【課題】定常損失を低減しつつ耐圧を向上することのできる整流素子を提供する。
【解決手段】ショットキー電極３は、ＳｉＣよりなるｎ^-半導体層２とショットキー接触し、かつＳｉＣよりなるｐ型半導体層５ａ，５ｂと電気的に接続している。ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。ｎ^-半導体層２とショットキー電極３との間のショットキー障壁φＢｎ₁が、０．６８ｅＶ＜φＢｎ₁＜１．０５ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも、そのショットキー接触を確保できる。 （もっと読む）

【課題】許容可能な拡散バリア特性と基板への密着性を耐熱性金属窒化物が有するように、基板上への窒化チタンなどの耐熱性金属窒化物膜の形成を提供する。
【解決手段】材料の層が、ウェハ上に部分的に形成された集積回路内の基板上に形成される。基板はプラズマアニールを受け、その間に基板はイオンでボンバードされる（工程３００）。プラズマアニールは、エネルギーを注入された窒素含有ガスから生成されたプラズマへ基板を曝すことにより実行できる。基板がプラズマアニールされた後、耐熱性金属窒化物の層が基板上に堆積される（工程３０１）。耐熱性金属窒化物の層は、次に、第１セットのイオンでボンバードされる。第１セットのイオンによる耐熱性金属のこのボンバードは、プラズマアニールを実行することにより達成できる。耐熱性金属窒化物は、更に、第２セットのイオンによりボンバードされる（工程３０２）。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極とオーミックリセス部とのコンタクト抵抗を低減した窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子４００は、基板４０１上に形成された第１の窒化物半導体層４０２と、第１の窒化物半導体層４０２上に形成され、第１の窒化物半導体層４０２と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層４０３と、少なくとも第２の窒化物半導体層４０３に形成されたオーミックリセス部４０５と、オーミックリセス部４０５に接触して設けられたオーミック電極４０７とを備え、オーミックリセス部４０５は、オーミック電極４０７と接触する面の少なくとも一部に凹凸構造を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン層表面の溶解を防止しつつ、エピタキシャル成長により形成された凝集性異物を除去する。清浄な表面を有し、膜厚が均一なシリコン層を形成する。
【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル成長によりシリコン層を形成した後に、シリコン層の表面を酸化する。このシリコン層の表面を洗浄して、エピタキシャル成長時にシリコン層の表面に発生した異物を除去する。 （もっと読む）

【課題】グラフェンを高精度でパターニングすることができ、これにより、グラフェンを用いた電子デバイス要素及び電子デバイスの精細加工が可能であり、製造コストを格段に低減することが可能なグラフェン構造体及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を精度よくパターニングし、そのレジスト膜の開口内に親水化膜を形成した後、ＧＯが親水性を有することを利用して、親水化膜の部分にのみ、ＧＯを選択的に化学的に結合させて固定化し、更にそのＧＯを還元して親水化膜の部分にのみグラフェンが選択的に固定化されたグラフェン構造体を得る。このように、グラフェン構造体は、基板上にグラフェンが設けられてなり、且つ、基板における親水処理の部位とグラフェン、及び／又は、基板における疎水処理の部位以外の部位とグラフェンとの間に、親水処理による結合が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】低コストの半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第４の半導体層１４及び第３の半導体層１３を貫通して第２の半導体層１２に達する第１のトレンチＴ１と、第１のトレンチＴ１よりも終端側の第４の半導体層１４及び第３の半導体層１３を貫通して第２の半導体層１２に達し、第４の半導体層１４及び第３の半導体層１３を素子部５１と終端部５２とに分断する第２のトレンチＴ２と、絶縁膜１５を介して第１のトレンチＴ１内に設けられたゲート電極１６ａと、絶縁膜１５を介して第２のトレンチＴ２内に設けられたチャネルストッパ層１６ｃと、第３の半導体層１３及び第４の半導体層１４の終端部５２上に設けられ、チャネルストッパ層１６ｃと終端部５２とを接続するチャネルストッパ電極３４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタをスイッチング素子として用い、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】加熱処理により脱水化または脱水素化され、表面にナノ結晶からなる微結晶群が形成された酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に非晶質で透光性のある酸化物導電層を用いてソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層上の酸化物導電層を選択的にエッチングすることで透光性のあるボトムゲート型のトランジスタを形成し、同一基板上に駆動回路部と画素部を設けた信頼性及び表示品質の高い半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】自己整列グラフェン・トランジスタを作製するスキームを提供する。
【解決手段】グラフェン電界効果トランジスタは、ゲート・スタックであってシード層とシード層の上に形成されたゲート酸化物とゲート酸化物の上に形成されたゲート金属とを含む該ゲート・スタック、絶縁層、およびシード層と絶縁層との間に転写されたグラフェン・シート、を含む。 （もっと読む）

