【課題】内部応力を有する膜を基板の裏面にのみ形成することにより、基板の反り量を抑制し、その際に基板の表面にダメージを与えず、裏面に対する成膜と表面に対するパターン形成とを一貫して行う半導体製造装置を得られるようにする。
【解決手段】基板に薬液を塗布する薬液塗布部１０２と、基板を加熱する加熱処理部１０４と、基板の表面にレジストを塗布するレジスト塗布部１０７と、そのレジストに所定のパターンを露光する露光部１０５と、そのレジストを現像することにより所定のパターンを得る現像部１０８とを備えている。薬液塗布部１０２は、基板を浮遊した状態で、基板を回転させながら基板の裏面にのみ薬液を塗布する薬液塗布手段を有し、加熱処理部１０４は、基板に熱処理を行うことにより、内部応力を有する応力印加膜を成膜する熱処理手段を有し、裏面に応力印加膜の成膜を行うことと、表面に所定のパターンを形成する処理とを一貫して行う。 （もっと読む）

第一のデバイスが提供される。第一のデバイスは、プリントヘッドと、プリントヘッドに気密的に密閉された第一のガス源とを含む。プリントヘッドは、複数のアパーチャを備えた第一の層を含み、各アパーチャは０．５から５００マイクロメートルの最小寸法を有する。第二の層が第一の層に結合される。第二の層は、第一のガス源及び少なくとも一つのアパーチャと流体連結した第一のビアを含む。第二の層は絶縁体製である。
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【課題】レーザ光の照射によって基板上で光分解反応を生じさせる際に、熱による悪影響を排除して均一な処理を可能にする。
【解決手段】基板に薄膜を作成する際に、基板に形成した原料膜に対してレーザ光を照射して光分解反応を生じさせるレーザ光照射方法において、基板を面方向において回転させるとともに、レーザ光照射位置に対し面方向に沿って相対的に移動させつつ、レーザ光の照射を行う。照射装置としては、原料膜を形成した基板を支持する支持部と、基板を回転させる回転機構と、基板を面方向に沿って移動させる移動機構と、基板にレーザ光を照射するレーザ光照射手段と、基板を回転機構によって面方向において回転させるとともに、移動機構によって面方向に沿って相対的に移動させつつ、レーザ光照射手段によって基板にレーザ光を照射して原料膜での光分解反応が生じさせる制御部を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜の材料を粒子として溶媒に分散ないしは溶解させた粘性のインクを噴射する複数の噴射ノズルを備えるインクジェットヘッドから、搬送テーブル３２により搬送される被処理体に対してインクを噴射するときに、各噴射ノズルから噴射したインクが被処理体２１上で凸曲面形状となり、且つ隣接するインク同士が端部において連続した形状となるようにインクを噴射し、被処理体２１上のインクを加熱して溶媒を気化させ、材料を被処理体２１に熱硬化させるときに、被処理体２１に形成された各インクが端部から先に順次中央部に向けて熱硬化する上昇温度で緩速加熱を行っている。 （もっと読む）

