【課題】半導体チップの他面がモールド樹脂より直接露出しているハーフモールド構造のモールドパッケージを、熱伝導性部材を介して放熱部材に搭載する実装構造において、半導体チップと熱伝導性部材とが直接接触して熱的に接続される放熱経路を増加して、放熱性の向上を図る。
【解決手段】半導体チップ１０の両板面１１、１２の外周端部に位置する側面１３が、モールド樹脂２０より露出しており、熱伝導性部材３は、半導体チップ１０の他面１２から側面１３まで回り込むように配置されて、当該他面１２および当該側面１３に直接接触しており、熱伝導性部材３を介して、半導体チップ１０の他面１２および側面１３と放熱部材２とが、熱的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に接合したリードフレームに生じる応力を緩和するとともに、接触抵抗の増大を抑え、かつ良好な放熱性を保つことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２にフリップチップ方式により接合したリードフレーム３Ａ，３Ｂには、スリット３１ａ〜３１ｆ，３２ａ〜３２ｆが形成されている。スリット３１ａ〜３１ｆ，３２ａ〜３２ｆは、隣り合うスリット間の間隔が、リードフレーム３Ａ，３Ｂをその長手方向に二等分する中心線から外側に向かうほど小さくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】発熱温度が相互に異なる２つの半導体チップ間の熱伝導を抑制して半導体装置の信頼性向上を図る。
【解決手段】基板の上面３ａ，５ａに電気回路を形成した複数の半導体チップ３，５と、これら複数の半導体チップ３，５を表面７ａに搭載する略板状のステージ部７と、半導体チップ３，５と電気的に接続されて電気信号を入出力する複数の外部接続端子１１とを備え、外部接続端子１１の一端１１ａとステージ部７の裏面７ｂの一部とが外方に露出するように、半導体チップ３，５、ステージ部７及び外部接続端子１１が樹脂モールド１３によって封止され、複数の半導体チップ３，５のうち一の半導体チップ３は、他の半導体チップ５よりも高い発熱温度を生じる前記電気回路を有し、ステージ部７の表面７ａに対する一の半導体チップ３の高さが、他の半導体チップ５の高さ位置よりも低くなるように形成された半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】リード線を有した半導体ダイキャリアを提供する。
【解決手段】半導体ダイキャリアは、複数の電気絶縁側壁１０２ｂと、側壁１０２ｂから延出する複数の導電性リード線１０３とを有し、リード線１０３の各々は別々に製造されるものであり、又、導電性リード線１０３がダイ１０１の周縁部まわりの１つ以上の場所に配置されるように位置付けられた半導体ダイ１０１と、半導体ダイ１０１と対応する導電性リード線１０３とを電気的に接続する手段とを有する。半導体ダイキャリアの製造方法は、導電性リード線１０３を個々に製造する工程と、電気絶縁側壁１０２ｂの少なくとも１つから複数の導電性リード線１０３を延出せしめる工程と、導電性リード線１０３がダイ１０１の周縁部まわりの１つ以上の場所に配置されるように半導体ダイ１０１を位置付ける工程と、半導体ダイ１０１を導電性リード線１０３の対応するものに電気的に接続する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

少なくとも１つの集積回路デバイス３４を格納するパッケージ４４の製造方法、及びそれによって製造されたパッケージ４４である。この方法は、１ダイ・パッド１４と、リード２０と、ダイ・パッド１４を囲み、ダイ・パッド１４とリード２０との間に配置された少なくとも１つのリング１６、１８と、少なくとも１つのリング１６、１８から外側に突出する複数のタイ・バーと、ダイ・パッド１４をリング１６、１８と電気的に相互接続してこれを機械的に支持する少なくとも１つの接続バーとを有するリードフレームを準備するステップと、２少なくとも１つの集積回路デバイス３４をダイ・パッド１４の第１の面に固着し、少なくとも１つの集積回路デバイス３４をリード２０及び少なくとも１つのリング１６、１８と電気的に相互接続する３６、３８、４０ステップと、３リングの反対側の第２の面を成形樹脂の外側に保持しつつ、少なくとも１つの集積回路デバイス３４と、ダイ・パッド１４の第１の面とリング１６、１８の第１の面とを前記成形樹脂内に封入するステップと、４ダイ・パッド１４をリング１６、１８から電気的に絶縁するため、少なくとも１つの接続バーを切断するステップと、を含んでいる。
（もっと読む）

【課題】サブチップに対する発熱部品の熱的影響を抑え、小型化を図ること。
【解決手段】半導体装置１は、互いに電気的に絶縁された制御リードフレーム２と、出力リードフレーム３〜５と、略門形の無載リードフレーム６と、各リードフレーム２〜５上に搭載され発熱部品とサブチップを含む複数の電子部品１１〜１８と、複数のリードフレーム２〜６を複数の電子部品１１〜１８と共にモールドしてなるパッケージ１９とを備える。出力リードフレーム３〜５は、発熱部品である出力チップ１３〜１８を搭載する。制御リードフレーム２は、サブチップである制御チップ１１を搭載する。無載リードフレーム６は電子部品を搭載しない。ここで、各出力リードフレーム３〜５と制御リードフレーム２との間には無載リードフレーム６が配置され、その無載リードフレーム６の両端部６ａ，６ｂがパッケージ１９の外部に露出している。 （もっと読む）

