説明

Fターム[4G072MM40]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 反応、分離系操作 (4,111) | その他 (151)

Fターム[4G072MM40]に分類される特許

81 - 100 / 151


BET表面積175±15m2/g、および該BET表面積に基づく18mPas・g/m2よりも大きい増粘効果を有する凝集した一次粒子形態でのフュームド二酸化ケイ素粉末がポリジメチルシロキサンで疎水化される。この疎水性フュームドシリカはBET表面積110±25m2/gを有する。それをエポキシ樹脂中で使用できる。それらのエポキシ樹脂は接着剤として使用できる。 (もっと読む)


【課題】一般的に使われるキャスト成長法を用いて、そのインゴット全体の品質を上げることができ、高品質で高歩留まりなSi結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用ルツボに入れたSi融液を、融液上部ほど温度が低く融液中心ほど温度が低くなるように温度分布を調整する。次に、Si融液の上部からSi融液中に種結晶や冷媒を挿入または局所冷却を行うことにより、Si融液上部で局所的な核形成を促進する。しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。 (もっと読む)


【課題】不純物の含有量を大幅に低減した球状に近似した形状の単結晶シリコン粒子を、多数個を一括的に製造できる単結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン粒子3の製造方法は、不純物が偏析した突起部12を有するとともに表面に酸窒化膜11が形成された単結晶シリコン粒子3の突起部12を、単結晶シリコン粒子3の表面を実質的に加工変質させずに研磨加工によって除去する。研磨加工はバレル研磨加工により行なう。 (もっと読む)


【課題】製造工程を削減し、しかも必要な電力も削減できる新規なシリコンインゴットの製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンとの共晶反応を持ち、シリコン合金となったときの共晶点がシリコンの融点より低い元素と、金属シリコンとを、坩堝内で加熱融解し合金融液を生成する工程と、前記合金融液に対し共晶反応を利用してシリコンを低温凝固精製すると共に、前記合金融液より引き上げ法によりシリコンインゴットを生成する工程とを含むことを特徴とするシリコンインゴットの製造方法。 (もっと読む)


精密形状付与複合材料及びこれらの複合材料の製造方法が開示されている。本開示の方法は、前駆体組成物を、少なくとも1つの連続表面及び複数の空洞を有する生産工具上に導入して、空洞の少なくとも一部を前駆体組成物で充たすことを含み、その際、前駆体組成物が硬化によって、空洞に対応する形状を有する組成物を形成し、それにより、次の(a)10m/g以上又は(b)5kダルトン以上を含む多孔性を有する、複数の、個々の、精密形状付与粒子を形成することからなる。精密形状付与粒子は、少なくとも1つのほぼ平坦な側面を有する。精密形状付与粒子は、容器内に閉じ込めて、クロマトグラフィー用途に使用することができる。
(もっと読む)


【課題】内部応力および隅部亀裂が発生せず、所望品質のシリコン結晶インゴットが得られる対流冷却構造を有する結晶成長炉を提供する。
【解決手段】炉本体、加熱室、ヒータを含み、加熱室は炉本体に収容され、上側隔壁、複数の側方隔壁、および下側隔壁を含む。上側隔壁には、上側開口部と、中央開口部を有する下側隔壁とが設けられる。加熱室には、上側ドア、下側ドア、上側ドライバ、および下側ドライバが設けられ、シリコンスラリーが冷却および凝固される際、冷却ガス流が中央開口部を通って加熱室の下部に流れ込む。次に、上側開口部が、上側ドライバによって駆動される上側ドアにより開放されるため、加熱されたガス流が上側開口部から排出され、炉内壁に沿って下方に流れ、中央開口部から加熱室へ戻り、自動対流循環冷却流れ場が形成されるので、時間を節減し、生産効率を向上させた状態で、シリコンスラリーを迅速に冷却することができる。 (もっと読む)


【課題】ケイ素微粒子の可視光領域における発光特性、非毒性等を損なうことなく、液体に対する分散性を向上させる

【解決手段】ケイ素微粒子発光体の製造方法は、不活性雰囲気下においてケイ素源と炭素源を含む混合物を焼成する工程と、不活性雰囲気から生成ガスを抜き出し急冷してケイ素微粒子を含む混合粉体を得る工程と、混合粉体をフッ酸および酸化剤を含むエッチング溶液に浸漬してエッチングする工程と、エッチング後のケイ素微粒子の表面に付加されたH原子を親水基を有する不飽和炭化水素基で置換する(終端処理という)と、を含む。 (もっと読む)


