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成膜装置
【課題】放電電圧を低下させることで、スパッタリング成膜時における下地層へのダメージを減少させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】一対のターゲット21A,21Bへの電圧を交互に供給する交流電源ユニット50を備える構成とし、ACデュアルカソードスパッタリング法において、フィラメント41から熱電子を放出させる。プラズマが形成された領域に、熱電子を供給することで、プラズマの放電電圧を低下させて、スパッタリング成膜時に下地層へ与えるダメージを低減する。
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In2O3−ZnO系スパッタリングターゲット及び酸化物導電膜
【課題】従来よりも抵抗値の低いIn2O3−ZnO系酸化物導電膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム元素(In)、亜鉛元素(Zn)及び下記のA群から選択される少なくとも1つの元素(A)を含有し、In、Zn及びAの金属元素の組成(原子比)がInxZn(1-x)Ayで表わされる酸化物からなり、x及びyが下記式(1)及び(2)を満たすスパッタリングターゲット。
A群:Al、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Ga、B、Si、Ge、ランタノイド
0.68≦ x ≦0.95 (1)
0.0001≦ y ≦0.0045 (2)
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導電性積層体、パターン配線付き透明導電性積層体、および光学デバイス。
【課題】透明導電層上に金属層が形成された導電性積層体において、金属層をエッチングにより除去した際の透明導電層の抵抗の上昇を抑制する。
【解決手段】本発明の導電性積層体は、透明基材1の少なくとも一方の面に、少なくとも2層の透明導電性薄膜からなる透明導電性薄膜積層体2および金属層3がこの順に形成されている。透明導電性薄膜積層体2において、金属層3に最近接である第一透明導電性薄膜21は、金属酸化物層または主金属と1種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層であり、第一透明導電性薄膜以外の透明導電性薄膜22は、主金属と1種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層である。第一透明導電性薄膜21における不純物金属の含有比が、前記透明導電性薄膜積層体2を構成する各透明導電性薄膜における不純物金属の含有比の中で最大ではないことにより、上記課題が解決される。
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薄膜リチウム二次電池の製造方法、基板処理装置、及び薄膜リチウム二次電池
【課題】容量の低下を抑えつつ、歩留まりを高めることのできる薄膜リチウム二次電池の製造方法、基板処理装置、及び薄膜リチウム二次電池を提供する。
【解決手段】薄膜リチウム二次電池の製造方法は、コバルト酸リチウムからなる正極層を集電体層の形成された基板S上に成膜する成膜工程と、正極層を加熱してコバルト酸リチウムの結晶化を進める結晶化工程とを備えている。結晶化工程では、正極層の温度を第1温度で維持することにより、正極層の一部で低温相コバルト酸リチウムの結晶化を進める第1加熱工程と、第1加熱工程の後に第1温度よりも高い第2温度で正極層の温度を維持することにより、高温相コバルト酸リチウムの結晶化を正極層で進める第2加熱工程とを備えている。
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メモリ装置、及びメモリ装置の作製方法
【課題】可能な限り占有面積が削減され、データ保持期間の極めて長いメモリ装置を提供する。
【解決手段】メモリ装置内のメモリ素子のセルトランジスタとして、リーク電流の極めて小さいトランジスタを用いる。さらにメモリセルの占有面積を縮小するために、ビット線とワード線とが交差する領域に、当該トランジスタのソース及びドレインが縦方向に積層されるように形成すればよい。さらにキャパシタは、当該トランジスタの上方に積層すればよい。
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半導体装置および半導体装置の駆動方法
【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いた書き込み用トランジスタ162、トランジスタ162と異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ160及び容量素子164を含む不揮発性のメモリセルにおいて、メモリセルへの書き込みは、書き込み用トランジスタ162をオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタ162のソース電極(またはドレイン電極)と、容量素子164の電極の一方と、読み出し用トランジスタ160のゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給した後、書き込み用トランジスタ162をオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。また、読み出し用トランジスタ160として、pチャネル型トランジスタを用いて、読み出し電位を正の電位とする。
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記憶素子及び記憶装置
【課題】電力の供給が停止した後もデータを保持することができる、新たな構成の記憶素子を提供することを目的の一とする。
【解決手段】記憶素子は、ラッチ回路と、第1の選択回路と、第2の選択回路と、第1の不揮発性記憶回路と、第2の不揮発性記憶回路と、を有する。また、第1の不揮発性記憶回路及び第2の不揮発性記憶回路は、それぞれトランジスタ及び容量素子を有する。第1及び第2の不揮発性記憶回路のそれぞれが有するトランジスタは、チャネルが酸化物半導体膜に形成されるトランジスタである。当該トランジスタは、オフ電流が極めて低いため、トランジスタと容量素子の接続点であるノードにデータが入力された後、トランジスタがオフ状態となり、電源電圧の供給が停止しても、長期間にわたりデータを保持することができる。
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記憶装置及び半導体装置
【課題】データの保持期間を確保しつつ、単位面積あたりの記憶容量を高めることができる記憶装置を提供する。
【解決手段】複数のビット線を幾つかのグループに分割し、複数のワード線も幾つかのグループに分割する。そして、一のグループに属するビット線に接続されたメモリセルには、一のグループに属するワード線が接続されるようにする。さらに、複数のビット線は、複数のビット線駆動回路102a,102b,102cによってグループごとにその駆動が制御されるようにする。加えて、複数のビット線駆動回路102a,102b,102cと、ワード線駆動回路101とを含めた駆動回路上に、セルアレイ103a,103b,103cを形成する。駆動回路とセルアレイ103a,103b,103cが重なるように三次元化することで、ビット線駆動回路が複数設けられていても、記憶装置の占有面積を小さくすることができる。
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記憶素子、信号処理回路
【課題】新たな構成の不揮発性の記憶素子、それを用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】第1の回路と第2の回路とを有し、第1の回路は第1のトランジスタと第2のトランジスタとを有し、第2の回路は第3のトランジスタと第4のトランジスタとを有する。第1の信号に対応する信号電位は、オン状態とした第1のトランジスタを介して第2のトランジスタのゲートに入力され、第2の信号に対応する信号電位は、オン状態とした第3のトランジスタを介して第4のトランジスタのゲートに入力される。その後、第1のトランジスタ及び第3のトランジスタをオフ状態とする。第2のトランジスタの状態と第4のトランジスタの状態との両方を用いて、第1の信号を読み出す。第1のトランジスタ及び第3のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタとする。
