基板処理装置
【課題】パーティクルチェック作業を短縮する。
【解決手段】基板に処理を施す複数の処理室と、前記複数の処理室のそれぞれへ前記基板を保持部に保持して搬送する第一搬送装置を備えた第一搬送室と、前記基板を大気圧状態で搬送する第二搬送装置を備えた第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送装置とを連結する減圧可能な予備室と、前記第一搬送室と前記第二搬送装置および前記予備室に対して設けられた排気装置と、前記基板が複数収納された収納容器と前記複数の処理室との間の前記第一搬送装置および前記第二搬送装置の搬送を制御する制御手段と、を有する基板処理装置において、前記制御手段は、システムスタンバイ処理を実行する前に、前記システムスタンバイ処理で実行する項目を設定する処理選択画面を表示部に表示し、選択された前記項目のみをシステムスタンバイ処理として実行する。
【解決手段】基板に処理を施す複数の処理室と、前記複数の処理室のそれぞれへ前記基板を保持部に保持して搬送する第一搬送装置を備えた第一搬送室と、前記基板を大気圧状態で搬送する第二搬送装置を備えた第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送装置とを連結する減圧可能な予備室と、前記第一搬送室と前記第二搬送装置および前記予備室に対して設けられた排気装置と、前記基板が複数収納された収納容器と前記複数の処理室との間の前記第一搬送装置および前記第二搬送装置の搬送を制御する制御手段と、を有する基板処理装置において、前記制御手段は、システムスタンバイ処理を実行する前に、前記システムスタンバイ処理で実行する項目を設定する処理選択画面を表示部に表示し、選択された前記項目のみをシステムスタンバイ処理として実行する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという）を作り込む半導体ウエハ（以下、ウエハという）に絶縁膜や金属膜および半導体膜を形成する基板処理装置としては、ウエハに処理を施す複数の処理室と、 ウエハを各処理室へ搬送する第一搬送装置を備えた第一搬送室と、 大気圧状態でウエハを搬送する第二搬送装置を備えた第二搬送室と、 第一搬送室と第二搬送室とを連結した減圧可能な予備室（ロードロック室）と、 予備室を開閉するゲートバルブと、第一搬送室と第二搬送室と予備室とに設けられた排気装置と、第一搬送装置や第二搬送装置および排気装置を制御する制御手段と、 を備えている半導体製造装置がある。例えば、特許文献１参照。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−７０３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のこの種の基板処理装置においては、自動生産時における準備（スタンバイ）不足によるロットアウト（ロット全不良）を防止するために、ワンタッチで自動生産の準備を実行することができるシステムスタンバイ処理プログラムを搭載している。
しかしながら、このシステムスタンバイ処理プログラムの実行による自動生産の準備時間は基板処理装置の個体によってまちまちである。例えば、搬送装置等の軸数が多い基板処理装置、ガス配管および排気装置の共有を理由にロードロック室および搬送室の処理をシーケンシャルにしか実行することができない基板処理装置、がある。その結果、最悪の場合には、システムスタンバイ処理が数時間以上もかかってしまう。このような場合には、パーティクルチェックを繰り返し行うと、作業時間が極めて長くなってしまう。
【０００５】
本発明の目的は、必要なシステムスタンバイ処理のみを実行し、パーティクルチェック作業を短縮することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
基板に処理を施す複数の処理室と、
前記複数の処理室のそれぞれへ前記基板を保持部に保持して搬送する第一搬送装置を備えた第一搬送室と、
前記基板を大気圧状態で搬送する第二搬送装置を備えた第二搬送室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送装置とを連結する減圧可能な予備室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送装置および前記予備室に対して設けられた排気装置と、
前記基板が複数収納された収納容器と前記複数の処理室との間の前記第一搬送装置および前記第二搬送装置の搬送を制御する制御手段と、を有する基板処理装置において、
前記制御手段は、システムスタンバイ処理を実行する前に、前記システムスタンバイ処理で実行する項目を設定する処理選択画面を表示部に表示し、選択された前記項目のみをシステムスタンバイ処理として実行する、
ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、必要なシステムスタンバイ処理のみを選択し、選択した項目を実行するので、例えば、パーティクルチェック作業を行うだけで、セットアップ作業を終了することができる。よって、自動運転の準備時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態である半導体製造装置を示す平面断面図である。
