【課題】本発明は、酸化物超電導層の下地となる高配向度のキャップ層において従来必要とされていたＬＭＯの下地層を用いることなく優れた結晶配向性を得ることができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基板１と、該金属基板１上にイオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により形成したＭｇＯの中間層３と、該中間層３上に直接形成されて前記中間層３の結晶配向性よりも優れた結晶配向性を示すキャップ層５とを具備してなる酸化物超電導導体用基材Ａであって、前記ＭｇＯの中間層３に前記キャップ層５の形成前に加湿処理が施され、該キャップ層５が優れた自己配向性を備えて前記中間層３の結晶配向性よりも優れた結晶配向性を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単量体又は二量体であり、熱的に安定な、易揮発性であり、且つＡＬＤ又はＣＶＤにより製造されるＢＳＴに非常に適したフッ素化されていないバリウム前駆体を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム若しくはカルシウム又はこれらの混合物からなる群から選択される金属に配位した、一以上の多官能化ピロリルアニオンを含む化合物。あるいは、１つのアニオンは、第二の非ピロリルアニオンと置換されることができる。
新規の化合物の合成法及びＢＳＴフィルムを形成するためのそれらの使用法も考慮される。 （もっと読む）

【課題】
シート幅方向で蒸発した金属蒸気の量に差がある場合でも、蒸発源の幅を広げるなどの対策をとることなくシート幅方向の端部の膜厚および透過率が中央部と同等な金属酸化物薄膜付きシートを製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】
減圧雰囲気下において、シート案内面に接触しながら搬送されているシート上に、金属材料を溶融させた蒸発源から前記シートに向けて金属蒸気を飛来させると同時に、前記金属蒸気内に酸素を導入し、前記シート上に連続的に金属酸化物薄膜を形成する金属酸化物薄膜付きシートの製造方法であって、前記酸素を、シート幅方向において異なる高さの複数箇所から前記金属蒸気に導入することを特徴とする金属酸化物薄膜付きシートの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】高い臨界電流密度を有する超電導薄膜を形成するための下地として用いられる酸化セリウム薄膜およびそれを含む超電導線材を提供する。
【解決手段】超電導薄膜を形成するための下地として用いられる酸化セリウム薄膜であって、酸化セリウム薄膜の主面における（１００）面の配向割合が６０％以上であり、酸化セリウム薄膜の主面は面内四回対称性を有し、酸化セリウム薄膜の主面の（１００）面に対応するＸ線回折ピークの半値幅が１０°以下であり、酸化セリウム薄膜の主面の算術平均粗さＲａが２０ｎｍ以下であって、酸化セリウム薄膜の膜厚が４００ｎｍ以上である酸化セリウム薄膜とその酸化セリウム薄膜を含む超電導線材である。 （もっと読む）

【課題】貴金属ナノ粒子が高密度で分散しており、貴金属ナノ粒子間の距離が短く、及び／又は、貴金属ナノ粒子の径が小さい貴金属ナノ粒子分散薄膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】貴金属を含む貴金属ナノ粒子と、前記貴金属ナノ粒子より電気比抵抗が高い無機材料とを備え、前記貴金属ナノ粒子の面内数密度は、４．０×１０⁴個／μｍ²以上３．０×１０⁶個／μｍ²以下である貴金属ナノ粒子分散薄膜、及び、パルスレーザーアブレーションを用いて基板上に貴金属ナノ粒子と無機材料からなる薄膜を形成するアブレーション工程を備えた貴金属ナノ粒子分散薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ソフト溶液プロセスにより膜欠陥部の少ない金属酸化物膜を成膜できる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を液滴化した後、上記金属酸化物膜形成用溶液の液滴を金属酸化物膜形成温度以上に加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材はアースされ、かつ、上記金属酸化物膜よりも導電性が高いものであり、さらに上記液滴を帯電させた状態で上記基材に接触させることを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】 籠状に結合した化合物をデバイスに応用する際に必要となる籠状構造を基本単位とした複合構造体とそれを用いた熱電変換素子を提供する。
【解決手段】 籠状構造化合物を常温衝撃固化現象を用いたエアロゾルデポジション法により、基材上に複合構造体として形成する。この複合構造体を用いて、熱電変換素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物結晶の転位密度を非破壊に精度良く測定することができるフッ化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 フッ化物結晶の転位密度を測定する方法であって、フッ化物結晶０１中の転位線０２に欠陥集合体０３を発生させる工程と、前記欠陥集合体０３を光学的に検出して転位線密度を測定する工程と、前記欠陥集合体０３を消去する工程とを有するフッ化物結晶の転位密度測定方法。前記転位線に欠陥集合体を発生させる工程が、放射線をフッ化物結晶に照射する工程である。前記欠陥集合体を光学的に検出する工程が、光をフッ化物結晶の欠陥集合体に照射する工程と、前記欠陥集合体により散乱された光を検出する工程である。前記欠陥集合体を消去する工程が、フッ化物結晶を冷却しながら放射線を照射する工程である。 （もっと読む）