【課題】光モード形状の急激な変化による光の散乱ロスを低減することの可能な半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、例えば、後に基板の切断箇所となる格子状の切断領域で囲まれた一の素子領域内において、後にリッジ部の形成箇所となる帯状のリッジ領域の両脇のうち少なくとも一方の領域であって、リッジ領域から離れた領域であり、かつ少なくとも素子領域の外縁に溝部を設けたのち、溝部を含む上面に半導体層を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤが生じにくい窒化物系の半導体レーザ素子を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ素子は、空洞部１０１ａを有する基板１０１と、基板１０１の上に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２２、活性層１２４及び第２導電型の第２クラッド層１２６を含む半導体層積層体１０２とを備えている。半導体層積層体１０２は、第１の端面１５１と第２の端面１５２との間に延びるストライプ状の光導波路を有している。空洞部１０１ａは、その壁面からその周囲に応力を及ぼし、活性層１２４における光導波路の第１の端面を含む部分におけるバンドギャップは、活性層１２４における他の部分よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高出力化に適しかつ安定したＴＭモード発振が得られる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子７０は、リッジストライプ状に形成された第２ｐ型クラッド層を含むリッジストライプ３０を備えている。リッジストライプ３０の側面には、ｎ型電流狭窄層６が形成されている。第２ｐ型クラッド層１９における第１ｐ型クラッド層１７側の面の幅であるリッジボトム幅Ｗ１が３．０μｍ以上４．５μｍ以下に形成され、第２ｐ型クラッド層１９における第１ｐ型クラッド層１７側と反対側の面の幅であるリッジトップ幅Ｗ２が２．０μｍ以上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】エッチング面積を変えずにマスク面積を小さくする、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】エッチングされる領域のマスク端からの距離は、マスク幅が１μｍ以上でほぼ一定の値を示す。このことは、マスク上のマスク端から１μｍまでの領域に存在する水素プラズマが開口部に拡散してエッチングに寄与することを示す。このとき、マスク上のマスク端から１μｍ以上の領域に存在する水素プラズマはエッチングに寄与することなくマスク上から脱離するものと考えられる。そのため、本発明の選択エッチングにおいてはマスクの幅は１μｍ以上あればエッチング領域のマスク端からの距離を十分に得られる。また、半導体素子の高密度集積における素子間隔が１０μｍ程度であることを考慮すると、マスク幅は１μｍ以上１０μｍ以下で有効である。 （もっと読む）

【課題】ストライプサイドにおける光学損傷を防ぐことができる多重横モードレーザの提供。
【解決手段】前端面１０と後端面１２を有し、多重横モードで発振して前端面１０からレーザ光１４を出射する。ｎ型半導体基板上に、ｎ型クラッド層、活性層、及びｐ型クラッド層が順次積層されている。ｐ型クラッド層上に絶縁膜２４が形成されている。絶縁膜２４はストライプ状の開口２６を有する。ｐ電極は、絶縁膜２４の開口２６を介してｐ型クラッド層に接続されている。ｎ型半導体基板の下面にｎ電極が接続されている。開口２６は、前端面１０の近傍において前端面１０に向かってストライプ幅が広くなるフレア領域２６ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】自励特性を安定させるとともにＣＯＤ光出力を向上させることができる半導体レーザを歩留まりよく生産できる構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザは、基板（ｎ−ＧａＡｓ基板１１０）と、ｎ−ＧａＡｓ基板１１０の上部に設けられた活性層１４０と、活性層１４０の上部の共振器方向に延設されたリッジ状の導波路を有するクラッド層（ｐ−第２クラッド層１７０）と、ｐ−第２クラッド層１７０の上部に設けられたキャップ層(ｐ−ＧａＡｓキャップ層１８０)と、上記リッジ状の導波路の側壁に設けられた電流ブロック層（ＡｌＩｎＰブロック層１９０、ｎ−ＧａＡｓブロック層２００）と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＰのリップルを十分に抑制することができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１４上に、半導体積層構造１６として、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１８、活性層２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３４、及びｐ型ＧａＮコンタクト層３６が順次形成されている。半導体積層構造１６の上面にストライプ状の導波路領域３８が形成されている。導波路領域３８から離間して、半導体積層構造１６の上面に凹部４０が形成されている。ｎ型電極５０がＧａＮ基板１４に電気的に接続されている。ｐ型電極４６がｐ型ＧａＮコンタクト層３６に電気的に接続されている。ｐ型電極４６上にパッド電極４８が形成されている。ＳｉＯ_２膜４４を介して凹部４０の内部に凹部内電極５２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ファブリペロー共振器を有し、その端面が、劈開面によって構成される半導体レーザにおける活性層に近接する側の電極の端縁による短絡、リークの発生を効果的に回避する。
【解決手段】第１のクラッド層１１と、活性層１２と、第２のクラッド層１３と、活性層１２に近接する位置に形成された電極２１と、を有するものとする。そして電極２１のファブリペロー共振器長方向の両端縁は、共振器長方向の両端面を形成する半導体端面より、内側に入り込んだ位置に形成され、さらに電極２１は、活性層１２から１μｍ〜２μｍの位置に形成されている半導体レーザとする。 （もっと読む）

