【課題】半導体レーザ（ストライプ状の活性層）が高密度に配置された半導体レーザを提供すること。
【解決手段】互いに離間してストライプ状に設けられた、複数の活性層１０と、活性層１０のそれぞれに対応して、活性層１０の上側に設けられた複数の電極１２と、半導体からなり、活性層１０の間の領域にそれぞれに設けられ、電極１２よりも高い位置にその上面が位置する支持部４０と、複数の電極１２のうち１つと電気的に接続されるとともに、複数の支持部４０によって支えられて、当該複数の支持部４０の間に位置する電極１２と離間した構造を備える配線１６と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子の光の閉じ込めを制御しながら、連続駆動時の電流又は電圧劣化を防止することができる窒化物半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に積層され、その表面にリッジ１４を有する窒化物半導体層と、窒化物半導体層を被覆する第１保護膜１５と、リッジ１４上及び第１保護膜１５上に形成された電極１７とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、第１保護膜１５は、窒化物半導体層の上面からリッジ１４基底部及びリッジ１４側面に渡って、窒化物半導体層とその一部又は全部が接触するように配置されており、少なくともリッジ１４基底部において、第１保護膜１５と電極１７とで規定された空隙１６を備える窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】部分的成長抑制構造を利用して、基板と格子定数または熱膨張係数が異なる連続膜半導体層を形成した上に、半導体発光素子を形成する場合の発光効率の低下および信頼性の悪化を防止する。
【解決手段】サファイア基板４００上に格子形状からなる構造４５０を形成する第１工程と、気相成長法を用いて上記構造が形成されたサファイア基板表面を連続して覆うようにＧａＮ連続膜半導体層４０１を形成する第２工程と、ＧａＮ連続膜半導体層の上に光を発生させる活性層を含む多層構造体４０２〜４０６を形成する第３工程とを有し、第２工程は、成長初期に前記構造のためＧａＮ連続膜半導体層は平坦な面として成長できず、実効的に成長の遅い成長抑制構造を有するように実施され、成長層厚を増すにつれて上記構造の壁部分からの成長により、ＧａＮ連続膜半導体層の表面が平坦になるように実施される。 （もっと読む）

【課題】２次元フォトニック結晶層の上部層をエピタキシャル法により形成する際に、２次元フォトニック結晶層の共振器としての性能を低下させないようにした２次元フォトニック結晶レーザを提供する。
【解決手段】２次元フォトニック結晶レーザ１０は、Al_αGa_1-αAs（0＜α＜1）又は(Al_βGa_1-β)_γIn_1-γP（0≦β＜1, 0＜γ＜1）を母材とする母材層１５２内に空孔１５１が周期的に設けられた２次元フォトニック結晶層１５と、２次元フォトニック結晶層１５の上にエピタキシャル法によって作製されるエピタキシャル成長層１６を有する。母材層１５２の材料に上記のものを用いることにより、エピタキシャル成長層１６を形成する際に空孔１５１が変形したり崩れたりすることがないため、２次元フォトニック結晶層の共振器としての性能を低下させることがない。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いることのできる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０ａは、主面と、表示部とを備えている。主面１１は、（０００１）面から［１−１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した面、または（０００−１）面から［−１１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した面である。表示部は、（−１０１７）面、（１０−１−７）面、またはこれらの面から［１−１００］方向に−４°以上４°以下傾斜し、かつ［１−１００］方向に直交する方向に−０．５°以上０．５°以下傾斜した面を示す。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法を用いて、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させる場合に、結晶組成値ｘを速やかに且つ正確に設定することによって、組成グレーディングを容易に実現する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この結晶成長装置１１０は、水素ガス供給ポート３０を備えている。この水素ガス供給ポート３０を介してＨ_２＋ＩＧガスを炉中に導入することによって、原料ガスの濃度は一定に保ったまま、水素ガスの濃度（分圧比）を調節する。その結果、成長部の水素ガス濃度（分圧比）を速やかに変化させることができるので、成長させる結晶中の結晶組成値ｘを所望の値に速やかに且つ正確に設定することができる。その結果、組成グレーディングを効率よく実行することができる。 （もっと読む）

