【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成した少なくとも２種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器７と、反射器７の上に形成した下部クラッド層３と上部クラッド層４に挟持された光導波路２と、光導波路２の少なくとも一方の端面に基板１面に対して４５°の角度をもって配置された反射鏡５と、反射鏡５に対向した位置の基板１の裏面に形成した反射防止膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】上部クラッド層とｐ型半導体層との接触抵抗を低減しつつ、上部クラッド層の形成時間の短縮を図ることができる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備え、ｐ型半導体クラッド層を有しない窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。透明電極５は、酸化インジウム系の材料からなる第１導電性膜２１と、第１導電性膜２１上に形成され、酸化亜鉛系、酸化ガリウム系または酸化錫系の材料からなる第２導電性膜２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の空孔生成領域、および、第１の空孔生成領域より水素との親和性が高い空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、密度の異なる２種類の誘電体膜を半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、アニール処理により、空孔を第１の空孔生成領域に生成させ、且つ、半導体層に拡散させて、半導体層の領域を混晶化して第１領域を形成し、半導体層の領域に第１領域よりも混晶度の小さい第２領域を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】高光密度側端面近傍において電流集中を緩和し、また、放熱を悪くすることなく、さらに、閾値電流付近に過飽和吸収による光出力の飛びがなく、高出力・高信頼を有する半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】半導体基板１０９と、バッファー層１０６，１０７と、第１のＳＣＨ層１０２と、活性層１０１と、第２のＳＣＨ層１０３と、第２のクラッド層１０５と、キャップ層１０８と、電極１１３とを備え、第２のクラッド層１０５およびキャップ層１０８がリッジに形成され、キャップ層１０８のリッジ頂上以外における電極１１３との間に絶縁膜１１０が挿入され、光密度の高い側端面近傍のバッファー層１０７がこれ以外のバッファー層１０６と比べ抵抗率が高くなるようにした。 （もっと読む）

【課題】過酷な条件下で駆動させた場合であってもＣＯＤ発生を抑制し高い信頼性を有する半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子１は、III族空孔の拡散によって形成された混晶化部分を含む窓領域２３と、量子井戸構造の活性層１５を有する非窓領域２４とを備え、所定の原子を吸収しIII族空孔の拡散を促進する促進膜を窓領域２３上に設けて混晶化部分を形成する半導体レーザ素子において、活性層１５の近傍側の層にＶ族サイトを占める不純物がドーピングされたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性特性と光学特性とを満足することができる窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置１００は、基板上に形成された第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成された活性層と、活性層上に形成され、リッジ部及び平坦部を有する第２の半導体層と、リッジ部の上に形成された第１電極と、リッジ部の側壁部から平坦部にかけて延在するように形成された誘電体膜とを有する。さらに、フロント端面１００ａから当該フロント端面１００ａとリア端面１００ｂとの間の所定の位置までの領域を領域Ａとし、当該所定の位置からリア端面１００ｂまでの領域を領域Ｂとしたときに、領域Ａにおける誘電体膜から露出する部分のリッジ部の厚みＨ_Aは、領域Ｂにおける誘電体膜から露出する部分のリッジ部の厚みＨ_Bより厚く、少なくとも領域Ａにおいて第１電極はリッジ部に接している。 （もっと読む）

