半導体装置のウェハ台が提供される。ウェハ台は、基板を支持することができる。ウェハ台は、パージガスを流すように構成された少なくとも１つのパージ開口と、台の上に基板をチャッキングするように構成された少なくとも１つのチャッキング開口とを含む。この台は、少なくとも１つのパージ開口と少なくとも１つのチャッキング開口との間に配置された封止帯を含む。封止帯は、基板を支持するように構成される。
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【課題】プラズマ処理に先立ち、被処理材の表面に形成されたマスクに損傷を与えることなく、被処理材をトレイに接着させることができる接着装置を提供する。
【解決手段】基板１４の上方に配置される閉環状のシール部材３７と、基板１４とシール部材３７の間に配置され基板１４と面接触する分圧シート３８と、シール部材３７の上に配置され、分圧シート３８とシール部材３７との間に与圧室を形成する蓋３０Ｂと、与圧室に気体を注入するための気体注入口３６と、蓋３０Ｂをシール部材３７に押圧するクランプ３０Ｃとを設ける。これにより、分圧シート３８が基板１４に面接触するため、マスクに損傷を与えることなく、被処理材をトレイに接着させることができる。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部の上部電極の妨げなしに基板の位置を正確に知ることができ、また、基板の上下エッジ及び側面だけではなく基板の背面の全体に存在するパーチクルと堆積物を効率よく除去することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応空間を提供するチャンバー１００と、基板が載置される分割形成された下部電極２１０と、前記下部電極に対向する上部電極３００と、前記基板を感知するために前記チャンバーの上側に設置された基板センサー７１０とを備え、前記上部電極は、電極板３１０と、前記電極板の下部に取り付けられた絶縁板３２０とを備え、前記上部電極には前記基板センサーからの光を前記基板に向かってガイドするための少なくとも１本のガイド孔３１２が穿設されている。前記ガイド孔が設けられているので、前記上部電極と前記下部電極との間の間隔をより精度よく制御できる。 （もっと読む）

【課題】 反りがある被処理部材を固定した場合でも、被処理部材に反り力が生じない状態で被処理部材を保持面に均一に当接させる。
【解決手段】 ウエハ１３の反りに応じた曲率のウエハステージ２１に吸引手段によりウエハ１３を吸引させ、反り力を生じさせることなくウエハ１３をウエハステージ２１の上面に保持させ、保持面に対してウエハ１３を均一に当接させる。また、ウエハ１３の反りに応じた傾斜面２９を有するホルダ２６により、ウエハ１３の周縁部に対して面方向の相対移動がない状態でウエハ１３をウエハステージ２１に固定する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ワークの被処理面に対して均一でムラのないプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、対向配置された上部電極２１および下部電極２２と、ワーク１０をその内側に包含するよう載置するワーク載置部材４と、ワーク載置部材４を下部電極２２に対して着脱自在に固定する固定手段５と、被処理面１０１に処理ガスを供給する処理ガス供給手段６と、上部電極２１および下部電極２２間に電圧を印加する通電手段７とを有している。また、ワーク載置部材４は、誘電体材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池、半導体素子または平板表示装置の基板の縁をエッチングするに際し、複数の基板を一度に処理し生産性の高い基板の縁のエッチング装置、エッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング装置１００、エッチング方法は、反応空間を形成するチャンバー１１０と；チャンバーの内部に設置されて複数の基板安置部１２２が定義される基板安置台１２０と；基板安置台の上部に設置されて、内部に中空部を具備し、底面で基板安置部と対応する位置に複数の貫通部１３２を具備するガス供給手段１３３と；貫通部の面積より小さい断面積を有して貫通部に挿入される本体部と、本体部に突出形成されて貫通部の縁に据置きされる係止段１４２を有する複数の基板遮へい部材１４０を含み、基板遮へい部材の本体部が複数の基板安置部に安置された各基板の中央部を遮って縁のみを露出させたまま基板の縁に対するエッチング工程を行う。 （もっと読む）