【課題】ロードロック室を隔離するための隔壁の開閉を容易に行うことができ、成膜室からの熱や物質の拡散を防止できる超臨界成膜装置および超臨界成膜方法を提供する。
【解決手段】耐圧容器４０にロードロック室５ａ、５ｂが備えられ、ロードロック室５ａ、５ｂ内の圧力を調整するための圧力調整手段と、基板４１を耐圧容器４０外から搬入するとともに耐圧容器４０外に搬出するための外部出入口４５と、基板４１を成膜室６ａ、６ｂに搬入するとともに成膜室６ａ、６ｂから搬出するための内部出入口４３とが設けられ、内部出入口４３に、ロードロック室５ａ、５ｂを内部出入口４３の外部と隔離するための開閉可能な隔壁１０ａ、１０ｂが設けられている超臨界成膜装置とする。また、耐圧容器４０の搬送室７に純粋な超臨界流体を供給する導入配管１ａ、１ｂを有し、成膜室６ａ、６ｂには超臨界流体を排出する導出配管４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を媒体としてウエハ上に形成された微細構造表面に均一な膜を形成する成膜処理装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜処理容器と、前記成膜処理容器内の上面にウエハを保持する保持具と、前記成膜処理容器内の上面に保持されたウエハを加熱する、前記成膜処理容器の上部に埋設されたヒーターと、前記成膜処理容器内を攪拌する攪拌器と、膜原料の少なくとも１つを超臨界流体に溶解した原料溶液を調製する調合器と、前記成膜処理容器内に前記原料溶液を導入する原料溶液導入ポートとを有する成膜処理装置を用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】触媒線の長寿命化を図ることができる触媒化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る触媒化学気相成長装置１においては、触媒線６として、タンタル線の表面にそのホウ化物層が形成されたものを用いる。金属タンタルのホウ化物（ホウ化タンタル）は、金属タンタルよりも硬質であるため、このホウ化物層が表面に形成されたタンタル線を触媒線として用いることで、触媒線の熱伸びを低減し、機械的強度を向上させて、長寿命化を図ることが可能となる。また、触媒線６の通電加熱を連続通電によって行うことで、触媒線６の更なる高寿命化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】反応室内の熱環境を一定に保ち、パーティクルの混入を防止して安定した成膜を行うことができる気相成長方法及びこの方法を実施することが可能な構造を有する自公転方式の気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタを回転させるとともに基板を加熱した状態でガス導入管から原料ガスを導入して基板表面に薄膜を成長させる成膜操作を基板を交換して繰り返し行う気相成長方法であって、成膜操作を終了したときに仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内から取り外し、清浄な状態の仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内に配置してから次の成膜操作を開始する。 （もっと読む）

本発明は、基板（１）の上に多結晶半導体材料層（６）を形成する方法を提供する。この方法は、基板（１）の上に少なくとも１つの触媒粒子（４）を提供する工程であって、少なくとも１つの触媒粒子（４）は少なくとも触媒材料を含み、触媒材料は室温と５００℃との間の溶融温度を有するか、または室温と５００℃の間の共晶温度を有する触媒材料／半導体材料の合金を形成することができる工程と、５００℃より低い温度で、前駆体ガスのプラズマ強化により、基板（１）の上に多結晶半導体材料層（６）を形成し、これにより少なくとも１つの触媒材料（４）を開始剤として用いる工程とを含む。本発明は、更に本発明の具体例にかかる方法を用いて得られた多結晶半導体材料層（６）を提供する。
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【課題】膜中に多くの欠陥を含まない自己組織化単分子膜からなる有機薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】被成膜基板１０２が配置された反応室１０１内の気体を排気した後に基板１０２表面に対して結合性有機分子を含む気体を導入する第１の工程と、前記反応室１０１内の前記有機分子を基板１０２表面に化学結合させる第２の工程と、前記反応室１０１内を排気して、反応室１０１内および前記基板１０２表面上の未反応の前記有機分子を排出させる第３の工程とを含み、前記第１の工程から第３の工程を１回以上繰り返す。 （もっと読む）

【課題】低温下で、良質な酸化膜を形成することができる酸化膜の形成方法、酸化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、反応管２内にアンモニアラジカルを供給し、半導体ウエハＷの表面を窒化する。次に、反応管２内にＤＣＳを供給し、窒化された半導体ウエハＷの表面にＳｉを吸着させる。続いて、反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＳｉを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望厚のシリコン酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する半導体デバイスを得ることができるＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶、ＡｌＮ結晶基板およびそのＡｌＮ結晶基板を用いて作製された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶基板３の表面上にＡｌＮ結晶８を成長させる工程と、ＳｉＣ種結晶基板３の表面からＡｌＮ結晶８側に２ｍｍ以上６０ｍｍ以下の範囲８ａにある少なくとも一部のＡｌＮ結晶８ｂを取り出す工程と、を含む、ＡｌＮ結晶８の製造方法である。また、その方法により得られるＡｌＮ結晶８、ＡｌＮ結晶基板およびそのＡｌＮ結晶基板を用いて作製された半導体デバイスである。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置を簡素化することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ２内に導入された原料ガスを触媒線３により活性化して、被処理基板６に成膜処理を行う成膜方法であって、成膜処理工程の前に、触媒線３を用いて被処理基板６を加熱処理する工程を有する。加熱処理工程では、被処理基板６の両側に触媒線３を配置して被処理基板６を加熱処理し、成膜処理工程では、被処理基板６の両側に触媒線３を配置して被処理基板６の両面に成膜処理を行うことが望ましい。 （もっと読む）

