【課題】サイドエッチングによるパターン細りを抑制しつつ、ドライ処理によってパターン側壁に堆積した金属を含む堆積物を効率良く除去することのできるプラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された金属層をプラズマエッチングする工程を経て積層構造中に金属層を有するパターンを形成した後、金属層を構成する金属を含みパターンの側壁部に堆積した堆積物を除去するプラズマ処理方法であって、金属層の側壁部に当該金属の酸化物又は塩化物を形成する保護層形成工程と、フッ素原子を含むガスのプラズマを作用させて堆積物を除去する堆積物除去工程と、保護層形成工程及び堆積物除去工程の後、水素を含むプラズマを作用させて金属の酸化物又は塩化物を還元する還元工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】接続導体との間のはんだ接合部の信頼性を確保する。
【解決手段】ジンケート法による無電解めっき法を用いて、半導体チップ１の表面側のＡｌ電極３の上にＮｉめっき層５が形成される。Ａｌ電極３の上には、選択的にＮｉめっき層５が析出されるため、周辺耐圧構造４部分には、Ｎｉめっき層５は形成されない。また、形成されるＮｉめっき層５は、所定の厚さに均一に形成することができる。続いて、Ｎｉめっき層５の上にＡｕめっき層６が形成される。無電解めっき法を用いることによって、Ａｕめっき層６もＮｉめっき層５と同様に、Ｎｉめっき層５の上に選択的、かつ均一に形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウエハが反るのを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、互いに対向する第１及び第２の主面を有するＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板の前記第１の主面上に形成され、Ｐｄ、Ｔａ、Ｍｏの少なくとも１つから構成された第１の金属層と、前記第１の金属層上に形成され、Ｎｉ系合金又はＮｉから構成された第２の金属層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】最終的に得られる製造コストが高く且つ基板の大きさが制限される、従来のプラズマ処理による窒化銅膜の形成方法の課題を解消する。
【解決手段】窒素ガスとアンモニアガスとから成り、アンモニアガス濃度が０．８vol％以上の混合雰囲気内に設けられたヒータブロック１８上に載置した基板１０を、ヒータブロック１８によって蟻酸銅の熱分解温度以上に加熱し、基板１０の加熱温度で蒸発する溶媒中に蟻酸銅を溶解した原料供給槽２２に貯留した蟻酸銅溶液を、基板１０の所定面に向けて噴霧して、噴霧した蟻酸銅溶液中の溶媒を蒸発し且つ蟻酸銅を熱分解して、基板１０の所定面に窒化銅膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、低コストで省資源である方法を採用し、実用性に富み、任意の場所、任意の形状に金属又は半導体を二次元的又は三次元的に形成できる半導体素子及びその製造装置を提供する。
【解決手段】炭素材料と金属酸化物材料又は半導体酸化物材料とを有する還元反応構造１Ａを持つ層構造３０Ａを準備し、還元反応構造１Ａに対して局所的にエネルギーを集中することが可能で、かつ還元反応構造１Ａに対して２次元的又は３次元的に走査することが可能な熱源を用い、この熱源によって酸化還元反応が起こる温度以上に還元反応構造１Ａの一部を走査しつつ選択的に加熱して、炭素材料により金属酸化物材料又は半導体酸化物材料をそれぞれ金属又は半導体に還元し、所望の形状の金属領域又は半導体領域（金属層又は半導体層３Ａ）を形成することによって製造されることを特徴とする半導体素子４０Ａとすることにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

自己組織化ブロック共重合体を使用して、ラインアレイにおいて、サブリソグラフィーでナノスケールの微細構造を作製するための方法、ならびに、これらの方法から形成される膜およびデバイスが提供される。
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【課題】半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。
【解決手段】半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ（１）上に形成した第１の絶縁層（２）と、前記第１の絶縁層上（２）に形成されるＣｕ配線層（４）と、前記Ｃｕ配線層上（４）に形成される第２の絶縁層（６）と、前記Ｃｕ配線層（４）と前記第２の絶縁層（６）との界面に形成される金属酸化物層（５）と、を備える。金属酸化物層（５）は、Ｃｕ配線層（４）上にＳｎまたはＺｎなどの金属を浸漬メッキし、その後このメッキ層を酸化性雰囲気中で加熱処理して形成される。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体に、銅線の核形成、成長及び接着を促進する窒化コバルトの層が組み込まれる。銅の拡散バリヤーとして機能し、かつ窒化コバルトと下地の絶縁体の間の接着性も増加させる、窒化タングステン又は窒化タンタルなどの耐熱性の金属窒化物又は金属炭化物層上に窒化コバルトを堆積してよい。窒化コバルトは、新規なコバルトアミジナート前駆体からの化学気相成長により形成され得る。窒化コバルト上に堆積された銅層は、高い電気伝導度を示し、マイクロエレクトロニクスにおける銅伝導体の電気化学的な堆積のための種層として機能できる。 （もっと読む）

