【課題】可視光領域だけでなく近赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する希少金属を使用しない安価な酸化物透明電極膜からなる光検出素子用透明電極膜、およびそれを設けた光検出素子を提供することである。
【解決手段】
本発明の光検出素子用透明電極膜は、酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明電極膜からなる。該酸化物透明電極膜は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法にて成膜されたものであり、低原子価金属酸化物が、低原子価金属と亜鉛との原子数比で０．０２〜０．１の割合となるようにドープされ、そして酸化物透明導電膜の比抵抗が２．０×１０^-3Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を得るためのダブルテクスチャー構造を有する酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を用いた太陽電池用透明導電性基板、その製造方法、およびこれに用いるターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用透明導電性基板は、表面に凹凸（Ａ）を形成した透明基板と、この透明基板の凹凸上に成膜され酸化亜鉛を主成分とした透明導電膜とを備え、この透明導電膜が表面に前記凹凸（Ａ）より小さな凹凸（Ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＺＯ系酸化物半導体薄膜において、低温アニールによる低抵抗化が起こらず、成膜時の抵抗値と低温アニール後の抵抗値が同等となる組成を明らかとし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した製造方法を提供する。
【解決手段】構成元素の組成比をＳｎ:Ｇａ:Ｚｎ＝ａ:ｂ:ｃとした場合、組成比が、ａ＋ｂ＝２、且つ１≦ａ≦２、且つ１≦ｃ≦１１／２、且つｃ≧−７ｂ／４＋１１／４を満たす酸化物半導体薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、成膜工程後、酸化性雰囲気中で１００℃以上３００℃未満の熱処理を施す熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタに使用できる非シリコン系半導体薄膜、及びそれを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．０５〜０．０８であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有することを特徴とする酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】粗大な粒子が存在しない焼結体の製造に適した一酸化チタン粉末等の低原子価酸化チタン粉末、及びそれを用いて製造した酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ比表面積が１ｍ^２／ｇ以上１０ｍ^２／ｇ以下であり、レーザー回折・散乱法により測定した粒度分布における積算体積分率９０％粒径が５μｍ以下である一酸化チタン粉末等の低原子価酸化チタン粉末は、粉砕ボール径が１ｍｍφ以上１０ｍｍφ以下であるボールミルにより粉砕処理が施された後、目開きが５０μｍ以上１２０μｍ以下の篩にかけて選別されたものである。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルムに形成した密着性が良好でかつ配線パターンの精細化に対応できるフレキシブル基板とその製造方法並びにフレキシブル回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム基板１の少なくとも片面に、接着剤を介さずに乾式メッキ法による直接形成した下地金属層２を具備し、その下地金属層上に所望の厚さの銅被膜層６を有するフレキシブル基板であって、前記下地金属層は、第１層が厚さ２〜１５ｎｍの絶縁性のＳｉ酸化物層またはＴｉ酸化物層３、第２層が厚さ１〜５ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、もしくはニッケル−クロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）から選ばれる１種の金属層４、さらに第３層が厚さ５０〜３００ｎｍの銅金属層５からなる。フレキシブル基板の銅被覆層をエッチング処理してフレキシブル回路基板とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有し、しかも、非常に優れた面内均一性をする酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧７０ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体に対してＥＰＭＡによる面内組成マッピングを行なったとき、測定面積中に占める、Ｓｎ濃度が１０〜５０質量％の領域の比率が７０面積％以上である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造してもノジュールが発生し難く、長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、ビッカース硬度が４００Ｈｖ以上である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性の均一性、ＴＦＴ特性の再現性及びＴＦＴの歩留りが良好なＴＦＴパネルが得られる複合酸化物焼結体、及びそれからなるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎを含み、焼結体密度が相対密度で９０％以上であり、平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、バルク抵抗が３０ｍΩｃｍ以下であり、直径１０μｍ以上の酸化スズの凝集粒子数が、１．００ｍｍ^２あたり２．５個以下である複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
７０＞［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧１０ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造しても長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが０．０２以下である。 （もっと読む）

【課題】湿った環境で安定で且つ高い誘電定数及び高い破壊強さを有するポリマー材料を含む構造体の提供。
【解決手段】フィルム４０及びフィルム４０を含む物品６０であり、フィルム４０は第１の層４２、第２の層４４及び第３の層４６を含む。第１の層４２はポリマー誘電材料を含む。第２の層４４は第１の層４２の少なくとも１つの表面４８、５０上に配置され、無機酸化物誘電材料を含む。第３の層４６は第１の層４２又は第２の層４４上に配置され、窒化物又はオキシ窒化物材料を含む。 （もっと読む）

