【課題】 発光素子部及び光変調素子部の特性を確保すると共に信頼性の低下を抑制可能な半導体集積素子を提供する。
【解決手段】
半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４とを備えている。半導体レーザ素子部２の第１の導波路２２としてリッジ導波路を採用すると共に、半導体光変調素子部４の第３の導波路４２としてハイメサ導波路を採用しているので、各素子部２，４の特性を確保できる。半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４との間に半導体導波部３をさらに備えている。半導体導波部３のコア層３０４は、半導体光変調素子部４のコア層４０４と一体に形成されており、半導体レーザ素子部２の活性層２０４にバットジョイント接合されている。このため、その接合部における反射光が半導体レーザ素子部２に戻ることに起因して信頼性が低下することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉあるいはＧａＰ技術をベースとする集積回路にモノリシックに集積化される、新しいＩＩＩ／Ｖ半導体を用いた、発光ダイオードおよびレーザダイオードの半導体構造及び製造方法、あるいはまた、モジュレータ構造および検出器構造への使用法を提供する。
【解決手段】ドープされたＳｉあるいはドープされたＧａＰをベースとするキャリア層Ａ、およびそこに配設されたＩＩＩ／Ｖ半導体Ｄを備え、組成Ｇａ_ｘＩｎ_ｙＮ_ａＡｓ_ｂＰ_ｃＳｂ_ｄを有するモノリシック集積回路構造であって、ここで、ｘ＝７０−１００モル−％、ｙ＝０−３０モル−％、ａ＝０．５−１５モル−％、ｂ＝６７．５−９９．５モル−％、ｃ＝０−３２．０モル−％およびｄ＝０−１５モル−％、ｘとｙの合計は、常に１００モル−％であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄの合計は、常に１００モル−％であり、そして、一方のｘとｙの合計と他方のａないしｄの合計の比率は、実質的に１：１である。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であると共に、出力波長が大きく変動するような状態であっても所望の出力波長を維持することが可能な波長固定レーザ及びその制御方法を提供する。
【解決手段】波長固定レーザ１Ａは、波長可変レーザダイオード３と、波長モニタ５とを備える。波長モニタ５は、第１リングフィルタ５１Ｆと、第２リングフィルタ５２Ｆとを有する。所定の波長領域において、第１リングフィルタ５１Ｆの周期的光透過特性はＮ周期変化し、第２リングフィルタ５２Ｆの周期的光透過特性はＮ−０．５周期以上、Ｎ周期未満変化する。第１リングフィルタ５１Ｆと第２リングフィルタ５２Ｆの透過率は、一のグリッド波長において他のグリッド波長における組み合わせとことなる固有の一の組み合わせを示す。 （もっと読む）

