて、セラミック被覆層１４には、同一材料からなる高密度層１４ａと高密度層１４ａに対してセラミック基材２から遠い側に位置する低密度層１４ｂとが少なくとも一組設けられている。 （もっと読む）

【課題】発熱体端部のペスト現象による寿命の低下を防止する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ１０５を処理する処理室と、処理室内のウエハ１０５を加熱する加熱装置とを備えており、加熱装置は処理室を覆う断熱体１０７と、断熱体１０７の内周面に設けられた二珪化モリブデンからなる発熱体１０８と、断熱体１０７外に引き出された発熱体１０８の端部を囲繞するカバー８４と、カバー８４内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置８７とを有し、断熱体１０７には不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン１２２が接続されている。カバー内に不活性ガスを供給することにより、発熱体の端部における低温領域のペストによる寿命の低下を防止することができる。 （もっと読む）