【課題】本発明は、樹脂成形において、ダイパッドの変形が起こり難いアルミニウム素材のリードフレームと、軽量で製造コストの安い半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明のリードフレームは、アルミニウム素材を使用し、ダイパッド部に切欠き部を設けることにより、樹脂成形時におけるリードフレームの変形を抑制している。また、このリードフレームを使用して、製造したフルモールド型の樹脂封止型半導体装置とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ３が搭載された上面２ａ、封止体６から露出する下面、上面２ａと下面との間に位置する複数の側面２ｃ、を備えたタブ（チップ搭載部）２を有している。また、タブ２の複数の側面２ｃは、タブ２の下面に連なる部分２ｃ１と、部分２ｃ１よりも外側に位置し、タブ２の上面２ａに連なる部分２ｃ２と、部分２ｃ２よりも外側に位置し、タブ２の上面２ａに連なり、部分２ｃ１、２ｃ２と同一方向を向いた部分２ｃ３とを有している。そして、平面視において、半導体チップ３の外縁は、タブ２の部分２ｃ３と部分２ｃ２との間に位置し、かつ、半導体チップ３とタブ２を接着固定する接着材の外縁は、半導体チップ３と部分２ｃ２との間に位置する。 （もっと読む）

【課題】パッド部や電気的接合エリアの樹脂バリ等の悪影響を抑制してＬＥＤ素子用リードフレーム基板を製造する。
【解決手段】ＬＥＤ素子が搭載されるパッド部１１と、ワイヤーを介してパッド部に搭載されたＬＥＤ素子と電気的に接続される接続エリア１２とを有するフレーム部１０と、平面視においてパッド部および接続エリアを囲むリフレクター部を有し、フレーム部に取り付けられた樹脂部とを備えたＬＥＤ素子用リードフレーム基板１の製造方法は、
金属板３０にパッド部および接続エリアを形成してフレーム部を形成するエッチング工程と、エッチング工程後に、パッド部および接続エリアにメッキ層を形成するメッキ処理工程と、メッキ処理工程後に、フレーム部に対して樹脂部を成形する樹脂部形成工程と、樹脂部形成工程後に、パッド部および接続エリア上に存在する樹脂を除去する樹脂除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属板に形成した空隙部分に充填樹脂が充填されたリードフレームにおいて、金属板と充填樹脂の界面に隙間を生じ水分が浸入する問題を防ぐ。
【解決手段】充填樹脂から露出した金属板の表面に貴金属めっき層が形成され、前記充填樹脂と接する前記金属板の表面の酸化膜が前記充填樹脂の極性基と結合することで前記充填樹脂と前記金属板との密着性が高められ前記充填樹脂と前記金属板の間の隙間への水分の浸入を妨げた半導体発光装置用リードフレームを製造する。 （もっと読む）

【課題】 多ピン化への対応が可能で信頼性が高い樹脂封止型半導体装置と、このような樹脂封止型半導体装置を安定して製造するための半導体装置用回路部材とを提供する。
【解決手段】 樹脂封止型半導体装置を、外部端子面が一平面をなすように配置された複数の端子部と、各端子部の内部端子面とワイヤにて電気的に接続された半導体素子と、少なくとも各端子部の外部端子面の一部を外部に露出させるように端子部と半導体素子を封止した樹脂部材とを備え、端子部はＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕのいずれか２種以上の金属からなる多層構造とし、この多層構造の構成層のうち、内部端子面をなす構成層の周囲に突起部を有し、この突起部が樹脂部材に係合するものとした。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂充填時に封止樹脂が素子搭載部の裏面とモールド金型との間に流れ込んで薄バリが発生するのを防止して高い放熱効果を図ることが可能なパッドタイプまたは放熱板タイプの半導体装置に使用するリードフレームおよびリードフレームの製造方法ならびに半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１を載せる素子搭載部１２が封止樹脂１３の裏面から露出しているパッドタイプまたは放熱板タイプの半導体装置１０および半導体装置１０に使用するリードフレーム１８において、露出している素子搭載部１２の露出面周囲に樹脂封止時に薄バリの発生を防止する突出壁１４を設けた。 （もっと読む）

