【課題】 モード制御のための反射率制御を行うために設けられた段差構造を備えた面発光レーザにおいて、遠視野光強度分布の拡がり角を改善した面発光レーザを提供する。
【解決手段】 反射率差を付与する第１の段差構造と、遠視野光強度分布を変化させる第２の段差構造とを備える。第１の段差構造の段差を形成する領域と、第２の段差構造の段差を形成する領域とは所定の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成した少なくとも２種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器７と、反射器７の上に形成した下部クラッド層３と上部クラッド層４に挟持された光導波路２と、光導波路２の少なくとも一方の端面に基板１面に対して４５°の角度をもって配置された反射鏡５と、反射鏡５に対向した位置の基板１の裏面に形成した反射防止膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】下部ＤＢＲ反射鏡等を構成するＡｌ組成の高いＡｌＧａＡｓ、ＡｌＡｓ等の層の側面からの酸化を防ぐ構造を有する面発光型レーザ技術の提供。
【解決手段】半導体基板の表面上に、下部反射鏡と活性層と電流狭窄層と上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程（ステップＳ１０１）と、半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることによりメサ構造を形成するメサ構造形成工程（ステップＳ１０２）と、半導体層形成工程により形成された半導体膜を半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程（ステップＳ１０３）と、素子分離溝の壁面、メサ構造の上面および側面に半導体材料からなる再成長層を形成する再成長層形成工程（ステップＳ１０４）と、再成長層上に、絶縁体からなる保護膜を形成する保護膜形成工程（ステップＳ１０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】所望の方向に偏波したレーザ光を射出できること。
【解決手段】面発光レーザ素子３００は、基板１上に下部ＤＢＲミラー２と、活性層４を含む複数の半導体層が積層され円柱状に形成されたメサポスト１５と、メサポスト１５上に形成された上部ＤＢＲミラー１３とを有し、上部ＤＢＲミラー１３の上面部に設けられたアパーチャ１３ａからレーザ光を射出する。上部ＤＢＲミラー１３の少なくとも上面部に、レーザ光に対する光透過性を有する誘電体で形成した保護膜１４を備える。保護膜１４を、全体として積層面方向の断面が円形のメサポスト１５に対し、アパーチャ１３ａを含む所定範囲内で一体に長円状に成膜されて積層し、長軸方向の端部がＰ電極８の上面部からメサポスト１５の側面部を介し、Ｎクラッド層３の上面部まで成膜する。保護膜１４は、応力付加膜として活性層４に対し長軸方向に応力を加える。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、十分な光出力を確保しつつ、電子写真装置の光源として好適な面発光レーザおよび該面発光レーザを用いた画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】 上部ミラーの上部に第１の表面段差構造を有し、第１の領域における光路長と、第２の領域における光路長との差Ｌが、（１／４＋Ｎ）λ＜｜Ｌ｜＜（３／４＋Ｎ）λ（Ｎは整数）を満たす。 （もっと読む）

