【課題】簡便な手法によってエピタキシャル基板の障壁層表面の平坦性を向上させ、ショットキーコンタクト特性の優れたエピタキシャル基板を実現する方法を提供する。
【解決手段】半導体素子用のエピタキシャル基板を製造する方法が、下地基板の上に、少なくともＧａを含む、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層をエピタキシャル形成するチャネル層形成工程と、チャネル層の上に、少なくともＩｎとＡｌを含む、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層をエピタキシャル形成する障壁層形成工程と、障壁層形成工程における加熱温度よりも１００℃以上２５０℃以下高い加熱温度で障壁層が形成された下地基板を加熱することにより、障壁層の表面平坦性を向上させる平坦化処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パターン外析出を抑制し、密着力を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｎ型半導体とｐ型半導体が混在する半導体ウエハ上へ、ニッケル又はニッケル合金の無電解めっきを行うための前処理液ろ提供する。
【解決手段】該前処理液は過酸化水素水とアンモニア水及び／又は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）からなる水溶液である無電解めっきの前処理液で、ＦＥＴなどのソース、ドレイン電極など、ｎ型半導体とｐ型半導体が混在するトランジスタ電極を形成する際に、シリコン基板表面の不純物を効果的に除去するか又は低減して活性化させることができ、さらにこのようなシリコン基板がｎ型半導体とｐ型半導体が混在する場合に、この洗浄液による処理を行った後、後続の無電解Ｎｉ又はＮｉ合金めっきに適合でき、均一な無電解めっきを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】ボイドやシームが発生しにくい構造体とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０１に形成された層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３に形成されたコンタクト孔１０４と、コンタクト孔１０４を埋め込むＣｕ膜１０７と、コンタクト孔１０４の内部の側壁に形成され、Ｃｕ膜１０７の下地となる金属含有下地膜１３と、を備える。コンタクト孔１０４の開口に接続している側壁の一部を含む第一の領域１１において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属窒化層１０６を有する。第一の領域１１よりも半導体基板１０１側の側壁を含む第二の領域１２において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属層１０５を有する。金属層１０５の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度は、金属窒化層１０６の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。
【解決手段】発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、ｐ型窒化ガリウム層上に積層され、Ｎｉ−Ｘ固溶体を含有する第１電極層と、前記第１電極層上に積層され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃ、Ｃｕ、及びＩｒからなる群から選択される少なくとも１種以上の元素を含有する第２電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極である。 （もっと読む）

【課題】 液体原料を用いてＳｉ以外の金属膜を安定して成長させる。
【解決手段】 基板上に形成された第１の金属膜の表面を水酸基で終端する第１の前処理を行う工程と、第１の前処理後の第１の金属膜に対して水素含有ガスを供給して第２の前処理を行う工程と、第２の前処理後の第１の金属膜上に第２の金属膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】接続導体との間のはんだ接合部の信頼性を確保する。
【解決手段】ジンケート法による無電解めっき法を用いて、半導体チップ１の表面側のＡｌ電極３の上にＮｉめっき層５が形成される。Ａｌ電極３の上には、選択的にＮｉめっき層５が析出されるため、周辺耐圧構造４部分には、Ｎｉめっき層５は形成されない。また、形成されるＮｉめっき層５は、所定の厚さに均一に形成することができる。続いて、Ｎｉめっき層５の上にＡｕめっき層６が形成される。無電解めっき法を用いることによって、Ａｕめっき層６もＮｉめっき層５と同様に、Ｎｉめっき層５の上に選択的、かつ均一に形成される。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体装置のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成するいずれの領域においても、残渣のない良好な半導体／金属界面が得られるようにする。
【解決手段】化合物半導体装置の製造方法を、基板１上に化合物半導体積層構造４を形成する工程と、化合物半導体積層構造上に金属膜５Ａ〜５Ｃを形成する工程と、金属膜上にソース電極７及びドレイン電極８を形成する工程と、金属膜の一部を酸化又は窒化して、金属酸化物膜又は金属窒化物膜５ＣＸを形成する工程と、金属酸化物膜又は金属窒化物膜上にゲート電極９を形成する工程とを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された配線用パターンの底部までＣｕ埋め込みが可能な基板の配線方法を提供する。
【解決手段】真空状態に保持された処理容器１００内にて配線用パターンが形成された基板を配線する方法であって、ウエハ上の配線用パターンを所望のクリーニングガスにより洗浄する前工程と、前工程後、クラスタ化された金属ガス（金属ガスクラスタＣｇ）を用いて配線用パターン内に金属ナノ粒子を埋め込む埋め込み工程と、を含むことを特徴とする基板の配線方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出法により吐出する液滴の着弾精度を飛躍的に向上させ、微細でかつ精度の高いパターンを基板上に直接形成することを可能にする。もって、基板の大型化に対応できる配線、導電層及び表示装置の作製方法を提供することを課題とする。また、スループットや材料の利用効率を向上させた配線、導電層及び表示装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】液滴吐出法による液滴の吐出直前に、所望のパターンに従い基板表面上の液滴着弾位置に荷電ビームを走査し、そのすぐ後に該荷電ビームと逆符号の電荷を液滴に帯電させて吐出することによって、液滴の着弾位置の制御性を格段に向上させる。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド膜と銅コンタクトプラグ本体との間の拡散バリア層として、薄膜の酸化マンガンで構成された拡散バリア層を用いてはいるものの、金属シリサイド膜への銅原子の拡散、侵入を確実に抑止することができるようにする。
【解決手段】本発明のコンタクトプラグ１０は、半導体装置の絶縁膜４に設けられたコンタクトホール５に形成され、コンタクトホール５の底部に形成された金属シリサイド膜３と、コンタクトホール５内で金属シリサイド膜３上に形成され、非晶質でシリコンを含む第１の酸化マンガン膜６ａと、その第１の酸化マンガン膜６ａ上に形成され、微結晶を含む非晶質の第２の酸化マンガン膜６ｂと、その第２の酸化マンガン膜６ｂ上に、コンタクトホール５を埋め込むように形成された銅プラグ層７と、を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系合金配線膜を半導体層と直接接続しても接触抵抗率が低く、かつ密着性に優れた薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、Ｃｕ合金層２８ｂ、２９ｂとを有する薄膜トランジスタ基板において、前記半導体層３３と前記Ｃｕ合金層２８ｂ、２９ｂとの間に、酸素含有層２８ａ、２９ａを含んでおり、前記酸素含有層２８ａ、２９ａを構成する酸素の一部若しくは全部は、前記薄膜トランジスタの前記半導体層３３のＳｉと結合しており、前記Ｃｕ合金層２８ｂ、２９ｂは、合金元素としてＸ（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｇよりなる群から選ばれる少なくとも１種）を合計で２原子％以上２０原子％以下含有し、前記Ｃｕ合金層２８ｂ、２９ｂは、前記酸素含有層２８ａ、２９ａを介して前記薄膜トランジスタの前記半導体層３３と接続していることを特徴とする薄膜トランジスタ基板である。 （もっと読む）