【課題】被加工物を所定の厚さにエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング室を備えたハウジングと、エッチング室に配設され上面に被加工物を保持する保持面を有する被加工物保持部を備えた下部電極と、下部電極の被加工物保持部の保持面と対向して配設され保持面に向けてプラズマ発生用ガスを噴出する複数の噴出口を備えた上部電極と、上部電極に設けられた複数の噴出口にプラズマ発生用ガスを供給するプラズマ発生用ガス供給手段とを具備するプラズマエッチング装置であって、被加工物保持部に保持された被加工物の厚みを検出する厚み検出手段を具備している。 （もっと読む）

【解決手段】少なくともチャックと上側電極とを備えるプラズマ処理システム内で位置およびオフセットを決定するための方法が提供されている。その方法は、光線を供給する光源を少なくとも備えるトラバース装置を第１の複数の経路に沿って移動させて、第１の複数のデータセットを生成する工程を備え、トラバース装置を第１の複数の経路の内の各経路に沿って移動させることにより、光線がチャックを横断し、第１の複数のデータセットの内の１または複数のデータセットが得られる。方法は、さらに、第１の複数のデータセットを受信する工程と、第１の複数のデータセットを分析して、光線がチャックのエッジに至った時に生成された３以上の反射光信号に関連する第１のセットの少なくとも３つの不連続を特定する工程とを備える。方法は、さらに、第１のセットの少なくとも３つの不連続に関連する座標データを用いて、チャックの中心を決定する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】ノズル部の退避時でも噴出口から噴き出された反応性ガスを確実に吸引して排出できる表面処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを支持部２１で支持する。移動機構５によって支持部２１をノズル部１０に対し相対移動させるとともに、ノズル部１０の噴出口１１から反応性ガスを噴出し、吸引口１２から吸引する。ノズル部１０が支持部２１より外側に位置する退避位置の時、吸引口１２からの吸引流量を処理位置の時より大きくする。 （もっと読む）

【課題】半導体加工処理容器部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小な環境汚染パーティクルを発生して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】基材と、その表面に形成された１５〜４０ａｔ％の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。 （もっと読む）

【課題】溶射皮膜の修理頻度を低減することができる載置台およびそのような載置台を用いたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｇにプラズマ処理を施す処理チャンバ内で基板を載置する載置台３であって、基材５と、基材の上に形成され、その上に基板が載置される載置部６とを具備し、載置部６は、角部６ａを構成するセラミックス部材４３と、セラミックス溶射皮膜４１とを有する。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの背面から重合体を除去するための方法を提供する。
【解決手段】本方法は背面の周縁環状部を露出した状態で、真空チャンバ内においてワークピースを背面で支持することを含む。本方法は更に、ガス流をチャンバ直径の約１％のワークピース縁部の間隙内にワークピース縁部で閉じ込めることを更に含み、間隙により正面側を含む上方処理ゾーンと背面を含む下方処理ゾーンとの間の境界が規定される。第１プラズマを下方外部チャンバ内において重合体エッチング前駆体ガスから発生させ、エッチャント副生成物を第１プラズマから下方処理ゾーンへと導入する。第２プラズマをエッチャント副生成物の捕捉剤の前駆体ガスから上方外部プラズマチャンバ内で発生させ、捕捉種を第２プラズマから上方処理ゾーンへと導入する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウエハのベベル上の材料を除去するための装置が開示されている。ウエハの直径よりも小さい直径を有するウエハ支持体が設けられており、ウエハ支持体はウエハの第１の側に位置し、ウエハの外周エッジはウエハの周囲においてウエハ支持体を越えて広がる。ＲＦ電源が、ウエハに対して電気的に接続される。中央カバーが、ウエハ支持体から離間して配置されている。第１の導電リングが、ウエハから離間してウエハの第１の側に配置される。第２の導電リングが、ウエハから離間して配置される。導電ライナが、ウエハの外周エッジを囲んでいる。スイッチが、ライナと接地との間に配置され、ライナを接地状態から浮遊状態に切り替えることを可能にする。 （もっと読む）