【課題】電気接続構造を有する半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイパッド１１及び複数のバンプソルダーパッド１３を得るために金属板をプレスするとともに、該バンプソルダーパッド１３の少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくし、該ダイパッド１１の少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくすることで、該ダイパッド１１及びバンプソルダーパッド１３が封止材１６内に嵌設されるようにする。また、本発明は、封止材１６が形成された後に金属板を取り除くようにしたため、バンプソルダーパッド１３の底面にオーバーフローすることをさらに回避することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドを樹脂で封止する際における樹脂の染み出しを抑制する。
【解決手段】ダイパッド２は、半導体チップ７を載せる側の平面である第１面２ａと、第２面２ｂと、羽根部５とを有し、ダイパッド２のうち羽根部５と第２面２ｂとの境界部分には、ダイパッド２の内部に向かって深くなる溝６が形成される。このとき、ダイパッド２の第２面２ｂの端部の角αは鋭角であり、また、溝６を構成する壁面６ａと壁面６ｂとのなす角βは、鋭角であり、且つ、角αより大きい。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded package)の製造歩留まりを向上させ、多ピン化を推進する。
【解決手段】半導体チップ２を封止する樹脂封止体３を成形した後、樹脂封止体３の外縁に沿ったライン（モールドライン）よりも内側（樹脂封止体３の中心側）に位置するカットラインＣに沿って樹脂封止体３の周辺部およびリードフレームＬＦ_１を共に切断することにより、樹脂封止体３の側面（切断面）に露出するリード５の全周（上面、下面および両側面）が樹脂によって覆われた状態になるので、リード５の切断面に金属バリが発生しない。 （もっと読む）

【課題】更なる高周波モールドパッケージの対応化を図ることができる半導体モールドパッケージを得る。
【解決手段】図１２は、意図的にリードフレームを短くして、ワイヤ長を伸ばしたリードフレーム形状を示す配置図である。図１２において、１はリードフレーム、３はＬＳＩ、５はＬＳＩ３とインナーリードフレームを接続するワイヤ、６はＬＳＩ３の近傍まで伸ばしたインナーリードフレーム、１０は意図的にインナーリードを短くしたインナーリードフレームである。ワイヤ５のインダクタ成分を利用したい端子とワイヤ長を少しでも短くしたい端子が入り混じっているときに用いるインナーリードフレーム１０を図１２に示す。図９のようにインナーリードフレーム８を伸ばした上で所望の端子のみインナーリードフレーム７を短くしておき、ワイヤ長を伸ばすことも可能である。 （もっと読む）

【課題】回路の誤動作を回避し高速処理に適した半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】表面に電極パッド１１ａを有する半導体チップ１１と、半導体チップ１１が搭載されるグランドパターン１２ａを有するとともに、グランドパターン１２ａと離間したリード電極１２ｂを有するリードフレーム１２と、電極パッド１１ａとリード電極１２ｂとを電気的に接続するボンディングワイヤ１５ａと、を備え、グランドパターン１２ａには、半導体チップ１１が搭載された領域よりも外周にはみ出した部分のボンディングワイヤ１５ａ側の面にて、グランドパターン１２ａに接続された導体よりなる突起部材１３が配設されており、突起部材１３の頂面には、所定膜厚の絶縁物１４が設けられており、ボンディングワイヤ１５ａは、絶縁物１４上にて絶縁物１４と直接接触して配線されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをダイパッドの上面に接合した状態で封止樹脂により封止した半導体パッケージにおいて、ダイパッドと半導体チップや封止樹脂との剥離を防止する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】ダイパッド３の下面３ｂ側に、その周縁をダイパッドの厚さ方向から押圧することで下面から窪むと共にダイパッドの側面３ｄに開口する周縁段差部１８と、その形成時における押圧に伴って側面から側方に突出する下側突起部１９とが形成され、ダイパッドの上面３ａ側に、その周縁を前記厚さ方向から押圧することで上面から窪むと共に側面に開口しない有底の周縁穴部１３と、その形成時における押圧に伴って側面から側方に突出する上側突起部１７とが形成され、上側突起部が、上面の周縁に沿って互いに間隔をあけるように複数配列されると共に、下側突起部に対して厚さ方向に間隔をあけて配された半導体パッケージ。 （もっと読む）

【課題】外部接続用４端子としての樹脂パッケージの縦・横いずれも０．８ｍｍ以下、高さ０．３ｍｍm以下の樹脂パッケージの小型化薄型化と、ダイパッド占有面積比３０％以上の半導体装置基板実装における実装効率（チップ面積／パッケージ占有面積）を上げ、高い半導体素子搭載率にして高放熱型に対応した樹脂封止型半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一方に突出する形状を、他方に外部接続用端子方向内側へ傾斜する垂直面形状を有し、アップセットされて屈曲部を有するインナーリードは、屈曲部と外部接続用端子にかけて切り欠き部が設けられ、インナーリード上面部の高さを半導体素子の上面より高く、側面部の薄肉部と底面の露出部が設けられたダイパッドの辺に対して傾斜する垂直面形状と平行にしてダイパッドの略中央部に配置されている。 （もっと読む）

