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Fターム[4G001BC13]の内容

セラミック製品 (17,109) | 製造方法 (5,177) | 坏土の構成原料 (1,059) | 粒径、粒度分布限定 (444)

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【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を1〜35質量%含有し、気孔率が38〜80%であり、気孔径が10〜60μmである炭化珪素質多孔体。 (もっと読む)


【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を1〜35質量%、ホウ素(B)を酸化ホウ素(B)換算で0.1〜10質量%それぞれ含有し、気孔率が38〜80%である炭化珪素質多孔体。 (もっと読む)


【課題】被加熱物から揮散する水分や油分などが付着せず、炭化珪素発熱体を被加熱物と接触させて加熱する場合でもスムースに接触させることができ、炭化珪素発熱体および被加熱物を傷つけることなく、被加熱物を均一に加熱できる炭化珪素発熱体およびその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも表面が高分子化合物3により被覆あるいはコーテイングされていることを特徴とする炭化珪素発熱体1により課題を解決できる。
内部ボイド5の少なくとも一部が前記表面に連通しているボイド構造を有する炭化珪素発熱体1の前記表面が高分子化合物により被覆あるいはコーテイングされるとともに、被覆あるいはコーテイングされた前記高分子化合物の少なくとも一部が前記内部ボイド5内に侵入していることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、近年の過酷な切削条件化に耐え得る強固かつ高剛性に接合されてなる立方晶窒化硼素焼結体工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の立方晶窒化硼素焼結体工具は、80〜98体積%の立方晶窒化硼素と結合相とを含有する立方晶窒化硼素焼結体が、0.1〜10重量%のTiと15〜50重量%のCuとを含有し、かつ残部がAgと不可避不純物とからなる接合層を介して工具母材上に直接接合され、該接合層に接する該立方晶窒化硼素焼結体の接合面における該結合相は該立方晶窒化硼素中に不連続状態で存在し、その不連続状態で存在する各々の結合相において、その面積が0.01〜2μm2となる結合相が結合相の全面積の80%以上を占めることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】窒化けい素本来の高強度・高靭性特性に加えて所定の電気抵抗値(導電性)を有し、特に摺動特性が優れた窒化けい素製耐摩耗性部材の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸素を1.7質量%以下、α相型窒化けい素を90質量%以上含有する平均粒径1.0μm以下の窒化けい素粉末に、炭化けい素を12〜28質量%、Mo,W,Ta,Nbの炭化物からなる群より選択される少なくとも1種をけい化物換算で3〜15質量%、希土類元素を酸化物に換算して2〜10質量%、アルミニウムを酸化物に換算して2〜10質量%、Ti,Hf,Zr、からなる群より選択される少なくとも1種を酸化物に換算して5質量%以下添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後、非酸化性雰囲気下で1650〜1850℃の温度で焼結することにより前記炭化物がけい化物になることを特徴とする窒化けい素製耐摩耗性部材の製造方法である。 (もっと読む)


本発明は、配合物を作りそれを1600℃〜2400℃で焼成するのを可能にするために充分な量の溶媒、例えば水の存在下で、有機細孔形成剤及び/又は結合剤を含む有機材料と適切な割合でもって配合された細かいSiC粒子及び粗いSiC粒子の2つの粉末から出発して、特に粒子状物質含有ガスをフィルタ処理するための構造体の形をした、再結晶化SiCで作られた多孔質材料を得るための方法であって、粗い粉末粒子のパーセンタイル値d90と細かい粉末粒子のパーセンタイル値d10との差に初期配合物中の有機材料の体積を乗じ、SiC粒子の合計体積に対する百分率として表わしたものが、250〜1500であることを特徴とする方法に関する。本発明は、前記方法によって得ることのできる再結晶化SiCで作られた多孔質材料にも関する。 (もっと読む)


【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、1,200〜1,400℃に達する高温で、InGaNAl(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される3−5族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 InGaNAl(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される3−5族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、AlN60質量%以上85質量%以下、BN15質量%以上40質量%以下かつ1,400℃のN中で6時間加熱した後の減量が0.1%以下のAlN−BN複合焼結体を用いる3−5族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度98%以上かつAlNの最大粒径が4μm以下である3−5族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 (もっと読む)