半導体基板のベベル端部を洗浄するために、および半導体基板の曲げ曲率を低減させるために使用される真空チャックを組み込んだベベルエッチャ。このベベルエッチャは、真空チャックと、プロセスガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にするプラズマ生成ユニットとを備える。真空チャックは、チャック本体およびサポートリングを備える。チャック本体の上面およびサポートリングの内縁部が、サポートリング上に設置された基板の下面によって密閉された真空領域を形成する。真空ポンプが、作動の際に真空領域を真空排気する。真空チャックは、基板の上面と下面との間の差圧により基板を定位置に保持するように作動する。また、この差圧は、基板の曲げ曲率を低減させるための曲げ力を生成する。
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【課題】プラズマを閉じ込めるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一実施形態において、プラズマを閉じ込めるための装置は、基板支持体と、プラズマが形成されるべき、前記基板支持体の少なくとも上部に設けられた第１の領域と、前記プラズマが選択的に抑制されるべき第２の領域との間の境界線の近傍で磁界を形成するための磁界形成デバイスを含む。この磁界は前記プラズマを形成するために用いられるプロセス条件に依存して、前記第１の領域から前記第２の領域へのプラズマの荷電活性種の動きを選択的に抑制する、プラズマの閉じ込めの方向に垂直な所要の磁界成分を有する。 （もっと読む）

基板の画像を捕捉するベベル検査モジュールが提供される。該モジュールは、回転モータを含み、該回転モータは、基板チャックに対して取付けられると共に、該基板チャックを回転させることで上記基板が回転することを許容すべく構成される。上記モジュールは、カメラおよび光学機器用包囲体を更に含み、該光学機器用包囲体は、上記カメラに対して取付けられて回転すべく構成されることで、上記基板に向けて光が導向されることを可能とする。上記カメラは、カメラ取付け部材に対して取付けられ、該カメラ取付け部材は、上記カメラが１８０°平面上で回転するのを可能とすることで、上記基板の平面概観、底部概観および側面概観の内の少なくともひとつの画像を上記カメラが捕捉することを許容すべく構成される。上記モジュールは、背面ライト機構を更に含み、該背面ライト機構は、上記基板に対する照明を提供することで上記カメラが上記画像を捕捉することを可能とすべく構成され、上記画像は、上記基板と背景との間のコントラストを示す。 （もっと読む）

処理チャンバ内のチャックに対する処理中心を計算する方法が提供される。この方法は、前処理測定データ点と後処理測定データ点を生成することを含み、このことは、基板の幾何学的中心からの１組の方位と１組の距離における膜基板の厚さを測定することによって実施される。また、この方法は、１組のエッチング深さ数を計算するために前処理測定データ点と後処理データ測定データ点と比較することを含む。この方法は、さらに、方位の組に対するエッチングプロファイルを生成することを含む。また、この方法は、さらに、第１のエッチング深さに関連する１組の半径をエッチングプロファイルから外挿することを含む。この方法は、さらに、１組の半径と１組の方位のグラフ表示である偏心プロットを生成することを含む。この方法は、さらに、曲線適合式を偏心プロットに適用することによって処理中心を計算することを含む。 （もっと読む）

【課題】基板を効率よく均等に冷却することができる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】載置台２０の表面に基板６の半導体装置の形成領域に対応した複数の凹部２１が設けられ、凹部２１の中央部に基板６を冷却する第１冷媒の噴出口２４が開口されるとともに、凹部２１の周辺部に第１冷媒の吸入口２５が開口されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大気中でサファイア基板を昇温させることが必要な工程に用いる半導体製造装置おけるサファイア基板の反りを抑制する手段を提供する。
【解決手段】半導体製造装置が、サファイア基板を大気中で昇温させるホットプレートと、ホットプレートと所定の間隔を隔てて設置された支持板と、サファイア基板をホットプレートと支持板との間に所定の間隔を隔てて支持すると共に、ホットプレートとサファイア基板の裏面とが対向するように支持する支持部を設けた支持台と、支持台を昇降させる昇降装置と、支持板上に、サファイア基板と所定の間隔を隔てると共に、サファイア基板のおもて面と対向するように配置され、ホットプレートからの輻射熱を吸収する輻射熱吸収プレートとを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と絶縁基板とが貼り合わせられてなる半導体装置の製造方法において、静電吸着を可能とし、ドライプロセスによる基板加工を容易に行うことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、一方の面にデバイスが設けられた半導体からなる第一基板上に、絶縁性の透明な第二基板を、一方の面が重なるように設ける工程と、前記第二基板の他方の面上に透明な導電部を設ける工程と、前記第一基板の前記導電部を設けた面を静電吸着した状態で、該第一基板に所定の加工処理を施す工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）