【課題】エネルギー効率に優れ、ナノ粒子を低コストで製造可能なナノ粒子の製造方法およびその製造方法に好適なナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】ナノ粒子の原料となる原料ガスおよび非反応性のプラズマ生成ガスの混合ガスをプラズマ生成手段（１１）に供給しプラズマジェットを生成する工程と、冷却可能な壁面を備え、圧力調整可能な密封可能なチャンバー（１４）の内部を非反応性雰囲気あるいは酸素ガスを含む雰囲気で満たし、プラズマジェットを噴出させ、急冷することによりナノ粒子を生成させる工程とを有することを特徴とするナノ粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンを高純度に精製することが可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコン屑から精製シリコンを得るシリコン精製方法であって、シリコン屑を溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯から得られる溶融シリコンを凝固させてシリコン塊を形成する工程と、を含み、シリコン溶湯を形成する工程は、シリコン屑を第１の圧力下で溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯を第１の圧力よりも低い第２の圧力下で脱気する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】分散性に優れた微粒子シリカを調製できるシリカの製造方法、及び該製造方法により得られたシリカを含むゴム組成物を提供する。
【解決手段】陽イオン交換樹脂を用いてｐＨを調整したケイ酸ナトリウム水溶液１と、ケイ酸ナトリウム水溶液２とを混合する工程（Ｉ）を含むシリカの製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を得る。
【解決手段】連続する空孔を有し、三次元網目構造を有する多孔質シリコン粒子であって、前記空孔が、前記多孔質シリコン粒子を貫通し、前記空孔内に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃのいずれか１つ以上の導電性元素の単体又は合金を有することを特徴とする多孔質シリコン粒子である。前記導電性元素の単体又は合金が、前記空孔内の表面の少なくとも一部を被覆するか、前記空孔内の少なくとも一部に充填されていることが好ましい。また、このような多孔質シリコン粒子は、多孔質シリコン粒子への無電解メッキ、置換メッキ、炭素コーティングにより作製される。 （もっと読む）

【課題】粒子径のそろった珪素微粒子を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、不活性雰囲気下において、珪素源と炭素源とを含む混合物を焼成する焼成工程と、混合物を焼成することにより生成した気体を急冷し、珪素微粒子と酸化珪素とを含んだ複合粉体を得る急冷工程と、酸化雰囲気下において、複合粉体を加熱する加熱工程と、加熱された複合粉体から一酸化珪素及び二酸化珪素を除去する除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基材と多孔質シリカ膜との密着性が高く、可視光線透過率が高い、多孔質シリカ膜を有する積層体を提供する。
【解決手段】Ｔｇが２００℃以下の透光性基材上に、屈折率が１．２０〜１．３５である多孔質シリカ膜を有する積層体であって、ミルスペックＭＩＬ−ＣＣＣ−ｃ−４４０に記載のチーズクロスを荷重５００ｇ／ｃｍ^２で前記多孔質シリカ膜表面上を２０往復させる耐摩耗性試験において、前記積層体の可視光線透過率の変化量が、試験前の前記積層体の可視光線透過率に対して５％未満であることを特徴とする積層体。 （もっと読む）

【課題】底部における酸素濃度が局所的に高くなる部分を少なくして、多結晶シリコンの生産歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットを提供する。
【解決手段】断面矩形状をなす坩堝２０と、この坩堝２０の上方に配設された上部ヒータ４３と、坩堝２０の下方に配設された下部ヒータ３３と、を有し、坩堝２０内に貯留されたシリコン融液３を、その底面２１から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴット製造装置１０であって、坩堝２０の底面２１側において坩堝２０の側壁部２２の少なくとも一部を加熱する補助ヒータ５０を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成長初期に発現させるデンドライト結晶の成長方向、配列、配置、分布を制御可能であり、高品質・高均質なＳｉ多結晶インゴットを製造することができるＳｉ多結晶インゴットの製造装置、Ｓｉ多結晶インゴットおよびＳｉ多結晶ウェハーを提供する。
【解決手段】ルツボ１内に入れたＳｉ融液２の底部付近または表面付近の局所領域２ａの過冷却度を変えることにより、融液温度が高い領域から融液温度の低い局所領域２ａに向けてデンドライト結晶３を複数発現させたり、融液温度の低い局所領域２ａから融液温度が高い領域に向けてデンドライト結晶３を複数発現させたりすることができるよう、Ｓｉ融液２の底部付近または表面付近に、融液温度が低く大きな過冷却度を有する線状、点状、円状、円周状、円弧状またはそれらのうちの複数を組み合わせた形状よりなる局所領域２ａを形成可能である。 （もっと読む）