【課題】カーボン膜の除去が必要とならず、かつ、十分にコンタクト抵抗を低抵抗化できるようにする。
【解決手段】オーミック電極５を形成するための金属層１５の形成前にレーザ光の吸収効果の高いカーボン層１４を形成しておき、その上に金属層１５を形成してからレーザアニールを行うようにしている。これにより、金属層１５を構成する金属がカーボン層１４を構成する炭素（Ｃ）やｎ⁺型基板１を構成するシリコン（Ｓｉ）または炭素と反応してオーミック電極５が形成されるため、カーボン層１４を除去する必要がない。また、レーザアニール時にカーボン層１４を用いているため、レーザ光の吸収率を高くすることができ、オーミック電極５のコンタクト抵抗の低抵抗化を十分に行うことが可能となる。したがって、カーボン膜１４の除去が必要とならず、かつ、十分にコンタクト抵抗を低抵抗化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】実施形態に係るめっき処理装置は、二つ以上の撥水性が異なる領域を有する基板の被処理面にめっき膜を形成するめっき処理装置であって、基板を収容するインナーチャンバと、インナーチャンバ内に配設され、基板を回転可能に水平保持する保持機構と、インナーチャンバを覆うように配設されたアウターチャンバと、アウターチャンバの上面に配設され、インナーチャンバとアウターチャンバとの間に所定のめっき処理温度以上の不活性ガスを供給するガス供給孔と、インナーチャンバの内部と外部との間に圧力勾配が形成されるように不活性ガスをインナーチャンバ内に導入するガス導入口と、インナーチャンバ内の不活性ガスの圧力が所定の値となった後に、基板の被処理面の所定位置にめっき処理温度のめっき液を供給するめっき液供給機構とを具備している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、埋込みビットラインの抵抗を減少させ高速動作に有利な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ハードマスク膜をバリアとして半導体基板をエッチングし、複数の活性領域を画定するトレンチを形成するステップと、ハードマスク膜が突出部となるように前記トレンチ内部を一部ギャップフィルするギャップフィル膜を形成するステップと、突出部の両側側壁を覆うスペーサを形成するステップと、ドープドエッチング障壁膜をエッチングバリアとしてスペーサのうち何れか１つのスペーサを除去するステップと、残留するスペーサをエッチングバリアとして前記ギャップフィル膜をエッチングし、活性領域の一側側壁を露出させる側壁トレンチを形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とプラグとの接続信頼性を向上することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明では、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極Ｇ１を金属膜ＭＦ２とポリシリコン膜ＰＦ１の積層膜から構成するＭＩＰＳ電極を前提とする。そして、このＭＩＰＳ電極から構成されるゲート電極Ｇ１のゲート長に比べて、ゲートコンタクトホールＧＣＮＴ１の開口径を大きく形成する第１特徴点と、ゲート電極Ｇ１を構成する金属膜ＭＦ２の側面に凹部ＣＰ１を形成する第２特徴点により、さらなるゲート抵抗（寄生抵抗）の低減と、ゲート電極Ｇ１とゲートプラグＧＰＬＧ１との接続信頼性を向上することができる。 （もっと読む）

集積回路に使用する銅線のための集積回路用相互接続構造およびこれを作る方法が提供される。Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有層が、線からの銅の拡散に対しバリアを形成し、それにより、絶縁体の早期絶縁破壊を防ぎ、銅によるトランジスタの劣化を保護する。また、Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有層は、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、その結果、製造と使用中のデバイスの機械的健全性を保ち、さらに、デバイスの使用中の銅のエレクトロマイグレーションによる故障を防ぎ、また、環境からの酸素または水による銅の腐食を防ぐ。このような集積回路の形成に関しては、本発明の特定の実施形態により、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、またはＣｏを銅表面上に選択的に堆積させ、一方で、絶縁体表面上のＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、またはＣｏの堆積を減らす、または防ぎさえもする方法が提供される。また、Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有前駆物質およびヨウ素または臭素含有前駆物質を使った銅の触媒堆積も提供される。 （もっと読む）

