【課題】半導体製造装置用サセプターの平面度を高く保つと共に製造プロセスにおいて汚染源となることがない、耐熱性の高い接合剤を提供する。
【解決手段】接合剤４は、付加硬化型シリコーン粘着剤からなる硬化シートにより形成され、付加硬化型シリコーン粘着剤は、１分子に２個以上のビニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、Ｒ_３ＳｉＯ_１／２（Ｒは脂肪族不飽和結合を有しない炭素数１〜６の１価炭化水素基）で表される単位（以下Ｍと表記）とＳｉＯ_４／２で表される単位（以下Ｑと表記）とをＲ_３ＳｉＯ_１／２単位／ＳｉＯ_４／２単位のモル比（Ｍ／Ｑ比）が０．６以上１．６以下の範囲内になる割合で含むオルガノポリシロキサンレジンと、ケイ素原子結合水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンと、白金触媒と、２０［ｖｏｌ％］以上５０［ｖｏｌ％］以下の含有率を有する熱伝導性フィラーとを含有する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を保持して処理槽の内部とその上方位置との間で昇降するリフタと複数枚の基板を支持して水平方向へ移動する基板搬送機構との間で基板の受け渡しを行う際に、リフタの保持溝の内面部分と基板の下端縁とが擦れて塵埃や汚染物が発生して基板を汚染したり、基板に無理な力が加わって基板を破損したりすることを防止できる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送ロボットの一対のチャック２８の基板支持部３２に形成される下部支持溝３４ａの溝底の幅を、基板Ｗの厚みに、リフタ１２の基板保持部１８ａ、１８ｂ、１８ｃに対して基板支持部３２が長手方向において位置ずれする予定量を加えた第１の寸法とし、基板支持部３２に形成される上部支持溝３４ｂの溝底の幅を、基板支持部３２に支持される互いに隣り合う基板同士が接触しないように第１の寸法より小さい第２の寸法とする。 （もっと読む）

パージステーションは少なくとも１つの上方に延在するパージノズルを有する基板コンテナ受容域を備える。前記ノズルは円形の係合リップを有する。前記基板コンテナは、少なくとも一つの基板のための支持手段と、前記コンテナから下向きの外向き封止フランジを含むパージポートアセンブリとを有する。前記封止フランジは、中央の開口部と、前記ノズルの円形係合リップと係合する片持ち状のフランジ部とを有する。前記フランジの前記片持ち状部分により保持される前記ノズル上の前記基板コンテナの重量により、弾性力のある柔らかい封止のためのフランジ部の曲がりが生じる。
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【課題】 容器本体を成形する金型の構成の簡素化を図ることのできるティース体及び基板収納容器を提供する。
【解決手段】 二枚の半導体ウェーハを収納可能な大きさを有するフロントオープンボックスタイプの容器本体１と、容器本体１に内蔵されて半導体ウェーハを整列させて支持するティース体２０と、容器本体１の開口した正面に着脱自在に嵌合される蓋体と、容器本体１と蓋体との間に介在されて気密機能を発揮するエンドレスのガスケットとを備える。そして、ティース体２０を、容器本体１の両側壁内面にそれぞれ嵌合されて半導体ウェーハの裏面周縁部を支持する複数対のティース２１と、複数対のティース２１の後部を連結して容器本体１の内底面に嵌合される連結片２３とから一体形成する。容器本体１にティース体２０を後から組み付けるので、容器本体１を成形する金型の型開きが困難化したり、コア型を分割式にする必要がない。 （もっと読む）

【課題】誘電体層の高い平坦性と温度依存性の低減化とを図ることができると共に、パーティクルやガスの発生を抑えるができ、しかも超薄型で低コストな静電チャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】吸着電極３が、石英ガラスで形成した円板状の基板２の上に溶射にて形成され、石英ガラスの誘電体層４が、吸着電極３を覆うように溶射にて形成されている。そして、誘電体層４の表面に、多数のエンボス５が溶射にて形成されている。好ましくは、吸着電極３を、多数の電極小片が細い電極線で連結された構造にする。 （もっと読む）