【課題】銅素地に直接均一な金皮膜を形成できる非シアン系の置換金めっき液を提供する。
【解決手段】亜硫酸金塩を金イオン濃度として0.5〜10g/Lと、水溶性アミノカルボン酸化合物10〜150g/Lとを含有する銅素地用置換無電解金めっき液であって、亜硫酸金塩以外の亜硫酸塩を含まない銅素地用置換無電解金めっき液。水溶性アミノカルボン酸化合物は、亜硫酸金錯体の安定化に寄与し、金属不純物の錯化剤として作用する。そのため、本発明の金めっき液は、亜硫酸塩を含まないにもかかわらず亜硫酸金塩のめっき液中での自己分解が抑制され、高い液安定性を示す。 （もっと読む）

【課題】新規な特徴を有する半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１０の上方に第１絶縁膜２５を形成する工程と、第１絶縁膜２５の所定の深さに不純物をイオン注入することにより、第１絶縁膜２５に不純物層２２を形成する工程と、不純物層２２を形成した後、第１絶縁膜をアニールすることにより、不純物層２２をバリア絶縁膜２３に改質する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

電気メッキプロセスが、電圧で切替可能な誘電体（ＶＳＤ）材料の結合剤中に分散、混合または溶解した光活性成分を有するＶＳＤ材料の層を含む基板を用いて行われる。導体素子のパターンが、一部は、前記ＶＳＤ材料の層に光を向けることにより発せられた電圧を用いて、ＶＳＤ材料を絶縁状態から導電状態に切り替えることによって、基板上に形成される。
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【課題】平坦化を考慮することなく絶縁層の形成が行われる半導体装置においても、絶縁層に形成された凹凸状の段差の影響を受けることなく絶縁層に確実に開口を形成して導通不良の発生を抑制可能なワイヤーレスＣＳＰタイプの半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電極１１が設けられた半導体チップ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の上面に前記の各電極１１とそれぞれ電気的に接続した再配線１７ｃを形成する工程と、再配線１７ｃと電気的に接続した外部接続端子を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法及びこの方法で製造された半導体装置であって、外部接続端子が接続される再配線１７ｃは、絶縁膜上にポリイミド膜を製膜する工程と、製膜されたポリイミド膜を所定パターンにパターンニングする工程と、パターニングされたポリイミド膜の上面を炭化させて導電層を形成して再配線１７ｃとする工程とにより形成する。 （もっと読む）

半導体装置用のダマシン配線（１）の製造方法を示す。非導電性バリヤ層（１０）が、多孔質低誘電率材料によって定義されるパッセージ（７）の壁の上と、パッセージ（７）の一端を閉じる銅領域（３）の表面の上とに形成される。非導電性バリヤ層（１０）は、誘電性材料の貫通細孔からなるその下層部（１０ａ）が非導電性を残している間に、その上層部（１０ｂ）を導電層に変換するためにプラズマ処理される。ついで、パッセージ（７）は、今度は導電性になっているバリヤ（１０）の上層部（１０ｂ）を介して第１銅領域（３）と電気配線を形成する第２銅領域（１３）で満たされる。当業者にとって明らかなように、本文献において開示、請求される本発明のすべての実施形態は、本発明の範囲を超えることなしに結合されても良い。
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【課題】 パターン形成において、低コスト化及び形成時間の短縮化を図るとともに、微細パターンの形成を可能としたパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン形成方法は、基板１８上に第１金属膜２８を形成する第１金属膜形成工程と、第１金属膜２８上に、パターンを形成しない基板１８上の位置に対応する第１金属膜２８が露出するようにマスクパターン３８を形成するマスクパターン形成工程と、マスクパターン３８をマスクとして第１金属膜２８上に絶縁膜４０を形成する絶縁膜形成工程と、マスクパターン３８を除去し、メッキ法により、マスクパターン３８を除去した第１金属膜２８上に絶縁膜４０をマスクとして少なくとも第２金属膜４２を形成する第２金属膜形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜に形成された凹部に埋め込んだ銅配線の表面をパラジウム置換めっきするにあたり、銅配線の表面がエッチングされることを抑え、良好な電気特性を長期に亘り維持可能な半導体装置を製造すること。
【解決手段】 絶縁膜例えばＳｉＯＣ膜２１をエッチングすることにより形成した凹部２００に銅を埋め込んで銅配線２５を形成した後、カルボキシル基を有する有機酸溶液にパラジウムを溶かしてなる置換めっき液を用いて前記凹部２００に埋め込まれた銅配線２５の表面をパラジウム置換めっきする。そしてパラジウム膜２６が形成された銅配線２５の表面に無電解めっき液を用いて密着層２７を形成する構成とする。この場合、有機酸を選択したことにより、パラジウム置換めっき時に銅配線２５がエッチングさせることを抑えることができる。 （もっと読む）