【課題】
本発明では、共振器面の劣化を抑制し、素子の寿命特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層と、前記共振器面に略垂直な窒化物半導体層の上面に、共振器面側の端部が共振器面から離間して設けられた絶縁膜とを有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記共振器面から窒化物半導体層の上面及び絶縁膜の表面にかけて形成された第１膜を有し、該第１膜は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）で、前記絶縁膜と異なる材料で形成され、窒化物半導体層と接触する第１領域と絶縁膜と接触する第２領域とを有する窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い高出力レーザを実現する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、基板と、基板上のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層に形成されるリッジストライプと、リッジストライプの伸長方向に垂直な、ｎ型窒化物半導体層、活性層およびｐ型窒化物半導体層の端面に形成され、活性層よりもバンドギャップの広い端面窒化物半導体層とを有し、端面窒化物半導体層の、少なくともｐ型窒化物半導体層の端面に形成される領域のＭｇの濃度が、５Ｅ１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路と端子の保護を図ることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子において、保護部１４は、台座部７ｂの上方のうち、端子部１３とは異なる位置に配置される。保護部１４の上端は、電極部１２及び端子部１３より上方に位置する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の側面に配置される保護膜として最適な材料を確保して、配置することにより、密着性、放熱性、光出射効率及び／又はリップル低減等において良好な特性を与えることができる、より信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に積層される窒化物半導体層と、窒化物半導体層の上方に配置されたＳｉとＣとを含む第１保護膜１７と、第１保護膜１７と接して、窒化物半導体層と電気的に接続する電極１９とを有し、第１保護膜１７は、電極１９との界面に、電極１９を構成する少なくとも一部の元素と第１保護膜１７を構成する少なくとも一部の元素とが混在した混在層１８を有する窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】設計の自由度の高い光半導体素子のコーティング膜の設計方法を提供する。
【解決手段】この発明に係る光半導体のコーティング膜の設計方法は、等価屈折率ｎｃを有する半導体レーザ１２の一方の端面に、屈折率ｎ1、膜厚ａ0×ｄ1の被覆膜と屈折率ｎ2、膜厚ａ0×ｄ2の被覆膜との基底コーティング膜対２２の上に、屈折率ｎ1、膜厚ａ1×ｄ1の被覆膜と屈折率ｎ2、膜厚ａ1×ｄ2の被覆膜とを一対とした第１コーティング膜対２４を重ねて、半導体レーザのレーザ光の波長λ０に対して、振幅反射率の実部及び虚部をゼロとするとともにｎ1，ｎ2のいずれか一方のみがｎcとｎ0との積の平方根より小さく、かつ被覆膜層各層のそれぞれの屈折率と膜厚との積により規定される値の総和をλ0／４の整数倍以外の値で、かつλ0／４より大きくしたものである。 （もっと読む）

【課題】光検出機能を有していても、小型で狭い実装スペースに搭載できる半導体レーザ及び光モジュールを実現する。
【解決手段】素子本体５の内部に活性層４が設けられると共に、素子本体５の上面には第１の電極６が形成され、素子本体５の下面には第２の電極７、及び第３の電極８が形成されている。そして、素子本体５の一方の端部は、第１の電極６から第２の電極７にかけて超薄膜の量子ドット膜９が形成されている。これをＡＰＣ駆動回路に接続し、量子ドット膜９で検出された光をモニタすることにより、半導体レーザに入力されるバイアス電流をフィードバック制御する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの半導体基板（１０）と、所定の波長域の放射を生成する、半導体基板（１０）上に配置された少なくとも１つのアクティブ層（２０）と、アクティブ層（２０）の一端部に、当該アクティブ層に垂直に配置され、アクティブ層（２０）内で生成された放射の一部が出射する少なくとも１つのレーザーミラー（４０）とを備える半導体レーザーに関する。レーザーミラー（４０）には、レーザーミラー（４０）を通って出射する放射の光出力‐電流‐特性曲線の上昇を低減させることに適した吸収性材料層（５０，６０）が備えられている。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション層を備え、改善した性能を持つデバイスを実現できるＩＩＩ−Ｖ族加工基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族加工基板の製造方法は、＜１１０＞または＜１１１＞の結晶方位を持つ第１のＩＩＩ−Ｖ化合物からなる上側層（２）を備えたベース基板（Ｉ）を用意すること、第２のＩＩＩ−Ｖ化合物からなるバッファ層（３）を少なくとも形成することを含んだ、中間層（ＩＩ）を形成することであって、中間層（ＩＩ）は、ベース基板の上側層（２）の上に位置し、これと接触するようにすること、ＩＶ族半導体材料からなる擬似格子整合パッシベーション層（４）を成長させることであって、擬似格子整合パッシベーション層は、中間層（ＩＩ）の上に位置し、これと接触するようにすることを含む。 （もっと読む）

【課題】保護膜に起因する応力を低減して、素子寿命の長い面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本面発光型半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板１２上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する酸化狭窄型面発光型半導体レーザ素子である。そして、抵抗率が１０⁵ Ω・ｃｍ² 以上の高抵抗半導体層からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられている。 （もっと読む）