【課題】成長途中に生じる凹部を縮小させ、バルク状でかつ結晶性の高い窒化物半導体単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法による窒化物半導体単結晶の製造方法であって、種基板１との界面の裏側に主面および凹部を有する第１の窒化物半導体単結晶部２を前記種基板１上に成長させる工程と、前記凹部内にマスク４を設ける工程と、前記マスク４を覆うように前記第１の窒化物半導体結晶部２上に第２の窒化物半導体結晶部を成長させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

極性及び非極性の両方のＩＩＩ族窒化物発光構造において、注入効率は発光素子の多重ＱＷ（ＭＱＷ）活性領域における異なる量子井戸（ＱＷ）の不均一分布によって強力に低下する。不均一なＱＷ分布は、活性ＱＷが深い長波長発光素子の方が強くなる。極性及び非極性のいずれの構造でも、活性領域の光導波路層及び／又は障壁層へのインジウム及び／又はアルミニウム取り込みは、発光すべき所望の波長に応じて、ＱＷ分布の均一性を改善し、構造注入効率を向上する。
（もっと読む）

【課題】ミスフィット転位や貫通転位などの格子欠陥が発生しにくく高品質の結晶を得ることができ、基板の放熱特性も向上する光半導体素子を提供する。
【解決手段】基板としてＧａＡｓよりも格子定数の大きなＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ（０．０３≦ｘ≦０．１０）３元基板を使用し、前記基板上にＩｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層を形成し、前記Ｉｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層上に基板よりも格子定数の大きなＩｎ_yＧａ_1-yＡｓ（０．１０＜ｙ≦０．２０）層を形成し、さらに前記Ｉｎ_yＧａ_1-yＡｓ層上に歪量子井戸構造を形成する。なお、Ｉｎ_yＧａ_1-yＡｓ層は、例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓから格子定数が徐々に大きくなるようにＩｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層の組成を変化させていく。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を特性を劣化させずに、良好な発光特性を提供できる、垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の主面１１ａ上に第１の分布ブラッグ反射器１３を作製する。分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３上に、第１のｎ型スペーサ半導体層１５、活性層１７、及びｐ型スペーサ層１９を成長する。次いで、原料ガス及び炭素ドーパントを成長炉１０に供給しトンネル接合のためのｐ型高濃度半導体層２１をｐ型スペーサ半導体層１９上に成長する。ｐ型高濃度半導体層２１を成長した後に、ｐ型高濃度半導体層２１の熱処理２５を行う。熱処理２５を行った後に、原料ガス及びｎ型ドーパントを成長炉１０に供給して、トンネル接合のためのｎ型高濃度半導体層２７を成長する。熱処理温度Ｔ_ＴＨは摂氏５００度〜６００度の範囲である。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、高出力化のためのＣＯＤ抑制とキンク抑制とを両立する。
【解決手段】半導体レーザ素子１００において、第１導電型半導体基板１０１上に、第１導電型クラッド層１０２と、量子井戸構造の活性層１０３と、第１の第２導電型クラッド層１０４と、第２導電型エッチングストップ層１０５と、リッジストライプ形状の第２の第２導電型クラッド層１０６と、第２導電型コンタクト層１０７とが順次積層されている。前端面１４０及び後端面１４１を有する共振器の一対の共振器端面部において、第２の第２導電型クラッド層１０６から活性層１０３までＺｎが拡散された端面窓領域１２０及び１２１が形成されている。後端面の端面窓領域１２１における活性層１０３の発光波長は、前端面の端面窓領域１３０における活性層１０３の発光波長よりも長波長である （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、マルチモード発振あるいはモード跳びが生じないようにして、単一縦モード発振が得られる素子の歩留まり向上を図る。
【解決手段】半導体レーザを、活性層１０５と、発振波長を決める回折格子３及び位相シフト４とを備える活性領域１と、光ガイド層１０８と、反射用回折格子６とを備える分布反射鏡領域２とを備えるものとし、分布反射鏡領域２を、実効的な回折格子周期が共振器方向に沿って変化するように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、欠陥密度レベルの減少した、エピタキシーによる窒化ガリウム膜の製造に関する。それは、ＧａＮのエピタキシャル付着により窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を製造するための方法に関する。
【解決手段】本発明は、それが少なくとも１ステップのエピタキシャル横方向成長を含んでなり、それがＧａＮ基板への直接的イオン注入による脆化でその基板からＧａＮ層の一部を分離させるステップを含んでなることで特徴付けられる。本発明は、上記方法で得られる膜、並びに該窒化ガリウム膜を備えた光電子および電子部品にも関する。 （もっと読む）