【課題】 粉末充填体としての電流遮断性と熱伝導性が高く、かつ充填密度の高い安価な電子部品材料用Ｓｉ粉末を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ：０．０１〜２質量％含み、残部Ｓｉおよび不可避的不純物からなり、内部に生成する膜状不純相の厚さが２μｍ以下である、球形状もしくは概ね球形状であることを特徴とした電子部品材料用Ｓｉ粉末。 （もっと読む）

【課題】高容量であるシリコン系の負極のリチウム挿入／離脱うシリコン粒子の膨張／収縮によるシリコン粒子の破壊や集電体からの脱離を防ぐ負極に適した負極及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含み、粒子コア及びそれらから伸長したシリコン含有ピラーのアレイを有する粒子をその活物質の一つとして含む電極であって、該粒子はシリコン又はシリコンゲルマニウム混合物である。またピラーを有する粒子はエッチングによって作成される。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの金属を溶融する過程において、変形や破損のない溶融用ルツボを
簡易な方法で提供する。
【解決手段】非晶質シリカ粒子と、平均粒径が０．１μｍ以上１μｍ以下のムライト粒子と、水硬性アルミナまたはアルミナセメントのいずれか一方と、を水で混合、攪拌してスラリーを作製、これを型枠に流し込んで成型体を得て、この成型体を大気雰囲気中２０℃以上４００℃以下の温度で３０分以上４８時間以内保持することにより、成型体の余剰水分を除去して作製した溶融用ルツボは、簡易に作製でき、かつ溶融過程の昇温時においても破損することがない。 （もっと読む）

【課題】 接触抵抗、充填密度、流動性、および分散性の高いＳｉ粉末、特に、高い接触抵抗を必要とする電子部品材料や、媒体中で分散性の高いＳｉ原料として用いられるＳｉ粉末を提供する。
【解決手段】 酸素分析値／比表面積が０．２〜１０からなるＳｉ粉末であることを特徴とする接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたＳｉ粉末。また、上記Ｓｉ粉末はアトマイズ法により作製された接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたＳｉ粉末、またはその製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置から排出される排ガスを処理するシステムを小型化する技術を提供する。
【解決手段】排ガス処理システム１００は、半導体製造装置１から排出される少なくとも水素およびモノシランを含む混合ガスを処理する。この排ガス処理システム１００は、半導体製造装置から排出された混合ガスを排気するポンプ部２と、ポンプ部２により排気された混合ガスを圧縮して後段へ送る圧縮機１１と、圧縮された混合ガスを集めて収容するガス収容部３と、ガス収容部３から供給された混合ガスの流量を制御する流量制御部４と、水素を選択的に透過させ、混合ガスからモノシランと水素を分離する膜分離部６と、を備える。これにより、半導体製造装置１から排出された混合ガスの圧力変動を緩和し、安定して排ガス処理システムを運転することができる。 （もっと読む）

【課題】繊維体にゾル溶液を簡単且つ確実に含浸することができるエアロゲルシート製造装置を提供する。
【解決手段】ゾル溶液Ｓを、繊維体Fに含浸させるためのエアロゲルシート製造装置Ａであって、ゾル溶液Ｓが貯留される貯留容器１と、前記貯留容器１に貯留されたゾル溶液Ｓを、前記繊維体Fの上方から供給する第一供給部２と、前記繊維体Fを移動させる送り部３１を備えた移動用レール３と、前記移動用レール３における前記第一供給部２よりも下流に配置され、タンク８１内に貯留された熱加水分解性化合物Ｙを、前記繊維体に噴出させる第二供給部８と、からなり、前記移動用レール３における前記第一供給部２と前記第二供給部８との間には、前記ゾル溶液Ｓを貯留すると共に、当該ゾル溶液Ｓに前記繊維体Ｆが浸漬される深さを有する貯水部４が形成され、当該貯水部４を通った繊維体Ｆに前記第二供給部８から熱加水分解性化合物Ｙが噴出されるようにしている。 （もっと読む）