【課題】電極による光吸収を抑制した信頼性の高い半導体素子を提供すること及び簡便な半導体素子の製造工程を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に積層された半導体層と、前記半導体層の表面に形成されたストライプ状のリッジと、前記リッジ上に形成された電極と、を備えてなる半導体素子であって、電極は、リッジの上面に対して平坦部と、該平坦部の両側に傾斜部とを有しており、リッジの側面から前記電極の傾斜部に至る領域に保護膜を被覆している。 （もっと読む）

【課題】周囲温度や注入電流の変化に対して発振波長変化の少ない光半導体装置を構成する。
【解決手段】この発明に係る光半導体装置は第1の端面に高反射率膜が配設された共振器を有し、利得が極大値となる第1の波長を有する半導体レーザと、この半導体レーザの共振器の第２の端面上に配設され、反射率が極小値となる第２の波長が第1の波長より長くかつ反射率が４％以下である低反射率膜とを備え、第1の波長近傍における波長変化に対するミラー損失の変化率が０．１３ｃｍ^−１／ｎｍ以上としたもので、周囲温度及び注入電流が変化した場合における半導体レーザ装置の発振波長の変化を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】材料ロスが生じることを出来るだけ避けることができ、安価な工法で光反射膜を形成し得る半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置の製造方法は、（Ａ）化合物半導体層の積層構造体２０が形成され、第１辺、第２辺、第３辺、第４辺を有する矩形形状の基板４０を支持フィルム５０と貼り合わせて、少なくとも基板の第２辺４２から支持フィルム５０が突出した状態とし、Ｘ方向と平行に支持フィルム５０及び基板４０をけがき、基板４０を劈開し、次いで、支持フィルム５０を引き裂くことで発光素子バー６０を得た後、複数の発光素子バー６０を積層し、支持フィルム５０を加熱することでＹ方向に沿って支持フィルム５０を熱収縮させて、発光素子バー６０のＸＺ端面６１，６２と支持フィルム５０の縁部との間に隙間を設け、各発光素子バー６０の２つのＸＺ端面６１，６２に光反射膜６３，６４を形成する各工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】高出力の半導体光増幅素子を提供すること。
【解決手段】半導体からなる受動コア領域と、前記受動コア領域の両側に位置し、前記受動コア領域よりも屈折率が低い半導体活性層からなる能動クラッド領域と、を有する光増幅導波層を備え、前記光増幅導波層において光を増幅しながら導波する。好ましくは、前記光増幅導波層は、化合物半導体からなり、化合物半導体からなる基板上に、バットジョイント成長方法を用いて前記受動コア領域と前記能動クラッド領域とをモノリシックに集積して形成したものである。 （もっと読む）

【課題】結晶性の低下や製造工程の煩雑さを生じさせることなく、低抵抗を実現できる半導体レーザ構造を提供すること。
【解決手段】（ａ）ｎ型クラッド層２、（ｂ）発光層１７、及び（ｃ）ｐ型クラッド層６を積層して成るレーザ構造単位１５を複数備えるとともに、前記レーザ構造単位１５の間に設けられたトンネル接合層７を備え、前記トンネル接合層７は、Ｚｎをドーパントとして含むｐ型導電型層７ａ、及び６族元素をドーパントとして含むｎ型導電型層７ｂから構成されることを特徴とする半導体レーザ構造１４。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの共振器端面と反射膜との界面近傍において劣化が起こりにくく、しきい値電流が低く、歩留まりの高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】共振器端面に密着して、層厚がλ／２（λは媒質内波長）のＳｉＯ_２膜４０を配設し、このＳｉＯ_２膜４０の上に、ＳｉＯ_２膜４０に密着する第１層は層厚がλ／４のａ−Ｓｉ膜４２ａと第２層は層厚がλ／４のＳｉＯ_２膜４２ｂとから構成される二重誘電体膜４２を適宜重ねることにより、前部高反射率膜２８或いは後部高反射率膜３０を構成する。 （もっと読む）