【課題】転換反応によって生成したガスを冷却する工程において、トリクロロシランの分解とポリマーの生成を抑制したトリクロロシランの回収率が高い製造方法を提供する。
【解決手段】原料のテトラクロロシランと水素とを１０００〜１９００℃の温度で転換反応させてトリクロロシラン、ジクロロシリレン、塩化水素、および高次シラン化合物を含む反応ガスを生成させ、この反応ガスを冷却してトリクロロシランを回収する方法において、(イ)転換炉から抜き出した反応ガスを冷却開始から０.０１秒以内に６００℃以上であって２秒以内に５００℃以下に冷却する第１冷却工程と、(ロ)第１冷却工程後の反応ガスを５００℃以上〜９５０℃以下の温度範囲に０.０１秒以上〜５秒以下の時間保持する中間反応工程と、(ハ)中間反応工程後の反応ガスを５００℃未満に冷却する第２冷却工程を有することを特徴とするトリクロロシランの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンを原料とする高純度シリコンの生産効率向上とコスト低減。
【解決手段】溶融した原料シリコンを収容した水冷ハース１３をハースの傾動によって溶湯から露出した底、内壁に形成された凝固層からなるスカル２２を溶湯２１から露出させてスカル２２の新しい溶解面に対して酸素ラジカルを供給してホウ素を酸化し、形成された酸化ホウ素を真空雰囲気において蒸発させ、しかる後、一方向性凝固等による固液分配係数の差を利用して不純物部分を除去して精製シリコンインゴットを形成した後、当該インゴットを電子ビーム１４照射と真空雰囲気に暴露し、これを溶解して溶融面を真空雰囲気中に暴露することによって、リンの蒸発除去過程を行い、高純度精製シリコンを得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産フローが短く、汚染が無く、操作が簡単で、原料の獲得が容易で、設備が低廉であるだけでなく連続的な生産が容易である、シリコン化合物ＳｉＸ或いはシリコン化合物ＳｉＸを含有する混合物から直接にシリコンナノ粉末、シリコンナノワイヤー及びシリコンナノチューブのいずれか一種以上を製造する、電気化学的方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、化合物ＳｉＸ又は化合物ＳｉＸを含有する混合物を陰極とし、且つ陽極を設けて、金属化合物の溶融塩を含有する電解質中に設置すると共に、陰極と陽極に間に電圧を印加させ反応条件を制御して、陰極でＳｉナノ粉末、Ｓｉナノワイヤー及びＳｉナノチューブのいずれか一種以上を製造する、電気化学的方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】安定して高品質なシリコン等の半導体粒子を製造する装置を提供する。
【解決手段】加熱装置３で坩堝１を加熱し、坩堝１内のシリコン原料を溶融させた後、坩堝１内に所望の圧力となるように不活性ガスを供給し、ノズル１ａからシリコン融液４を排出して、管状部材２の落下空間を通過する間に冷却させて結晶シリコン粒子５を形成する半導体粒子の製造装置において、半導体融液を排出するノズル１ａを有する坩堝１と、ノズル１ａより排出された前記融液の排出方向を観察し、該排出方向と鉛直方向との成す角度を測定する角度測定手段６と、該角度測定手段６より得られた角度情報に基づき、坩堝１を移動させ、ノズル１ａより排出された前記融液の排出方向を制御する方向制御手段７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】固体シリコンをより高収率で得ることができる固体シリコンの製造方法を提供することである。
【解決手段】共晶系不純物を含むシリコン融液１に冷却体１０を接触させ、該冷却体１０の表面にシリコン２を晶出させる固体シリコンの製造方法であって、シリコン融液１の温度を、シリコン融液１と冷却体１０との接触時間の経過に伴って下げるようにした。シリコン融液１の温度は、シリコン融液１と冷却体１０とが接触する前の液相線温度（Ｔ_L0）を超える温度から、シリコン融液１と冷却体１０との接触時間の経過に伴い低下する液相線温度（Ｔ_L1）以下の温度まで下げるのが好ましい。 （もっと読む）

