【課題】 半導体ウエハの裏面研削後の裏面プラズマエッチングにおいて、半導体ウエハ表面を覆う裏面研削用の表面保護シートと半導体ウエハ表面との間に形成される気泡の影響を排除して、所望の裏面プラズマエッチング処理を行えるようにする。
【解決手段】 半導体装置のウエハ状態での最終製造工程であるポリイミド被膜４の形成において、ポリイミド被膜４の表面に凹部（間隙）１４を設けることにより、裏面研削後の裏面プラズマエッチングにおいてウエハ表面を覆う裏面研削用の表面保護シート６とウエハ表面との間に形成される気泡の影響を排除して、所望の裏面プラズマエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール形成において、下地シリコン基板または配線層に形成されるダメージ層の抑制と高抵抗層の除去を効率的に行い、コンタクト抵抗の低減を実現する。
【解決手段】本発明は、イオンエネルギーおよびＯ_２流量を、エッチング深さの進行と伴に低減するエッチング工程によりコンタクトホール形成し、下地に形成されるダメージ層を抑制する。そして、水素もしくは水素を含有するガスプラズマを用いた高抵抗層除去工程を導入することで低コンタクト抵抗が図れる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理時及びその前後には被処理材（基板）を確実にトレイに固定して処理性及びハンドリング性を上げるとともに、必要な時には容易に基板をトレイから剥離することができる方法及び装置を提供する。
【解決手段】トレイ上に載置した基板を支持台上に載置して、基板の表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、トレイと基板を熱剥離接着部材で接着する。熱剥離接着部材としては、発泡剥離性シートを好適に用いることができる。熱剥離接着部材は通常は粘着性を有するため、プラズマ処理前後はトレイと基板が確実に固定され、良好なハンドリング性が得られる一方、処理後はトレイを所定の剥離温度以上に加熱するだけで、基板はトレイから容易に剥離する。 （もっと読む）

本発明は真空室内でフォトリソグラフィ用基体を処理する方法を提供する。同方法は、真空室内でフォトリソグラフィ用基体を処理する前に同基体を目標温度にまで冷却し、同真空室に少なくとも１種類のプロセス・ガスを導入し、同基体が目標温度に達したならば同プロセス・ガスからのプラズマを着火してそれによって同基体を処理し、そして同処理が終了したならば同基体を同真空室から取り出す。
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フォトレジスト又は他の有機化合物を半導体ウエハから取り除くためのシステム及び方法が提供される。非フッ素化反応ガス（Ｏ₂，Ｈ₂，Ｈ₂Ｏ，Ｎ₂等）は、中圧表面波発射によって水晶管内で活性化される。プラズマジェットが基板上に作用するので、蒸発反応製品（Ｈ₂Ｏ，ＣＯまたは低分子量の炭化水素）を基板表面からフォトレジストを選択的に取り除く。また、この中圧力によっては、ウエハ上の反応領域内に効果的な熱源を与え、そして、エッチング速度を高め、さらに、イオン注入されたフォトレジストを取り除く実際の手段を与える高いガス温度を得ることができる。
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【課題】基板の載置機構における載置台に設けられたピン挿通孔とこのピン挿通孔内を昇降して載置台に対して基板の受け渡しを行うリフタピンとの隙間に、処理ガスの供給に伴う反応生成物が堆積することを抑えること。
【解決手段】ピン挿通孔の下端の開口部に内側に環状に突出して形成された環状突出部と、前記リフタピンに形成され、当該リフタピンが下降したときに環状突出部に支持されて前記開口部を塞ぐ拡径部と、を備えるように基板の載置機構を構成する。基板が載置された載置台の下方側に回り込んだ処理ガスは、ピン挿通孔の下端から進入しにくくなり、反応生成物がリフタピンとピン挿通孔との間の隙間に堆積することが抑えられ、従ってリフタピンの昇降が阻害されることが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】枚葉のフレキシブル基板をフラットに保ちながら温度を低く保つことが可能なプラズマ処理方法及び装置を提供すること。
【解決手段】真空室と、真空室内にガスを供給するガス供給手段と、真空室内を排気する排気手段と、真空室内を所定の圧力に制御する調圧弁と、基板を保持するトレイを載置する電極と、前記電極に電力を印加する電源とで構成されるプラズマ処理装置において、トレイはその表面に着脱可能な粘着シートを有し、かつ、粘着シートは凹凸を有する形状とすることで解決できる。 （もっと読む）

【課題】被処理体に付着する堆積物を低減することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１にエッチングガスを供給し被処理体２をエッチングするエッチング処理装置と、処理室１にアッシングガスを供給し被処理体２をアッシングするアッシング処理装置とを備え、前記アッシング処理装置の載置ステージの載置部の径ｂは前記エッチング処理装置の載置ステージの載置部の径ａよりも小であり、かつ、前記エッチング処理装置の載置ステージの載置部の径ａは前記被処理体の径よりも小である。 （もっと読む）

