【課題】樹脂モールド時に樹脂の流れの力によってボンディングワイヤが隣接するボンディングワイヤと接触したり、断線したりすることを抑制する。
【解決手段】樹脂の流れを遮る抑制壁３０を備える。例えば、第２電気配線１４に対して抑制壁３０を備えるようにする。この抑制壁３０によって樹脂の流れが遮られるため、樹脂の流れがボンディングワイヤ２２に対して垂直方向とならないようにでき、ボンディングワイヤ２２が樹脂によって流されることを抑制できる。これにより、隣接するボンディングワイヤ２２と接触したり、断線したりするという問題を発生させないようにでき、歩留まりの悪化を抑制できると共に、コストアップを防止することが可能となる。 （もっと読む）

ダイをダイ取り付けパッドにダウンボンディングするボンディングワイヤの信頼性を高める種々の半導体パッケージ配置及びパッケージング方法を説明する。１つの態様でリードフレームの上面の選択部分がワイヤボンディングを促進するためめっきされ、めっきはダイ支持面の全てではないが一部を覆う。幾つかの好ましい実施例で、ダイ取り付けパッド上のめっきはダイ支持面の非めっき中央領域を囲む周辺リングとして配され、他の実施例で、ダイ支持面の全ては覆わないバー又は他のジオメトリックパターンを採り得る。ダイ支持面の非めっき部分は粗化されダイのダイ取り付けパッドへの接着を改善しダイ取り付けパッド剥離の可能性、それに関するダウンボンディングワイヤへのリスクを低減する。例示のリードフレームは種々のパッケージに用い得、最も一般的には、ダイがダイ取り付けパッドのダイ支持面に取り付けられ、適切にボンディングワイヤによってリードフレームリードに電気的に接続される。ダイのボンドパッドの少なくとも１つがダイ取り付けパッドにダウンボンディングされた後、ダイとボンディングワイヤとリードフレームの少なくとも一部とが典型的にプラスチック封止材料で封止される一方、ダイ取り付けパッドの外部デバイスへの電気的結合を促進するためダイ取り付けパッドのコンタクト面は露出したままとする。

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【課題】樹脂封止体の成形の際のワイヤの変形や損傷が防止された半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、半導体チップが搭載されたベッド部と外周部に配置されたリード群との間に、第１のバスバーと第２のバスバーがそれぞれ配設され、第２のバスバーが配置されていない領域に、整流バスバーが配設されたフレームを有する。整流バスバーにはワイヤボンディングがなされない。整流バスバーとして、少なくとも一端がリードまたは吊りピンに連結された第３のバスバー、および／または第１のバスバーをリードが配置された外周方向に延出して成る第４のバスバーが配設される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の配置面を有するダイパッドと、その配置面に沿う一方向の一端側に配列される複数のリードとを備えたリードフレームにより、小型化を阻害せず、内部の電気配線同士の電気的な絶縁を図ることが可能な半導体装置を製造できるようにする。
【解決手段】複数のリード７がＸ軸方向に互いに間隔をあけて配列され、一のリード７Ａが、Ｙ軸方向に延びるリード本体部２１と、ダイパッド３，４側に位置するリード本体部２１の一端部からＸ軸方向に屈曲して延びるリード屈曲部２３とを備え、リード本体部２１の長手方向の中途部に、リード本体部２１の一端部を他端部に対して配置面３ａ，４ａの上方側から下方側に向かう下方向にずらす第１段差部２１ａを形成し、リード屈曲部２３に、その延出方向の先端部をリード本体部２１の一端部に対して下方向にずらす第２段差部２３ａを形成したリードフレームを提供する。 （もっと読む）

【課題】インナーリードと半導体チップとを接続するためのワイヤが他の導電部と電気的に短絡することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】インナーリード部ＩＬは、平面視において半導体チップＣＨの外周端よりも外周側に配置された先端を有する。電源バーＢＢは、平面視において半導体チップＣＨの外周端とインナーリード部ＩＬの先端との間に延在する張り出し部ＢＢＡを有する。張り出し部ＢＢＡの上面はインナーリード部ＩＬの先端の上面よりも低い位置にある。半導体チップＣＨとインナーリード部ＩＬとを電気的に接続するボンディングワイヤＷＲ１ａは、平面視において半導体チップＣＨの外周端よりも外周側に屈曲点Ｓ１を有する。 （もっと読む）

