【課題】基板とめっき層との密着性に優れた積層体、その製造方法、積層体を備える薄膜トランジスタ、積層体を備えるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】
積層体１では、基板２上にシリカ層３および有機層４を介し、めっき層５が形成されている。シリカ層３はポリシラザンを前駆体として形成されているので、基板２との密着性が良好で、上面に無数の微細な凹凸が存在するシリカ層３が形成される。有機層４は、シリカ層３の上面の凹凸によって発現するアンカー効果により、シリカ層３と強固に結合する。また、有機層４の上面には、シリカ層３の上面の無数の微細な凹凸を反映して凹凸が形成されるので、めっき層５と有機層４とは、化学的もしくは電気的な結合に加え、アンカー効果により強固に結合される。よって、シリカ層３および有機層４を介して基板２上に形成されるめっき層５の基板２に対する密着性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】電界メッキ法やＣＭＰ法を使わないことで製造コストを落として配線を形成する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上にマスクを形成する工程と、選択的にエッチングして絶縁膜に開口部を形成する工程と、マスク上および開口部に第１導電膜を形成する工程と、液滴吐出法により開口部の第１導電膜上に導電材料を含む液滴を滴下する工程と、レーザー光を選択的に照射して導電材料を加熱して第２導電層を形成する工程と、マスク上および第２導電層上に第３導電膜を形成する工程と、マスクを除去すると同時にマスク上に形成された第１導電膜および第３導電膜を除去し、第１導電層および第３導電層を形成する工程とを有する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に積層構造からなる複数の金属膜を無電解めっき法により形成する半導体装置の製造方法において、遮光環境下に位置させるめっき槽を少なくする方法を提供する。
【解決手段】金属膜を形成する工程は、第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程（ステップＳ５２）と、第２めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５４）と、第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５６）を含む。第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程は遮光環境下で行われ、第２めっき槽および第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程は非遮光環境下で行われる。 （もっと読む）

【課題】 セルフリミットを発生させるような金属酸化物であっても、その膜厚を制御することが可能となる金属酸化物膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地の温度が金属酸化物膜の成膜温度に達する前に、金属原料ガスを下地の表面に供給する工程（１）と、下地の温度を成膜温度以上とし、下地の表面に供給された金属原料ガスと下地の表面の残留水分とを反応させて、下地上に金属酸化物膜を形成する工程（２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルにおいて、Ａｌ系金属からなるゲート電極等がレジスト現像液およびレジスト剥離液によるダメージを受けにくいようにする。
【解決手段】 Ａｌ系金属からなるゲート電極２およびゲート配線３の上面にＡｌ酸化膜２ａ、３ａを形成すると、ゲート電極２およびゲート配線３の上面がレジスト膜４３ａ、４３ｂ、４３ｃ用の現像液および剥離液にさらされることがなく、ゲート電極２およびゲート配線３がレジスト膜４３ａ、４３ｂ、４３ｃ用の現像液および剥離液によるダメージを受けにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】低いシート抵抗を得る不純物活性化方法、および、ソース・ドレイン拡張部を均一な深さで再現性よく形成する製造方法を提供。
【解決手段】半導体基板２１において半導体基板２１よりも不純物濃度が高いボロンイオン注入層４３が形成されており、ボロンイオン注入層４３にパルス幅が１０〜１０００フェムト秒のパルスレーザー光を照射して、ボロンイオン注入層４３を活性化させる。パルスレーザー光におけるパルス幅、レーザーフルーエンスおよび照射パルス数を含む照射条件を変更することにより、パルスレーザー光照射後のボロンイオン注入層４３のシート抵抗を制御する。 （もっと読む）

