【課題】光半導体装置及びその製造方法に関し、アクティブ素子部分の特性の向上とスポットサイズ変換器による結合効率の向上を両立させる。
【解決手段】少なくとも第２の積層構造からなるスポットサイズ変換器部６の両側に第２の積層構造と同じ積層構造の上に少なくとも第２上部クラッド層５を積層したテラス構造８を設け、スポットサイズ変換器とモノリシックに結合する導波路メサ部７の両側面のみを埋め込むとともに、スポットサイズ変換器部の両側面及び頂部を埋め込む埋込層９を設ける。 （もっと読む）

【課題】光遷移領域において伝搬損失が抑制される構造とすることにより、変換特性が向上されるスポットサイズ変換器、それを備える半導体光素子、及びそれらの製造方法の提供。
【解決手段】下部コア層と、前記下部コア層より屈折率が大きい上部コア層と、を含む複数層が積層される多層構造が、ｎ型半導体基板上に形成され、前記多層構造は、光遷移領域において、光の出射方向に沿って前記上部コア層の幅が徐々に小さくなり、前記下部コア層の幅が徐々に大きくなっており、一方の端面より入射される光が、前記上部コア層を伝搬し、前記光遷移領域において光が前記上部コア層から前記下部コア層へ遷移し、さらに、前記下部コア層を伝搬して、他方の端面より出射する、スポットサイズ変換器であって、前記光遷移領域において、前記多層構造の両側と上側が、半絶縁性半導体層によって埋め込まれている、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パッシブ素子の特性の設計値からの低下を抑制することができる光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性コア層を含む半導体積層構造で形成された、アクティブ素子を形成するためのアクティブ領域と、パッシブコア層を含む半導体積層構造で形成された、パッシブ素子を形成するためのパッシブ領域とを形成し、アクティブ領域とパッシブ領域とに被覆部と開口部とを有する第１エッチングマスクを形成し、アクティブ領域およびパッシブ領域において開口部からドライエッチングを行い、アクティブ領域にアクティブ素子のアクティブメサ構造を形成するとともにパッシブ領域にパッシブ素子のパッシブメサ構造を形成し、パッシブ領域に第２エッチングマスクを形成し、パッシブメサ構造を第２エッチングマスクにて保護しながらアクティブメサ構造をウェットエッチングする、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子間の光結合効率の向上と、光半導体素子で生じた熱の放熱性の向上を図る。
【解決手段】光半導体装置１は、第１光半導体素子１０及び第２光半導体素子２０を備える。第１光半導体素子１０は、半導体基板１１上に絶縁層１２を介して設けられた第１光導波路層１５、及び半導体基板１１が露出する凹部１６を含む。第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。第２光半導体素子２０は、第２クラッド層２４が凹部１６に配置されて、半導体基板１１と熱的に接続され、且つ、第３クラッド層２７が第１光導波路層１５上に配置されて、第２光導波路層２２が第１光導波路層１５と光学的に接続される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の出力を向上させつつ基本横モードのレーザ光を出力する。
【解決手段】半導体レーザモジュール１は、レーザ光を励起する光増幅部３と、光増幅部3と結合し光増幅部３で励起されたレーザ光を導波する第１の導波路１０と、第１の導波路１０から基本横モードのレーザ光を選択的に分岐して導波する第２の導波路２０とを含む光方向性結合器５と、を含み、第１の導波路１０の少なくとも一部における導波路幅を高次横モードカットオフ幅以上とした。 （もっと読む）

【課題】光損失の発生および消費電力の増加を同時に抑制した半導体光導波路素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された埋込型の半導体光導波路素子であって、活性コア層と、前記活性コア層の上部に形成されたクラッド領域とを有する能動部と、前記能動部に接続し、該能動部の活性コア層から出力する光のスポットサイズを拡大するようにテーパー状に形成したコア層と、前記コア層の上部に形成されたクラッド領域とを有するスポットサイズ変換部と、を備え、前記コア層の上部のクラッド領域の厚さが、前記活性コア層の上部のクラッド領域の厚さよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】１００ＧｂＥのＬＲ４、ＥＲ４規格に対応可能であって、制御が簡便で、低コスト、低消費電力であり、小型化できる光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体混晶からなる基板１上に設けられ、発振波長の異なる複数の半導体レーザ部２１および複数の電界吸収型光変調器部２３からなる光源と合波器部２４とが形成された構成の光半導体装置であって、基板の半導体混晶がＩｎＰであり、電界吸収型光変調器部の活性部の井戸層及びバリア層はＩｎ_1-x-yＡｌ_xＧａ_yＡｓであり、電界吸収型光変調器部の活性部は、量子井戸数が７から９であり、量子井戸層の歪量が０．１７％から０．７３％（プラス符号は引張歪）であり、バリア層のバンドギャップ波長が０．９μｍから１．０５μｍである。 （もっと読む）

