【課題】 加工性が良く、色ムラの発生が無く、高温（１５００℃）曲げ強が高く、耐熱性の良好なＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を提供する
【解決手段】
窒化硼素２．５〜５０質量％、炭化珪素４７〜９７質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５〜３質量％未満の相対密度９７．５％以上、Ａｒガス中の２０００℃で１０時間加熱後の質量減少率が０．５質量％以下であるＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体。比表面積１１ｍ^２／ｇ以上で酸素含有量が１３．３４×Ａ^{−０．５８}以下の窒化硼素が２．５〜５０質量％、比表面積８ｍ^２／ｇ以上の炭化珪素が４７〜９７質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５質量％以上３質量％未満の混合粉末であり、酸素量が１．１０質量％以下、比表面積が１０〜４５ｍ^２／ｇである混合粉末を非酸化性雰囲気で圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１８００〜２１５０℃、保持時間１〜６時間のホットプレス焼結で焼結するＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＰＢＮ製品に適用可能な新規有用なトレーサビリティ表示手法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面２がＰＢＮからなる本体１を製造した後、該本体表面の任意箇所に純化黒鉛でトレーサビリティ表示２を設け、該トレーサビリティ表示を含めた本体表面をＰＢＮオーバーコート３で被覆して、ＰＢＮオーバーコート製品４が製造される。ＰＢＮオーバーコートの膜厚を７００μｍ以下とすれば、本体表面に表示した製品シリアル番号を読み取るに十分な透明性を与えることができるので、トレーサビリティ表示手法として好適である。黒鉛はＰＢＮの物性に悪影響を与えないので、これを用いて形成されるトレーサビリティ表示が本体ＰＢＮ表面とＰＢＮオーバーコートとの間に介在しても、ＰＢＮ製品本来の機能や耐久性を損なわない。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、熱伝導性に優れた窒化ホウ素粒子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
ホウ酸メラミンと、粉末X線回折法による黒鉛化指数（ＧＩ）２．０以下、平均粒子径５〜４０μmの鱗片状窒化ホウ素粉末からなり、平均粒子径が４０〜３００μmである複合粒子。有機バインダーを０．０５〜１．０質量％含有した水溶液１００質量部に対し、ホウ酸メラミン１００質量部に対して鱗片状窒化ホウ素が１．０〜２０質量部の混合物１０〜５０質量部含有するスラリーを用いて、噴霧造粒する複合粒子の製造方法。複合粒子を、非酸化性雰囲気下６００〜１３００℃で焼成後、非酸化性雰囲気下１６００〜２２００℃で焼成する窒化ホウ素粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温で焼結することが可能な六方晶系窒化ホウ素焼結体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子の表面のみならず内部にも酸素が含まれている六方晶系窒化ホウ素粉末を圧力成形してプレ成形体とし（プレ成形工程）、プレ成形体を非酸化性ガス雰囲気中又は真空中において６００℃以上１１００℃未満で焼結する（焼結工程）。 （もっと読む）

【課題】グラスライニングにも適用が可能な熱伝導性ガラスであって、熱伝導性に優れ、かつ、ガラスの発泡による膨張が少ない熱伝導性ガラス、及びそのような熱伝導性ガラスの製造方法を提供すること。
【解決手段】熱伝導性フィラーとしてＳｉＣをガラスフリットに添加する場合に、６００℃以上７２０℃未満の温度範囲で焼成する。ＳｉＣの表面を酸化処理し、ＳｉＯ_２被膜を形成させてもよい。また、熱伝導性フィラーを混合したガラスフリットを、不活性ガス雰囲気下で焼成してもよく、減圧下又は加圧下で焼成してもよい。 （もっと読む）

