【課題】導波路内の光強度分布をより均一にすることにより、光出力を増大することができるようにする。
【解決手段】半導体発光素子１は、組成が異なる複数の半導体層を積層してなり、内部に光共振器を含む半導体積層体１００を備えている。光共振器は、光を出射する前方端面５０と、該前方端面５０よりも光の出射量が少ない後方端面６０とを有するストライプ状の導波路１１７からなり、光共振器は、光の導波方向に対して垂直な方向の光強度分布を均一化する屈折率変調構造であり、低屈折率層を含む溝部１０６ａを有している。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＮ系材料の量子井戸層を有する発光素子において、発光効率を高めることにある。
【解決手段】ＩｎＧａＮ系材料により形成された量子井戸層６の近傍に、島状に独立した金属微細構造１８を有し、前記量子井戸層６から発射される光の発光波長と、前記金属微細構造１８の表面プラズモン振動と、が概ね一致することを特徴とする発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 従来の導波路型光フィルターと比較して、小型化及び低コスト化を図ることができる導波路型光フィルターを提供するものである。
【解決手段】 導波路型光フィルターは、１×３型マルチモード干渉導波路４ａと、３×１型マルチモード干渉導波路５ａの入力ポートに一端が接続される１本の入射光導波路１ａからなる第１の光導波路群１と、１×３型マルチモード干渉導波路４ａの出力ポートに一端が接続される３本の光導波路（直線導波路２ａ、第１の曲線導波路２ｂ、第２の曲線導波路２ｃ）からなる第２の光導波路群２と、を備え、第２の光導波路群２のうち、一の光導波路の長さが、他の光導波路の長さと異なる。 （もっと読む）

【課題】分布ブラッグ反射層（ＤＢＲ層）上の活性層の一方向の端面にこの活性層に対して時計回りで略４５度の角度をもって反射鏡（ミラー）が配置された半導体発光素子を有するモニタリング機能付き光モジュールを提供する。
【解決手段】発光素子と受光素子とを有する光モジュールであって、該発光素子は、半導体基板と、基板上に形成されたＤＢＲ層、発光層、該半導体基板に対して時計回りで略４５度の角度をもって配置された反射鏡、及び発光層の端面に配置された反射膜とから成り、発光層で発生し、ＤＢＲ層を透過した光が該半導体基板の裏面から出射する。受光素子は、受光面が該発光素子の開口部と平面的に重なるように半導体基板の裏面側に配置されている。 （もっと読む）

本発明は、相互に重なって配置されている複数の層を備えた半導体積層体を有するオプトエレクトロニクス半導体チップに関する。半導体チップは、動作時に放射方向（９９）に沿って電磁放射を放出することに適している活性領域（１１）を有する活性層（４）と、放射方向（９９）に対して垂直に延在し、格子線として構成されている複数のストライプ（７０）およびそれらのストライプ（７０）間に配置されている中間空間（７９）を備えた第１の格子層（７）と、第１の格子層（７）のストライプ（７０）および中間空間（７９）を覆い、かつ、非エピタキシャル被着方法によって被着されている透明材料を有する第２の格子層（８）とを有する。格子内の屈折率差を高めるために、格子内では例えばＧａＡｓを有する領域と、例えばＩＴＯを有する領域とが交互に設けられている。
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【課題】リップルが低減され、遠視野像の形状がガウシアン形状に近い窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１１の上に形成され、共振器方向に延びるリッジストライプ部２１及び共振器方向と交差する方向の２つの共振器端面４１とを有する半導体積層体２０を備えている。半導体積層体２０は、共振器端面４１のうち、少なくともレーザ光を出射する出射端面の側において、リッジストライプ部２１の両側方の部分の一部を切り欠いて形成された劈開補助溝２２と、劈開補助溝２２における、共振器端面４１とは異なる方向に延びる壁面からなる光散乱部２３とを有している。光散乱部２３は反射層に覆われている。 （もっと読む）

【課題】 レーザ発振波長を変更可能であって、光処理素子を同一基板上に集積可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子１１は、利得導波路５７と、透過波長を変更可能な多重リング共振器１７と、多重リング共振器の透過波長の変更範囲に応じた第１の反射波長帯域を有する第１の反射手段１９と、第１の反射手段とレーザキャビティを構成しており第２の反射波長帯域を有する第２の反射手段２１と、利得導波路及び多重リング共振器が設けられる基板Ｓとを備え、利得導波路及び多重リング共振器はレーザーキャビティ内に直列に配置されて光学的に結合されており、第１の反射手段は、基板上に設けられ利得導波路及び多重リング共振器の何れか一方に光学的に結合される導波路型回折格子１９を含み、その回折格子１９はチャープトグレーティングである。 （もっと読む）

