【課題】本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクを準備する準備工程と、上記吸収層のパターンが形成された回路パターン領域の外周に、水素またはヘリウムのイオンビームを照射し、上記多層膜の周期構造の規則性を乱して低反射部を形成し、上記基板上に上記低反射部および上記吸収層が積層された遮光領域を形成する遮光領域形成工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１１上に遮光膜１２、多層反射膜１３、保護膜１４、吸収膜１５ａ、裏面導電膜１６が形成された反射型マスクブランクス１０を準備する。吸収膜１５ａを選択的に除去することで回路パターンＡが形成され、回路パターンＡを除く回路パターンＡの周囲の部分に、吸収膜１５ａ，１５ｂと保護膜１４と多層反射膜１３とを選択的に除去した枠状の領域Ｂが形成される。したがって、枠状の領域Ｂに遮光膜１２が設けられることになる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面上での照度低下や光学像劣化の度合いを軽減すること。
【解決手段】露光波長の光を発する光源部と、照明の形状を可変に構成された照明光学系部、及び、ＥＵＶマスク２０のパターン像をウエハ４０上に形成する投影光学系を備えた露光装置であって、投影光学系の瞳面を通過する光の一部を遮蔽する中心遮蔽５０と、一端側を介して中心遮蔽５０と繋がり、中心遮蔽５０から放射状に延伸するスポーク５１と、スポーク５１の他端側と繋がり、中心遮蔽５０及びスポーク５１を支持する支持部材５２と、を有する遮蔽部材が瞳面近傍に位置し、遮蔽部材は、中心遮蔽５０の中心を、中心遮蔽５０と垂直に通過する軸を回転軸として、回転可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光の生成において変換効率を向上させる。
【解決手段】極端紫外光生成方法は、チャンバ内にターゲット物質を供給するステップ（ａ）と、ターゲット物質にレーザビームを照射することにより、プラズマを生成して極端紫外光を生成するステップ（ｂ）と、を備える。レーザビームの空間的な光強度分布は、ビーム軸の中心から所定距離の位置における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が前記ビーム軸の中心から前記所定距離の範囲内に存在する空間的な光強度分布を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ集光ミラーを再現性よく位置決めするとともに、ＥＵＶ集光ミラーにおける歪みの発生を抑制する。
【解決手段】基板材と、基板材の第１の面に設けられた反射膜と、基板材の第１の面と異なる第２の面に設けられた複数の突起部とを含むミラーと、複数の突起部をそれぞれ支持する複数の支持部であって、複数の突起部をガイドするための複数の溝がそれぞれ形成された複数の支持部と、複数の突起部を、複数の支持部の溝に向けてそれぞれ押し付ける複数のクランプ部と、を備えていても良い。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な単結晶シリコン膜をペリクル膜として有する、EUV用ペリクルを提供すること。
【解決手段】厚さが20nm〜1μmの単結晶シリコン薄膜及び該薄膜を強化する補助構造からなるペリクル膜であって、前記単結晶シリコン薄膜と補助構造とが、酸化ケイ素層によって強固に結合されていることを特徴とするペリクル膜、及び、単結晶シリコン層、酸化ケイ素層及びシリコンハンドリング基板からなり、前記単結晶層及び酸化ケイ素層の厚さがそれぞれ20nm〜1μm、前記シリコンハンドリング基板の厚さが30μｍ〜300μｍであるＳＯＩ基板の前記シリコンハンドリング基板表面に補助構造用パターンを設けた後、酸化ケイ素膜が露出するまでドライエッチングをし、次いで露出した酸化ケイ素層を除去する工程を含むことを特徴とする、前記ペリクル膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 反射させた光による悪影響を発生させることなく特定の波長の光を選択的に透過させるフィルタを提供する。
【解決手段】 第１波長を有する第１の光を反射し、前記第１波長より短い第２波長を有する第２の光を透過させるフィルタであって、第１方向に沿って間隙をおいて平行に配置された複数の板状部材を含み、前記複数の板状部材のそれぞれの端面によって形成される包絡面は平面をなし、前記平面は前記第１方向と非平行である。 （もっと読む）