【課題】所定パターンを有するとともに、表面抵抗率や光透過率等のばらつきが少ない金属酸化膜の形成方法およびそのような金属酸化膜を提供する。
【解決手段】基材上に、所定パターンを有する金属酸化膜の形成方法等であって、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩膜を形成する第１工程と、金属塩膜に対して、所定パターンを設ける第２工程と、金属塩膜に対して、熱酸化処理または所定のプラズマ酸化処理を行い、金属酸化膜とする第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ＳｉＣ領域とｐ型ＳｉＣ領域との両方と接触可能であり、かつ酸化による接触抵抗の増加を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、炭化珪素からなるｎ⁻ＳｉＣ層１２を準備する工程と、ｎ⁻ＳｉＣ層１２の主表面上にソースコンタクト電極１６を形成する工程とを備えるＭＯＳＦＥＴ１の製造方法である。ソースコンタクト電極１６を形成する工程は、ソースコンタクト電極１６となるべき導電体層をｎ⁻ＳｉＣ層１２の主表面上に形成する工程と、導電体層をソースコンタクト電極１６とするため熱処理する工程とを含む。熱処理する工程の後、ソースコンタクト電極１６の表面を酸素含有雰囲気に曝露するときのソースコンタクト電極１６の温度を１００℃以下にする。ソースコンタクト電極１６を形成する工程の後、表面電極パッド２７を形成する工程の前に、上記ソースコンタクト電極１６の一方の主面上に形成された高抵抗層を除去する工程を含むことがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体に対するコンタクト抵抗が低い電極を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体層上に炭素を含有する炭素含有層を形成する炭素含有層形成工程Ｓ４と、炭素含有層上にチタンを含有するチタン含有層を形成するチタン含有層形成工程Ｓ６を有する半導体装置の製造方法。チタン含有層と窒化物半導体層との間にＴｉＮとＴｉＣの全率固溶体Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）の層が形成される。これにより、チタン含有層が、その境界部全体で窒化物半導体層に対してオーミック接続される。 （もっと読む）

【課題】金属ドナードープとは全く異なる観点から、電子注入機能および／または正孔注入機能を実現した有機デバイス用電極を提供することを目的とし、また、安定した均質な電極を作製できる電極の形成方法を提供することを目的とする。
【解決する手段】微粒子状の導電性無機化合物からなる導電性微粒子と、π共役系有機化合物とを同一の溶媒に分散させる第１の工程と、前記導電性微粒子と前記π共役系有機化合物とを分散させた前記溶媒を電極形成面へ湿式塗布する第２の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】素子の特性の変動を抑えること。
【解決手段】面方位が（１００）面のシリコン基板１の表面に、１ｎｍ以下の酸化膜１０を形成する。そして、この酸化膜１０の表面に、スパッタリングによってアルミニウムを積層することで、全面が（１１１）面のアルミニウム膜２を形成する。そして、アルミニウム膜２の表面に、無電解めっき処理によりニッケルめっき層を形成する。また、アルミニウム膜２を形成した後、シリコン基板１とアルミニウム膜２とをシンタリングする際に、酸素濃度に合わせて、熱処理温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】容易に作成可能なパターニングされたゲル状態のめっき用組成物を提供する。
【解決手段】ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で開口１３を介して基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面を活性化するための溶液及びプロセスの提供。
【解決手段】本発明は、その後の工程で無電解法により金属層を堆積させて被覆できるように、ポリマーから形成される少なくとも１つの領域を含む基板表面を活性化するための溶液及びプロセスに関する。また、本発明によれば、この組成物は、Ａ）１以上のパラジウム錯体から形成される活性化剤と；Ｂ）少なくとも２つのグリシジル官能基及び少なくとも２つのイソシアネート官能基を含む各化合物から選択される１以上の有機化合物から形成される結合剤と；Ｃ）上記活性化剤及び上記結合剤を溶解可能な１以上の溶媒から形成される溶媒系とを含有する。用途：特に集積回路、とりわけ３次元集積回路、などの電子デバイスの製造。 （もっと読む）