【課題】従来技術のSiC繊維強化型SiC複合材料よりも優れた熱特性、強度特性等を発揮できるSiC繊維強化型SiC複合材料を提供する。
【解決手段】SiC繊維強化型SiC複合材料を製造する方法であって、(1)SiC繊維表面に炭素、窒化ホウ素及び炭化ケイ素の少なくとも1種を含む被覆層が形成されてなる被覆SiC繊維に対し、SiC微粉末及び焼結助剤を含み、かつ、有機ケイ素高分子を含まないスラリーを含浸させることにより予備成形体を得る第1工程及び(2)前記予備成形体を加圧焼結させる第2工程を含むことを特徴とするSiC繊維強化型SiC複合材料の製造方法に係る。 (もっと読む)


【課題】非加圧含浸でありながら短時間で金属を含浸させる。
【解決手段】まず、含浸促進材であるチタニア(TiO2)と炭化ケイ素粉末とを、炭化ケイ素に対する含浸促進材の粒径比が1/10以下、炭化ケイ素に対する含浸促進材の体積比が0.15以上となるように混合した混合粉末を作製し該混合粉末を成形してプリフォーにする。このプリフォームをカーボン坩堝に入れ、プリフォーム上にAl合金インゴットを載置した状態で、真空雰囲気下で1200℃に加熱することにより、Al合金をプリフォームに含浸させて含浸体とする。その後、含浸体を徐々に冷却することによりSiC/Al系複合材料を得る。 (もっと読む)


【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板、パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 β−Si及びβ−サイアロンのうち少なくとも1種の結晶粒子1と粒界相3とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子1内に、該結晶粒子1の他の部分4よりもAl存在量が多いAl多領域部5を有するとともに、該Al多領域部5が希土類元素を含有する被覆層6で覆われていることを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 (もっと読む)


【課題】切削温度(刃先部最高温度)を低下させるのに十分な高い熱伝導率を有すると同時に、切削工具に要求される高硬度、高強度などの特性を満たす焼結体の提供。
【解決手段】60体積%以上99体積%以下のWCと、1体積%以上40体積%以下のAlN−Y23混合物とを含み、100W/mK以上の熱伝導率を有することを特徴とする焼結体。 (もっと読む)


【課題】耐熱衝撃性に優れた窒化珪素結合SiC耐火物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化珪素結合SiC耐火物の製造方法は、扁平粒子のSiC粉末と、Si粉末と、Al、AlN、Al酸化物、Ca酸化物、Mg酸化物、Fe酸化物、Ti酸化物、Zr酸化物から選択された少なくとも1種とを混合する工程を有することを特徴とし、前記SiC粉末の初期かさ密度は、1.40〜1.55g/cmであるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】セラミックスの曲げ強度及び接触強度を向上できる技術の提供。
【解決手段】SiC微粒子12を10〜30wt%含有するセラミックス焼結体1あるいはSiC製のセラミックス焼結体にショットピーニング処理によって圧縮残留応力を導入するとともに前記セラミックス焼結体1に亀裂2を形成した後、酸素含有雰囲気下で、前記ショットピーニング処理にて導入した圧縮残留応力を全て除去できる加熱温度よりも低い温度での熱処理によってSiCを酸化させSiOを生成する熱処理工程を行うことを特徴とするセラミックス製品の製造方法、セラミックス製品5を提供する。 (もっと読む)


【課題】劈開性が低く、クラック(亀裂)伝播抑制作用に優れ、高硬度かつ高靭性を有する高純度窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】粒径0.5μm以下の微細なウルツ鉱型窒化ホウ素微粒粉末表面を、酸素を含有せず、流体源として固体のポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンを使用する超臨界流体で清浄化し、焼結助剤を添加せずに5GPa以上かつ1400℃以上の高圧高温条件下で焼結することにより、微量のウルツ鉱型窒化ホウ素を含有する高純度窒化ホウ素焼結体を製造する。 (もっと読む)


