説明

国際特許分類[H01S3/10]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 誘導放出を用いた装置 (18,077) | レーザ,すなわち誘導放出を用いた赤外線,可視光あるいは紫外線の発生,増幅,変調,復調あるいは周波数変換のための装置 (5,315) | 放出された放射線の強度,周波数,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲート,変調または復調 (1,705)

国際特許分類[H01S3/10]の下位に属する分類

国際特許分類[H01S3/10]に分類される特許

41 - 50 / 804


【課題】増幅光の出力を安定化させることのできるレーザ装置を提供する。
【解決手段】このレーザ装置では、信号用半導体レーザ10から希土類ドープ光ファイバ21にレーザ光を出射するときに、第1励起用半導体レーザ22から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を励起させる。そして、励起状態となっている希土類ドープ光ファイバ21を通じて、信号用半導体レーザ10から出射されたレーザ光を増幅し、増幅光として出射する。ここでは、第1励起用半導体レーザ22よりも低いレーザ出力を有する第2励起用半導体レーザ23から希土類ドープ光ファイバ21にレーザ光を出射することにより、同光ファイバ21を予備励起させる。また、第1励起用半導体レーザ22からのレーザ光の出射が停止されたとき、その時点から所定時間が経過するまでの期間、第2励起用半導体レーザ23からのレーザ光の出射を停止する。 (もっと読む)


【課題】操作性を向上させることのできるレーザ装置を提供する。
【解決手段】このレーザ装置では、信号用半導体レーザ10から希土類ドープ光ファイバ21にレーザ光を出射するときに、第1励起用半導体レーザ22から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を高励起状態に励起させる。そして、高励起状態となっている希土類ドープ光ファイバ21を通じて、信号用半導体レーザ10から出射されたレーザ光を増幅し、増幅光として出射する。ここでは、第1励起用半導体レーザ22よりも低いレーザ出力を有する第2励起用半導体レーザ23を設ける。そして、第1励起用半導体レーザ22から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を高励起状態に励起させる前に、第1励起用半導体レーザ22及び第2励起用半導体レーザ23からそれぞれ出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を予備励起させる。 (もっと読む)


【課題】予備励起により光パルス列を安定的に出力できるとともに、動作条件を変更する場合でも、OFF区間を短くすることが可能なレーザ装置を提供すること。
【解決手段】励起用半導体レーザ40から出射されるレーザ光によって増幅器50を励起させる前に、低励起用の励起用半導体レーザ20及び高励起用の励起用半導体レーザ30からそれぞれ出射されるレーザ光によって増幅器50を予備励起させる。その予備励起では、低励起用の励起用半導体レーザ20のレーザ出力を一定とする一方、高励起用の励起用半導体レーザ30のレーザ出力を調整することで、増幅光の動作条件に合わせて予備励起に必要なエネルギーを調整する。 (もっと読む)


【課題】増幅光の出力を安定化させることのできるレーザ装置を提供する。
【解決手段】このレーザ装置は、希土類ドープ光ファイバ21を高励起状態に励起させることの可能な基準レーザ出力を有する第1励起用半導体レーザ22と、第1励起用半導体レーザ22よりも低いレーザ出力を有する第2励起用半導体レーザ23とを備える。そして、信号用半導体レーザ10からレーザ光をパルス発振する前に、第2励起用半導体レーザ23から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を予備励起させる。また、信号用半導体レーザ10からレーザ光を出射する際に、第1励起用半導体レーザ22から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を励起させる。ここでは、第1励起用半導体レーザ22からのレーザ光の出射開始時に、そのレーザ出力を基準レーザ出力よりも高い高レーザ出力に設定した後、基準レーザ出力まで低下させる。 (もっと読む)


【課題】光増幅ファイバを用いた光増幅装置の出力光パルスごとのピーク値を検出するための技術を提供する。
【解決手段】波高値検出器16は、光増幅ファイバから出力された出力光パルス群のパワーを検出する。受光素子15は、複数のパルスを含む光パルス群を受光して、その光パルス群を電流信号に変換する。電流/電圧変換回路31は、受光素子15から出力される電流を電圧に変換する。積分回路32は、電流/電圧変換回路31の出力電圧を積分する。PGA(Programmable Gain Amplifier)33は、積分回路32から出力された信号を増幅してAD変換回路34に与える。PGA33のゲインは信号処理回路40からのゲイン設定信号によって設定される。信号処理回路40は、パルス群の繰り返し周波数が高いほどゲインが高くなるようにPGA33のゲインを調整する。 (もっと読む)


