【課題】金型や成形品との剥離性に優れ、しかも、金型の形状が設計寸法通りに成形品へ転写される型形状転写性に優れるとともに、成形品の表面にゲル状粘着物が残ることなく成形品の表面平滑性が得られ、さらには、耐熱性をも備える離型用フィルムを提供する。
【解決手段】融点が１４０℃以上のフッ素含有ポリマーからなり、動的粘弾性での１４０℃における貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以下である離型用フィルム。なお、フッ素含有ポリマーは、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン・ビニリデンフロライド共重合体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成および可変機構を有することなく、光軸を下方に向けた画像表示が可能なＬＥＤユニットを提供する。
【解決手段】前面カバー１１と、ＬＥＤ素子１２を実装したプリント基板１４と、プリント基板１４を収容する本体フレーム１５とを備え、前面カバー１１には、ＬＥＤ素子１２が配置されるＬＥＤ素子用孔１６が貫通して形成され、そのＬＥＤ素子用孔１６は、前面カバー１１の背面から正面に向かってすべて下方へ傾いた状態で穿設されている。これにより、ＬＥＤ素子１２は、その光軸がＬＥＤ素子用孔１６を穿設した方向に向けられた状態でＬＥＤ素子用孔１６に保持される。ＬＥＤユニットは、傾けることなしに光軸を下方へ向けることが実現されているので、ＬＥＤユニットをマトリックス状に密着配置して表示画面を構成した場合に、表示画像は乱れることがない。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が良好で、パッド電極が剥がれにくく、さらに反射層とそれを挟む層との間の密着性を考慮せずに高い反射性を有する材料からなる反射層を選択できる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と発光層１３とｐ型半導体層１４とがこの順に積層された半導体層１０と、ｐ型半導体層１４上に形成された第１透明導電層１５ａと、第１透明導電層１５ａ上に部分的に形成された金属反射層２ａと、金属反射層２ａ上を覆うように形成された第２透明導電層１５ｂと、金属反射層２ａと平面視で重なる位置の第２透明導電層１５ｂ上に形成された正極１７とを備え、第１透明導電層１５ａおよび第２透明導電層１５ｂが、Ｉｎ_２Ｏ_３を８０質量％以上含む半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】 密着性、硬度、耐熱性・耐光性に優れた硬化性組成物を提供する。
【解決手段】（ａ１）不飽和カルボン酸および不飽和カルボン酸無水物の少なくとも１種、ならびに、（ａ２）オキセタニル基を含む不飽和化合物の少なくとも１種を共重合して得られる共重合体（Ａ）と蛍光体（Ｘ）を含む、硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】耐水性に優れた蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ゾル−ゲル法により蛍光体表面にシリカ被覆層を形成する被覆工程、を含む蛍光体の製造方法であって、前記シリカ被覆層はケイ素原子にフェニル基が２個以上結合した構造を有する有機ケイ素化合物を用いて形成されることを特徴とする、蛍光体の製造方法により課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】第１の発光体７，２２と、該第１の発光体からの光の照射によって可視光を発する第２の発光体８，２３とを備え、該第２の発光体として、第１の蛍光体と第２の蛍光体とを備える発光装置であって、該発光装置の発光スペクトルの色度座標がＣＩＥ座標のｘは０．２８５以下、ｙは０．３００以下であり、該第１の蛍光体として、質量メジアン径Ｄ_５０が８μｍ以上２５μｍ以下のβ型サイアロン蛍光体を備え、該第２の蛍光体として、質量メジアン径Ｄ_５０が８μｍ以上１５μｍ以下であり、かつ、５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の波長範囲に励起帯を有する蛍光体を備え、該第１の蛍光体の質量メジアン径Ｄ_５０が、該第２の蛍光体の質量メジアン径Ｄ_５０と等しい、あるいは、該第２の蛍光体の質量メジアン径Ｄ_５０よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】紫外光領域（２５０〜４００ｎｍ）の光を吸収する光学フィルタ、色変換フィルタの提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される色素。
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【課題】主光源部の形成領域に補助光源部を配設することにより、照明状態の違和感を軽減することが可能な照明器具を提供する。
【解決手段】照明器具は、複数の発光素子を有する主光源部と、外部電源に接続されるとともに主光源部に接続されて、主光源部に給電して主光源部を点灯制御する点灯装置と、前記主光源部の形成領域に配設され、複数の発光素子を備えた補助光源部と、この補助光源部に接続されて、外部電源からの給電が停止された場合に、補助光源部に給電して補助光源部を点灯するバッテリ１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】高効率で発光し、薄型に適した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子１は、紫外光放射部１５と蛍光体層２１とからなり、ＺｎＯをベースとし、Ｇａ、Ｐが添加された半導体材料で形成された紫外発光層１１と、ＺｎＯをベースとするｐ型半導体層１２とがｐｎ接合され、紫外発光層１１に第１電極１３が、ｐ型半導体層１２に第２電極１４が接続されている。第１電極１３と第２電極との間に電圧を印加することによって、紫外発光層１１からピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光が放射される。蛍光体層２１は、紫外光放射部１５から放射される紫外光を吸収し可視光に変換する。この可視光は基板２２を透過して外部に出射される。 （もっと読む）