【課題】 ＥＳＤ耐性の向上が図られた半導体レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ本体の端面上に、７００〜２０００ＭＰａの圧縮応力を内包する反射膜を、ＥＣＲスパッタ法により形成する成膜工程を有することを特徴とする。発明者らは、半導体レーザ本体に形成する反射膜に高い圧縮応力が働いたときに、端面における光吸収が減少し、その結果ＥＳＤ耐性が向上することを見出した。したがって、本発明に係る半導体レーザ製造方法における成膜工程によれば、ＥＳＤ耐性の高い半導体レーザを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高出力動作が可能で信頼性の高い半導体発光素子を再現性よく得る。
【解決手段】端面発光型の半導体発光素子を、基板１と、該基板１上に積層された第一導電型クラッド層２と、第一導電型クラッド層２の上に積層された活性層５を含む活性領域層15と、光出射端面近傍領域の少なくとも活性領域層15の光出射部領域上の厚みが、他の領域の厚みと比較して薄くなるように、活性領域層15の上に積層された第二導電型クラッド層７と、第二導電型クラッド層７の上、または第二導電型クラッド層７および第二導電型クラッド層７が積層されていない活性層域層の上に積層された、第二導電型クラッド層７の屈折率よりも高い屈折率を有する第二導電型再成長層９とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤレベルを高めつつ、応力歪が低減された半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層と、前記活性層の上に設けられたクラッド層と、前記クラッド層の上に設けられたコンタクト層と、を含み、前記活性層から放射される光の共振器を形成する第１及び第２の端面を有する積層体と、前記コンタクト層の上に設けられ、前記活性層に電流を注入するオーミック部と、前記オーミック部の一方の端部と前記第１の端面との間に設けられた第１の電流調整部と、を含む電極と、を備え、前記オーミック部は、前記電流調整部を構成するいずれの金属の仕事関数よりも小さい仕事関数を有する金属を含むことを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】端面での光強度密度を低減でき、端面の劣化を抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に設けられた第１導電型の第１クラッド層１４と、第１クラッド層１４上に設けられた活性層１８と、活性層１８上に設けられ、一方向に延伸するリッジ３２を有する第２導電型の第２クラッド層２６と、リッジ３２の延伸方向に沿ってリッジ３２を挟んで第２クラッド層２６上に設けられた一対の第１電流ブロック層４と、活性層１８の発光ピーク波長において第１電流ブロック層４より大きな屈折率を有し、第２クラッド層２６の上で第１電流ブロック層４に接し、リッジの一方の端部を含む領域を挟んで対向する一対の第２電流ブロック層６とを備える。 （もっと読む）

【課題】面取り構造という簡単な構造で、誘導放出によって増幅される光の閉じ込め効率を向上し、出射されるレーザ光の広がり幅を小さく制限すると共に、レーザ発光分布の広がりを防止する。
【解決手段】基板１１の表面上にハイメサ導波路構造１３が形成された半導体レーザ素子１０において、ハイメサ導波路構造１３における活性層１４内で誘導放出によって増幅される光を閉じ込めるために互いに対向して設けられる反射端面１３ｓ１・１３ｓ２のうち、少なくとも一方側の反射端面１３ｓ１のｙ方向の両端に、面取り構造１３ｓｂ・１３ｓｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】逆方向ＥＳＤ耐圧を向上可能な構造を有する半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１１において、半導体メサ１３は、第１の部分１３ａおよび第２の部分１３ｂを含む。第１のｐ型埋込層１５は、第１の部分１３ａの側面１３ｃ上に設けられ、第１のｎ型埋込層１７は、第１のｐ型埋込層１５上に設けられ、第２のｐ型埋込層１９は第２の部分１３ｂの側面１３ｄ上に設けられ、第２のｎ型埋込層２１は、第２のｐ型埋込層１９上に設けられる。第１の部分１３ａは当該半導体光素子１１の端面１１ｃを有し、第２の部分１３ｂは第１の部分１３ａに隣接している。活性層２３は、例えば量子井戸構造を有している。第１および第２の部分１３ａ、１３ｂの各々は、活性層２３、ｎ型クラッド領域２５およびｐ型クラッド領域２７を含む。第１のｐ型埋込層１５のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１は第２のｐ型埋込層１９のｐ型ドーパントの濃度Ｎ_Ｐ２より低い。 （もっと読む）