【課題】焼結添加剤を使用せずに、高い相対密度およびナノメートルのグレインサイズを有する炭化ケイ素部品を製造できるプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明は、平均グレインサイズがナノメートルであり、相対密度が97%を超える炭化ケイ素を含む部品の調製プロセスであって、このプロセスは:
−ナノメートルの炭化ケイ素粉末の冷間圧縮によるプレフォーム形成工程または粉末の造粒によるこうした粉末の粒塊形成工程;
−必要な相対密度および平均グレインサイズ、すなわち97%を超える相対密度およびナノメートルの平均グレインサイズを得るために、少なくとも1つの所定温度および圧力における、焼結添加剤を使用しない、該プレフォームまたは該粒塊の放電プラズマ焼結工程を含むプロセスに関する。
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【課題】新規のSiCセラミック材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は新規のSiCセラミック材料とその製造方法に関する。本発明の炭化硅素(SiC)材料は、炭化硅素(SiC)セラミック材料であって、セラミック材料が炭化硅素粒子及び1又は複数の酸化物結合相から成り、炭化硅素がセラミック材料の全重量に基づき少なくとも70重量%、好ましくは80重量%、より好ましくは80〜95重量%の範囲で存在し、炭化硅素粒子の粒度分布が、SiC細粒の少なくとも一部と非凝集SiC大粒の少なくとも一部を含む少なくとも二峰性であることを特徴とするセラミック材料二峰性である。 (もっと読む)


【課題】安価でありながら、接触シールを採用しても軸受のトルクを低減することが可能なクラッチレリーズ軸受を提供する。
【解決手段】エンジンとトランスミッションとの間で駆動力を断続するクラッチに取り付けられ、クラッチの回転部材と非回転部材との間に配置されて軸方向に変位するクラッチレリーズ軸受1であって、内輪21と、外輪22と、内輪21と外輪22との間の環状領域に配置された転動体23とを備え、内輪21、外輪22および転動体23のうちの少なくとも一つの軸受要素は、Si6−ZAl8−Zの組成式で表され、0.1≦Z≦3.5を満たすβサイアロンを主成分とし、残部不純物からなる焼結体から構成される。 (もっと読む)


【課題】安価でありながら、十分な耐久性を安定して確保することが可能で、しかも軽量化を図ることが可能なオートテンショナを提供する。
【解決手段】シリンダ1内に軸心方向に沿ってスライド可能なプランジャ4を配設して、プランジャ4によって、シリンダ1内を圧力室12とリザーバ室13とに区切るとともに、圧力室12とリザーバ室13とを連通する通路16を設け、通路16に、圧力室12の圧力がリザーバ室13の圧力よりも高くなったときに通路16を閉じる閉塞手段20を設けたオートテンショナである。閉塞手段20をチェックボール21を備えたチェックバルブ22にて構成する。チェックボール21を、Si6−ZAl8−Zの組成式で表され、0.1≦z≦2.0を満たすβサイアロンを主成分とし、残部不純物からなる焼結体にて構成する。 (もっと読む)


【課題】安価でありながら、十分な耐久性を安定して確保することが可能であるとともに、内部に硬質の異物が侵入する環境下においても用いることが可能なβサイアロン焼結体からなる自在継手用トルク伝達部材、および当該自在継手用トルク伝達部材を備えた自在継手を提供する。
【解決手段】固定ジョイント1を構成する自在継手用トルク伝達部材であるボール13は、Si6−ZAl8−Zの組成式で表され、1.0≦z≦2.0を満たすβサイアロンを主成分とし、残部不純物からなる焼結体から構成される。 (もっと読む)


【課題】高いヤング率に起因した寿命の低下を抑制しつつ、耐摩耗性や耐食性を向上することが可能なフィルム延伸機テンタクリップ用ガイドローラ軸受を提供する。
【解決手段】フィルム延伸機のテンタクリップとテンタクリップに対向して配置されるガイドレールとの間にガイドレールに接触して配置され、テンタクリップをガイドレールに沿って案内するガイドローラ軸受1を構成する玉13は、Si6−ZAl8−Zの組成式で表され、0.1≦z≦3.5を満たすβサイアロンを主成分とし、残部不純物からなる焼結体から構成され、ヤング率が180GPa以上270GPa以下となっている。 (もっと読む)


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