【課題】シリコン単結晶を利用した半導体歪みセンサと比較してさらに高感度の半導体歪みセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪素源と炭素源と触媒を含む液状混合物を容器内に供給し、容器を乾燥室内に導入し、乾燥室内で液状混合物を硬化乾燥することにより、固形物を生成し、生成された固形物を加熱炉内に導入し、加熱炉内で固形物を炭化，焼成し、炭化，焼成された固形物を粉砕することによりβ型の炭化珪素粉体を生成し、β型の炭化珪素粉体と非金属系燃結助剤を混合，造粒することにより造粒体を生成し、生成された造粒体を焼結させることにより炭化ケイ素焼結体を形成し、炭化ケイ素焼結体表面に炭化ケイ素焼結体の歪みに伴う抵抗率の変化を検出するための電極を付設する。 （もっと読む）

【課題】多孔質セラミックス膜を分離膜として用い、それによるろ過を長時間運転しても目詰まりを生ぜず、物理的洗浄または薬品洗浄とは異なる洗浄性を発揮し得る多孔質セラミックス膜を提供する。
【解決手段】珪素化タングステンまたは珪素化モリブデンよりなる多孔質セラミックス膜。多孔質セラミックス膜は、好ましくは中空糸膜状に形成される。多孔質セラミックス膜は、気体または液体の分離膜としてろ過に用いられ、目詰まりを生じたらそこに通電処理を施し、目詰まり物質を除去してろ過膜の再生を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板を提供する。
【解決手段】 β−Ｓｉ_３Ｎ_４およびβ−サイアロンのうち少なくとも１種の結晶粒子１と粒界相３とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子１内に、該結晶粒子１の他の部分よりもＡｌ存在量が多いＡｌ多領域５を有するとともに、Ａｌ多領域の平均径が２μｍ以上であり、かつＡｌを全量中０．０５３〜０．４２２質量％含有すること、望ましくは０．１５９〜０．２３８質量％含有することを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−ＳｉＣよりも単位体積当たりの熱容量が大きく、ＤＰＦ等のフィルタの基材として使用した場合に、フィルタ特性（フィルタの有効面積、圧力損失等）に悪影響を与えるような高熱容量化手段を講じなくても、フィルタ再生処理時の熱を効果的に吸収して局所的な異常昇温を抑制できるような多孔質焼成体を提供する。
【解決手段】骨材が結合材により結合された構造を有する多孔質焼成体であって、前記骨材としてＳｉＣ粒子とＳｉＣよりも単位体積当たりの熱容量が大きい酸化物の粒子とを含み、前記結合材として金属Ｓｉを含み、前記多孔質焼成体全体に占める前記金属Ｓｉの体積割合が８〜４３体積％であり、前記骨材全体に占める前記酸化物の粒子の体積割合が１４〜５５体積％であり、前記ＳｉＣ粒子と前記酸化物の粒子とがそれぞれ１以上の粒子群から構成され、各粒子群の平均粒径が、５〜１００μｍの範囲にある多孔質焼成体。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３０質量％含有し、気孔率が３８〜８０％の炭化珪素質多孔体である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、曲げ強さが高く、かつ放電加工が可能な炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体を提供するものである。
【解決手段】 平均粒径１．０μｍ〜２．５μｍの炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）粉末、平均粒径１μｍ未満の二酸化チタン（ＴｉＯ_２）粉末及び平均粒径１μｍ未満の炭素（Ｃ）粉末の混合粉末を加圧条件下で焼結して得られる炭化ホウ素９０〜７０ｍｏｌ％と二ホウ化チタン１０〜３０ｍｏｌ％とからなり、抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下である炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体。１８５０℃〜２０５０℃の温度で焼結することを特徴とする炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体。３点曲げ強さが６５０ＭＰａ以上、弾性率が４５０ＧＰａ以上である炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体。 （もっと読む）

