【課題】基材上にパターンを低温かつ低コストで形成することができると共に、リフトオフを容易にできるパターン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン構造体の製造方法では、基材１０上に、インクジェット法によりリフトオフ材１２を形成する。次に、基材１０及びリフトオフ材１２上に、原子層堆積法により機能膜１４を形成する。次に、リフトオフ法によりリフトオフ材１２を除去することによって、基材１０上に、機能膜１４からパターン１４ａを形成する。リフトオフ材１２は、樹脂と溶媒とを含むインクを基材１０上に塗布した後、溶媒を除去することによって形成される。溶媒は、樹脂に対する第１溶解性を有する第１溶媒と、第１溶解性よりも低い第２溶解性を有する第２溶媒とを含む。第１溶媒は第２溶媒に相溶する。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離の際の半導体層の損傷を抑制した半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子用ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、凹凸が設けられた主面を有する第１基板の主面上に、発光層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、窒化物半導体層と第２基板とを接合する工程と、第１基板を介して窒化物半導体層に光を照射して第１基板を窒化物半導体層から分離する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体層を形成する工程は、凹凸の凹部の内壁面上に窒化物半導体層の少なくとも一部と同じ材料を含む薄膜を形成しつつ、凹部の内側の空間内に空洞を残すことを含む。分離する工程は、薄膜に光の少なくとも一部を吸収させて、窒化物半導体層のうちで凹部に対向する部分に照射される光の強度を、窒化物半導体層のうちで凹凸の凸部に対向する部分に照射される光の強度よりも低くすることを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な側壁形状の開口を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０１上に形成された誘電体膜１０２の一部を誘電体膜１０２の表面から所定の深さまでエッチングする第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程により誘電体膜１０２がエッチングされた第１のエッチング領域１１において誘電体膜１０２をエッチングしてＧａＡｓ基板１０１の表面を露出し、かつ、第１のエッチング領域１１を包含する第２のエッチング領域１２において第１のエッチング領域１１以外の領域に配置された誘電体膜１０２を所定の膜厚までエッチングする第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】光照射領域の周縁（エッジ）と、ワークの材料層に形成しているスクライブラインを簡便な方法で一致させてレーザ光を照射し、透明基板から材料層を剥離させること。
【解決手段】レーザ光出射部１０から、開口が設けられたマスクＭ、投影レンズ４０を介して蛍光板３０ａにレーザ光を照射して、アライメント顕微鏡５０により蛍光板３０ａ上に形成される光照射領域の位置を検出する。次に、ワークステージ３０上に載置されたワークＷ上のワーク・アライメントマークの位置をアライメント顕微鏡５０で検出する。ワークＷは、透明基板上に形成された材料層がスクライブラインにより複数の領域に分割されたものであり、制御部６０は検出した光照射領域の位置とワーク・アライメントマークの位置とに基づき、ワークステージ３０を移動して光照射領域の位置とワークの分割された一乃至複数の領域の位置とを一致させ、レーザ光をワークＷに対して照射する。 （もっと読む）

【課題】スループットを短縮し、所望の回路パターンを形成することが可能な半導体回路パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に被エッチング膜を形成し、この被エッチング膜上に現像液溶解性膜を形成する。次に、現像液溶解性膜上にフォトレジスト膜を形成し、フォトマスクを介してフォトレジスト膜を露光する。さらに、現像液を用いてフォトレジスト膜を現像する。この工程では、フォトレジストパターンの下側の現像液溶解性膜を、アンダーカット状の残存部分を残すように溶解させる。次に、フォトレジスト膜を覆うように耐エッチング膜を形成したのち、フォトレジスト膜を除去することにより、被エッチング膜上に、フォトレジスト膜の開口部に対応する耐エッチング膜のパターンを形成するリフトオフ工程を行う。その後、現像液溶解性膜と耐エッチング膜とをマスクとして、被エッチング膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ナノおよびマイクロマシン（Ｎ／ＭＥＭＳ）デバイスに単結晶ダイヤモンドを利用することは困難であり、報告例がなかった。それは、犠牲層である酸化物上に単結晶ダイヤモンドを成長させることが困難なためである。従来技術では、犠牲層酸化物上に多結晶或いはナノダイヤモンドを作製することによって、カンチレバー等を作製しているが、機械性能、振動特性、安定性及び再現性は不十分であった。