【課題】 リードの長さを変えることなく、ワイヤ流れによる金属ワイヤ同士の接触を防止することのできる半導体装置およびその半導体装置に用いられるリードフレームを提供すること。
【解決手段】 半導体チップ２と、半導体チップ２の各辺に沿って並べて配置される複数を１群とするリード４と、半導体チップ２と各リード４とに跨って接続される金属ワイヤ５と、半導体チップ２および金属ワイヤ５を封止する樹脂パッケージ６を備える半導体装置１において、リード４の各群における第１リード４１のワイヤ接続面１４の位置を、第１リード４１と隣り合う第２リード４２のワイヤ接続面１４の位置とは、半導体チップ２の厚さ方向において異なった位置にする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のインサート成形を用いた成形物にインサートされた外部接続端子と成形物内に配置された電気回路をワイヤボンディングにて電気的接合を行い、かつ絶縁性の注型樹脂で絶縁注型される構造をもつ半導体装置に関し、注型樹脂のクラック防止を行う半導体装置を提供する。
【解決手段】インサート成形を用いた成形材で構成される成形物１００にインサートされた外部接続端子１２０と、成形物１００内に配置された電気回路を有し、絶縁性の注型樹脂で絶縁注型されるインサート成形物において、外部接続端子１２０と電気回路とをワイヤ１５０を用いたワイヤボンディングにて電気的接合を行う部位であるワイヤボンディングエリアを有し、ワイヤボンディングエリアの表面位置に対して突出した突出部７１で囲まれたインサート成形物とする。 （もっと読む）

【課題】アイランドに設置された半導体素子とその周囲の端子部とをワイヤで接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる半導体装置において、モールド樹脂によるワイヤ流れを極力防止した構成を提供する。
【解決手段】半導体素子３０上に位置するモールド樹脂５０の部分の厚さｔ１と、アイランド１０の上面１１のうち半導体素子３０と端子部２０との間に位置する部位上に位置するモールド樹脂５０の部分の厚さｔ２との比ｔ２／ｔ１が、１．１５以下である。 （もっと読む）

【課題】ボンディングを行うワイヤの横方向の方向変換及びボンディングの中継を低コストで行う。
【解決手段】第１の辺ａ、第２の辺ｂ及び第３の辺を有する三角形状であって、辺ａに沿うように配置された少なくともｎ個（ｎは２以上の整数）の第１の端子２ａと、辺ｂに沿うように配置された少なくともｎ個の第２の端子２ｂと、を備え、ｎ個の前記第１の端子２ａはそれぞれ対応する前記第２の端子２ｂと接続される中継チップ。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの周囲に配列されて相互に隣り合う２つのリードをそれぞれ半導体チップの電極パッドに接続する２本のワイヤー同士の間で電気的な短絡が発生することを防止できるようにする。
【解決手段】上面に複数の電極パッド７，９を形成した半導体チップ５の周囲に、該半導体チップ５に向けて延びる細幅帯状のリード１１，１３が複数配列されると共に、前記複数の電極パッド７，９及び前記複数のリード１１，１３をそれぞれワイヤー１５，１７により電気接続して構成され、前記ワイヤー１５，１７の両端が、前記電極パッド７，９及び前記リード１１，１３の延在方向の先端部１１ａ，１３ａにそれぞれ接合され、相互に隣り合う前記リード１１，１３の先端部１１ａ，１３ａが、前記リード１１，１３の配列方向に略直交する前記リード１１，１３の厚さ方向に離間して配置されていることを特徴とする半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】
放熱板内蔵タイプの樹脂封止型半導体装置において、放熱板と放熱板上に固着される半導体素子との間に空隙が生じ、鉛フリー半田を用いるプリント基板への実装工程で、空隙に吸湿された水分の蒸気圧により、剥離が進行し、内部に膨れ、クラックが発生する問題がある。
【解決手段】
リードフレーム５０１の半導体素子搭載領域に複数個に分割したダイパッド５０２を形成しておき、半導体素子３０１を放熱板１０５との間にダイパッド５０２を介して固着することで、半導体素子３０１と放熱板１０５との間の空間を拡げ、封止樹脂３０４が流れ込むようにして、封止樹脂の充填性を向上し、高温の鉛フリー半田による実装によって、剥離やクラックの発生を防止する。 （もっと読む）

マルチチップパッケージは中心に置かれたダイパドル周りに配された周辺リードを含むリードフレームを有する。第一（上方）ダイは概ね平坦なリードフレームダイパドルの第一（上部）面に取付けられる。ダイパドル外部がより薄くリード内部がより薄くなるようリードフレームの第二（下部）面は部分エッチング等で一部切取られる。リードフレームの第二（下部）面で一部カットされた部分は空洞を形成し第二（下方）ダイはアクティブ面を上に取付けられる。下方ダイはアクティブ面の略中央に位置するボンドパッドを有し下方ダイの電気相互接続はダイパドル・リード間の隙間を通過するワイヤボンドで形成される。又は下方ダイはリードフレームの空洞のダイ取付面とフリップチップ相互接続で電気的相互接続され取付けられる。マルチパッケージモジュールは１つ以上のマルチチップリードフレームパッケージを含む。 （もっと読む）

【課題】システムＬＳＩを複数のＬＳＩチップを樹脂にて封止した半導体装置にて容易に実現する。
【解決手段】ＬＳＩチップ１０３の主表面にリード９との接続用のパッド電極１０５と内部インターフェース用のパッド電極１２５を設け、この主表面上に配置されるＬＳＩチップ１１３のパッド電極１１５とパッド電極１２５とをワイヤ１１７にて電気的に接続することで、ＬＳＩチップ１０３にはない、システムＬＳＩとしての必要な回路の一部をＬＳＩチップ１１３に搭載し、２つのＬＳＩチップにて所望のシステムＬＳＩとしての機能を実現する。 （もっと読む）