【課題】基板の大口径化や超大口径化に伴う基板搬送時の基板中央部の自重による撓みを抑制ないし防止する。
【解決手段】大口径の基板ｗの上方又は下方に移動される支持部１７と、該支持部１７に設けられ基板ｗの周縁部を掴んで支持する掴み機構２８とを有する基板搬送装置において、上記支持部１７に、基板の上面中央部又は下面中央部を撓まないように空気層を介して非接触で吸引保持する非接触吸引保持部３０を１つ又は複数設け、該非接触吸引保持部３０は、上記基板の上面又は下面に対向する平面円形の本体３１と、該本体に形成され中央に向って深くなるように傾斜した傾斜面３２ａを有する凹部３２と、該凹部３２の中央に設けられ上記傾斜面に沿って流れるように気体を放射状に噴出することにより負圧を発生させるための複数の気体噴出ノズル３３と、上記凹部３２の周縁部に適宜間隔で形成された気体逃げ溝３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】電子線照射により載置面に静電吸着された板状試料が帯電した場合であっても、板状試料の裏面に付着するパーティクル数を大幅に低減することができ、かつ、電圧印加を停止した際に静電吸着された板状試料を載置面から素早く離脱させることができる静電チャックを提供する。
【解決手段】一主面を板状試料を載置する載置面２ａとするとともに内部に静電吸着用内部電極４、４を設けてなる基体７と、この基体７に保持され静電吸着用内部電極４、４に電圧を印加する給電用端子６、６とを備え、基体７は、炭化ケイ素を１質量％以上かつ３０重量％以下含有してなる平板状の炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体により形成され、載置面２ａの表面粗さＲａは０．０１μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】基板の大口径化や超大口径化に伴う基板搬送時の基板中央部の自重による撓みを抑制ないし防止する。
【解決手段】大口径の基板ｗの上方又は下方に移動される支持部１７と、該支持部１７に設けられ基板ｗの周縁部を掴んで支持する掴み機構２８とを有する基板搬送装置において、上記支持部１７に、基板の上面中央部又は下面中央部を撓まないように空気層を介して非接触で吸引保持する非接触吸引保持部３０を１つ又は複数設け、該非接触吸引保持部３０は、上記基板の上面又は下面に向って突設された柱体又は錐体からなる負圧形成突部３１と、該負圧形成突部３１に対して側方から気体を噴出することにより負圧形成突部３１の近傍に負圧を形成するための気体噴出ノズル３２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高温の半導体プロセスシステムにおける使用に適している加熱型アルミニウム基板支持体と、このような基板支持体を製造する方法とを提供する。
【解決手段】一実施形態においては、加熱型アルミニウム基板支持体は、アルミニウム本体と、本体に結合されている脚部と、本体内に配置されている加熱素子とを含むことができる。本体は約２５０μｍ未満の平均粒径を有する。いくつかの実施形態においては、脚部と本体との継手は十分に侵入した重ね溶接であり、基板支持体の耐用年数が増大する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ保持手段からウエーハを搬送する際にウエーハの加工面に接触することなく搬送することができるウエーハの加工装置を提供する。
【解決手段】ウエーハを保持するウエーハ保持手段と、ウエーハ保持手段に保持されたウエーハを加工する加工手段と、加工手段によって加工されたウエーハをウエーハ保持手段から搬送する搬送手段とを具備するウエーハの加工装置であって、ウエーハ保持手段はウエーハを保持する保持面を備え支持ベースに着脱可能に支持されるウエーハ保持プレートを備えており、搬送手段はウエーハ保持プレートを保持するプレート保持部材を備えている。 （もっと読む）

【課題】 アーキングを抑制して、例えばアルミ等の飛散を防止することができる静電チャックを提供すること。
【解決手段】 静電チャック（１）の冷却用ガス孔（１３）は、静電チャック（１）の厚さ方向において、チャック面（３）及び裏面（１１）に垂直に設けられて、チェック面（３）に吸着された半導体ウェハ（５）を、チャック面（３）から離脱させるための突き上げピン（１５）を嵌挿するためのピン用貫通孔としても用いられる。特に冷却用ガス孔（１３）の内部には、その内側表面のほぼ全体を覆う様に、円筒形の部材である絶縁スリーブ（１９）を配置し、これにより、冷却用ガス孔（１３）の金属ベース部分（金属ベース側ガス孔）（２１）のアルミ素地が露出しないようにしている。 （もっと読む）

【課題】
試料処理の歩留まりおよび処理の効率を向上させる異物除去機能を備えた真空処理装置。
【解決手段】
真空容器内の処理室と搬送室とを連結する通路を開閉するゲートバルブで構成し、試料を搬送・処理する真空処理装置において、前記処理室と前記搬送室間で前記処理対象の試料を搬送する際に前記真空容器内の下方にある圧力調整用の可変バルブを所定の開度として真空容器内を減圧し、その後前記圧力調整用可変バルブの開度を変えない状態で前記真空容器内に前記導入孔から所定量のガスを流しガスの流れを形成し、その状態で前記ゲートバルブを開放して前記試料の搬送を行い、前記試料搬送後にゲートバルブを閉じた後に前記ガスの導入を止めるように構成した。 （もっと読む）