一方向凝固炉は、溶融シリコンを保持するための坩堝および坩堝を覆い溶融シリコン上にて囲いを形成するための蓋を含む。また、坩堝は、溶融シリコンの汚染を防止すべく溶融シリコン上に不活性ガスを導入するための蓋の入口を含む。
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【課題】本発明は、大きさが揃った薄片状物質を提供しやすい製法を提供することを課題とする。
【解決手段】薄片状金属酸化物の製法において、塗布液を微滴化する工程、微滴化された塗布液を基材に吹き付けて基材上に塗布液を塗着させる工程、塗着された塗布液を乾燥させて薄片状物質の前駆体を形成する工程、及び該前駆体を基材から剥離させる工程を有するものとし、微滴化される塗布液は、塗布液中に８〜４０重量％の固形分と残部の溶媒とを有し、該溶媒は沸点が１３０℃以上の有機溶媒と酸性水溶液とを含有し、前記固形分は金属酸化物オリゴマーを有し、該金属酸化物オリゴマーはポリスチレン換算の重量平均分子量で５００〜５００００とすること。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン電池の性能を改善する複合ケイ素／炭素物質が得られる調製プロセスを提供すること。
【解決手段】炭素コーティングされたケイ素粒子を含む複合ケイ素／炭素物質を調製するためのプロセスであって、次の連続工程が行われる、プロセス：ケイ素粒子を溶媒中にて酸素フリーのポリマーの溶液と混合し、それによってポリマー溶液中のケイ素粒子分散液を得る工程；工程ａ）にて得られた分散液をスプレー乾燥操作に供し、それによってポリマーでコーティングされたケイ素粒子からなる複合ケイ素／ポリマー材料を得る工程；工程ａ）にて得られた物質を熱分解し、それによって炭素コーティングされたケイ素粒子を含む複合ケイ素／炭素物質を得る工程。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形体の熱伝導度を従来よりさらに高めることができる樹脂フィラーとなるシリカ粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリカゾルを分散させた分散相液を、該分散相液と相溶性のない連続相液に、細孔を通過させて注入することによりエマルジョンを作製し、該エマルジョンから分散相を分離してケーキとし、分離することにより得られたケーキを、Ｃａ、Ｙ、ＬａおよびＥｕからなる群より選ばれる１種以上の元素を含む結晶化剤の共存下に、８００℃以上１３００℃以下の温度範囲で保持して焼成することを特徴とするシリカ粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 平均粒子径が１００ｎｍ程度のシリカ粉末は付着性が強く、製造装置内へ容易に付着堆積してしまうため、連続的な合成運転が困難となる。従って、付着性が強く連続的な製造運転が困難なシリカ粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】 ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン等の含ケイ素化合物を火炎中で燃焼させて熱分解し、ついで生じたシリカ粒子を捕集して燃焼排ガスから分離する際に、燃焼排ガス温が３００〜６００℃の範囲で分離することで、シリカ粒子の製造装置内への付着が低減できる。 （もっと読む）

【課題】シングルナノ領域に周期性があり、かつ平均粒子径及び比表面積が小さい中空シリカ粒子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）粉末Ｘ線回折測定において、結晶格子面間隔（ｄ）が１〜１０ｎｍの範囲に相当する回折角（２θ）に１本以上のピークを示し、窒素吸着法によるＢＥＴ比表面積が３０ｍ²/ｇ以下である中空シリカ粒子の製造方法であって、中空構造でありかつ外殻部にメソ細孔を有するＢＥＴ表面積が１００ｍ²/ｇ以上のメソポーラスシリカ粒子のメソ細孔内に、非酸化性雰囲気での焼成により炭化する炭素含有化合物を充填し、非酸化性雰囲気下で８００℃以上で焼成して炭素支持体とした後、酸化性雰囲気下で加熱して、該炭素支持体を除去する工程を含む中空シリカ粒子の製造方法、及び（２）粉末Ｘ線回折測定において、結晶格子面間隔（ｄ）が１〜１０ｎｍの範囲に相当する回折角（２θ）に１本以上のピークを示し、平均粒子径が０．０５〜２μｍであり、かつ窒素吸着法によるＢＥＴ比表面積が３０ｍ²/ｇ以下である中空シリカ粒子である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、比較的高い塗膜強度と比較的低い比誘電率を有し、さらには表面平坦性や耐クラック性などに優れたシリカ系塗膜にパターニングを施す方法および該方法から得られるシリカ系塗膜に関する。
【解決手段】 パターニング特性を備えたシリカ系塗膜をパターニングする方法であって、（１）特定のシリカ系塗膜形成用塗布液を基板上に塗布する工程、（２）前記工程で基板上に形成された塗膜を乾燥する工程、（３）前記工程で乾燥された塗膜上にパターニング用マスクを載置する工程、（４）前記工程でマスキングされた塗膜上に紫外線を照射する工程、（５）前記工程で紫外線を照射された塗膜を加熱する工程、（６）前記工程で加熱された塗膜を現像液に浸漬する工程、および（７）前記工程で現像液に浸漬された塗膜を洗浄する工程を含むことを特徴とするシリカ系塗膜のパターニング方法および該方法から得られるシリカ系塗膜。 （もっと読む）

【課題】太陽電池製作のために、結晶性シリコン基板の精製方法および製造プロセスを軽減する方法を提供する。
【解決手段】結晶性シリコン基板の精製方法は、外部ゲッタリングにより不純物を抽出するステップを含み、外部ゲッタリングにより不純物を抽出する前記ステップの前に、少なくとも１回の、７５０℃から１０００℃までの間の温度で、１秒から１０分までの間の時間、基板を急速にアニーリングするステップを含む方式。 （もっと読む）