【課題】非極性ＩＩＩ族窒化物層を有する多層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に複数の核形成層を形成する工程と、該核形成層上に非極性ＩＩＩ族窒化物層を形成する工程とを備え、複数の核形成層がそれぞれ独立して下記式（Ｉ）で表される窒化物から選択される。


上記式において、ＡとＢは異なっており、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩＮ又はＴｌから選択され、且つ０≦ｘ≦１である。該複数の核形成層によって、応力の緩和、格子不整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）の減少、転位延長の阻止、転位密度の低減に有利になるため、表面が平坦で且つ結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】１．３μｍよりも長波長側の波長帯で発光する光半導体素子及び集積素子を実現する。
【解決手段】光半導体素子を、ＩｎＡｓ量子ドット５と、ＩｎＡｓ量子ドット５の上下に接する一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６と、一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６のＩｎＡｓ量子ドット５に接する側の反対側に接し、ＩｎＧａＡｓバリア層４，６よりも直接遷移バンドギャップが狭いＳｉＧｅ層３，７とを備えるものとし、ＳｉＧｅ層３，７が接するＩｎＧａＡｓバリア層４，６の厚さを、ＩｎＡｓ量子ドット５と一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６とによって決まる量子準位のバンドギャップよりも量子準位のバンドギャップが狭くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】ビーム並行度が良好で集光性の高いレーザビームが一体化された発光素子を提供する。
【解決手段】凸面からレーザ光を出射させ、レーザ光の光軸が通過する第1レンズ１１４を備えた水平共振器面発光構造を備えたレーザ素子と、前記第1レンズ１１４を通過したレーザ光が通過する第２レンズ１１９とを備え、前記第２レンズ１１９を設けた面に対向する面と該第１のレンズ１１４を設けた面がレーザ光に対し透明な第１接着部材１２０により接着されていることを特徴とする光モジュール。 （もっと読む）

【課題】良好なへき開歩留まりを提供できる、III族窒化物レーザダイオードを作製する方法を提供する。
【解決手段】同じインゴットから切り出した２枚のＧａＮ基板を準備する。該ＧａＮ基板上に、レーザダイオードのための複数のエピタキシャル膜を有機金属気相成長法で成長してエピタキシャル基板を作製した。アノード電極及びカソード電極をエピタキシャル基板上に形成して、基板生産物を作製した。一方の基板生産物のへき開では、インゴット成長の後半に成長された結晶領域２２ａからなる基板生産物のエッジを矢印ＣＬ１の方向にブレイクした。他方の基板生産物は、インゴット成長の前半に成長された結晶領域からなる基板生産物のエッジを矢印ＣＬ２の方向にブレイクした。第１の部分２２ａのブレイクが、第３の部分２２ｃのブレイクに比べて良好なへき開歩留まりを提供する。 （もっと読む）

【課題】膜厚の高精度な制御が容易であり、かつ、保護膜と共振器端面との剥離を抑制する半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子３０は、半導体基板１、半導体基板１上に順次設けられた半導体層２〜９，１２，１３及び第１電極１５、並びに半導体基板１における第１電極１５とは反対側に設けられた第２電極１６を備えると共に、これら１〜９，１２，１３，１５，１６の各一端面を有して構成された第１共振器端面Ａ１、及びこれに対向する第２共振器端面Ｂ１を備えた共振構造体２０を備えている。第１共振器端面Ａ１並びに第１電極１５及び前記第２電極１６における第１共振器端面Ａ１近傍の領域に亘って第１保護膜２４が形成されており、第２共振器端面Ｂ１並びに第１電極１５及び前記第２電極１６における第２共振器端面Ｂ１近傍の領域に亘って第２保護膜２９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】内部に形成した電流狭窄層において、ｐ型窒化物半導体層から拡散されるｐ型の不純物によるｐ型転化を抑制して良好な電流狭窄特性を得る。
【解決手段】第３のｐ型光ガイド層１０から電流狭窄層９へのｐ型の不純物の拡散を考慮して、電流狭窄層９中にｎ型の不純物濃度が少なくとも１つのピークを持つように分布させる。これにより、ｎ型の不純物のピーク領域によって、拡散してくるｐ型の不純物を補償，捕獲して、電流狭窄層９のｐ型転化を抑制して、良好な電流狭窄特性を得る窒化物半導体装置の作成が可能となる。 （もっと読む）