【課題】放熱性及び高周波特性を向上させ、電気的接地と放熱を分離して行うことができるモールドパッケージを得る。
【解決手段】半導体チップと、半導体チップがダイボンドされた厚膜リード電極と、厚膜リード電極よりも薄い薄膜リード電極と、半導体チップと薄膜リード電極とを電気的に接続するワイヤと、半導体チップ及びワイヤを封止するモールド材とを有し、厚膜リード電極の下面の一部は、パッケージ下面で露出して放熱電極として用いられ、薄膜リード電極の上面の一部がパッケージ上面で露出して入力・出力電極として用いられ、厚膜リード電極の上面の一部がパッケージ上面で露出して接地電極として用いられる。 （もっと読む）

半導体パッケージ用のクリップ構造が開示される。このクリップ構造は、主要部分と、主要部分から延びる少なくとも１つのペデスタルと、ダウンセット部分と、リード部分とを備える。ダウンセット部分は、リード部分と主要部分の間にある。このクリップ構造は、ＭＬＰ（マイクロリードフレーム・パッケージ）内で使用することができる。
（もっと読む）

【課題】 樹脂パッケージ型半導体装置の放熱用リード５０２の形状を変え、放熱の向上とフローハンダ付けする際のはんだブリッジの防止を提供する事にある。
【解決手段】 複数のリードとこれに併設された放熱リードを有する樹脂パッケージ型半導体装置をフローはんだ付けする際、リード端子部のはんだブリッジを防止する樹脂パッケージ型半導体装置に関するもので、複数のリードと放熱リードの間隔を広くすると共に、放熱リードの形状として長短に変えた構成。 （もっと読む）

【課題】電気的な絶縁性能、および、熱伝導性能が良好であることに加え、機械的にも強固な構造の電気絶縁部を形成して大電力に適用可能とした半導体装置、及びこれら機能を実現するような半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】回路パターン部１４の裏面にエアロゾルデポジション法により、複数のセラミクス微粒子を衝突させることにより接合されて形成された常温衝撃固化膜であるセラミクス層１４を形成する。 （もっと読む）

電子デバイス（１００）は、ヒート・シンク（１３）を含むリード・フレーム（１０）上の、エンキャプスレーション（８０）の中のチップ・オン・チップ構造である。第１のチップ（２０）と第２のチップ（３０）は第１の導電性相互接続（２４）によって互いに接続されており、第１のチップ（２０）は第２の導電性相互接続（２７）によってリード・フレーム（１０）に接続されており、第２の導電性相互接続（２７）は、第１の導電性相互接続（２４）よりも低いリフロー温度を有することが好ましい。デバイス（１００）を加熱することによって、接着剤層（２５）が収縮して応力を生じ、この応力は、第２の導電性相互接続（２７）をリフローさせることによって緩和される。
（もっと読む）

【課題】 実装基板を介して伝達されてくる熱を放熱して、モールドパッケージ内部の電子部品に加わる熱衝撃を抑える電子部品、圧電発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】 圧電発振器１０は、一端を内蔵電子部品と電気的に接続させるとともに、他端に実装端子２４が形成される実装端子形成用リード２０と、前記内蔵電子部品を封止したモールドパッケージ２２と、前記モールドパッケージ２２から露出した前記実装端子形成用リード２０に設けられ前記実装端子２４から伝わる熱の放熱手段と、を備えた構成である。 （もっと読む）

パッケージ１０は、電気的活性表面１６及び反対の裏側面１４を有する集積回路装置１２を含む。誘電体のモールド樹脂２６が、集積回路ダイ及び裏側面１４を有する複数の電気的導電性リード２０及びパッケージ１０の反対側に露出された複数の電気接点２４を、少なくとも部分的にカプセル化する。湿気の通路の遮断とパッケージの応力を緩和するために、集積回路ダイ１２の電気的不活性部分に、特徴３０が形成される。特徴３０は、ノコギリしろ４８と整列するウェハ４０の裏側５６を部分的に通る、第１の幅を有し、凹部５４から電気的活性面４２に延伸する、第１の幅未満の第２の幅を有する、筋６２を形成して、それにより集積回路装置の部材を単一化する、凹部５４を形成することにより形成される。
（もっと読む）

【課題】リードフレームを介した、作動温度が高い第１半導体素子から作動温度が低い第２半導体素子への熱伝達がより確実に防止される半導体装置を提供することである。
【解決手段】半導体装置は、作動温度が相対的に高温のパワー素子２５が搭載された第１リードフレーム２０と、第１リードフレームから離れて並置され作動温度が相対的に低温の制御素子３５が搭載された第２リードフレーム３０と、第１リードフレームの外縁２１ａと第２リードフレームの外縁３１ａとの間のすきま４０に介在された熱抵抗１５，１６と、第１半導体素子の温度を検出し検出結果を第２半導体素子に知らせる感温素子２６と、を備える。第１リードフレームから第２リードフレームへの熱伝達を熱抵抗が抑制し、感温素子で検出される第１半導体素子の温度が所定値を超えたとき第２半導体素子が第１半導体素子の動作を制限する。 （もっと読む）