【課題】被覆性及び付着力が高い金属膜を、半導体基板上に低コストで形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄイオンを含むＰｄ活性化液２８（塩化パラジウム）にＧａＡｓ基板１６（半導体基板）を浸漬してＧａＡｓ基板の表面にＰｄキャタリスト３０を付着させる。このＰｄキャタリストとＧａＡｓ基板が反応してＰｄ−Ｇａ−Ａｓの混合層４０が形成される。次に、表面にＰｄキャタリストが付着されたＧａＡｓ基板をＰｄ無電解めっき液４２に浸漬してＧａＡｓ基板上にＰｄめっき膜４４を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングを利用した場合でも、電極構造体に、微細な凹凸構造を欠点なく正確に、かつ簡便に形成することのできる電極構造体の製造方法、ならびに電極構造体に欠点のない微細な凹凸構造が正確に形成されてなる太陽電池を提供する。
【解決手段】表面に微細な凹凸構造を有するスタンパー１の表面上に、導電体層２を剥離可能に形成し、スタンパー１上の導電体層２と、硬化性材料４とを接触させ、その状態で硬化性材料４を硬化させて、微細な凹凸構造を有する凹凸基層５を形成するとともに、凹凸基層５と導電体層２とを接着し、スタンパー１と、凹凸基層５に接着された導電体層２とを分離し、もって凹凸基層５上に導電体層２を転写して形成し、このようにして、微細な凹凸構造を有する電極構造体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】 チャネルの高い移動度と、優れた縦方向耐圧とを得た上で、安定して低いオン抵抗を確保することができる、半導体装置等を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ｎ型ドリフト層４／ｐ型層６／ｎ型表層８を含むＧａＮ系積層体１５、に形成され、ＧａＮ系積層体には、開口部５が設けられ、再成長層２７と、ゲート電極１１と、ソース電極３１と、ドレイン電極３９とを備え、再成長層２７は電子走行層２２および電子供給層２６を含み、チャネルが二次元電子ガスであり、ｐ型層６とｎ型表層８との間、および開口部を囲むＧａＮ系積層体の端面と再成長層との間、の少なくとも一方に、ＧａＮよりも格子定数が小さいエピタキシャル層が挿入されていることを特徴とする。 （もっと読む）

種々の材料及びアプローチの１以上を用いてナノ構造体を接続する。種々の例示的実施形態で、ナノ構造体間の接続部で２つ以上のナノ構造体が接続される。ナノ構造体は、接続部で接触するかほぼ接触してよく、接続材料を接続部で堆積及び核形成させてナノ構造体同士を結合する。種々の用途で、核形成した接続材料はナノ構造体間の伝導率（熱的及び／又は電気的）を向上させる。いくつかの実施形態では、接続材料は更に、例えばナノ構造体に沿って成長することにより及び／又はナノ構造体にドープすることにより、ナノ構造体自身の伝導率を上昇させる。
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【課題】定常損失を低減しつつ耐圧を向上することのできる整流素子を提供する。
【解決手段】ショットキー電極３は、ＳｉＣよりなるｎ^-半導体層２とショットキー接触し、かつＳｉＣよりなるｐ型半導体層５ａ，５ｂと電気的に接続している。ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。ｎ^-半導体層２とショットキー電極３との間のショットキー障壁φＢｎ₁が、０．６８ｅＶ＜φＢｎ₁＜１．０５ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも、そのショットキー接触を確保できる。 （もっと読む）