【課題】簡便にＥＵＶマスクの汚染を防止することができる汚染防止装置、汚染防止方法、並びにそれを用いた露光装置、パターン付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる汚染防止装置は、波長１６６ｎｍ以下の真空紫外光を発生する光源と、光源からの真空紫外光のビームをＥＵＶ露光装置１０１内に収容されたＥＵＶマスク１０８に対して照射させる光学系（ミラー１０４ａ、１０４ｂ等）と、を備えるものである。光源としては、フッ素分子レーザを出射するレーザ発振器１１０や、アルゴンダイマー、クリプトンダイマー、あるいはフッ素分子からの自然放出増幅光を出射するＶＵＶ−ＡＳＥ発生装置２１０を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】露光特性を向上させる。
【解決手段】本発明は、所定の原子のプラズマ励起によりＥＵＶ光を生じさせる発光部(10)と、発光部から照射されたＥＵＶ光を集光させる集光部(20)と、集光部により集光したＥＵＶ光をマスクを介して基板上に照射する露光部(30)と、発光部内のＥＵＶ光の発光点の位置を検出する第１プラズマ位置モニタ(11a)と、発光部の位置を調整する発光部駆動装置(13)と、を有する露光装置を用いる。そして、プラズマ位置モニタにより検出された発光点と発光基準位置との第１ズレ量を判断し、第１ズレ量に基づいて、発光部駆動装置を駆動する。さらに、集光部により集光したＥＵＶ光の集光点の位置を検出する第１集光位置モニタ(21a)と、集光部の位置を調整する集光部駆動装置(23)と、を有する露光装置を用いる。そして、集光点と基準集光点の位置との第２ズレ量を算出し、第２ズレ量の算出結果に基づいて集光部駆動装置(23)を駆動する。 （もっと読む）

【課題】露光特性を向上させる。
【解決手段】（ａ）露光装置を準備する工程であって、（ａ１）陰極１０１および陽極１０２を有し、ＥＵＶ光を生じさせる発光部と、（ａ２）陰極１０１および陽極１０２を加熱する加熱用光源１００と、（ａ３）ＥＵＶ光をマスクを介して基板上に照射する露光部と、を有する露光装置を準備する工程を有するように半導体装置を製造する。さらに、（ｂ）加熱用光源１００により、陰極１０１および陽極１０２を加熱する工程と、（ｃ）上記（ｂ）工程の後、陰極１０１および陽極１０２間に電圧を印加し、陰極１０１と陽極１０２との間において、所定の原子をプラズマ励起させることによりＥＵＶ光を生じさせる工程と、（ｄ）ＥＵＶ光を、露光部に導き、露光部内において基板の上方に形成された感光膜を露光する工程と、を有するように半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光以外の波長を有した露光光を容易に評価する露光量評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、フォトマスクが、露光光のうちＥＵＶ光よりも長い波長を有した長波長光を反射し且つ前記ＥＵＶ光を吸収する長波長光反射膜を有している。また、フォトマスクは、前記長波長光反射膜の上層側に配置されるとともに前記ＥＵＶ光および前記長波長光を吸収する吸収膜を用いて形成されたマスクパターンを有している。そして、フォトマスクと、レジストが塗布された露光対象の基板と、をＥＵＶ露光装置内にセットする。前記フォトマスクに対し前記マスクパターン側から前記露光光を照射するとともに、前記フォトマスクで反射された露光光を前記基板に照射する。そして、前記基板に照射された露光光の露光量に基づいて、前記基板に照射された長波長光の光量分布を測定する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクへの塵の付着を抑制しつつ、フォトマスク表面に付着した有機化合物を除去可能なマスクケースを提供する。
【解決手段】内部空間にフォトマスクが収納されるケースである。前記フォトマスクに対向する底面に真空紫外光透過部（５）を有し、前記内部空間と連通したガス流入孔（７）およびガス流出孔（８）が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光量のきめ細かな監視および調整を可能にする。
【解決手段】実施形態の露光装置は、ＥＵＶ光を発光し、パターンが作成された第１の基板に照射する光源と、光学素子を有し、前記第１の基板から発せられる光束を縮小して第２の基板に照射することにより前記パターンを前記第２の基板に転写する縮小光学系と、前記ＥＵＶ光の照射により前記光学素子から発生する光電子を検出する光電子検出手段と、前記光電子検出手段の検出信号と前記光学素子表面の座標情報とから前記光学素子表面の状態分布を表す面内分布情報を作成する面内分布情報作成部と、を持つ。 （もっと読む）