【課題】素子構造と下地基板との間に空隙を有した構造が実現された窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】窒化物半導体デバイスは、ウルツ鉱構造III族窒化物半導体であって、｛０００１｝面以外の面が表面に露出し、｛０００１｝面以外の面のいずれかに張り出す形でウルツ鉱構造III族窒化物半導体による板状構造が形成されている。ここで、板状構造は、有機金属化学気相成長方法において、ジメチルヒドラジンを窒素源に用いることによって水素を含有せずに形成されている。 （もっと読む）

【課題】非常に安定した超短パルスを発生させる自己発振レーザーダイオードを提供すること。
【解決手段】本発明の実施例に係る自己発振レーザーダイオードは、リフレクター（reflector）としての役目をするＤＦＢ（distributed feedback）領域と、前記ＤＦＢ領域に連結され、終端に切断面（as-cleaved facet）が形成された利得領域（gain sector）と、前記ＤＦＢ領域と前記利得領域との間に位置する位相調節領域と、前記ＤＦＢ領域及び前記利得領域のうち少なくとも１つの領域に外部ＲＦ信号が注入されるようにする外部ＲＦ入力部と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リア端面の破壊を抑制してサージ耐圧を改善することができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１端面１０Ｆと第２端面１０Ｒとの間にレーザ共振器１０を構成する。光が出射される第１端面１０Ｆとは反対側の、第２端面１０Ｒの側に光吸収抑制領域４０を設ける。光吸収抑制領域４０は、活性層で発生した光が第２端面１０Ｒの第２反射鏡膜３０Ｒを構成するａ−Ｓｉに吸収されるのを抑えるためのものであり、ホウ素（Ｂ），ケイ素（Ｓｉ）または亜鉛（Ｚｎ）などの不純物添加領域である。中でもホウ素（Ｂ）が好ましい。第２反射鏡膜３０Ｒを、活性層で発生した光に対して吸収のあるａ−Ｓｉにより構成した場合にも、光吸収の影響が緩和されて第２端面１０Ｒの破壊が抑制される。 （もっと読む）

【課題】半導体層に形成される保護膜が素子の特性を損なわないようにすることで優れた特性を有する半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、ｎ型層とｐ型層に挟まれた活性層を有する半導体層を備え、前記半導体層は、共振器面と、該共振器面から出射方向に突き出た突出部を有する半導体レーザ素子において、前記共振器面及び突出部の端面はエッチングにより形成されており、前記共振器面から突出部の端面まで連続して保護膜が設けられ、前記基板表面の一部が露出されており、前記保護膜は、前記基板表面に達するように形成されており、前記共振器面から出射される光が、前記突出部及び突出部に設けられる保護膜とに遮られずに放射可能な最も大きな角度を放射臨界角とし、該放射臨界角が共振器面から出射されるレーザ光の垂直方向の光放射分布の放射半角より大きい半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】 特性が調整可能な半導体光素子およびその調整方法を提供する。
【解決手段】 半導体光素子（１００）は、半導体材料よりなる光導波路（ＷＧ１１、ＷＧ１３）と、半導体以外の材料よりなる光導波路（ＷＧ１２）とを備えている。半導体以外の材料よりなる光導波路（ＷＧ１２）のクラッド部分をエッチングなどで加工することによって、光導波路（ＷＧ１２）の等価屈折率が変化し、半導体光素子（１００）の波長特性が変化する。これにより、半導体光素子の透過波長や発振波長などの特性を必要に応じて調整することができる。また、半導体光素子の特性のばらつきを、素子の作製または検査後に補正することができるので、素子の収率を改善することができる。 （もっと読む）

本発明は、面発光型の垂直発光領域（１）と、該垂直発光領域（１）の光学的ポンピングのための少なくとも１つのモノリシックに集積化されたポンプ放射源（２）とを有している光学的にポンピングされる半導体レーザー装置に関している。この半導体デバイスは、ポンプ放射が異なる照射方向を有する部分放射束の形態で垂直発光領域（１）に入射し、それによってポンプ放射が基本モードの励起に適した垂直発光領域（１）の基本モードと一部重なるように、少なくとも１つのポンプ放射源（２）が配向されて配設されていることを特徴としている。本発明は、ポンプ放射の空間的強度分布が基本モードのプロファイルにマッチしていると、垂直発光領域（１）の基本モードが有利に励起されることに基づいている。
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