【課題】円筒形基材および／またはターゲット材と半田材とを接合不良が少なく強固に接合させ、両者間の導電性および熱伝導性を高くし、かつ使用中のターゲット材の割れ、剥離を著しく低減できる円筒形ターゲットを提供する。
【解決手段】円筒形ターゲットの製造方法において、円筒形基材と円筒形ターゲット材を同軸上に配置し、それらを半田材の融点以上に加熱しながら、円筒形基材と円筒形ターゲット材との間の空間に溶融半田を注入し両者を接合する際に、あらかじめ半田材より比重が軽い粉体物質（強磁性材料、セラミックス材料等）を当該空間に入れ、次いで溶融半田を注入してその粉体物質を半田材の液面上に浮かせ、かつ粉体物質を振動させながら半田材を注入し、半田材を物理的に撹拌して円筒形ターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】下地膜を酸素や水分と反応させずに、下地膜の表面に光が透過できる金属酸化物膜を形成する光透過性金属酸化物膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
気体分子を前記気体分子の凝縮温度以下の凝縮面に凝縮させて捕捉する第一の真空ポンプ１２₁を用いて第一の真空雰囲気を形成し、第一の真空雰囲気中に配置された成膜対象物３０の下地膜の表面に金属酸化物の粒子を付着させて第一の金属酸化物膜を形成し、気体分子を大気中に移動させる第二の真空ポンプ１２₂を用いて第二の真空雰囲気を形成し、化学構造中に酸素を有する反応性ガスの第二の真空雰囲気中の分圧を第一の真空雰囲気中の分圧より大きくし、第二の真空雰囲気中に配置された成膜対象物の第一の金属酸化物膜の表面に金属又は金属酸化物の粒子を付着させて第二の金属酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な透明導電膜を得ることが可能で、耐異常放電性を有する焼結密度の高いＺｎＯ系焼結ターゲットを提供すること。
【解決手段】
Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ系粉体に、Ｂ_２Ｏ_３を０．４ｗｔ％以下を添加したことを特徴とするＺｎＯ系ターゲット。Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ粉体にＢ_２Ｏ_３粉体を混合した後、７００〜１０００℃で仮焼結し、仮焼結体を粉砕後プレス成形した後、１２００℃超の温度で焼結することを特徴とするＺｎＯ系焼結ターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】予備スパッタ工程に要する時間を短縮化し、そのばらつきも小さくなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、酸化亜鉛を主成分とする焼結体からなり、焼結体の表面の水との接触角が８０°以下である。これは、アセトン又はアルコールを用いて表面が洗浄されることによる。そして、この洗浄後、湿度が４０〜８０％、温度が室温から１００℃以下の環境化で１時間以上静置されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】同一の材料を使用して透明導電膜の積層を行い、可撓性、高透過率を有した透明導電性積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基材の少なくとも一方の面に、非晶性の第一透明導電膜と、結晶性の第二透明導電膜を積層してなる透明導電性積層体であって、前記第一透明導電膜と前記第二透明導電膜が同一組成のスパッタリングターゲットを使用して形成され、かつ、前記第一透明導電膜が成膜時の水分圧を５．０×１０^-4Ｐａ以上として形成され、前記第二透明導電膜が成膜時の水分圧を５．０×１０^-4Ｐａ未満として形成されることを特徴とする透明導電性積層体である。 （もっと読む）

【課題】大面積かつ室温の基板あるいは基材に金属硫化物、金属セレン化物もしくは金属テルル化物薄膜を作製できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０が基板２０と、少なくとも一つの陰極４０と、当該陰極の近傍に配置する少なくとも一つのターゲット５０をチャンバー内に備え、チャンバー内において、基板とターゲットによりその一部が囲まれる空間と他の空間を仕切るための分離板６０と、当該分離板を加熱する加熱手段７０を備える。分離板により基板上に堆積した薄膜中の成分が再蒸発してチャンバー内に拡散することを防止し、更に分離板を加熱手段で加熱することで、再蒸発した成分の蒸気が分離板に凝着することを防止し、蒸気圧を高い状態で維持する。 （もっと読む）

【課題】成形する活物質層及び固体電解質層の平面方向の大きさに応じて活物質層及び固体電解質層を成形することを簡略化できる薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法を提供する。
【解決手段】
薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法は、スパッタにより活物質層及び固体電解質層が積層された薄膜固体電池の製造をする製造装置及び製造方法であって、スパッタを行い活物質層の成形をし、成形した活物質層の平面方向とスパッタの方向とがなす最小の角度より、成形した活物質層の平面方向となす最小の角度が小さくなるような方向でスパッタを行い固体電解質層の成形をする。 （もっと読む）