熱分解により製造した二酸化ケイ素を含有するフレークは、圧縮後に撥水性を有した。該フレークは、天然ゴム及び合成ゴム製品において使用されうる。 (もっと読む)


【課題】分散性シリカナノ中空粒子及びシリカナノ中空粒子の分散液の製造方法において、シリカ殻からなるナノ中空粒子の凝集を防止して、溶媒や溶融樹脂等に微細凝集粒子として容易に分散させることができ、かつ、固形分としてより多くの量を混入することができること。
【解決手段】シリカナノ中空粒子1にn−ヘキサン及び表面修飾剤を加えて高速攪拌機で攪拌・分散して(S10)、湿式ジェットミルで強力に分散させて略0.5μm以下の微細凝集粒子とし(S11)、エバポレーターに掛けて濃縮し(S12)、オートクレーブでn−ヘキサンの超臨界状態として表面修飾を行い(S13)、再分散して高速攪拌機で攪拌・分散して(S14,S15)、この分散液に変性シリコーンオイルを添加して(S16)、超音波分散機で超音波分散させ(S17)、分級・濾過(S18)を行って、シリカ殻からなるナノ中空粒子1の高濃度分散液5を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】余分な工程を必要とせず簡単に製造することができるスピネルの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、製鋼用の脱酸剤を始め太陽電池、半導体部品等の原料として利用することのできる金属状ケイ素の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明のスピネルまたは金属状ケイ素の製造方法は、2:2:1に従うモル比で、珪石(SiO)、金属状アルミニウムおよび金属状マグネシウムを反応させることにより、スピネルおよび金属状ケイ素を生成させ、ここで、珪石の純度が90重量%以上でありかつその平均粒径が100μm以下であり、金属状アルミニウムおよびマグネシウムの平均粒径が500〜1000μmであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】プラスチック被覆を除去した光ファイバー心線から、太陽光電池や半導体用として利用可能な付加価値の高いシリコンを得ることのできる、光ファイバー心線のリサイクル方法を提供する。
【解決手段】プラスチック被覆を除去した光ファイバー心線を炭素熱還元し、該光ファイバー心線をシリカ源としてシリコンを製造することにより、光ファイバー心線をリサイクルする。製造されたシリコンは、光起電力又はエレクトロニクスの品位のシリコン製造における原料として用いる。 (もっと読む)


水性分散液の製造方法において、該分散液は9〜14のpHを有し且つ75〜99.99質量%の二酸化ケイ素の割合及び0.01〜25質量%の二酸化チタンの割合を有する熱分解法チタン−ケイ素混合酸化物粉末の粒子(その平均アグリゲート直径が分散液中で200nm以下である)、及び少なくとも1種の塩基性第4級アンモニウム化合物を含む。 (もっと読む)


【課題】シリコン単結晶を製造する際に溶融原料として用いる多結晶シリコンのサイズや品質を選別しながら清浄化する際に用いられるクリーンベンチ及びその清浄化工程を有する単結晶シリコン用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンが載せられる作業台2と、作業台2上方の空間に対して前面を除く三方を囲む側板8a、8b及びこれら側板8a、8bの上方を覆う天板を有するボックス4と、作業台2上面に清浄空気を供給する供給孔16aと、作業台2上面付近の空気を吸引する吸引孔10a、10bと、清浄空気をイオン化して作業台上面に吹き付けて、作業台2上の静電気を除去するイオナイザー20とを設ける。 (もっと読む)


【課題】2種類の流体を反応させつつ、反応により生ずる固体成分により閉塞されにくいノズル、該ノズルを備えたクロルシラン含有液体を処理するための気相加水分解処理装置、および、2種類の流体を反応させつつ、反応により生ずる固体成分により閉塞されにくい方法で流体を噴出する気相加水分解処理方法を提供すること。
【解決手段】液状の第1の流体を噴出する第1のノズル10と、第1のノズルの外側に第1のノズルと同心円状に配置され、第1の流体を微細化する第1の気体を噴出する第2のノズル20と、第1のノズルおよび第2のノズルより下流側で、かつ、第1の流体および第1の気体の流れの外側に開口部を有し、第1の流体と反応する第2の流体を噴出する第3のノズル30とを備える反応ノズル1。 (もっと読む)


