【課題】固相炭化反応の進行に高温が必要であるという欠点と、高価な原料を使用しなければならないという欠点を同時に解決する。
【解決手段】周期率表の第４Ａ族、第５Ａ族または第６Ａ族の遷移金属、鉄および不可避的不純物を含有するフェロアロイと、炭素を主体とする炭素材料とを、真空または不活性ガス雰囲気下で共粉砕により固相反応させる、該遷移金属を含む炭化物または該遷移金属および鉄を含む複合炭化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素による固液混合物質の高効率分離法及びその装置を提供する。
【解決手段】超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素を比重差分離溶媒として用いて、固液混合物質を比重差を利用して分離することからなる固液混合物質の分離方法、上記比重差分離工程と、超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素を抽出分離溶媒として用いた抽出分離工程を組み合わせて、固液混合物質を比重差分離及び抽出分離を利用して分離することからなる固液混合物質の分離方法、固液混合物質と超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素を混合し、固液混合物質と超臨界二酸化炭素及び／又は液体二酸化炭素の混合後の流体の密度及び粘性を制御する上記固液混合物質の分離方法、及びその装置。
【効果】超臨界二酸化炭素を比重差分離溶媒として用いた、新しい固液混合物質の高効率分離方法及び装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】特別な工程や添加剤等を必要とせずに、種々の仕様用途に応じて制御された細孔径や気孔率等を有する炭化珪素系多孔質成形体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素系多孔質成形体の表面にＳｉＣＯからなる層を形成することにより、細孔を制御した炭化珪素系多孔質成形体を製造する。炭化珪素系多孔質成形体としては、平均細孔径０．２〜２ｎｍ、平均気孔率３０〜７０％、比表面積１０〜１０００ｍ^２／ｇの成形体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ基材上に高配向のカーボンナノチューブが密に形成された領域を有する複合材料であって、良好な耐摩耗性および／または衝撃吸収特性を示すＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料を提供する。
【解決手段】 本発明によると、ＳｉＣ基材上に該基材表面から立ち上がる多数のカーボンナノチューブを有するＣＮＴ領域が形成されているＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料であって、該ＣＮＴ領域には前記カーボンナノチューブが高配向かつ高密度に形成されており、前記ＣＮＴ領域に付与される機械的エネルギー量の変化によって該領域の摩擦係数を異ならせることができる、ＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料が提供される。例えば、１０ｎＮ〜１００ｎＮの範囲の垂直応力に対して摩擦係数が三段階に変化する複合材料が提供される。 （もっと読む）

【課題】高い比表面積を有するシリコンカーバイド系多孔質体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンカーバイド系多孔質体は、三次元網目状に形成され、かつ網目内部の空孔が連続気孔構造を有し、主としてシリコンカーバイドから構成されたことを特徴とする。また、このシリコンカーバイド系多孔質体の製造方法は、メソポーラスシリカ粉末１１の細孔内部にシリコンカーバイド前駆体溶液１２を充填する工程と、充填粉末１３を乾燥させて充填した溶液に含まれる溶媒成分を除去する工程と、充填粉末を大気圧下、１００〜２００℃で１〜２４時間保持する工程と、充填粉末を不活性ガス雰囲気下、１０００〜１２００℃で１〜２時間焼成する工程と、シリカを溶解するエッチング液を用いて焼成した粉末１４よりメソポーラスシリカを消失させる工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの高強度、高ヤング率の特性を活かし、耐摩耗性と耐酸化性能を向上させた炭化ケイ素結合カーボンナノチューブ固化体とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリカルボシラン8重量％乃至80重量％とカーボンナノチューブ92重量％乃至20重量％とを混合して被覆カーボンナノチューブを作る被覆工程と、ポリカルボシラン被膜の表面を架橋反応する架橋反応工程と、架橋された被覆カーボンナノチューブを800℃乃至1600℃の温度範囲で、非酸化性雰囲気中で熱処理する焼成工程とを有する。これにより、カーボンナノチューブＣ₁乃至Ｃ_Nが96重量％乃至30重量％と炭化ケイ素Ｓ₁乃至Ｓ_(N-1)が4重量％乃至70重量％からなる固化体であって、かさ密度1.3g/cm³以上である炭化ケイ素結合カーボンナノチューブ固化体が得られる。 （もっと読む）

【課題】 低い温度で十分に原材料からの転換率が得られ、粒子サイズが小さく、不純物が少ない粉末状の炭化ケイ素の製造方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）Ｓｉ元素および一種以上の遷移金属元素を含む合金、金属ケイ素粉末および遷移金属粉末を含む混合物、金属ケイ素粉末および遷移金属化合物を含む混合物のいずれかと、（Ｂ）鎖状飽和炭化水素、鎖状不飽和炭化水素、環状飽和炭化水素、アルコールおよび芳香族炭化水素からなる群から選択される一種類以上の置換または未置換の炭化水素とを、３７０〜８００℃の温度範囲にて反応させる工程を含む炭化ケイ素の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性に優れ、様々な用途に適用できるようにその形態が制御された金属磁性ナノ粒子群及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁性金属で構成されるコア金属粒子１１がその表面を前記磁性金属と異種の金属の金属酸化物の皮膜１２で被覆されてなる金属磁性ナノ粒子１０が個々に分散したもの（図１（ａ））、及び／または前記コア金属粒子１１が前記金属酸化物の塊２２の中で複数分散してなるもの（図１（ｂ））を有し、耐酸化性に優れることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 寸法精度に優れた微小な凹凸形状を有する炭化珪素構造体及びそれを備えた光学レンズ用金型と電子放出素子並びに炭化珪素構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭化珪素構造体は、炭化珪素基板１の表面１ａに微小な錐体２が複数個形成され、これらの錐体２の高さ（Ｈ）は１０ｎｍ以上かつ５００μｍ以下、その先端部の直径（Ｄ）は１ｎｍ以上かつ１００μｍ以下であり、これらの錐体２は、５ｎｍ以上かつ５００μｍ以下の間隔で配置されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＶＤ−ＳｉＣの基材として、繰り返し使用でき、ＣＶＤ−ＳｉＣから簡単に除去でき、ＣＶＤ−ＳｉＣにクラック、割れ、不純物汚染を発生させたりしない基材を採用した、生産性に優れた炭化ケイ素部材の製造法を提供する。
【解決手段】基材上に薬液で溶解可能な中間層を形成後、前記中間層の表面にＣＶＤ法で炭化ケイ素膜を成膜して炭化ケイ素体とした後、前記中間層を薬液で溶解させて除去し前記基材から前記炭化ケイ素体を分離させることを特徴とする炭化ケイ素部材の製造法。 （もっと読む）

【課題】小さな金属炭化物パーティクルを発生させずに金属炭化物基体ン表面を処理する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。 （もっと読む）