【課題】高次モードの光の出力が防止された光増幅装置を提供すること。
【解決手段】光通信波長帯域内の波長の光を増幅する活性層を有する導波路型の第１半導体光増幅器と、前記第１半導体光増幅器の光出力側に接続した、前記第１半導体光増幅器から出力された光を単一モード導波する曲げ半導体光導波路と、を備える。好ましくは、前記曲げ半導体光導波路は、ハイメサ型光導波路である。好ましくは、前記曲げ半導体光導波路の曲げの曲率半径が２１０μｍ以上６００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】モードフィールドが大きく異なる異種光導波路を接続する際に、従来のテーパ構造の光導波路と比べて効率的な光の接合を可能とする光導波路を提供することにある。
【解決手段】構造の異なる２つの導波路４１，４２が所定の長さＬ_taperを有する不連続テーパ構造接合部本体５０を介して接し、一方の導波路４１を導波する光の横方向の広がりが、他方の導波路４２を導波する光の横方向の広がりよりも広い光導波路において、不連続テーパ構造接合部本体５０の幅が前記一方の導波路４１と接する一方の端部５１から他方の導波路４２と接する他方の端部５２に向けて徐々に狭くなり、不連続テーパ構造接合部本体５０における一方の端部５１の幅Ｗ_taperを一方の導波路４１の幅Ｗ_ridgeよりも広くした。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードと変調器の接続部での放射損失を低減することができる半導体光集積素子及びその製造方法を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、レーザダイオード１２及び変調器１４が集積されている。レーザダイオード１２は、コア層４６，７０の両サイドが半導体５４，５６，５８で埋め込まれた埋込型導波路を採用している。変調器１４は、コア層７０の両サイドが半導体５４，５６，５８で埋め込まれないハイメサリッジ導波路を採用している。レーザダイオード１２及び変調器１４におけるコア層４６，７０はそれぞれストライプ状である。 （もっと読む）

【課題】表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法すること。
【解決手段】開口部幅の異なる複数の開口部を有するマスクを半導体表面上に形成する。開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 （もっと読む）

【課題】結合損失が低いとともに値のばらつきが少なく、かつ結晶品質が良好な半導体光導波路素子および半導体光導波路アレイ素子、ならびにその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された埋込型の半導体光導波路素子であって、第１端部から第２端部に向かって幅と厚さとがテーパー状に減少するコア層を有するテーパー導波路を備え、前記コア層は、前記第１端部における層厚と前記第２端部における層厚との層厚比が１．５〜２．５であり、前記第２端部における幅が０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】簡易に深さ（結合係数）が変化する回折格子の作製することができ、作製された素子の回折格子表面の凹凸が抑制されるため、光損失が低減され、サイドモードが抑制された特性を示す半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓＰ導波路層１８０１上に上述の開口部の幅を変化させたＳｉＯ２マスク１８０３を形成する。この試料について、メタンと水素の混合ガスを用いたＲＩＥをメタン流量４０ｓｃｃｍ、水素流量５ｓｃｃｍ、放電電力１００Ｗ、ガス圧力４０Ｐａにおいて施すと、幅が１．８μｍの第１の開口部１８０４においてエッチングが進行し、第２の開口部１８０５と第３の開口部１８０６の表面はポリマーが生成され凹凸はほとんど生じない（図７（ｂ））。引き続き、酸素プラズマを酸素流量１０ｓｃｃｍ、ガス圧力１０Ｐａ、放電電力４００Ｗで１分間照射すると、堆積したポリマーが除去される（図７（ｃ））。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置の導波路の接合面における高次モードの発生を抑制する。
【解決手段】光半導体装置１００Ａは、１．２５μｍ以上の波長を有する伝播光が導波される光半導体装置であって、ＩｎＰに格子整合し、１．５０μｍ以上の幅を有する半導体からなる埋め込み型の第１の導波路３２と、ＩｎＰに格子整合し、第１の導波路よりも狭い幅で、かつ、第１の導波路の屈折率とは異なる屈折率を有する半導体からなる埋め込み型の第２の導波路３４と、第１の導波路３２から第２の導波路３４に向かって幅が狭くなる構造を有し、１．３５μｍ以下の幅の領域に第１の導波路と第２の導波路との接合面を備えた埋め込み型の中間導波部７０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体発光装置では一定動作電流での光出力が小さい上、それをマッハーツェンダ型光変調器などの光素子と集積する際にリッジ幅に制限ができ、本来得られるはずの特性を低くして集積しなくてはならず、低コストかつ低消費電力化ができなかった。
【解決手段】リッジを有する半導体発光装置において、リッジとそれ以外の構成要素との屈折率差を低くすることにより単一横モードのままリッジ幅の拡大を可能にし、かつリッジ両側に沿ってほぼ垂直の溝を形成することにより、拡散電流防止と屈折率差増大を防ぎ、かつリッジに回折格子を形成することにより、再成長による特性劣化を防ぎ、かつそれらをマッハーツェンダ型光変調器などの光素子と集積する際、成長回数を増大させることなく、テーパー状の導波路を用いることによりリッジ幅に制限なくマッハーツェンダ型光変調器などの光素子と上記発光装置とを集積する。 （もっと読む）