ＳｉＣの高品質単結晶ウェハが開示される。このウェハは、少なくとも直径約３インチ（７５ｍｍ）と、４°オフ軸のウェハに対して、約５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチ（６．２５ｃｍ^２）の連続した表面領域とを有する。また、本発明は、ＳｉＣの高品質単結晶のウェハを形成する方法を提供し、該方法は、３インチよりわずかに大きい直径を有するＳｉＣブールを形成するステップと、０００１平面に対して約２°と１２°の間の角度で、該ブールをスライスして、ウェハにするステップであって、該ウェハは、各ウェハ上に、５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチの連続した表面領域を有する、ステップとを包含する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン材料中にナノ結晶をほぼ均一に埋め込んだナノ結晶埋め込み型アモルファス材料を実現し、優れた特性を持つ非単結晶半導体材料、光電変換素子、発光素子、および非単結晶半導体材料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン及び／又はゲルマニウムを主体とするアモルファス材料３中に粒径１ｎｍ〜５ｎｍの結晶シリコン及び結晶ゲルマニウム２を散在させた非単結晶半導体材料１。 （もっと読む）

ＳｉＣの高品質単結晶ウェハを開示する。ウェハは、直径が少なくとも約３インチであり、歪みは約５μｍ未満であり、反りは約５μｍ未満であり、全厚さ変動は約２．０μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】被処理物の処理において、触媒で発生する高熱の影響を受けることなく、かつ、触媒で発生したラジカルを効果的に利用できる構造を提供することである。
【解決手段】原料ガスを高温の触媒１３に接触させることで、当該原料ガスのラジカルを生成する構成であって、前記触媒１３から発生する熱線に対する熱遮断部材１４を有し、この熱遮断部材１４は、触媒１３から発生する熱を反射あるいは吸収する金属製部材１５と、この金属製部材１５の少なくとも熱線照射面に絶縁部材１６を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 パーティクルの発生を抑制できる塗布装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る塗布装置は、シリコンウエハ１１上にＳＯＧの成膜材料を吐出する吐出部８と、前記吐出部に前記成膜材料を供給する材料供給ライン７と、前記材料供給ラインに繋げられた三方弁１７と、前記三方弁に繋げられ、前記成膜材料が収容され、前記材料供給ライン７に前記成膜材料を供給する容器２と、前記容器に繋げられ、前記容器内に加圧ガスが供給され、前記加圧ガスが前記容器内の成膜材料を加圧するガス供給ライン５と、前記ガス供給ラインに繋げられ、前記加圧ガスを前記ガス供給ラインに供給する加圧ライン１６と、前記ガス供給ラインに設けられ、前記ガス供給ラインのガスの流れを停止させるバルブ４とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の薄膜製造装置はパルスレーザー照射機構を備えていないため、一旦ロール状のテープに半導体膜を成膜してロール状に巻き取った後、レーザー照射装置に移動して改めてロール状のテープにパルスレーザーを照射する必要があり、真空排気や不活性ガスによる置換など極めてタクトタイムが長くなる課題があった。
【解決手段】 ロールフィルムを供給する機構と、触媒ＣＶＤ法によりロールフィルム上に半導体膜を形成する機構と、パルスレーザーを半導体膜に照射する機構と、ロールフィルムを巻き取る機構を備えた薄膜製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 緻密で膜密着性が高く、結晶性の良好な膜を形成可能なエアロゾルデポジッション成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜材料の微粒子をエアロゾル化するエアロゾル形成部２０と、エアロゾル２９にレーザ光を照射しエアロゾル２９を形成する微粒子２７を加熱する加熱部３０と、エアロゾル２９を基板４３に向けて噴射して成膜を行う成膜部４０と、成膜部４０を減圧雰囲気に保持する排気系５０などから構成し、加熱部３０において、エアロゾルを形成する微粒子にレーザ光を照射して微粒子を加熱し、微粒子を構成する材料に誘起されている歪みを低減する。さらに加熱により微粒子の結晶性を向上し、微粒子表面の付着物を除去する。加熱された微粒子は、成膜部４０で噴射ノズル４２により噴射された際に断熱膨張により冷却されるので基板４３に熱的なダメージを与えない。赤外線、紫外線、マイクロ波等によりエアロゾルを加熱する例をさらに開示する。 （もっと読む）