【課題】フィルタとして用いたときに捕集された粒子状物質（ＰＭ）を燃焼除去する際に、昇温し過ぎることを防止することができる炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】骨材としての複数の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子と、炭化珪素粒子同士を結合させる結合材とを有し、結合材の含有率（１００×結合材／（炭化珪素粒子＋結合材））が５〜７０体積％であり、開気孔率が３０〜７０％であり、結合材が、Ｔｉの珪化物、Ｚｒの珪化物、Ｍｏの珪化物及びＷの珪化物からなる群から選択される少なくとも一種を、結合材全体の６０体積％以上含有する炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

本発明は、粒子を含んだガスの濾過用のハニカムタイプのガスフィルタ構造に関し、この構造は、多孔質濾過壁によって隔てられた相互に平行な軸線を有して長手方向に隣接した流路の集合体を備え、各流出路は、６つの流入壁に共通の壁を有し、各共通壁は流出路の１面を構成し、各流出路は、ほぼ六角形で規則的な断面の流路を形成するために、ほぼ同一の幅ａの６面から構成され、各流入路の少なくとも２つの隣接した面が異なる幅を有し、１つの同一の流出路と壁を共有する少なくとも２つの流入路が、その２つの流入路の間に幅ｂの共通壁を共有し、幅の比率ｂ／ａが１と同一である。
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【課題】フィルタとして用いたときに捕集された粒子状物質（ＰＭ）を燃焼除去する際に、昇温し過ぎることを防止することができるとともに、熱サイクルによる強度低下の少ない炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】骨材としての複数の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子と、炭化珪素粒子同士を結合させる、複数の相からなる結合相とを有し、結合相のなかで、最も大きな体積を占める相が、Ｓｉ相又は、４０〜８００℃の線熱膨張係数がＳｉより３×１０^−６（℃^−１）以上高い値のＴｉの珪化物、Ｚｒの珪化物、Ｍｏの珪化物及びＷの珪化物からなる群から選択される少なくとも一種からなる相（金属珪化物相）の、いずれか一方であり、次に大きな体積を占める相が、Ｓｉ相又は金属珪化物相の、残りの一方であり、結合相が、Ｓｉ相を、結合相全体の２０〜８０体積％含有する炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】生産安定性が高く、緻密でガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。より具体的には、イオンプレーティング法に適したイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素１００重量部に対して、平均粒径が５μｍ以下の導電性材料を５重量部以上１００重量部以下含有する原料粉末により、上記課題を解決する。導電性材料が、導電性を有する、金属酸化物、金属窒化物、及び金属酸窒化物から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記の原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

本発明によれば、常圧および加圧焼結により製造されたα−ＳｉＣ粉末とカーボン粉末を混合してなるカーボン／α−ＳｉＣ混合物を仮成形した後、真空の高温環境において抵抗調節済みの溶融シリコンと反応させて電気的な特性に見合う抵抗を有するβ−ＳｉＣ素材を製造することにより、半導体製造工程の部品に要される電気的特性と優れた機械化学的特性を有し、ＳｉＣ素材の製造が高速であり、しかも安価であるという特徴を有する半導体工程部品用α−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結β−ＳｉＣ素材およびその製造方法が提供される。
また、本発明の他の側面によれば、前記反応焼結β−ＳｉＣ素材を用いてカソードをシリコン−ＳｉＣ構造の二体型に構成して、高い熱伝導度と低抵抗により電気的特性と、耐久性、耐摩耗性などの機械的性質が向上するシリコン−ＳｉＣ構造の二体型プラズマチャンバーカソードが提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス、樹脂およびセラミックスなどを成形する成形用型などを形成する耐熱性材料または炭化タンタル製膜用のターゲット材として好適に用いられる高純度かつ高密度で機械的強度が高い炭化タンタル焼結体およびその製造方法、ならびにかかる炭化タンタル焼結により形成される成形用型およびターゲット材を提供する。
【解決手段】本炭化タンタル焼結体は、純度が９８．５質量％以上で真密度に対するかさ密度の比率である相対密度が９６．５％以上である。本炭化タンタル焼結体は、純度が９９質量％以上で平均粒径が３μｍ以下の炭化タンタル粉末を不活性ガス雰囲気または３０Ｐａ以下の真空雰囲気下で、焼結圧力が２０ＭＰａ以上で焼結温度が１６００℃以上２３００℃以下で焼結時間が３０分間以上の条件で焼結することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】パーティクル量の発生量を低減する。
【解決手段】平均粒径１μｍと平均２μｍの２種類の炭化ケイ素粉末を３：７の比率で容器内において混合した後、液状のフェノール樹脂１２ｗｔ％を加えてスラリーを得た。次に、スラリーをスプレードライヤーで造粒することによって得られた粉末を坩堝内に充填し、坩堝を加熱炉内に導入し、ホットプレス焼結することにより、炭化ケイ素焼結体を得た。 （もっと読む）