【課題】基板の冷却、加熱による温度管理を容易に行うことができ、かつエッチング装置をエッチングしてしまうのも防止でき、さらには基板の取扱いも容易になる基板のドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】熱伝導性フィラーを添加したグリース３を介在させることにより支持体２と基板１とを固定する工程と、前記基板１をドライエッチングにより所定の形状に加工する工程と、前記基板１をドライエッチングにより所定の形状に加工する工程と、前記基板１を前記支持体２から分離させる工程とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】リフトピン機構１０における電圧降下を抑制して、処理ムラの低減を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｓは、被処理基板４を吸着面６で吸着保持する電極ステージ２と、ピン１２が吸着面６から突出することによって被処理基板４を吸着面６から離脱させるリフトピン機構１０と、電極ステージ２との間で放電可能な対向電極３とを備え、大気圧の雰囲気で電極ステージ２及び対向電極３の間にプラズマを生じさせる。そして、リフトピン機構１０は、ピン１２が電極ステージ２に没入した状態でピン１２と吸着面６に吸着された被処理基板４との間に形成される空隙部１３と、被処理基板４のプラズマ処理時に空隙部１３における電圧降下を抑制する電圧降下抑制手段２０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を得るために処理基板を保持する電極に高い高周波電力を印加しても、処理基板と電極間で放電が起こらず、処理基板にダメージの入らないプラズマ処理装置および処理方法を提供すること。
【解決手段】処理基板を保持する電極において、ガスが回り込むシールリング溝の外周まで絶縁物で覆うことで、高周波電力が印加されている電極の金属部が露出しないため、処理基板と電極間での放電を抑制することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】均等で、かつ再現性のよい基板加熱を行う。
【解決手段】基板載置面を有する静電チャックであって、基板載置面上に形成された凸部３２ａと、静電チャックの内部を通り、基板載置面の中央に設けられたガス放出口３３と、基板載置面において、ガス放出口３３につながり、かつ該ガス放出口３３から放射状に延びた複数の溝４１ａとを有する。 （もっと読む）

【課題】 処理中の基板裏面堆積を減らす方法および装置。
【解決手段】 基板ホルダに組み合わされるように構成されたフォーカスリングアセンブリは、フォーカスリングと、フォーカスリングに組み合わされる二次的なフォーカスリングとを具備し、二次的なフォーカスリングは、基板の裏側表面上のプロセス残渣の堆積を減らすように構成されている。
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半導体ウエハやサンプル（１０１）をエッチングするための装置において、半導体ウエハ又はサンプルは、第１チャンバ（１０３）内に配設されたサンプルホルダ（１０４）上に配置される。前記半導体ウエハ又はサンプルと前記サンプルホルダとの組み合わせは、前記第１チャンバの内部の第２チャンバ（１３０）内に収納される。前記第２チャンバを減圧脱気し、エッチングガスを第２チャンバに導入するが、第１チャンバには導入せずに、前記半導体ウエハ又はサンプルをエッチングする。
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【課題】 ドライエッチングに好適に用いられ、基板ホルダの周縁部とレジストの境界領域のエッチングを防止すると共に、基板ホルダのレジストによる汚染を防止する、基板ホルダ及び該基板ホルダを備えたドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】 基板１００の周縁部１００ａを押圧して基板１００を保持する基板保持部１０と、基板保持部１０が基板１００を押圧した際、基板１００の周縁部１００ａとレジスト１１０の境界領域（図中、Ｂで示した範囲）を覆うように形成され、かつ、レジスト１１０に接触しない位置に設けられた庇部１２と、からなる基板ホルダ１及び当該基板ホルダ１を備えたドライエッチング装置により解決する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理の前後の工程を簡単、安価に済ませることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング対象基板４、４’をドライエッチング装置１０、１０’を用いてドライエッチング処理するエッチング方法であり、基板４、４’を支持するための支持基板６及び弾性材料からなる放熱シート（放熱シリコーンゴムシート５、５’、導電性シリコーンゴムシート５０等）を準備し、放熱シート（５、５’、５０等）を基板４、４’と支持基板６との間に挟着して基板４、４’と支持基板６に密着させた積層体を形成し、該積層体を、装置１０、１０’における基板支持電極３にセットし、基板４、４’にドライエッチング処理を施す。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】第一の限界寸法を有すると共に側壁を備えたエッチマスク特徴部を有するエッチマスクをエッチ層上に有するエッチスタック内で、エッチ層に特徴部を形成する方法を提供する。第一の限界寸法未満の第二の限界寸法を有する堆積層特徴部を形成するために、周期的限界寸法低減を実行する。各周期は、エッチマスク特徴部の、垂直な側壁を含む露出面に、堆積層を堆積させるための堆積段階、及び垂直な側壁上に選択的堆積を残して堆積層をエッチバックするためのエッチング段階を含む。第一の限界寸法未満の第三の限界寸法を有するエッチ層特徴部がエッチ層内にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】 耐プラズマエッチング性に優れ、静電チャック可能で安定保持可能なトレーを提供する。
【解決手段】 厚み０．３〜１．４ｍｍで開気孔率５〜５０％である無機連続気孔焼結体を保護基板として半導体基板に接着してなる静電チャック用の気相工程用トレーにおいて、該気相工程がプラズマエッチング工程であり、該保護基板が被エッチング物搭載用部の外周囲に幅０．３〜１ｍｍの壁を形成してなり、該エッチング物の位置合わせ用の切除部に相当する部分を除去してなる形状である気相工程用トレー。
【効果】 本トレーは、従来のプラズマエッチング装置などの設定された静電チャック機能を改良せずに使用でき、工程中の安定保持、および容易な取り出しでき、さらに、エッチング中の被エッチング物の温度制御も好適に実施できる。 （もっと読む）

【課題】 基板を開放するための方法及び装置の提供。
【解決手段】 一実施形態においては、基板支持アセンブリが内部容積内に配置された、接地されたチャンバ本体を含む処理チャンバが提供される。チャック開放回路によって、基板支持アセンブリが接地又は電源に選択的に結合されている。本発明の他の実施形態においては、基板を開放する方法は、接地された基板支持アセンブリ上に配置された基板上でプラズマプロセスを完了するステップと、基板支持アセンブリを接地から切断するステップと、基板支持アセンブリにチャック開放電圧を印加するステップとを含んでいる。 （もっと読む）