【課題】 ＲＦ特性の劣化を抑制する光通信装置を提供する。
【解決手段】 光通信装置１００は、ＬＤチップ１１と、ＬＤチップ１１に信号を入力するための入力端子７２と、ＬＤチップ１１を搭載する第１プレート６１の外側に電極ポスト６５，６６が配置されたＴＥＣ６０と、光出力側の側壁７３および、これに対向し入力端子７２が設けられる側の側壁７１を有するパッケージ７０とを備え、ＴＥＣ６０は、電極ポスト６５，６６が、第１プレート６１と、入力端子７２が設けられる側の側壁７１との間の間隙部７８に位置する関係でパッケージ７０内に配置され、間隙部７８の電極ポスト６５，６６を除く位置には、入力端子７２とＬＤチップ１１との間を電気的に接続する配線８３が設けられた配線基板８０を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ（ストライプ状の活性層）が高密度に配置された半導体レーザを提供すること。
【解決手段】互いに離間してストライプ状に設けられた、複数の活性層１０と、活性層１０のそれぞれに対応して、活性層１０の上側に設けられた複数の電極１２と、半導体からなり、活性層１０の間の領域にそれぞれに設けられ、電極１２よりも高い位置にその上面が位置する支持部４０と、複数の電極１２のうち１つと電気的に接続されるとともに、複数の支持部４０によって支えられて、当該複数の支持部４０の間に位置する電極１２と離間した構造を備える配線１６と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】光注入同期の維持能力を従来と同等に保ちつつ、構成を簡易にする。
【解決手段】光利得領域３、光変調領域２、及び受動導波路領域４を備えたコア３０並びにクラッド５及び６を有する光導波路４０を含み、光注入同期を発現可能な連続波光ＣＷが注入されて、この連続波光に波長が等しい縦モードを含む光パルス列Ｌ_Ｂを出力するモード同期半導体レーザ素子１と、光パルス列に含まれる第１及び第２光成分Ｌ１及びＬ２を、その強度比が光パルス列の全光強度に対する主縦モードの比率を反映するように分離する分離手段６０と、第２光成分の光強度を用いた制御指標により、光注入同期を維持可能な波長に主縦モードを制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成した少なくとも２種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器７と、反射器７の上に形成した下部クラッド層３と上部クラッド層４に挟持された光導波路２と、光導波路２の少なくとも一方の端面に基板１面に対して４５°の角度をもって配置された反射鏡５と、反射鏡５に対向した位置の基板１の裏面に形成した反射防止膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント再成長工程において変調器層を再成長させることによる、選択成長マスク近傍の波長ずれを低減する。
【解決手段】バットジョイント再成長工程において変調器層を再成長させるとき、成長圧力条件を５０Ｔｏｒｒ以下にすることで、組成ずれや膜厚ずれを抑えられ、その結果波長ずれを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電極下に低誘電率の有機材料が挿入された構造であるにも関わらず、外力に対する破壊強度の低下を抑制して製造歩留まりを高めることができる半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】光を出力する半導体レーザ部１０ａと、半導体レーザ部１０ａの出力側に設けられ、前記光を変調する光変調部１０ｂとからなる素子本体１０を、同一基板上に備え、光変調部１０ｂは、前記光が導波する光導波層と、前記光導波層に隣接して設けられ、低誘電率の有機材料から成る埋め込み層１２，１３と、埋め込み層１２，１３の表面に設けられた第一の絶縁膜１４と、第一の絶縁膜１４の上に設けられ、前記光導波層へ電気信号を給電する上部電極１６とを具備する半導体レーザであって、第一の絶縁膜１４の上面および上部電極１６の上面に第二の絶縁膜１７を設けた。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント構造を構成する第１及び第２の半導体積層部上に成長する半導体層に生じる結晶欠陥を低減する。
【解決手段】エッチングマスク３０を用いて第１の半導体積層部２０にエッチングを施す工程と、Ａｌを含む光吸収層４２、及び光吸収層４２上に設けられるＩｎＰクラッド層４４を有する第２の半導体積層部４０を、エッチングマスク３０を用いて選択的に成長させる第１の再成長工程と、エッチングマスク３０を除去するマスク除去工程と、第１及び第２の半導体積層部２０，４０上に第３の半導体積層部を成長させる第２の再成長工程とを行う。第１の再成長工程において、ＩｎＰに対してエッチング選択性を有するＩｎＰ系化合物半導体を含むキャップ層４６を第２の半導体積層部４０上に更に成長させる。マスク除去工程の前に、エッチングマスク３０上に生じたＩｎＰ系堆積物Ｄｅを除去する。 （もっと読む）

【課題】光ファイバ通信で必要なチャンネル間隔（２５ＧＨｚ間隔，５０ＧＨｚ間隔等）の光周波数コムを発生させ、且つ、変調器を１種類にして変調信号の位相調整を不要とすることなどが可能な半導体光変調器及び光周波数コム発生光源を提供する。
【解決手段】例えば、半導体光変調器１００は、入力光１０１を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器１０２と、この半導体位相変調器１０２によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器１０３とを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。また、光周波数コム発生光源は、入力光を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器と、この半導体位相変調器によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器と、前記入力光を前記半導体位相変調器へ出力する波長可変半導体レーザとを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。 （もっと読む）