本発明は、炭化ケイ素のモノリシックなインゴットの製造方法であって、ｉ）ポリシリコン金属チップおよび炭素粉末を含む混合物を、蓋を有する円筒状反応セルの中へと導入する工程と、ｉｉ）ｉ）の円筒状反応セルを密封する工程と、ｉｉｉ）ｉｉ）の円筒状反応セルを真空加熱炉の中へと導入する工程と、ｉｖ）ｉｉｉ）の加熱炉を排気する工程と、ｖ）ｉｖ）の加熱炉に、大気圧近くまで実質的に不活性ガスであるガス混合物を充填する工程と、ｖｉ）ｖ）の加熱炉の中の円筒状反応セルを１６００〜２５００℃の温度に加熱する工程と、ｖｉｉ）ｖｉ）の円筒状反応セルの中の圧力を０．０５ｔｏｒｒ（約６．７Ｐａ）以上５０ｔｏｒｒ（約６．７ｋＰａ）未満まで低下させる工程と、ｖｉｉｉ）ｖｉｉ）の円筒状反応セルの蓋の内側でのこの蒸気の実質的な昇華および凝縮を許容する工程と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性を高めることが可能な炭化ケイ素焼結体及び炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体５０の製造方法は、平均粒径が０．５μｍ以上１．５μｍ以下である炭化ケイ素粉１０及び分散剤３０をスラリー化する第１工程と、第１工程によって得られたスラリー４０を焼結し、焼結体５０を得る第２工程とからなっている。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 圧力損失が低く、高い強度を有するハニカムを製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化ケイ素粉末、バインダ及び添加材を含む原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することによりハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記原料組成物は、上記炭化ケイ素粉末として、炭化ケイ素粗粉末と上記炭化ケイ素粗粉末より平均粒子径（Ｄ５０）の小さい炭化ケイ素微粉末とを含むとともに、上記添加材として、金属酸化物粉末を含み、上記金属酸化物粉末の上記原料組成物中の配合量は、０．８〜４．０重量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の結晶粒径が大きくて、粒径分布も広い、多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスが示す低い切削加工精度と大きなチッピングの発生の改善を期待できる、結晶粒径が小さくて、粒径分布も狭い、多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスの効率的な製造方法、及びその用途を提供する。
【解決手段】粒子径の平均値が３μｍ以下で、粒子径の標準偏差３μｍ以下の水素化チタン粉末に、ケイ素粉末、炭化チタン粉末を混合し、混合粉末を加圧焼結して、結晶粒径の平均値が６μｍ以下、標準偏差が３μｍ以下、平均値＋３×標準偏差で定義した最大結晶粒径が１５μｍ以下の組織を有することで特徴付けられる多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスの効率的な製造方法、及びその製品。 （もっと読む）

約１Ｅ５Ωｃｍ以上の抵抗率を有し、再結晶炭化ケイ素体中の結合した窒素原子を含む窒素含有率が約２００ｐｐｍ以下である、再結晶炭化ケイ素体を提供する。
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【課題】耐火物の耐食性と強度を更に高めることのできる窒化珪素鉄粉末と、それを用いた耐火物、特に出銑樋材や高炉出銑口閉塞用マッド材などとして適した耐火物を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ比表面積が0.5〜250ｍ²/gの炭素粉を5〜20質量％を含有してなることを特徴とする窒化珪素鉄粉末である。更に、該窒化珪素鉄粉末と、耐熱性骨材と、炭素粉末及び／又は加熱によって炭素となる有機バインダーとを含有してなることを特徴とする耐火物である。 （もっと読む）