【課題】より一層高い光出力を達成し得る、ＧａＮ系化合物半導体から成る半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】半導体光増幅器２００は、（ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、第３化合物半導体層、第２化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、（ｂ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極２６２、並びに、（ｃ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極を備え、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、光出射端面２０３におけるリッジストライプ構造の幅をＷ_out、光入射端面２０１におけるリッジストライプ構造の幅をＷ_inとしたとき、Ｗ_out＞Ｗ_inを満足し、半導体光増幅器の軸線ＡＸ₁に沿って光出射端面２０１から積層構造体の内側の領域には、キャリア非注入領域２０５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】自励発振に関わる特性と、通常の半導体レーザとしての特性との両立した窒化物半導体レーザ素子を提供する。
を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層と活性層とｐ型窒化物半導体層とｎ側電極とリッジストライプを有する共振器とを含む窒化物半導体レーザ素子であって、リッジストライプは、共振器の長手方向に並列する、第１のリッジストライプと第２のリッジストライプとからなり、第１のリッジストライプ上に形成された第１のｐ側電極と第２のリッジストライプ上に形成された第２のｐ側電極とを有し、第１のｐ側電極と第２のｐ側電極とは、互いに電気的に分離されており、第２のｐ側電極は、該第２のリッジストライプの側面に露出したｐ型窒化物半導体層に接することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤ破壊を抑制した信頼性の高い半導体レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１００は、半導体基板１０１と、半導体基板上に形成され、窒化物半導体層を含む共振器１０２と、を備える。共振器の端面の下端１０２ａは、半導体基板と接しないように切欠領域１０１ａを有する。この切欠領域によって、共振器の端面近傍の領域に掛かる歪を、端面近傍の領域間の領域に掛かる歪より小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】レンズ系を介して高強度のレーザ光を出力できる半導体レーザおよび半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】屈折率導波構造を有する導波路の出力端面側から出力したレーザ光を、レンズ系を介して出力する半導体レーザであって、前記導波路は、前記出力端面とは反対側の後端面側から順次、等幅に形成された第１狭幅部と、前記第１狭幅部よりも幅広の広幅部と、前記広幅部よりも幅狭の第２狭幅部と、前記第１狭幅部と前記広幅部との間に形成された、前記広幅部に向かって拡幅する第１テーパ部と、前記広幅部と前記第２狭幅部との間に形成された、前記第２狭幅部に向かって縮幅する第２テーパ部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光通信システムにおいて光サーキュレータを用いずに入出力の光信号を分離することができる、小型かつ低コストの半導体光増幅器およびそれを用いた光モジュールを提供する。
【解決手段】入射された光を導波するとともに増幅する光導波路１２を備えた反射型の半導体光増幅器であって、光導波路１２は、前方端面２６ａ側から後方端面２６ｂ側に向かって形成され、前方端面２６ａ側から光が入射される入力導波路１２０と、後方端面２６ｂ側から前方端面２６ａ側に向かって形成され、前方端面２６ａ側から光が出射される出力導波路１２１と、からなり、入力導波路１２０と出力導波路１２１が後方端面２６ｂ近傍で所定の角度θをなして連続的に結合しており、入力導波路１２０を導波された光が、後方端面２６ｂで反射されて出力導波路１２１を導波される構成を有している。 （もっと読む）

【課題】端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失を抑えることができ、表面準位の存在によるレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができ、製造歩留まりが高く、遠視野像の形状も良好な、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板１１の少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍に溝１６を形成する。溝１６の幅、形状、位置などは設計により決める。この溝１６が形成されたｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させることにより、端面窓構造を有するＧａＮ系半導体レーザを製造する。溝１６の上の部分に形成された凹部は絶縁物で埋めるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを不純物の制御性良く実現した半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子は、半導体基板１１上に形成されたｎ−クラッド層１３、活性層１５、ｐ−クラッド層１７、ｐ−コンタクト層１８、上部電極２０および電流狭窄層１７ａを備えた端面発光型の半導体レーザ素子であって、少なくともレーザ光の出射側端面近傍に非窓領域よりも大きいバンドギャップを持つ窓領域２３を有し、ｐ−コンタクト層１８の窓領域２３のｐ型不純物濃度が、ｐ−コンタクト層１８の非窓領域２４のｐ型不純物濃度よりも２×１０^１７ｃｍ^−３以上低く、電流狭窄層１７ａは、該電流狭窄層１７ａの上下に形成される層の格子定数よりも大きな格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な動作特性を有するモノリシック型２波長半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に７８０ｎｍ帯波長レーザ１２と６５０ｎｍ帯波長レーザ１４が形成されている。７８０ｎｍ帯波長レーザ１２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２８はＥＳＬ層２６までエッチングされてリッジ導波路３２が形成されている。６５０ｎｍ帯波長レーザ１４のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０は途中までエッチングされてリッジ導波路４４が形成されている。少なくとも６５０ｎｍ帯波長レーザ１４の出射端面側に窓領域が形成されている。ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０のＡｌ組成比は、活性層３８のバリア層及びガイド層の構成材料であるＡｌＧａＩｎＰのＡｌ組成比よりも高い。ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０の屈折率は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層３６の屈折率より高い。 （もっと読む）