【課題】きわめて狭線幅なレーザ光を発生でき、安定した特性を有する半導体レーザ、レーザ光の発生方法、およびレーザ光のスペクトル線幅の狭窄化方法を提供すること。
【解決手段】半導体活性層と、前記半導体活性層に直接、もしくは間接的に接続した、半導体積層方向に垂直な面内において２次元的な屈折率の周期構造を形成するフォトニック結晶光導波路と、前記半導体活性層と前記フォトニック結晶光導波路とを内蔵し、前記半導体活性層から発生して前記フォトニック結晶光導波路を導波する光をレーザ発振させる光共振器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 埋込導波路とハイメサ導波路との接続箇所にテーパ構造を導入する場合、テーパ構造の形成時に、既に形成されている導波路に対して高い位置合わせ精度が要求される。
【解決手段】 基板の上に凸状の第１の光導波路が形成されている。同じ基板の上に、凸状の第２の光導波路が形成されている。第１の光導波路と第２の光導波路とを光学的に結合させる凸状の多モード干渉導波路が、同じ基板上に形成されている。少なくとも第１の光導波路の両側に埋込部材が配置されている。 （もっと読む）

【課題】高出力かつモード安定性に優れる外部共振器型波長可変レーザとその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる外部共振器型波長可変レーザは、半導体光増幅器１０２と、半導体光増幅器１０２と同一の半導体基板上に形成され、半導体光増幅器１０２により生成された光の位相を調整する位相調整器１０３とを備える。また、位相調整器１０３から出射された光を反射する外部ミラー１０６を備える。位相調整器１０３は、半導体光増幅器１０２と光学的に結合された曲線導波路１０８ｂを備える。また、曲線導波路１０８ｂと光学的に結合され、曲線導波路１０８ｂと外部ミラー側端面１１０との間に形成され、外部ミラー側端面１１０に近づくに従い光閉じ込め率が低くなる直線導波路１０８ｃを備える。また、少なくとも直線導波路１０８ｃ上に形成された電極を備える。 （もっと読む）

【課題】曲げ導波路における高次モードの励振そのものを防止できるようにする。
【解決手段】光半導体装置を、第１の幅を有する第１光導波路１と、第１光導波路１に接続され、曲げ部２Ａを有すると共に第１の幅よりも狭い第２の幅を有する第２光導波路２と、第２光導波路２に接続され、第２の幅よりも広い第３の幅を有する第３光導波路３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】３次元フォトニック結晶中の導波路と該導波路での導波モードとは異なる導波モードで光を伝播する領域とを接続する場合に、接続部において発生する反射波を抑制し、かつ結合効率を向上させる。
【解決手段】３次元構造は、３次元フォトニック結晶中に線状欠陥部として形成され、第１の導波モードで光を伝播させる第１の導波路と、第１の導波路内に設けられ、該第１の導波路を伝播する光の一部を反射する反射部と、反射部を介して第１の導波路を伝播してきた光の少なくとも一部を第１の導波モードとは異なる第２の導波モードで伝播させるように第１の導波路に接続された第１の領域とを有する。反射部は、第１の導波路を構成する媒質の屈折率とは異なる屈折率を有する媒質によって形成され、第１の導波路が延びる方向に直交する断面の全体において均一な屈折率分布を有する。 （もっと読む）