【課題】様々な品質のシリコンを、数多くの試行錯誤を経ることなく、目標とする減圧保持時間（Ｔ）で、アルミニウム濃度（Ｃ）が精製後の目標アルミニウム濃度（Ｃ_T）になる精製シリコンを、効率良く製造しうる方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム初期濃度（Ｃ₀）と精製後の目標アルミニウム濃度（Ｃ_T）と減圧保持時間（Ｔ）とから、あらかじめ、本発明の式（１）を満足する融液温度（Ｌ）および真空接触面積比（Ｓ）を求め、求めた真空接触面積比（Ｓ）になるように鋳型内にアルミニウムを含有するシリコンを充填し、かつ、求めた融液温度（Ｌ）になるまで減圧下で加熱し、求めた融液温度（Ｌ）で減圧下のまま、減圧保持時間（Ｔ）まで保持する減圧精製工程を含む精製シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が小さく、且つ、粗大粒子が少ない、例えば、平均粒子径が０．２μｍ以下であり、粒子径が０．２μｍよりも大きい粒子の割合が１０％以下である、中空メソポーラスシリカ粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリカを含むメソ細孔構造を有する外殻部と、外殻部よりも内側に存在する中空部とを含む中空メソポーラスシリカ粒子の製造方法であって、疎水性有機化合物と界面活性剤と水系溶媒とを含む混合液を高圧乳化法により加圧して、疎水性有機化合物を含む乳化滴を含んだ乳濁液を形成する工程と、乳濁液にシリカ源を添加し、乳化滴表面に、シリカを含むメソ細孔構造を有する外殻部を形成し、外殻部と外殻部よりも内側に乳化滴が含まれた複合シリカ粒子を析出させる工程と、複合シリカ粒子から乳化滴を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、太陽電池用、半導体用高純度化シリコンの製造における原料シリコンの前処理に係わるものであり、原料シリコンに含まれる不純物を前もって効率的に除去することにより、後段の精製工程における高純度シリコンの生産性の向上と製品品質の安定化を図るものである。
【解決手段】 原料の金属シリコンを１ｍｍ以下に粉砕した後、酸性水溶液又は塩基性水溶液に分散させてスラリー状とし、浸出温度を１００℃以上、１ｔｏｍ以上の加圧下において浸出処理を行うことにより不純物を除去する。さらに効率的に不純物を除去するには、加圧下での浸出処理を行う前に、粉砕した原料シリコンを１０００〜１４００℃で焼成処理を行うことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】乳化重合法を利点を活かすことで粒径の揃ったシリコン微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】モノマーとしてシクロペンタシランを界面活性剤と共に水中に分散させた後、紫外光を照射することで重合し、粒径の揃ったシリコン微粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】制御が容易で、高品質のシリコンシードを製造する。
【解決手段】チャンバ５の上壁２に上側シリコンシード６を貫通状態に保持する上シード保持部７と、上シード保持部７による保持中心Ｃに沿って上側シリコンシード６の下端と対向する下側シリコンシード２３をチャンバ５内で上下移動可能に保持する昇降機構と、上シード保持部７に保持された上側シリコンシード６の下端部を囲む位置に配置される高周波誘導加熱コイル３１と、高周波誘導加熱コイル３１の下方に配置される予熱リング３２と、下側シリコンシード２３上端部を囲んで高周波誘導加熱コイル３１に誘導加熱される加熱位置とこの加熱位置から離間した待機位置との間で予熱リング３２を往復移動させる予熱リング移動手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】９９．９９％以上の高純度のシリカまたはシリコンを工業的にかつ安価に効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の高純度シリカの製造方法は、珪砂または水晶の細粒子を１ミクロン以下に粉砕する粉砕工程と、粉砕したものを水を加えてスラリー状にするスラリー工程と、磁石分離器を用いて、鉄・アルミ・カリウム等の不純物を取り除いて、二酸化硅素を取り出し回収する磁力分離回収工程と、回収した二酸化硅素から加熱により水分を蒸発させ、若しくは、遠心分離により水分を除去し、二酸化硅素を乾燥させる乾燥工程とを備え、９９．９９％以上の高純度シリカを得る。磁石分離器に電磁回転型磁力分離器を用い、長時間運転を可能とし製造コストを安価にする。更に、カーボンアーク炉内で還元する工程を加え、高純度シリコンを得る。 （もっと読む）