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磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式:{(FexPt100−x)(100−y)Ay}(100−z)Cz、ここでAがSbおよびSnの少なくとも一方からなる金属であり、原子比により30≦x≦80、1≦y≦20、3≦z≦65で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、SbPt合金粉およびSnPt合金粉の少なくとも一方と、FePt合金粉と、Pt粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。
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薄膜トランジスタ及びその製造方法
【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ga/(Ga+In)が0.001〜0.12であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が80原子%以上であり、In2O3のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。
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半導体装置
【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。
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耐食導電性皮膜とその製造方法および耐食導電材
【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電性皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電性皮膜は、P、TiおよびOからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。この耐食導電性皮膜が基材表面に形成された耐食導電材は、従来になく優れた耐食性および導電性を発現する。特にTi原子比(Ti/Ti+P)が0.5〜0.8である場合やNが導入された場合、その耐食導電性皮膜の耐食性は、導電性を低下させることなく著しく向上する。本発明の耐食導電性皮膜は、腐食環境下で高い導電性が要求される電極等に用いられると好ましい。例えば、本発明の耐食導電性皮膜により表面が被覆された燃料電池用セパレータは、耐食性および導電性に優れて好適である。
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半導体装置、表示モジュール、及び電子機器
【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。
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透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル
【課題】ペン入力耐久性および高温高湿信頼性に優れる透明導電体層を有する透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明なフィルム基材の片面に少なくとも1層のアンダーコート層を介して、透明導電体層を有する透明導電性フィルムであって、前記透明導電体層は、厚さdが15〜35nmであり、平均表面粗さRaが0.37〜1nmであることを特徴とする透明導電性フィルム。
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金属薄膜積層基板の製造方法及び静電容量型タッチパネルの製造方法
【課題】ロール・ツー・ロールで搬送される長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜を成膜する場合に、第1の面の金属薄膜の表面と第2の面の金属薄膜の表面とがくっつくことによる、しわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができ、両面積層基板の生産効率を低下させることのない金属薄膜積層基板の製造方法を提案する。
【解決手段】長尺のフィルム基板Fの両面に金属薄膜を真空成膜により成膜したのち、該金属薄膜の少なくとも一方の金属薄膜の表面に金属酸化物の薄膜を形成し、その後金属薄膜積層基板Fをロール状に巻き取ることを特徴とする。
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酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉
【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を抑制することができる酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉を提供すること。
【解決手段】焼結後の冷却時に膨張する金属酸化物粉を含む圧粉体を形成する工程と、該圧粉体を型内に配置し該型内の前記圧粉体の外周に緩衝粉を充填した状態で熱間加工して酸化物スパッタリングターゲットとなる酸化物焼結体4を作製する工程とを有し、緩衝粉3を、熱間加工時の加熱により焼結すると共に焼結後の冷却時に酸化物焼結体4の膨張により緩衝粉3による焼結体が割れる粉末とする。
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酸化物超電導薄膜線材およびその製造方法
【課題】従来に比べ高いIcを有する酸化物超電導薄膜線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材であって、中間層が、少なくとも、配向金属基板上にRFスパッタリング法を用いて形成されたCeO2層と、CeO2層上に電子ビーム蒸着法を用いて形成されたY2O3層とを有している酸化物超電導薄膜線材。配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材の製造方法であって、中間層の形成工程が、少なくとも、配向金属基板上にRFスパッタリング法を用いてCeO2層を形成するCeO2層形成工程と、CeO2層上電子ビーム蒸着法を用いてY2O3層を形成するY2O3層形成工程とを備えている酸化物超電導薄膜線材の製造方法。
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プラズマ源およびこれを用いた薄膜の製造方法
【課題】
本発明は高品質な化合物薄膜または有機物薄膜を高い生産性で連続的に製造可能とするために、低ダメージで反応性の高い成膜条件を実現するプラズマ源と薄膜の製造方法を提供することを目的とする。具体的には、従来のスパッタ法におけるターゲット使用効率を改善すると共に、基材へ入射する粒子の運動エネルギーを十分緩和しても良好な膜質を得るための高密度なマグネトロンプラズマを基材近傍に生成するものである。
【解決手段】
対向した少なくとも一対の平板型マグネトロンプレートを有し、前記対向する平板型マグネトロンプレートの一方のみがスパッタカソードであることを特徴とする、プラズマ源。
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スパッタリング用分割ターゲット装置、及びそれを利用したスパッタリング方法
【課題】分割ターゲット装置、及びそれを利用したスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ベースプレートに規則的な列をなして付着した複数個の分割ターゲットを備え、分割ターゲット間の間隙が、列の方向である第1方向と、それに垂直な第2方向との間の角度に沿って配列される分割ターゲット装置である。かかる構造の分割ターゲット装置を利用してスパッタリングを行えば、製造と取扱とが容易な分割ターゲットを使用しつつも、基板上に均一な蒸着品質が得られ、結果的にディスプレイ装置の輝度を画面の全体にわたって均一にすることができる。
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