【課題】従来の電界吸収型光変調素子における低反射窓構造では，寄生容量の増加と，パイルアップのトレードオフが問題であった。これは，窓構造におけるｐｎ接合の容量密度が，光吸収領域となるｐｉｎ接合に比べて大きいこと，また，電極構造を光吸収領域と窓構造の接合部より遠ざけた場合，光吸収領域への電界印加が不充分となり，光吸収領域において発生したフォトキャリヤの排出が困難になるためである。
【解決手段】光吸収領域と低光反射窓構造との間に，その導波路構造を構成する各多層の組成波長が信号光より十分短く，かつ平均的な屈折率が光吸収領域と同程度の組成波長・膜厚構造からなるアンドープの導波路構造を設ける。電極構造を，光吸収領域とアンドープ導波路の接合界面は横断し，かつ，アンドープ導波路と窓構造の接合界面には架からないように形成すれば，窓構造のｐｎ接合による寄生容量の増加と，パイルアップの両者を同時に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ＬＤ特性に大きな影響を与えずに効果的な窓構造を実現する必要がある。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子は、Ｉｎを含有するIII族窒化物半導体からなる活性層を有する半導体レーザ素子である。当該半導体レーザ素子の光出射端面を含む、上記活性層の第１の部分は、当該活性層の上記第１の部分以外の部分である第２の部分に対して傾斜している。上記第１の部分の（０００１）面に対する傾斜角度をα度、上記第２の部分の（０００１）面に対する傾斜角度をβ度としたとき、α>β、かつα>０．３である （もっと読む）

【課題】活性層が受けるダメージを低減すると共に活性層に含まれるＡｌの酸化を防止できる半導体発光素子の製造方法、及び活性層に含まれるＡｌの酸化が防止された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】まず、III−Ｖ族化合物半導体基板１２上にIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａを形成する。次に、III−Ｖ族化合物半導体層１６ａ上にエッチングマスクＭを形成する。次に、エッチングマスクＭを用いてIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａをドライエッチングすることによって、複数の周期的な凹部４４を有する第１の回折格子領域Ｇ１を形成する。次に、エッチングマスクＭを用いて、ＡｌＧａＩｎＡｓを含む活性層１８を凹部４４内に埋め込む。次に、活性層１８上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる酸化防止層２３を形成する。このようにして、分布帰還型の半導体発光素子１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】比較的抵抗が高い窒化物半導体層における共振器端面近傍への電流の注入を抑えることにより、端面近傍での抵抗による発熱を防止し、端面の特性及び寿命を向上させ、素子自体の高寿命化を図ることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法及びレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１窒化物半導体層、活性層及び第２窒化物半導体層がこの順に積層された窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された互いに対向する共振器端面とを有してなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記共振器端面における少なくとも光の出力領域は不純物を含有しており、該光の出力領域は、前記活性層における他の領域よりもバンドギャップが広いか、前記活性層における他の領域よりも不純物濃度が高い窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】分離領域で発生するフォトキャリアの長手軸方向分布が光変調器領域に印加される逆方向バイアス電圧に応じて変化することで生じる前述した波長チャーピングの問題が、別途回路素子部品を新たに用いるなどの特別に煩雑なプロセスを伴うことなく効果的に改善され、光変調器集積光源の伝送特性が改善されるようにする。
【解決手段】分離領域１１０のレーザ領域（発光領域）１０７の側における上部クラッド層１０６には、例えばイオン注入技術を用いて部分的に上部クラッド層１０６の実効的な導電率を下げた（実効的な抵抗率を上げた）高抵抗領域１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】レーザ特性と信頼性、コスト性に優れた少なくともＧａＮ系青紫色レーザとＡｌＧａＩｎＰ系赤色レーザを集積した集積型半導体レーザを提供する。
【解決手段】赤色半導体レーザの導波路にマルチモード干渉型導波路を採用し、ＧａＮ系青紫色レーザをヒートシンクとしてその上に該赤色半導体レーザを集積した。その結果、より短い共振器長でも導波路面積を十分確保でき、従来と同等かそれ以上の高出力特性のを集積型半導体レーザを実現できる。 （もっと読む）