【課題】緻密で良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シラン化合物を含む溶液を調整(S101)したのち、基体の上にシラン化合物を含む溶液を用いて塗布膜を形成(S102)し、この塗布膜を熱処理(S103)したのち、加圧処理(S104)することにより、シリコン膜を形成する。これにより、塗布膜中のシラン化合物が分解され、ケイ素原子とケイ素原子との結合およびケイ素原子とケイ素原子以外の原子との結合を解裂し、ケイ素原子とケイ素原子との結合が再構築される。 (もっと読む)


【課題】表面がフルオロアルキル基で機能化された、内部が空洞となったフルオロアルキル基修飾金属酸化物チューブと、それを簡便に作製する方法を提供すること。また、これを用いた撥水性被覆物を提供すること。
【解決手段】本発明は、フルオロアルキル基修飾金属酸化物チューブと、その製造方法を提供することにある。金属アルコキシド、金属ハロゲン化物、金属キレートおよび金属アシレート類からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属化合物と、フルオロアルキル基を有する金属化合物、フルオロアルキル基を有するゲル化剤とを溶媒に溶解し重合反応させることにより、内壁または外壁がフルオロアルキル基で機能化された金属酸化物チューブが作製できる。また、得られたフルオロアルキル基修飾金属酸化物チューブを基材表面に固定化することで得られる撥水性被覆物を提供することにある。 (もっと読む)


【課題】 溶融落下法によって結晶シリコン粒子を製造する際に、高い生産性及び安全性でもって、高品質の結晶シリコン粒子を製造できる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、グラファイトから成る本体部1aと本体部1aの表面に形成された炭化珪素から成る被覆層1bとを有しているとともに外表面に被覆層1bの非形成部1dが設けられた坩堝1の内部でシリコンを溶融し、坩堝1から排出された粒状のシリコン融液を落下中に冷却して固化させることによって結晶シリコン粒子4を製造する。 (もっと読む)


低品位シリコン原料を用いてシリコンインゴットを形成する技術は、坩堝装置内
で、低品位シリコンから溶融シリコンを生成し、前記溶融シリコンの方向性固化を行って
、前記坩堝装置内にシリコンインゴットを形成する。前記方向性固化により、概して固化
したシリコン分量と、概して溶融したシリコン分量とが生成される。本方法およびシステ
ムは、前記概して固化したシリコン分量を前記坩堝装置に内に保持しながら、前記概して
溶融したシリコン分量の少なくとも一部を前記坩堝装置から除去することを含む。前記概
して固化したシリコン分量の方向性固化を制御する一方で、より不純物が混入した溶融シ
リコンを除去することによって、前記低品位シリコン原料よりも概して品質の高いシリコ
ンを含むシリコンインゴットを得る。
(もっと読む)


【解決手段】るつぼ内で溶融させた珪素の下部から上部に向けて一方向凝固させるに際し、凝固方向の固相−液相界面の移動と、この移動距離より短い距離で凝固方向とは逆方向の固相−液相界面の移動とを繰り返すことを特徴とする珪素の一方向凝固方法。
【効果】本発明によれば、生産性が高い状態を維持しつつ、効率良く珪素中の不純物を除去することができる。 (もっと読む)


【課題】自動蔓延燃焼サイクロン型反応装置の提供。
【解決手段】自動蔓延燃焼サイクロン型反応装置であり、反応装置の切断面にある若干の切り口に最低一つの還元剤注入口と若干の酸化物注入口を設け、反応装置内において還元剤と酸化物などの反応物に不活性ガスを加えるサイクロン方式で、それぞれに還元剤注入口と酸化物注入口に導入する。これにより、還元剤、酸化物が反応装置内において自動的に蔓延燃焼して合成物を反応するようにさせる。それから、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、珪素(Si)などの高純度の金属や半導体材料が得られる。これは高純度の金属や半導体材料を連続的に生産できる反応装置である。 (もっと読む)


81 - 100 / 151