【課題】電力破壊を抑制できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ベース領域１２の表面に設定されたベースコンタクト領域１４において、ベース電極１５がベース領域１２に接合されている。ベースコンタクト領域１４の境界部の下方には、エミッタ領域１３と同じ導電型を有するＮ型領域２１がベースコンタクト領域１４を包囲するように形成されている。言い換えれば、ベースコンタクト領域１４の境界部の下方において、Ｐ型のベース領域１２およびＮ型領域２１によりＰＮ型の寄生ダイオードが形成されている。 （もっと読む）

【課題】キャリア移動度が高く、低駆動電圧で大電流変調を可能とする有機縦型トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機縦型トランジスタ１は、基板７と、エミッタ電極２と、第１有機半導体層３と、ベース電極４と、第２有機半導体層５と、コレクタ電極６とを備え、第１および第２有機半導体層３，５は、正孔輸送材料で形成され、各層を形成する有機半導体材料は、その分子構造に平面部分を有し、各分子の平面部分が基板７に対して略平行に配列し、その分子の形成するπ軌道が上下の分子のπ軌道と重なりを有し、分子が積層される配列方向に、エネルギー−波数（Ｅ−ｋ）の関係を示す所定のバンド分散幅を有したエネルギーバンドを形成する。エミッタ電極２は、正孔を第１および第２有機半導体層３，５に注入する電極であり、エミッタ電極２およびコレクタ電極６は仕事関数が大きい材料、ベース電極４は仕事関数が小さい材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】現在、半導体集積回路で使用されているバイポーラトランジスタとＭＯＳトランジスタは最初に発明された時よりその構造は変わっておりません。構造と原理を根本的に見直し、高速化・低消費電力化・微細化を進展させる。
【解決手段】サブミクロンスケールの微細加工技術を用い、新しい原理と構造のトランジスタによる半導体集積回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。また、そうしたトランジスタ素子の製造方法、また、そのトランジスタ素子有する発光素子及びディスプレイを提供する。
【解決手段】エミッタ電極３とコレクタ電極２との間に、半導体層５（５Ａ，５Ｂ）とシート状のベース電極４が設けられているトランジスタ素子により、上記課題を解決する。半導体層５は、エミッタ電極３とベース電極４との間及びコレクタ電極２とベース電極４との間に設けられて、それぞれ第２半導体層５Ｂ及び第１半導体層５Ａを構成し、さらに、ベース電極の厚さが８０ｎｍ以下であることが好ましい。また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 第１導電領域（一導電型半導体層）と第２導電領域（逆導電型領域または金属層）が接合し、これらの間に逆方向電圧を印加して高い耐圧を確保する半導体装置において、耐圧を向上させる場合には、一導電型半導体層の不純物濃度を低減したり、半導体層の厚みを増加させるなどの手法を採用しており、オン抵抗が増大するなどの問題があった。
【解決手段】 第１導電領域内の第１の深さに逆導電型の複数の第１埋め込み領域を設け、第２の深さに逆導電型の複数の第２埋め込み領域を設ける。第２埋め込み領域の距離（第２の距離）を、第１埋め込み領域の距離（第１の距離）より大きくする。逆方向電圧印加時には実際の接合部が臨界電界に達する以前に、第１埋め込み領域によって第１の深さにおいて水平方向の電界がピンチオフし、耐圧を向上させることができる。同様に、第１の深さにおける電界強度が臨界電界に達する以前に第２埋め込み領域によって第２の深さにおいて水平方向の電界がピンチオフし、耐圧を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】高周波用途の半導体装置に採用する厚い絶縁膜をＬＯＣＯＳ法で形成する場合に、バーズビーグ増による欠陥の増大や、高温で長時間の酸化時間に伴う欠陥の増大という問題があった。これ等の問題点を考慮すると、超高周波用途の半導体装置に現状で用いることができる酸化膜の膜厚を厚くするにも限界があった。
【解決手段】半導体層に複数のトレンチを設け熱酸化により一体化して、内部に空隙部を有する絶縁領域を形成する。トレンチの深さで絶縁領域の厚みを制御でき、従来のＬＯＣＯＳ法以上の厚い絶縁領域を結晶欠陥等を増大することなく形成できる。絶縁領域を例えば電極パッドの下方に設けることにより、浮遊容量を低減できる。また、絶縁領域内部の空隙部によって、更に浮遊容量を低減できる。 （もっと読む）