一般式Ｈ−（ＳｉＨ_２）_ｎ−Ｈ（式中、ｎ≧２である）の高級ヒドリドシランの製造方法において、−１種又は複数種の低級ヒドリドシラン−水素、及び−周期律表の第ＶＩＩＩ属遷移金属の元素及びランタニドを含む１種又は複数種の遷移金属化合物を、５バールを上回る絶対圧で反応させ、その後減圧し且つ得られた反応混合物から高級ヒドリドシランを分離する、高級ヒドリドシランの製造方法。 （もっと読む）

さまざまな品質のシリコン原料を使用してシリコンインゴットおよび結晶を形成する技術が記載される。共通の特徴は、所定量のゲルマニウムを溶融物に添加し、それぞれの結晶シリコン材料のシリコン格子にゲルマニウムを取り込むように結晶化を実行することである。ゲルマニウムがこのように取り込まれることで、シリコン材料のそれぞれの特性、主に、材料強度が向上する。これにより、太陽電池の製造およびこれらの太陽電池からのモジュールの作製におけるこのような材料の適用に好ましい効果を及ぼす。ゲルマニウム濃度が（50〜200）ppmwの範囲のシリコン材料は、材料強度の向上を示しており、この場合の最良の実用範囲は、生成された材料の品質に依存する。

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【課題】ワークに切削加工を施す際に生じるスラッジに含まれるワークの微粒子状切粉を高純度で回収することが可能である微粒子状切粉の回収方法及び回収装置を提供する。
【解決手段】シリコンインゴットを切断加工して生じるシリコン微粒子状切粉を含むスラッジに、水，エタノール及び塩酸を加えてｐＨ３〜７の懸濁液Ｌを生成して収容する洗浄槽２と、洗浄槽２内の懸濁液Ｌを送給する循環ポンプ３と、循環ポンプ３により送給された懸濁液Ｌを収容する水槽４と、水槽４内の懸濁液Ｌに超音波を照射してその表面から微細な液滴Ｄを生じさせる超音波振動子５と、水槽４内に不活性ガスを導入して浮遊する微細な液滴Ｄを不活性ガスに載せて水槽４外に送り出すコンプレッサ６と、不活性ガスとともに送給された微細な液滴Ｄからシリコン微粒子状切粉を回収する微粒子回収部７を備えている。 （もっと読む）

【課題】着色剤が均一に分散された着色非晶質シリカ微粒子を提供すること。
【解決手段】ＪＩＳＺ８７２２で規定されるＬ値が９４以下であり、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、及びＮｉから選択される１種以上の着色元素が均一に分散され、結晶化度が１０％以下であることを特徴とする。着色剤を粒子中に分散させているため、着色状態を安定して保持できる。また、レーザー加工などを適用する場合に、吸収したレーザー光のエネルギーにより粒子全体が均一に加熱されるという利点がある。加熱が均一に進行すると、レーザー光を照射した部位にある粒子を確実に熔融することが可能になり、加工精度が向上できる。更にＬ値について上述の範囲に設定していることにより、上述の効果をより確実に発現可能である。そして、結晶化度が上述の範囲であるため、着色元素の分散がより均一になる他、レーザー加工性が優れることになる。 （もっと読む）

【課題】高温で熱処理を施すことなく、結晶性の高い良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を調製（Ｓ１０１）したのち、基体の上にポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０２）し、この塗布膜を加熱する（Ｓ１０３）ことにより、シリコン膜を形成する。これにより、高温で加熱せずに、塗布膜中においてシリコンの結晶化が促進される。 （もっと読む）

【課題】クロロシラン類の水素還元反応によって得られるシリコンの製造を安全に連続して行なえるような方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るシリコンの製造方法は、反応容器内でクロロシラン類と水素とを加熱下で反応させて、シリコンを析出させるとともに、水素、シラン類オリゴマーおよびシリコン微紛を含む排ガスを排出させる工程［１］、前記工程［１］より排出された排ガスを１０５℃以上の温度に維持しながら搬送する工程［２］、前記工程［２］より搬送された排ガスを、１０５℃以上の温度でフィルタに供給し、かつ、１０５℃以上の温度でフィルタ装置から排出せしめ、当該排ガスからシリコン微紛を除去して、水素およびシラン類オリゴマーを含む混合ガスを得る工程［３］、前記工程［３］より得られた混合ガスを冷却し、該混合ガスから水素をガスとして分離する工程［４］などを含む。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、及びその製造方法に用いられる耐シリコン融液部材を提供する。
【解決手段】坩堝１のノズル部１ａからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液４を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子５を製造する結晶シリコン粒子５の製造方法において、ノズル部１ａは窒化珪素を含む材料から成るとともに少なくとも表層部が酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）