【課題】より効率的な処理により、欠陥箇所にパターンが描画されにくくすることが可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、描画対象となる試料の描画領域を所定のサイズでメッシュ状に仮想分割した複数の小領域の小領域毎に、配置されるパターンの面積密度を算出する面積密度算出部６４と、試料の欠陥箇所が定義された欠陥情報を入力し、試料の配置位置を回転させて、欠陥箇所と重なる小領域の面積密度が最小となる試料の配置方向を探索する探索部６５と、探索された欠陥箇所と重なる小領域の面積密度が最小となる試料の配置方向になるように試料を配置した状態で、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】裏面導電膜からの真空紫外領域の反射光を抑制することができるＥＵＶマスクブランクス用の導電膜付基板の提供。
【解決手段】ガラス基板上に導電膜が形成された、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板であって、前記ガラス基板と前記導電膜との間に中間膜を有し、前記中間膜は、波長１９０ｎｍ〜４００ｎｍに対して、屈折率（ｎ）が１．４７から３．００の範囲で、消衰係数（ｋ）が０から１．０の範囲であり、前記中間膜および前記導電膜の合計膜厚が５０〜２００ｎｍであることを特徴とする導電膜付基板。 （もっと読む）

【課題】使用時の投影光学系の光学特性を計測することができる計測用光学部材、マスク、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】計測用光学部材２３は、計測用パターン４６が形成されるパターン形成領域４４及び該パターン形成領域４４とは異なる位置に配置される非パターン形成領域４５ａ，４５ｂ，４５ｃを有する複数の計測用パターンユニット４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃを備えている。非パターン形成領域４５ａ，４５ｂ，４５ｃは、計測用パターンユニット４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ毎に互いに異なる形成条件で形成されている。 （もっと読む）

【課題】ホイルトラップを交換するタイミングを適切に判断することが可能な光源装置を提供する。
【解決手段】プラズマによる光を発生するプラズマ生成部（１、２、３）と、プラズマ生成部で発生した光を集光する集光鏡（６）と、プラズマ生成部で発生したデブリが集光鏡に到達することを抑制するホイルトラップ（８）と、ホイルトラップと接地部との間に流れる電流を測定する電流測定部（１１）とを備える。 （もっと読む）

【課題】光学素子の表面に付着した物質を効率良く除去する。
【解決手段】照明された原版のパターンからの露光光を基板に投影して該基板を露光する露光装置は、光学素子を含み、前記露光光を前記基板に投影する投影系と、前記投影系を取り囲む容器と、前記容器の中に酸素が存在する環境で前記光学素子に紫外光を照射して前記光学素子を洗浄する洗浄機構とを備え、前記洗浄機構は、紫外光を発生する光源ユニットと、前記光源ユニットと前記光学素子との間の光路の一部を取り囲み、射出窓を有する管部材と、前記管部材の外側かつ前記容器の内側の空間における酸素分圧よりも前記管部材の内側の空間における酸素分圧が低くなるように前記管部材の内側の空間の環境を調整する調整部とを含み、前記光源ユニットが発生した紫外光を、前記管部材の中を通過させ、前記射出窓を射出させて前記光学素子に入射させる。 （もっと読む）

【課題】輸送管内壁への酸化物の付着を低減できる洗浄装置を提供する。
【解決手段】対象物１１に水素ラジカルを供給することによって前記対象物１１を洗浄する洗浄装置２７であって、加熱された触媒１に気体を供給することによって水素ラジカルを生成する生成手段と、前記生成手段から前記対象物１１への気体の供給を制限可能な制限手段と、前記制限手段により気体の供給が制限された状態で、前記触媒１の周囲の気体を前記対象物１１を介さずに排気可能な排気手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】放射ビームの反射効率を向上させることができる反射光学部材、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】射出側フライアイミラーは、射出側ミラー要素ＭＡ１，ＭＡ２，ＭＡ３を有するミラーブロック５０Ａと、射出側ミラー要素ＭＢ１を有するミラーブロック５０Ｂと、射出側ミラー要素ＭＣ１，ＭＥ１を有するミラーブロック５０Ｃ，５０Ｅと、射出側ミラー要素ＭＤ１，ＭＤ２を有するミラーブロック５０Ｄとを備えている。 （もっと読む）