【課題】ＴＶモニタやマトリックス表示器による花火の表示において、単調な表示を多様化表示できるようにする。
【解決手段】発光部分のみにＬＥＤを配置すると共に前記ＬＥＤの郡集団の中心又は内側から外側に向かって順次点灯させる動画の花火の表示器により花火の表示にアクセントを設ける。表示画面の単調化を防ぐ為に複数の郡集団を設けて郡集団毎の花火を選択し、繰り返し表示を行ない、郡集団毎に選択された順序と発光間隔と発光回数により手動又は自動表示できる様にする事により、郡集団を多様化表示する。 （もっと読む）

【課題】
蛍光体及びその製造方法、それを用いる発光装置が提供される。
【解決手段】
前記蛍光体の組成式はＩ_ｉ−Ｍ_ｍ−Ａ_ａ−Ｂ_ｂ−Ｏ_ｔ−Ｎ_ｎ：Ｚ_ｒであり、ここで、Ｉは、Ｌｉ、Ｎａ、及びＫを含む群から選択され、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｂｅ及びＺｎを含む群から選択され、ＡはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、及びＬｕを含む群から選択され、ＢはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆを含む群から選択され、ＺはＥｕ及びＣｅを含む群から選択され；ｍ＋ｒ＝１、０＜ｉ＜０.２５、０＜ａ＜１、０＜ｂ＜２、１.１５＜ｂ／ａ＜１.４、０≦ｔ≦０.７、２.１≦ｎ≦４.４、及び０.００１≦ｒ≦０.０９５である。 （もっと読む）

【課題】基板を片持ち状態でしか取り付けできない制約がある場合でも、基板の取り付け強度を向上させたＬＥＤ照明装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ発光部４０ａ及びＬＥＤ発光部４０ａから延びるリードピン４０ｄを有するＬＥＤ４０と、ＬＥＤ４０を配線するための導電性部材からなる配線部４１ｂが表面の一部に形成された基板４１と、ＬＥＤ４０が実装された基板４１を取り付けるための固定支持部４２とを備え、配線部４１ｂが固定支持部４２から離間するように基板４１の一端４１ｃ側を片持ち状態で固定支持部４２の基板取付面４３ａに取り付けるとともに、固定支持部４２のうち基板４１を取り付けた部位である基板取付面４３ａ以外の部位（挟持面４３ｂ１及び凹部４４ａ１）にリードピン４０ｄを引き延ばして固定した。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層のドーパント濃度の低下と結晶性低下に起因する、順方向電圧の増大、発光出力の低下が生じにくいＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層と多重量子井戸構造からなる発光層とｐ型クラッド層とを順次積層した後、キャリアガスとＧａ源及び窒素源を含む原料ガスとを連続的に供給するとともに、Ｍｇ源を含むドーパントガスを間欠的に供給するＭＯＣＶＤ法により、前記ｐ型クラッド層上にｐ型コンタクト層を形成する工程を有し、前記ドーパントガスを供給する際に前記キャリアガスの流量を減少させることにより、前記ｐ型コンタクト層の形成中における前記キャリアガスと原料ガスとドーパントガスとの総流量を一定に保つことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能な発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１０において、ｐ側電極体１６０は、電極層２００と、絶縁体層２１０と、反射層２２０と、を備える。絶縁体層２１０は、電極層２００上に形成され、電気的絶縁性を有するＳｉＯ_２によって構成されている。反射層２２０は、絶縁体層２１０上に形成され、発光層１３０から放出される出射光を反射するＡｌＣｕによって構成される。 （もっと読む）