【課題】 色ムラの発生が無く、加工性、強度、耐熱性の良好なＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を提供する。
【解決手段】
窒化硼素１０〜４０質量％、炭化珪素５８〜８８質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５〜３質量％未満の相対密度９７％以上、曲げ強さ３００ＭＰa以上、Ａｒガス中の２０００℃で１０時間加熱後の質量減少率が０．６質量％以下であるＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体。
比表面積１０ｍ^２／ｇ以上で酸素含有量が１８．５×（混合粉末中のＢＮ質量％）^{−０．６５７}以下の窒化硼素が１０〜４０質量％、比表面積７ｍ^２／ｇ以上の炭化珪素が５８〜８８質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５質量％以上３質量％未満の混合粉末であり、酸素量が１．２０質量％以下、比表面積が８〜４５ｍ^２／ｇの混合粉末を非酸化性雰囲気で圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１８５０〜２１５０℃、保持時間１〜６時間のホットプレス焼結するＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】快削性を有すると共にシリコンに近い熱膨張係数を有し、高い強度を備えたセラミックス部材、このセラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ及びセラミックス部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】エンスタタイト及び窒化ホウ素を構成成分として含み、窒化ホウ素が一方向に配向している焼結体であるセラミックス部材、セラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ及びセラミックス部材の製造方法。セラミックス部材は、配向度指数が０．８以上である。 （もっと読む）

【課題】十分に高密度で一様な構造を有し超高圧容器なしで製造できるダイヤモンド含有超硬質複合材料を提供する。
【解決手段】炭化物、窒化物等の硬質粉末、０〜１０重量％鉄族金属と平均粒径１０〜１０００μｍのダイヤモンド粒子とを混合し、この混合物を０〜２００ＭＰａの範囲の加圧下、通電加熱により、９００℃以上での加熱速度を１００〜１００００℃／分とし、１９００℃を超えない温度で３０秒未満保持し焼結し相対密度８５％以上を有する超硬質複合材料を得る。 （もっと読む）

【課題】溶融金属に対する濡れ性が小さい材料を含む厚い複合層を表面に有する溶融金属用セラミックス部材の製造方法を提供する。
【解決手段】母材セラミックスの原料粉末を加圧成形することにより圧粉体を作製する第１の加圧成形工程（Ｓ５）と、この圧粉体の表面の少なくとも一部の領域と成形型との間に、溶融金属に対する濡れ性が母材セラミックスよりも低い材料である低濡れ性材料の粉末と母材セラミックスの原料粉末との混合粉末を充填させる第２の型充填工程（Ｓ６）と、加圧成形することにより成形体を作製する第２の加圧成形工程（Ｓ７）と、当該成形体を焼結する焼結工程（Ｓ１０）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】溶融金属めっき浴に浮遊する異物が付着し難い溶融金属めっき浴用の浸漬部材を提供する。
【解決手段】セラミックス複合材の全質量基準で、窒化硼素（ＢＮ）を２０質量％以上７０質量％以下配合した窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）基セラミックス複合材を用いて溶融金属浴用の浸漬部材７４２を形成する。この浸漬部材７４２を溶融金属めっき装置１に付設される異物除去装置（ガスリフトポンプ７）に用いると、浸漬部材７４２に対する異物（ドロスＤ）の付着や固着が起こり難くなるので、浸漬部材７４２の交換頻度を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム溶湯に対する良好な耐濡れ性、高い強度及び耐熱衝撃性を有する窒化珪素質焼結体を得る。
【解決手段】 中心部に窒化硼素粒子を偏在させた窒化珪素質原料粉末、窒化硼素粒子、助剤からなる窒化珪素質セラミック球状粉の集合体を焼結したことを特徴とする窒化珪素質焼結体。 （もっと読む）

【課題】制御された密度及び破壊強さの特徴を有する新規な窒化ホウ素凝集粉末及び窒化ホウ素凝集粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】窒化ホウ素凝集体を含む供給原料粉末を準備し、そして、供給原料粉末を熱処理することにより、熱処理済の窒化ホウ素凝集粉末を形成することを必要とする。1態様の場合、供給原料粉末は、制御された結晶サイズを有する。別の態様の場合、供給原料粉末はバルク源から導かれる。 （もっと読む）