【課題】接着剤のはみ出し量を抑え、樹脂の剥離を防ぐことで信頼性に優れるＡＴＣＵの構造を得る。
【解決手段】複数の電子部品２を搭載し、回路パターンを有する基板４と、外部回路と接続するための端子３と、基板４と端子３を電気的に接続するためのボンディングワイヤ７と、基板４に実装された電子部品２の熱をトランスファーモールド樹脂１の外部へ放熱するためのリードフレーム６と、リードフレーム６に基板４を固定し、リードフレーム６と基板４とを電気的に絶縁、熱的に接続するための接着剤５とを、トランスファーモールド樹脂１で一体成形したＡＴＣＵにおいて、リードフレーム６の端部に近づくに従ってリードフレーム６と基板４との距離が大きくなるように、リードフレーム６の基板４接着面に勾配６２を有し、さらに接着剤５がはみ出してリードフレーム６の裏面に拡散するのを防ぐため、リードフレーム６裏面の周辺部には溝６３を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをダイパッド上に積層しリードにワイヤボンディングした半導体チップを積層する半導体装置において、下層側半導体チップを接着する接着剤の当該半導体チップの上面へのはみ出しを防止し、ワイヤボンディングの接続信頼性を向上させる。
【解決手段】ダイパッド21に積層した上層側の第２の半導体チップ12の少なくとも一側の端部が下層側の第１の半導体チップ11よりも外方へ突出しており、第２の半導体チップ12の突出端部を支持するアップセット部24がダイパッド21に設けられており、アップセット部24以外のダイパッド21は平坦である半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】アイランドと封止樹脂１０４との密着性を向上させつつ、アイランド上面の有効面積を増大させた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子１８と、半導体素子１８が実装されるアイランド１４と、金属細線１６Ａ、１６Ｂを介して半導体素子１８と電気的に接続されたリード１２Ａ、１２Ｂと、半導体素子１８等を封止する封止樹脂２４とを主要に有し、アイランド１４の周辺部に段差部３０を設けた構成となっている。更に、段差部３０は、第１段差部３２および第２段差部３４から構成されているので、これらが封止樹脂２４と嵌合することにより、絶縁性樹脂２４とアイランド１４との密着強度が向上されている。 （もっと読む）

【課題】低雑音増幅器が他の回路部のグランド電位の影響を受け難くする。
【解決手段】絶縁性樹脂からなる封止体２と、複数のリード７と、半導体素子固定領域とワイヤ接続領域を主面に有するとタブ４と、半導体素子固定領域に固定され露出する主面に電極端子９を有する半導体素子３と、半導体素子の電極端子９とリード７を接続する導電性のワイヤ１０と、半導体素子の電極端子９とタブ４のワイヤ接続領域を接続する導電性のワイヤ１０ａとを有する半導体装置であって、半導体素子３にモノリシックに形成される回路は複数の回路部で構成され、その回路部の一部の特定回路部（低雑音増幅器）においては、半導体素子３の電極端子９のうちの全てのグランド電極端子は、タブ４にワイヤ１０を介して接続されることなく、ワイヤ１０を介してリード７に接続されるものである。 （もっと読む）

【課題】ペースト材の濡れ広がり制御の精度を向上させることにより、リードフレームと封止樹脂との接着性を向上させて、高信頼性の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイパッド２と、ダイパッド２の周囲を取り囲むように配置されたリード５とを有するリードフレーム１と、リードフレーム１のダイパッド２上に搭載された半導体チップ７と、ダイパッド２と半導体チップ７とを接着する接着剤１０と、リード５と半導体チップ７とを電気的に接続するための金属細線９と、半導体チップ７、金属細線９、および金属細線９の接合部分のリード３を覆う封止樹脂１１とを備える。ダイパッド２上面には、粗度が、ダイパッド２上面の周辺部分よりも高い粗面部１２が形成され、粗面部１２の領域と、ダイパッド２の半導体チップ７が搭載される領域とは、少なくとも一部が重なっている。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの薄型化・高密度実装化におけるより一層の進展に対応するために、半導体パッケージの生産性向上に寄与するリードフレーム用銅条を提供する。
【解決手段】本発明のリードフレーム用銅条は、半導体装置用のリードフレーム形状に成形される前の銅条であって、リードフレーム形状に成形された際に半導体素子がマウントされるダイパットとなる部位に、あらかじめ接着シートが形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性面と非活性面とを有し、包装部によって保護される半導体チップと、半導体チップを搭載する基板と、その先端部が半導体チップの活性面と電気的に連結され、その後端部が基板まで延びるリードと、リードと基板とが電気的に相互連結されるように、リード後端部の終端面と基板との間に接合される接合材と、を備えてなり、リード後端部の終端面を含む一部を、基板面に対して起立させることを特徴とする半導体パッケージ装置である。これにより、接合部の電気的連結に対する信頼性を向上させ、表面実装時にソルダの湿潤性を改善し、同一規格の半導体パッケージ装置の多層化を容易にし、装置の占めるフットプリントを減らして高密度実装を可能にし、接合材（ソルダ）形状の制御を通じてリードの接合力や接合材の所要量を最適化しうる。 （もっと読む）