【解決手段】本発明は、ダイヤモンド基板１０１内の高濃度イオン注入領域がグラファイトに改質されることを利用し、改質されたグラファイト層１０４を犠牲層として電気化学エッチング除去し、その上に遺されたダイヤモンド層を可動構造体とする。作製されたカンチレバー１０６は高い周波数の共鳴振動を示した。単結晶ダイヤモンドを使用することによって、Ｎ／ＭＥＭＳデバイスの機械性能、安定性および電気特性を改良することができる。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物の露出エリアを絶縁膜の開口に対して良好な位置制御性で形成できる、III族窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】コンタクト層２７及びクラッド層２５を含むIII族窒化物半導体領域２９をマスク３５ａを用いてエッチングして、III族窒化物領域３３ｃ及びエピタキシャル領域２９ｂを形成する。次いで、マスク３５ａ、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａ及びパターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に絶縁膜３９を成長する。絶縁膜３９は、マスク３５ａ上に成膜される第１の部分３９ａと、パターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に成膜される第２の部分３９ｂとを含む。引き続き、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａを絶縁膜３９に対してエッチャントを用いて選択的に除去して、リフトオフ法により、開口３９ｃを有する絶縁膜３９ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体素子の製造方法において、サファイア基板上の窒化物系半導体層を含むウエハの反りを改善して、支障なくサファイア基板のレーザリフトオフを行ない得る方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法は、サファイア基板１上に１層以上の窒化物系半導体層２を形成する工程と、窒化物系半導体層上にサファイアより小さな熱膨張係数の導電性支持基板３の第１主面を接合する工程と、導電性支持基板の第１主面に対向する第２主面上にその導電性支持基板より大きな熱膨張係数の反り抑制基板４が加熱を含む方法で接合される工程と、その後に窒化物系半導体層からサファイア基板がリフトオフ法で除去される工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体素子をレーザリフトオフにより歩留まり良く得る。
【解決手段】青色ＬＥＤ１０００は、導電性の支持基板２００に、複数の金属の積層から成る導電層２２２、はんだ層（ソルダ層）５０、複数の金属の積層から成る導電層１２２、ｐコンタクト電極１２１、主としてｐ型のIII族窒化物系化合物半導体層の単層又は複層であるｐ型層１２、発光領域Ｌ、主としてｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層の単層又は複層であるｎ型層１１、ｎコンタクト電極１３０の積層構造を有する。絶縁性保護膜４０で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、ｎコンタクト電極１３０を形成された上側から、支持基板側２００側である下側に向って広がるような、傾き（順テーパ）を形成している。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体をエッチングにより加工して高アスペクト比の微細構造を高精度に形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、インジウムおよびリンを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０上にエッチングマスク１１ｐを形成する工程と、エッチングマスク１１ｐの形成後、プラズマエッチング装置のチャンバ内に配置された被加工物１０の上に、ヨウ化水素ガスおよび塩素ガスの２成分からなる混合ガスを導入しこの混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物１０に入射させて被加工物１０を選択的にエッチングする工程とを含む。ヨウ化水素ガスおよび塩素ガスの２成分の総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の配合比が７０％以上である。 （もっと読む）

【課題】電極パタンを精度よく形成する。
【解決手段】半導体基板の一方面（コンタクト層１０）上に、ＳｉＯ_２膜１２−１、ＳｉＮ膜１４−１、ＳｉＯ_２膜１２−２、およびＳｉＮ膜１４−２を順に積層した４層の絶縁膜を形成する工程と、それら４層の絶縁膜にコンタクト層１０の表面まで貫通するコンタクトホールを形成する工程と、ＳｉＯ_２膜１２に対するエッチングレートがＳｉＮ膜１４に対するエッチングレートより高い薬液（たとえばフッ酸）を用いて、コンタクトホールに露出したＳｉＯ_２膜１２−２の側面をコンタクトホールに露出したＳｉＮ膜１４−２の側面より所定長だけ後退させる工程と、コンタクトホールに露出したコンタクト層１０上に、ＳｉＮ膜１４−２に当接しない厚さを有する電極層２０−１を蒸着により形成する工程と、上記薬液を用いて、ＳｉＮ膜１４−２をＳｉＯ_２膜１２−２とともに除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの縁部のバリの形成方法とアレイ基板の製造方法に関する。