【課題】高強度で、かつ耐熱衝撃性に優れた窒化ケイ素基複合セラミックスを提供すること。
【解決手段】本発明の複合セラミックスは、窒化ケイ素基セラミックスを母相とし、窒化ホウ素が２．５ｖｏｌ．％以上、１０ｖｏｌ．％以下の割合で分散相として複合されている。ＪＩＳ Ｒ１６０１に準拠した２５℃での四点曲げ強度をσ_i、ＪＩＳ Ｒ１６１５に準拠した水中投下法によって８００℃以上から２５℃の水中に投下による急冷で熱衝撃を与えた後の四点曲げ強度をσ_fとしたとき、σ_iの値が４００ＭＰａ以上で、かつσ_f／σ_iの比の値が０．８５以上である。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導でシリコンに近い熱膨張係数、かつ精密加工性が良好で、工具摩耗の少ない半導体素子の検査に用いるプローブ案内部材を提供する。
【解決手段】 窒化ホウ素３７〜４９質量％、窒化アルミニウム４９〜６０質量％、イットリア１〜４質量％を含有し、相対密度９２％以上かつ窒化アルミニウム結晶粒子の長径の平均が２．０〜３．２μｍであるＢＮ−ＡｌＮ複合焼結体を用いるプローブ案内部材。平均粒径１．２μｍ以下、比表面積２．０ｍ^２／ｇ以上の窒化アルミニウム４９〜６０質量％、比表面積２０ｍ^２／ｇ以上の窒化ホウ素３７〜４９質量％、イットリア１〜４質量％及びアルミナ３質量％以下（０質量％を含む）の原料を用いて、圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１，６４０〜１，７８０℃、保持時間１〜４時間のホットプレス焼結を用いるプローブ案内部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１３００〜１４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能な耐熱耐摩耗部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、相対密度９７％以上かつＳｉＣの最大粒子径が４．０μｍ以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用耐熱耐摩耗部材。１４００℃の窒素ガス中で６時間加熱した後の減量が０．１質量％以下、かつ耐ブラスト性試験が０．０５質量％/回以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 耐熱部材として高温での揮発分が少なく、不純物の混入が少なく、機械部品としての寸法精度を確保出来、高温での半導体製造装置に好適な部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 １７００℃の窒素ガス中で１２時間加熱した後のＳｉ、Ｃ、Ｂ、Ｎの合計含有量が９９．９質量％以上、且つ波長１μｍにおける放射率が８０％以上のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いる合成装置用耐熱性黒色部材。相対密度９８％以上かつＳｉＣ粒子の最大粒子径が４．０μｍ以下であることが好ましい。ＳｉＣが６０．０質量％以上８３．５質量％以下、ＢＮが１５．０質量％以上３５．０質量％以下、Ｂ_４Ｃが０．５質量％以上２．０質量％以下、カーボンが１．０質量％以上４．０質量％以下の原料組成を２０００〜２２００℃、圧力１５〜４０ＭＰａでホットプレス焼結する合成装置用耐熱性黒色部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ単結晶等の成長に使用されるＢＮるつぼを低コストで製造する方法の提供。
【解決手段】
高分子フィルムを硼素と窒素を含む雰囲気で熱処理することにより窒化硼素（ＢＮ）に転化させてＢＮるつぼを製造する方法であり、より具体的には、高分子フィルムを硼素及び窒素を含むガス中で１２００℃〜２０００℃の温度で処理して少なくとも表面部が硼素及び窒素からなる中間体を生成させる第一の工程と、得られた中間体を２０００℃以上３０００℃以下の温度範囲で本焼成してＢＮるつぼを得る第二の工程とを含むＢＮるつぼの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

【課題】劈開性が低く、クラック（亀裂）伝播抑制作用に優れ、高硬度かつ高靭性を有する高純度窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】粒径０．５μｍ以下の微細なウルツ鉱型窒化ホウ素微粒粉末表面を、酸素を含有せず、流体源として固体のポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンを使用する超臨界流体で清浄化し、焼結助剤を添加せずに５ＧＰａ以上かつ１４００℃以上の高圧高温条件下で焼結することにより、微量のウルツ鉱型窒化ホウ素を含有する高純度窒化ホウ素焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、窒化ホウ素焼結体及び複合焼結体に緻密な表面層等を形成することにより、表面から発生するコンタミネーションを抑制することによって、クリーンな雰囲気が求められる条件下でも使用可能とする。
【解決手段】 相対密度が６５〜９０％の窒化ホウ素焼結体又は相対密度が６５〜９０％で窒化ホウ素を３０質量％以上含む複合焼結体に、セラミックス粉スラリーを３０〜３００ＭＰａで圧入し、焼成することを特徴とする成形体の製造方法。セラミックスラリーがリン酸アルミニウムのスラリーであり、６００〜１０００℃で焼成する成形体の製造方法。 （もっと読む）