【課題】 サージおよびラッチアップの両方に対して十分な保護電圧を有し、集積化するのに好適な構造を備えた静電保護回路およびそれを用いた半導体集積装置を提供する。
【解決手段】 アノードＡが第１端子Ｐ１に接続され、カソードＫが第２端子Ｐ２に接続されたサイリスタ１１と、第１の順方向電圧ＶＦ１を有する第１整流素子Ｄ１と、第１の順方向電圧ＶＦ１と異なる第２の順方向電圧ＶＦ２を有する第２整流素子Ｄ２とが順方向に直列接続され、サイリスタ１１の第２ゲートＧ２に第１整流素子Ｄ１のアノードＡ１が接続され、サイリスタ１１のカソードＫに第２整流素子Ｄ２のカソードＫ２が接続された整流回路１２とを具備する。
第１および第２の順方向電圧ＶＦ１、ＶＦ２の組み合わせにより、サイリスタ１１のターンオン電圧を微調整する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのターンオフ時間を短くするため、トランジスタが組み込まれる外部回路で抵抗とダイオードを組み込むと、その抵抗やダイオードを組み込むスペースやその配線が回路基板などに確保される必要があり、電子機器の小形化の妨げになると共に、部品増および組立工数増などによるコストアップの原因になっている。
【解決手段】半導体基板に形成されるトランジスタのベース領域２と同時に形成されるダイオードのアノード領域４と、トランジスタのエミッタ領域３と同時に形成されるダイオードのカソード領域５とでダイオードを形成すると共に、導電体層６の一端とダイオードのアノード領域５が接続され、他の一端とダイオードのカソード領域４とが接続されている。トランジスタのベース領域２とカソード電極９との間に抵抗とダイオードを並列に接続することで、トランジスタのターンオフ時間を早くする。 （もっと読む）

【課題】 本発明はフリップチップ構造の発光装置において発光素子の搭載に用いられるトランジスタ付きサブマウントに関するものである。
【解決手段】 本発明は、フリップチップ構造の発光装置において窒化物半導体発光素子を搭載するためのサブマウントにおいて、第１導電型半導体物質から成る基板； 上記基板上の一領域に形成され第２導電型半導体物質から成る第１領域； 上記第１領域以外の領域に形成され第２導電型半導体物質から成る第２領域； 上記第１領域及び第２領域上に各々形成される第１及び第２電極； 及び、上記基板の背面に形成される導電層を含み、上記第１及び第２電極は上記窒化物半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極とバンプを通して連結されることを特徴とするトランジスタを具備したサブマウントを提供する。本発明によると、フリップチップ構造の発光装置において窒化物半導体発光素子へ流入する静電気などによる高圧電流を遮断して素子の破壊を防止し、素子の信頼性を向上させる効果がある。 （もっと読む）

【課題】外部接続端子と接続するバイポーラトランジスタを含む被保護回路のＥＳＤ耐圧を向上するようにした半導体回路の提供。
【解決手段】この発明は、被保護回路１１と、この被保護回路１１を静電気放電から保護するＥＳＤ保護回路２とを備える。被保護回路１１はバイポーラトランジスタＴＲ１を含み、バイポーラトランジスタＴＲのエミッタが外部接続端子３と接続されている。バイポーラトランジスタＴＲ１のコレクタと第１電源端子４との間に電流制限素子Ｚを設けている。電流制限素子Ｚは、第１電源端子４の電源電圧を基準に外部接続端子３に対して負のＥＳＤパルスが印加されたときに、バイポーラトランジスタＴＲ１のエミッタ電流を制限して、そのトランジスタＴＲ１の破壊から保護する。 （もっと読む）

【課題】下方に配置された基板とは異なる極性を有する不連続な非平面状サブコレクタを含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】この構造は、サブコレクタの上方の活性領域（コレクタ）、活性領域の上方のベース、およびベースの上方のエミッタを含む。不連続なサブコレクタの不連続部分間の距離は、半導体構造の動作特性を調整する。調整可能な動作特性は、絶縁破壊電圧、電流利得遮断周波数、電力利得遮断周波数、通過周波数、電流密度、静電容量範囲、ノイズ注入、少数キャリヤ注入、ならびにトリガ電圧および保持電圧を含む。 （もっと読む）

基板の支持表面上に形成された、横方向に隣接した導電性半導体領域により構成された横方向に延びているスタックを備える半導体デバイスおよびそのデバイスを作製する方法。
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同心リング状のＥＳＤ構造（１０）は、半導体材料の層（２７）内に形成された第１ｐ型領域（１６）および第２ｐ型領域（１９）を含む。２つのｐ型領域（１６，１９）は、共に浮動ｎ型埋込み層（２６）に結合される。第１および第２ｐ型領域（１６，１９）は、浮動ｎ型埋込み層（２６）と共にバックツーバック・ダイオード構造を形成する。１対の短絡されたｎ型（１６７，１９７）およびｐ型（１６６，１９６）の接触領域は、第１および第２領域（１６，１９）内にそれぞれ形成される。分離領域（１７，３２）は、第１および第２ｐ型領域（１６，１９）間に形成される。
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