【課題】初回からレーザパルスを安定して出力することが可能な光増幅装置およびレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置100は、光増幅ファイバ1と、発光期間にはシード光をパルス状に複数回を発生させるシードLD2と、発光期間の直前の非発光期間には、第1のレベルのパワーを有する励起光を発生させ、発光期間には、第1のレベルより高い第2のレベルのパワーを有する励起光を発生させる励起LD3と、光増幅ファイバ1から出力された出力光パルスのパワーを検出するための受光素子15および波高値検出器16と、制御装置20とを備える。制御装置20は、波高値検出器16の検出値に基づいて、発光期間の間に発生した最初の出力光パルスと最終の出力パルスとの間でパワーが同じになるように、非発光期間における励起光のパワー(ドライバ22のバイアス電流)を制御する。 (もっと読む)


【課題】MOPA方式ファイバレーザ加工装置において、高価な高出力用の光アイソレータを不要とし、しかも反射戻り光による光源や光学部品の損傷をより確実に防止できるようにする。
【解決手段】このファイバレーザ加工装置は、シード光発生部10、アクティブファイバ12、波長変換ファイバ14および光ビーム照射部16を光アイソレータ18、光結合器20および光フィルタ22,24を介して光学的に縦続接続している。第1の光フィルタ22は、シード光の波長のみを選択的に透過する。波長変換ファイバ14は、高パワーのポンプ光から誘導ラマン散乱光を生成するための非線形媒質として機能する。第2の光フィルタ24は、波長変換ファイバ14の出力端より出力される光ビームの中から誘導ラマン散乱光(SRS光)の波長帯域の全部または一部のみを選択的に透過する。 (もっと読む)


【課題】励起光パワーを無駄にせず、一定の光パワーレベルで信号光を出力し、かつ雑音の増加と効率の低下を回避できる、光回路と、この光回路を用いた光増幅器、可変分散補償器、および可変光遅延器を提供する。
【解決手段】光回路10は、1個の主入力ポートと、N個の従入力ポートと、1個の1×N主光スイッチ1と、1個のN×1主光スイッチ2と、1×j従光スイッチであってjが2以上N以下の整数であるN−1個の1×j従光スイッチ4−1から4−(N−1)と、i×1従光スイッチであって、iが2以上N以下の整数であるN−1個のi×1従光スイッチ3−1から3−(N−1)と、N個の従出力ポートと、1個の主出力ポートとから構成され、各光スイッチの切替えにより、光回路10に接続される増幅用光ファイバの組合せを変化させることができ、その結果、信号光が通過する増幅用光ファイバの合計の長さが変化し、可変利得が得られる。 (もっと読む)


【課題】励起光波長の変動があっても、安定した状態で高効率な976nm近傍波長による励起が適用可能なYb添加ガラスを用いたファイバレーザ発振器およびファイバレーザ増幅器を得ることを目的としている。
【解決手段】ファイバレーザ発振器は、波長973nm〜979nmの第一励起光を出射する第一の半導体レーザと、波長880nm〜970nmの第二励起光を出射する第二の半導体レーザと、励起光入射側に全反射型のファイバブラッググレーティングと励起光出射側に部分反射型のファイバブラッググレーティングを有するYb添加ガラス製の利得ファイバと、光ファイバの励起光入射側に設けられたファイバコンバイナと、第一の半導体レーザとファイバコンバイナを接続する第一の光ファイバと、第二の半導体レーザとファイバコンバイナを接続する第二の光ファイバと、を備えている。 (もっと読む)


【課題】ファイバ出射端部近傍の過熱を防止可能なレーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明を例示する態様は、ダブルクラッド構造の光ファイバ231を有しコアを伝播するレーザ光が増幅されて出射するファイバ光増幅器またはファイバーレーザを備えたレーザ装置である。光ファイバ231の出射端部には、第2クラッド231cが剥離されて第1クラッド231bが露出する第1クラッド露出部51が形成されるとともに、第1クラッド露出部51を覆う外端部材52a,52bが設けられ、この外端部材と第1クラッドの外周面との間に、第1クラッドの屈折率に近似した屈折率の屈折率整合部材55が充填されて構成される。 (もっと読む)


41 - 50 / 804