本発明は、ワイドバンドギャップデバイスを電圧過渡の抑制の間の損傷から保護する方法及びデバイスである。アバランシェ耐量を向上させることは、ワイドバンドギャップデバイスのブロック接合部に１つ以上のダイオード又はＰＮＰトランジスタを配置することにより達成される。
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【課題】２００℃以上の環境温度でも実用上十分な電流増幅率を確保できるバイポーラトランジスタ、わけても小型な電力用バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】ベースのアクセプタ濃度勾配をコレクタ層端に比較してエミッタ層端で大きくした。また、エミッタ層およびベース層からなる第１のメサ構造と、ベース層およびコレクタ層からなる第２のメサ構造との距離（Ｌ２）を３μｍ以上９μｍ以下とした。さらに、ベース層を均一なアクセプタ濃度を有する第１のｐ型ベース層と、深さ方向に濃度傾斜を有する第２のｐ型ベース層から構成した。これらの手段により、電流増幅率を確保でき、小型化に適した高温対応電力用バイポーラトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。また、そうしたトランジスタ素子の製造方法、また、そのトランジスタ素子有する発光素子及びディスプレイを提供する。
【解決手段】エミッタ電極３とコレクタ電極２との間に、半導体層５（５Ａ，５Ｂ）とシート状のベース電極４が設けられているトランジスタ素子により、上記課題を解決する。半導体層５は、エミッタ電極３とベース電極４との間及びコレクタ電極２とベース電極４との間に設けられて、それぞれ第２半導体層５Ｂ及び第１半導体層５Ａを構成し、さらに、ベース電極の厚さが８０ｎｍ以下であることが好ましい。また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】Ｐ＋層を形成する時にステッパーマスクを用いることなく、約２．０μｍの幅を有するＰ＋層を、約２．５μｍの幅を有するＰ−層の外縁よりも内側に配置する
【解決手段】Ｐ−層５上にＰ＋層７を配置する工程を含む半導体装置の製造方法において、Ｐ−層５を形成する時に用いられた酸化膜３の開口３ａと同じものをＰ＋層７を形成する時に用い、Ｐ−層５を形成するための熱処理よりも、Ｐ＋層７を形成するための熱処理を弱くした。好ましくは、Ｐ−層５を形成する時に用いられた酸化膜３の開口３ａに形成された新たな酸化膜３ｂに対してリンデポジションを行う工程を、Ｐ＋層７を形成する工程の前に設けた。 （もっと読む）

【課題】フライホイールダイオードを内蔵したパワースイッチングデバイスにおける、高速スイッチング性向上と、安価に製造できるデバイス構造と製造方法。
【解決手段】下面にコレクタ電極を有するＮ+半導体層上面に形成したＮ-半導体層上面から厚み方向にＰ型領域を櫛状に形成し、該Ｐ型領域上面をエミッタ電極に接続したショトキー金属層に接合してなる、ＭＰＳ構造体のダイオードをコレクタ・エミッタ間に造り込み、ＭＰＳ構造のダイオードの逆回復時間が従来のＰＩＮダイオードの６分の１に短くすることが出来た。 （もっと読む）

【課題】ＨＢＴにおける高い耐電圧特性と優れた高速特性を維持した状態で、バラクタダイオードにおける広い容量可変幅を確保する。
【解決手段】１つの共通の半絶縁性基板１上に、ＨＢＴ２０とバラクタダイオード２１とを形成したマイクロ波モノリシック集積回路において、ＨＢＴとバラクタダイオード２１とに共通するコレクタ層を、コレクタコンタクト層４側に位置する第１のコレクタ層２２ａ、２２ｂと、反コレクタコンタクト層側に位置する第２のコレクタ層２３ａ、２３ｂとで構成し、さらに、第１のコレクタ層のキャリア濃度を第２のコレクタ層のキャリア濃度より高く設定している。そして、バラクタダイオード２１においては、第２のコレクタ層２３ｂ上にショットキー電極２４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 テラヘルツ帯の分光ならびに透視装置を小型・低コストで実現する上で、これに用いられる発振器を小型・低コスト化することが最重要課題であった。
【解決手段】 発振器の能動素子に金属ベーストランジスタを採用し、その最大発振周波数を数ＴＨｚにまで向上するために、電子の飽和速度の高いＩｎＮ或いはＩｎＮを主成分とする材料をコレクタに用いた。特性を再現性よく得るために、コレクタとベースの界面にＩｎＧａＮを挿入することが有用である。本発明の金属ベーストランジスタを用いてテラヘルツ帯の発振を可能とする発振器を構成することが可能である。又、この発振器を信号源あるいは局所発振器の少なくとも一つに適用した分光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 逆方向電圧が印加された場合の素子破壊の発生を低減することができるＳｉＣ半導体素子を提供する。
【解決手段】 高濃度層１１は、高濃度のｎ型ＳｉＣからなる層であり、ＳｉＣ基板を構成している。高濃度層１１の表面には、低濃度のｎ型ＳｉＣからなる低濃度層１２が形成され、低濃度層１２の表面には、ｐ型ＳｉＣからなるガードリング領域１３が形成されている。低濃度層１２およびガードリング領域１３の上には、低濃度層１２とショットキー接合を形成しているバリアメタル膜１４、パッド電極１５、および絶縁膜１６が形成されている。高濃度層１１の他方の面には、高濃度層１１とオーミック接合を形成しているオーミックメタル膜１７および裏面電極１８が形成されている。低濃度層１２において、ガードリング領域１３の近傍には、低濃度層１２の表面に露出するように結晶欠陥領域１９ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】下方に配置された基板とは異なる極性を有する不連続な非平面状サブコレクタを含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】この構造は、サブコレクタの上方の活性領域（コレクタ）、活性領域の上方のベース、およびベースの上方のエミッタを含む。不連続なサブコレクタの不連続部分間の距離は、半導体構造の動作特性を調整する。調整可能な動作特性は、絶縁破壊電圧、電流利得遮断周波数、電力利得遮断周波数、通過周波数、電流密度、静電容量範囲、ノイズ注入、少数キャリヤ注入、ならびにトリガ電圧および保持電圧を含む。 （もっと読む）