【課題】リフタ装置全体の寸法を小さくして省スペース化を図るとともに、機械エリアのフィルタを不要として保守、メンテナンス部品を減らすことができるリフタ装置を提供すること。
【解決手段】クリーンブース２に、搬送物を載置して昇降する昇降体４と、昇降体４を昇降可能に支持する昇降マスト５と、昇降マスト５を介して昇降体４を昇降させる駆動装置６とを配設するとともに、昇降体４が昇降するリフタエリア７から、昇降マスト５及び駆動装置６を設置した機械エリア８を区画し、リフタエリア７にダウンフローを導入するようにしたリフタ装置において、リターンダクト３の隔壁９で機械エリア８の一部を区画形成するとともに、隔壁９に、機械エリア８を通過した空気をリターンダクト３に排出する開口部１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置へウェーハを供給、排出する搬送装置（以下ミニエンと略記する。）では、ウェーハ搬送において、ウェーハ異物付着が発生し易く、微小の異物であっても半導体製造装置に影響を与えてしまう場合があり、歩留まりが悪くなる。そのため、搬送室内全体のクリーン度を保つために、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）からのダウンフローの均一性および吹き溜まりや巻き上がりを管理する必要がある。
【解決手段】風量管理するために、ウェーハ搬送ロボットの一部（アーム）に風量測定器を取り付けることにより、搬送室内の任意のポイントに測定ポイントを設けることを実現させる。風量測定器からの測定データは、ミニエン内制御コントローラで取り込みデータ管理を行う。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にて被搬送物を搬送する真空容器内搬送装置において、搬送台の位置決め精度を向上させると共に、一定速度で被輸送物を安全に輸送できるようにする。
【解決手段】真空容器２内に配置され、所定の被搬送物３を保持して搬送する搬送台４と、該搬送台４に連結された２次側磁極５と、真空容器２外に、該真空容器２の壁面２ｂに沿って移動可能に配置された電機子６と、該電機子６を移動させる電機子移動機構７とを備えることを特徴とする真空容器内搬送装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板を支持するユニットを提供する。
【解決手段】基板支持ユニットは、工程時に基板に旋回流を供給して基板をチャックプレート上から浮揚及び回転させる工程を行う。したがって、本発明は、基板を非接触方式でチャックプレートから浮揚させて支持し、工程速度で回転させる。 （もっと読む）

【課題】最小単位の装置のブロック構成化を図ることにより装置の配置構成に自由度を向上させ、装置構成上の問題を伴うことなく装置全体の小型化が向上し装置全体のフットプリントを小さくすること。
【解決手段】被処理基板Ｇに対して所定の処理を施す処理部を一方向に複数配置して構成された処理部配置部２１〜２３と、この処理部配置部内に設けられ前記被処理基板を搬送する第１の搬送機構と、この処理部配置部外かつ前記一方のほぼ延長線上に固定してまたは前記一方向のほぼ延長線上に対して直交する方向に固定してまたは／及び前記一方向の延長線上と平行する線上を移動自在に設けられ前記第１の搬送機構に対して直接或いは間接的に前記被処理基板を受け渡し自在に構成された第２の搬送機構１１〜１５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐プラズマ性に優れ、かつ、載置面の面内温度の均一性がよい静電チャック、静電チャックの製造方法、および基板処理装置を提供する。
【解決手段】戴置面を有する誘電体基板を備えた静電チャックであって、前記誘電体基板の戴置面側には脆性材料からなる多結晶体膜が形成され、前記多結晶膜における結晶同士の界面にはガラス相からなる粒界層が実質的に存在せず、さらにその一部は前記誘電体基板の表面に食い込むアンカー部を形成しており、前記アンカー部と前記誘電体基板の表面との界面の平均粗さ（Ra）は０．２μｍ以下であること、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】流体流路内に溶射残渣が残ることを防止することができ、溶射残渣による汚染の発生や、流体流路の孔詰まりの発生を防止することのできる基板載置台の製造方法を提供する。
【解決手段】ガス吐出孔５１１の内側面及び溝５１２の内側面等のガス供給路となる部分に除去可能な皮膜５４０を形成する。次に、圧縮空気等の気体を供給して各ガス吐出孔５１１から圧縮空気等の気体を噴出しつつ、載置面にセラミック溶射膜１０、金属溶射膜（電極）１２、セラミック溶射膜１０を順次積層させて３層の静電チャック１１を形成する。次に、溝５１２内に流体、例えば、アセトン等の有機溶媒、圧縮空気、水等を導入して皮膜５４０の除去及び洗浄を行い、セラミック溶射工程で付着した塊状の溶射セラミック５３０を除去する。 （もっと読む）