【課題】高さが互いに異なる２つのボンディングパッドを備える半導体光集積素子の端面に膜を形成する際に、半導体光集積素子を安定して固定し、且つボンディングパッド上への膜材料の回り込みを低減する。
【解決手段】ボンディングパッド４２の高さＨ_１がボンディングパッド６２の高さＨ_２より低い半導体光集積素子１０の製造方法であって、複数の半導体光集積素子１０が形成されたウエハを切断することにより、棒状の複数の半導体光集積素子アレイ７０を形成する工程と、複数の半導体光集積素子アレイ７０と複数のスペーサー８０とをウエハの厚さ方向に交互に積層して固定する工程と、半導体光集積素子アレイ７０の両端面上に反射膜４４及び６４を形成する工程とを備える。複数のスペーサー８０の可動部８１は、ボンディングパッド４２に向けて突出しており、且つ突出方向に沿って変位可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】２つの変調器集積レーザを集積したレーザアレイにおいて、変調器間で発生する高周波信号のクロストークを軽減する。
【解決手段】ワイヤ（２１）は、一端がＥＡ変調部（１０ａ）の電極（１６ａ）に接続され他端が高周波信号ライン（１７ａ）に接続され、ワイヤ（２２）は、一端がＥＡ変調部（１０ｂ）の電極（１６ｂ）に接続され他端が高周波信号ライン（１７ｂ）に接続されている。ここにおいて、ワイヤ（２１）とワイヤ（２２）とは、ワイヤ（２１）の上記一端の位置（Ｐ３）とワイヤ（２１）の上記他端の位置（Ｐ４）とを通る直線（Ｌ１）が、ワイヤ（２２）の上記一端の位置（Ｑ３）とワイヤ（２２）の上記他端の位置（Ｑ４）とを通る直線（Ｌ２）と交差するように、設置されている。 （もっと読む）

【課題】パッシブ素子の特性の設計値からの低下を抑制することができる光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性コア層を含む半導体積層構造で形成された、アクティブ素子を形成するためのアクティブ領域と、パッシブコア層を含む半導体積層構造で形成された、パッシブ素子を形成するためのパッシブ領域とを形成し、アクティブ領域とパッシブ領域とに被覆部と開口部とを有する第１エッチングマスクを形成し、アクティブ領域およびパッシブ領域において開口部からドライエッチングを行い、アクティブ領域にアクティブ素子のアクティブメサ構造を形成するとともにパッシブ領域にパッシブ素子のパッシブメサ構造を形成し、パッシブ領域に第２エッチングマスクを形成し、パッシブメサ構造を第２エッチングマスクにて保護しながらアクティブメサ構造をウェットエッチングする、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】電界吸収型変調器と半導体レーザを同一基板上に集積した半導体光素子用いて、同等の変調・伝送特性を維持できる、小型で高歩留・低コストな、波長可変光送信器を提供する。
【解決手段】一つの電界吸収型変調器集積レーザを搭載し、温度調整によって発振波長を可変にするＤＷＤＭ用波長可変レーザモジュールを使用する。温度調整範囲において、ほぼ同等の変調・伝送特性を有するようにレーザおよび変調器の駆動条件を決定する。このような電界吸収型変調器集積レーザを用い、駆動条件を内蔵することで、小型低コストな波長可変光送信器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】量子井戸の位置による電界強度差を小さくすることができる光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子は、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３と、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２およびｎ−ＩｎＰクラッド層の間に挟まれ、かつ交互に積層された複数のウェル層１および複数のバリア層２を有する多重量子井戸４０とを備えている。複数のバリア層２は、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３に含まれる第２導電型のドーパントが導入された第２導電型バリア層２ａを含んでいる。第２導電型バリア層２ａは、多重量子井戸４０においてｐ−ＩｎＰクラッド層２２に含まれる第１導電型のドーパントが拡散した範囲に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 光モジュールにおける高速変調動作の信頼性を高め、送信器（送受信器）に組み込まれた際のビット誤り率を低減する。
【解決手段】 出力光を表面出射するテーパーミラーと、光変調素子と、光変調用駆動回路とを備え、前記光変調素子と前記光変調用駆動回路とでテーパーミラーを挟み込むように配置する。 （もっと読む）

【課題】変調器集積型半導体レーザを用いた半導体レーザ装置に関し、従来に比べて低消費電力及び低コストで高速変調可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４を、変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続し、温度依存終端抵抗４を介して変調器部３ｂへ変調信号を入力する構成とする。 （もっと読む）