【課題】端面電流非注入構造を容易に形成することができ、しかもリッジストライプに電極を低接触抵抗で良好にオーミック接触させることができる半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体層１２を所定形状のマスク部１４ａを有するマスク層１４を用いてエッチングしてリッジストライプ１５を形成する。全面にレジスト１７、１８を形成し、この際、レジスト１７、１８の厚さがマスク部１４ａのうちのリッジストライプ１５の電流注入領域に対応する部分の上で最も小さくなるようにする。レジスト１８、１７をマスク部１４ａが露出するまでエッチバックした後、露出したマスク部１４ａをエッチング除去してリッジストライプ１５の上面を露出させる。全面に金属膜を形成してリッジストライプ１５上に電極２０を形成した後、レジスト１７、１８をその上に形成された金属膜１９とともに除去する。 （もっと読む）

【課題】ストライブ幅と平行方向の不要な共振を抑制することで、光強度ピークを抑制できる構造の半導体レーザを提供する。
【解決手段】電流ブロック層８に形成したコンタクトホール８ａをレーザ光の出力方向に対して平行に複数に分割したストライプ状に並べた開口パターンとする。これにより、コンタクトホール８ａを一つのライン状とした場合と比較して利得分布が変わる。すなわち、利得分布をストライプ幅方向において部分的に低下させることができる。このため、ストライプ幅方向の不要な共振が無くなり、かつ、それによって注入電流分布も均一にすることができる。したがって、ストライブ幅と平行方向の不要な共振を抑制でき、光強度ピークを抑制できる構造の半導体レーザとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高周波重畳の印加効率の向上と高い耐端面破壊性とを両立することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ側電極２１に、一対の共振器端面１０Ｆ，１０Ｒおよびその近傍に広領域２２を設けることにより、共振器端面１０Ｆ，１０Ｒ付近で発生した熱を広領域２２を介して放熱させる。また、一対の共振器端面１０Ｆ，１０Ｒの間の広領域２２以外の部分には、広領域２２よりも幅ＷＢの狭い帯状の狭領域２３を形成する。これにより、共振器端面１０Ｆ，１０Ｒ付近以外のｐ側電極２１の面積が小さくなり、キャパシタンスが低減される。一対の共振器端面１０Ｆ，１０Ｒの中間の位置には、ワイヤボンディングのためのボンディングパッド２４を設ける。 （もっと読む）

【課題】端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失やレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができる、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】低欠陥密度の第１の領域１１ａ中に高欠陥密度の直線状に延在する複数の第２の領域１１ｂが互いに平行に周期的に配列したｎ型ＧａＮ基板１１上の、少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍でかつ二つの第２の領域１１ｂ間の第１の領域１１ａの中心線に関して線対称な二つのレーザストライプ形成位置１６の一方の側または両側に、絶縁膜マスク１６を形成する。絶縁膜マスク１６の幅、間隔、形状、位置などは設計により決める。この絶縁膜マスク１６で覆われていない部分のｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、光導波路の終端部での端面残留反射に起因した内部反射を低減可能な光機能デバイスを提供することにある。
【解決手段】本発明に係る半導体光機能デバイスは、基板端面を有する半導体基板と；前記半導体基板上に形成された光導波路と；前記半導体基板上において、少なくとも前記光導波路と前記基板端面との間に形成された非導波領域と；前記光導波路の周囲に形成され、前記基板端面側に前記非導波領域と接する半導体界面を有する絶縁領域とを備える。そして、前記半導体界面が前記基板端面に対して平行ではなく、所定の角度をもって形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を抑制しながら高温、高出力動作を実現可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置における共振器は、半導体基板と、半導体基板上に形成されたｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層と、ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層に挟持される活性層とを含み、共振器の軸方向に延びるリッジが共振器の上面に形成され、リッジは、出射側端部１と、非出射側端部５と、出射側端部１から非出射側端部５に向けてリッジの幅をテーパ状に減少させるテーパ部２と、非出射側端部５に対して出射側端部１側に設けられ、リッジの幅を段差状に変化させるステップ部４とを含む。 （もっと読む）