【課題】ゲートメタル材料の溶解抑制と良好なコンタクト抵抗取得とを両立可能な半導体装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の洗浄方法は、以下の工程を備えている。シリコンを含み、かつ主表面ＭＳを有する半導体基板ＳＢが準備される。主表面ＭＳの上にメタル層ＧＭとシリコン層ＧＰとを下から順に積層した積層ゲートＧＥ２が形成される。主表面ＭＳとシリコン層ＧＰ表面との各々にシリサイド層ＳＣＬが形成される。主表面ＭＳと積層ゲートＧＥ２表面との各々のシリサイド層ＳＣＬの上に絶縁層ＩＬが形成される。半導体基板ＳＢの主表面ＭＳと積層ゲートＧＥ２の表面との各々のシリサイド層ＳＣＬが絶縁層ＩＬから露出するようにシェアードコンタクトホールＳＣ２が絶縁層ＩＬに形成される。シェアードコンタクトホールＳＣ２に硫酸洗浄、過酸化水素水洗浄およびＡＰＭ洗浄をそれぞれ別工程で行うことによりシェアードコンタクトホールＳＣ２に形成された変質層ＡＬが除去される。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部２を有する絶縁層１２２が表面に形成された被処理体Ｗに第１の金属を含む薄膜を形成する成膜方法において、絶縁層の表面に親水化処理を施して親水性の表面にする親水化工程と、親水化処理の行われた絶縁層の表面に第１の金属を含む第１の金属含有原料を用いて成膜処理を施すことにより第１の金属を含む薄膜を形成する薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって：酸化ランタンまたは酸化ランタニド（例えば、Ｄｙ₂Ｏ₃、Ｐｒ₂Ｏ₃、Ｃｅ₂Ｏ₃）を含む層を準備する工程と；炭酸水である水溶液を供給することにより、酸化ランタンまたは酸化ランタニドを含む層を特定の領域で除去して、酸化ランタンまたは酸化ランタニドを含む層が上に蒸着された表面を露出させる工程とを備える方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】薄型化されたウェハにめっき処理をする際にウェハ裏面への金属析出やウェハの反り及び損傷を抑制すると共に、ウェハのめっき処理効率が良好な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハを薄型化する工程１、薄型化された前記ウェハの裏面をダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程２、及び、前記リングフレーム内にマウントされた前記ウェハの表面にめっき処理を行う工程３を備えた半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】凹凸の大きいステップバンチングに対しても平坦化可能で、かつ平坦化にあたりＣＭＰ研磨などの研磨工程を必要としない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】炭化珪素基板の表面上に、活性領域となり表面にステップバンチングが生じやすいＣ／Ｓｉ比を有する第１の炭化珪素層を形成する第１工程と、前記第１の炭化珪素層の表面上に、表面が平坦となるＣ／Ｓｉ比を有する第２の炭化珪素層を形成する第２工程と、前記第２の炭化珪素層をエッチング除去する第３工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】膜厚のばらつき及び表面の平坦性に優れ、基材との十分な密着性を有する導電膜パターンを、複雑、高価な設備、工程を必要とせずに形成する導電膜パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】金属微粒子含有インクを基材上に配置し、焼成することにより形成される導電膜パターンにおいて、前記基材のインク被配置面に、有機塩あるいは無機塩の含有されたプライマー層が形成されているものであることを特徴とする導電膜パターン。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを用いた半導体装置において、ＴＦＴ中の汚染不純物を低減し、信頼性のあるＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上のＴＦＴの被膜に存在する汚染不純物を、フッ素を含有する酸性溶液を被膜表面に接触させ、酸性溶液を一定方向に流すことにより、被膜表面の汚染不純物を除去することにより、信頼性のあるＴＦＴを得ることができる。なお、酸性溶液は、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合比が体積比で１：５０のバッファードフッ酸を用いる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型電極のコンタクト抵抗を低減することができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板上に、Ｖ族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用いて、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型窒化物半導体層）を形成する。次に、ｐ型ＧａＮ層にオーミック接触するｐ側電極を形成する。ｐ型ＧａＮ層を形成した後に４５０℃より高い温度で熱処理を行わない。これにより、ｐ側電極５８のコンタクト抵抗を低減することができる。従って、動作電圧を低くすることができるため、発熱による電力消費を低減することができ、高出力でも劣化の少ない長寿命の半導体レーザーを得ることができる。また、コンタクト抵抗が低いため、高速の応答が可能になる。さらに、高温の熱処理を必要としないため、プロセス変動の影響を受けにくく、歩留まりを向上させることができ、低コスト化が可能になる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート電極とソース電極間の絶縁性を向上させ、ゲート電極とソース電極間のリーク電流を低減させることにより、確実に動作する薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体層の直上に離間して形成された第１の開口部および第２の開口部を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第１の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第２の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極を備える薄膜トランジスタにすることにより、ゲート電極とソース電極との間の絶縁膜の膜厚が実質的に増すこととなり、絶縁性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入された領域であるイオン注入領域が除去されない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層の表層にイオン注入により環状のイオン注入領域を選択的に形成する工程と、前記イオン注入領域が形成された前記炭化珪素層を活性化アニールする工程と、前記炭化珪素層の表面の全面に犠牲酸化膜を形成する工程と、前記イオン注入領域にあたる前記犠牲酸化膜上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストをマスクとして前記犠牲酸化膜を除去する工程と、前記フォトレジストと前記犠牲酸化膜をマスクとして前記犠牲酸化膜と前記活性化アニールの際に前記炭化珪素層の表層に形成される変質層を除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】雰囲気条件下で簡単に実施でき、安価な金属箔を使用できる、有機半導体表面に電気接点を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体表面に溶媒層を形成し、前記表面、少なくともその下面が部分的に酸化された金属箔を載置し、次いで前記溶媒を蒸発させる。本発明方法によると、経済的な競争力が向上し、同時に半導体の構造の保持、及び高い界面導電性がその品質的な価値を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で、耐熱性、耐久性が優れる高分子化合物を使用し、金属の積層量を任意に制御できる金属膜のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】シリコーン系樹脂を含む基板表面に所望のパターンの遮蔽材を被覆する工程、遮蔽材を被覆した基板表面に積算光量１，０００〜１，０００，０００ｍＪ／ｃｍ^２の活性エネルギー線を照射して被照射部分と未照射部分を形成する工程、及び被照射部分と未照射部分を有する基板表面に金属を積層する工程により金属膜のパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】表面エネルギーパターンの手助けなしに印刷材料の第１および第２の領域を分離するマイクロメータおよびサブマイクロメータの寸法の臨界形状を形成することのできる方法を提供する。
【解決手段】 溶液処理および直接印刷によって導電性、半導体および／または絶縁性の層を蒸着する工程、および第２の材料の溶液をはじく第１のパターンの周りに表面エネルギー障壁を自己整合的に形成することによって電気活性ポリマーの高解像度パターンを形成する工程を含む、有機性または部分的に有機性のスイッチング装置を形成する方法。 （もっと読む）

【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び／或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。 （もっと読む）