【課題】長時間の通電においても光度低下が非常に小さい光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体素子４の周囲が、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、ポリカーボネートポリオール（Ｃ）と、アクリルブロック共重合体（Ｄ）と、硬化剤（Ｅ）と、硬化促進剤（Ｆ）とを含む第１の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物６により封止され、且つ前記硬化物６の周囲が、分子内に複数のエポキシ基を有するエポキシ化合物（Ｇ）と、脂環式ポリエステル樹脂（Ｈ）と、硬化剤（Ｉ）と、硬化促進剤（Ｊ）とを含む第２の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物７により封止されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で十分な放熱特性を有するバルブ型ＬＥＤ光源を提供する。
【解決手段】バルブ型ＬＥＤ光源が、多角柱状の基板取付台を有し基板取付台の先端から他端側に貫通する貫通孔を有するアルミ合金からなる円筒状の口金と、口金の貫通孔の他端側を封止する絶縁材料と、絶縁材料を貫通して絶縁材料に固着された中心電極と、基板取付台に固着された複数のＬＥＤ実装基板と、各ＬＥＤ実装基板の各ＬＥＤのカソード極をリード線を介して口金に接続し、各ＬＥＤ実装基板の各ＬＥＤのアノード極を貫通孔に挿通されたリード線を介して中心電極に接続する給電配線とを有する。 （もっと読む）

【課題】新規組成の緑色系蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】下記式［１］で表される組成を有する
ことを特徴とする蛍光体。
（Ａ_１−ｙ，Ｅｕ_ｙ）Ｄ_６−ｘＥ_ｘＮ_８−ｘＯ_１＋ｘ ・・・ ［１］
（但し、前記式［１］において、
Ａは、Ｂａを必須とするアルカリ土類金属元素を表し、
Ｄは、Ｓｉを必須とする４価の金属元素を表し、
Ｅは、Ａｌを必須とする３価の金属元素を表す。
また、ｘ、およびｙは、以下の式を満たす数を表す。
１＜ｘ≦３
０．０００１≦ｙ≦０．１５） （もっと読む）

【課題】 多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することの可能な光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体素子１と、該光半導体素子１を設置するためのリードフレーム２、２と、前記光半導体素子１および前記リードフレーム２、２の前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部３とを有する光半導体装置であって、前記リードフレーム２、２は、前記封止樹脂部３の底面３ａよりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域において、バリ反転領域４を有している。 （もっと読む）

【課題】製造工程でのＬＥＤチップの熱劣化を防止すると共に、放熱性を向上させた発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１は、一対のリード線２，３と、ＬＥＤチップ４と、ＬＥＤチップ４を気密に封止するガラスバルブ５とを備える。ガラスバルブ５は、上端部が両リード線２，３に固着されたガラス製内筒５１と、ＬＥＤチップ４を覆うガラス製外筒５２とを備え、ガラス製内筒５１とガラス製外筒５２の各下端部を融着して構成される。一方のリード線２の上端部に、熱伝導率の大きい材料からなるマウント部材６が電気的に接続され、このマウント部材６にＬＥＤチップ４が固着される。ＬＥＤチップ４は、マウント部材６を介して一方のリード線２と電気的に接続される。 （もっと読む）