【解決手段】当該アレイ基板の製造方法は、基板にゲート・ラインとゲート電極パターンを形成するステップと、データ・ラインと、ソース電極と、ドレイン電極と、ＴＦＴチャネル領域パターンとを形成し、フォトレジストを残し、パッシべーション層を堆積し、剥離工程によってフォトレジスト及びその上のパッシべーション層を除去するステップと、フォトレジストを塗布し、フォトレジストに山状の縁部のバリを形成し、透明導電薄膜を堆積し、剥離工程によってドレイン電極に直接に接続する画素電極パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤを使用することなく、被覆されたパターンを形成することが可能な被覆パターン形成方法およびこれを利用してより高密度なパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】パターン２を有する熱伝導性基板１に熱重合性組成物を塗布して塗膜３を形成したのち、ベークおよび現像をして被覆パターン７を形成する。このようにして形成された被覆パターン上に無機性組成物膜を形成したのち、エッチングすることによって、より高密度なパターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ポリマー膜の優れた特性を損なうことなく基板上にポリマー膜をパターン形成する。
【解決手段】ポリマー膜のパターニング方法において、基板上にパターニングされたレジスト層を形成後に、前記基板上にポリマーインクを塗布し、その後、前記レジスト層を剥離することで前記塗布されたポリマーインクを併せて除去することを特徴とするポリマー膜のパターニング方法。 （もっと読む）

【課題】 高電界による劣化メカニズムを最小化でき、信頼性のあるマイクロ波およびミリ波周波数動作に適したＨＥＭＴデバイスを製造することのできる半導体デバイス製造プロセスを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、チャネル層及びショットキーコンタクトを形成するため、バリア層上においてドレイン領域とソース領域との間に配設されるＴゲートを含む。第１の不活性電界緩和プレートは、Ｔゲートの一部の上に配設され、第２の活性フィールドプレートは、バリア層上においてＴゲートの近傍に配設される。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の差による応力発生のない良質の窒化物単結晶基板を製造可能な窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバー内に装着されたサセプタに予備基板５０を配置する段階（ａ）と、予備基板５０上に所定の厚さに窒化物単結晶膜５５を成長させる１次成長段階（ｂ）と、予備基板５０と窒化物単結晶層５５が部分的に分離されるようにレーザーを照射する段階（ｃ）と、窒化物単結晶膜５５上に窒化物単結晶５５’を追加成長させる２次成長段階（ｄ）と、予備基板５０を反応チャンバー内に維持しながら、予備基板５０と窒化物結晶５５’が分離されるようにレーザービームを照射する段階（ｅ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程が複雑になるのを抑制するとともに、製造が困難で製造に時間がかかるマスクを用いることなく、１回のリソグラフィ工程により接続孔および配線溝を形成するためのパターニングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法であって、配線３を覆うように絶縁膜４、レジスト５、および、感光性シリコンを含有するレジスト６を配置する工程と、クロムマスク２０を用いてレジスト５および６を同時に露光する工程と、レジスト６の露光された部分をシリル化する工程と、現像液を用いてレジスト５の感光部５ｂを除去する工程と、レジスト６のシリル化部６ａおよび６ｂをマスクとして絶縁膜４およびレジスト５の少なくとも一部を除去することにより、絶縁膜４に接続孔７と配線溝８とを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、基板Ｓ上にシクロペンタジエンを含むエッチングガスＬを供給し、エッチング領域５１Ｅとシクロペンタジエンとの熱反応により、エッチング領域５１Ｅの磁性層５１をメタロセンＭＣにして排気させた。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層５１と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、エッチング領域５１Ｅに対応する磁性層５１を核にして内包片５１ａを内包したＣＮＴを成長させた後、同ＣＮＴを基板Ｓ上から除去させた。 （もっと読む）

本発明は半導体基板上にパターン材料からなる所定のパターンを形成するための方法であって、以下の工程、半導体基板の表面をマスキング層で部分的に被覆する工程Ａと、マスキング層上ならびに前記マスキング層から除外された領域の半導体基板の表面上にパターン材料からなる膜を形成する工程Ｂと、マスキング層を前記マスキング層上に形成された前記パターン材料と共に除去する工程Ｃとを含む方法に関する。本発明の方法に重要な点は、工程Ｂと工程Ｃの間の工程Ｂ２においてパターン材料からなる膜が部分的に除去されることである。
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