【図２】本発明の一実施形態である半導体製造装置を示す縦断面図である。
【図３】本発明の一実施形態である半導体製造装置の処理室を示す斜視図である。
【図４】ウエハ処理時の内側移載装置周辺を示す平面図である。
【図５】ウエハ移載フローを示す各模式的平面図および各縦断面図である。
【図６】ウエハ移載フローの続きを示す各模式的平面図および各縦断面図である。
【図７】制御システムを示すブロック図である。
【図８（ａ）】スキップ処理を示すフローチャートである。
【図８（ｂ）】スキップ処理の続きを示すフローチャートである。
【図９】スキップ処理選択画面を示す画面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態を図面に即して説明する。
【００１０】
本実施形態において、本発明に係る基板処理装置は、半導体製造装置１０として構成されている。
図１に示されているように、半導体製造装置１０は第一搬送室としての搬送室１２を中心として、２つのロードロック室（予備室）１４ａ、１４ｂおよび２つの処理室１６ａ、１６ｂが配置されている。２つのロードロック室１４ａ、１４ｂの上流側には第二搬送室であるＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）１８が配置されている。
【００１１】
図示しないが、ＥＦＥＭ１８は３台のキャリアを搭載することができる構造になっている。キャリアには２５段のスロットが形成されており、各段のスロットはウエハを１枚ずつ保持するように構成されている。したがって、キャリアは最小１枚から最大２５枚のウエハを収容可能である。
図示しないが、ＥＦＥＭ１８内には第二搬送装置としてのウエハ移載装置（Ｗａｆｅｒ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）が設置されており、ウエハ移載装置は大気中にて同時に複数枚（通例、５枚）を移載することができる。ウエハ移載装置は２つのロードロック室１４ａ、１４ｂとの間のウエハ移載を可能にしている。
【００１２】
図２に示されているように、ロードロック室１４ａ、１４ｂには支持台２０が設けられており、支持台２０は２５枚のウエハを縦方向に一定間隔を隔てて収容する。支持台２０は、例えば炭化珪素やアルミニウムで構成されており、上部板２２と下部板２４とを接続する例えば３つの支柱２６を有する。支柱２６の長手方向内側には例えば２５個の載置部２８が平行に形成されている。
また、支持台２０は、ロードロック室１４ａ、１４ｂ内において、鉛直方向に移動（上下方向に移動）するように構成されているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するように構成されている。
【００１３】
搬送室１２には第一搬送装置としてのウエハ移載装置３０が設置されている。ウエハ移載装置３０はロードロック室１４ａ、１４ｂと処理室１６ａ、１６ｂとの間でウエハ１を搬送する。ウエハ移載装置３０はフィンガーアッシー３２が設けられたアーム３４を備えている。フィンガーアッシー３２は上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂとを有する。上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂとは同一の形状をしており、上下方向に所定の間隔で離間され、アーム３４からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、ウエハ１をそれぞれ支持する。アーム３４は鉛直方向に延びる回転軸を中心として回転するように、かつ、水平方向に移動するように構成されている。
搬送室１２と処理室１６ａ、搬送室１２と処理室１６ｂは、ゲートバルブ３５（図３参照）を介してそれぞれ連通している。
【００１４】
したがって、搬送室１２に設置されたウエハ移載装置３０は、ロードロック室１４ａ、１４ｂにストックされた未処理ウエハを同時に２枚ずつゲートバルブ３５を介して処理室１６ａ、１６ｂへ移載することができるとともに、処理済ウエハを一度に２枚ずつ処理室１６ａ、１６ｂからロードロック室１４ａ、１４ｂに移載することができる。
【００１５】
図３に示されているように、処理室１６には２つの保持台３７、３７が載置されている。搬送室１２側の保持台３７を第一処理部３６、他方の保持台３７を第二処理部３８とする。第一処理部３６と第二処理部３８はおのおの独立した構造となっており、装置全体からみると、ウエハ処理流れ方向と同方向一列になっている。すなわち、第二処理部３８は、搬送室１２から第一処理部３６を挟んで遠方に配置されている。
第一処理部３６と第二処理部３８とは連通し、処理室１６内は３００℃までの昇温が可能である。第一処理部３６と第二処理部３８は、例えばアルミニウムで形成され、内挿したヒータ（不図示）により加熱される。
省スペース、低コスト化の目的を達成するため、ロードロック室１４ａ、１４ｂ、搬送室１２および処理室１６ａ、１６ｂを例えばアルミニウム一部品にて形成してもよい。
【００１６】
処理室１６内の第一処理部３６と第二処理部３８の間の内側寄りには、処理室内ウエハ移載装置（以下、内側移載装置という）４０が設けられている。内側移載装置４０はウエハ移載装置（以下、外側移載装置という）３０によって搬送された２枚の未処理ウエハのうちの１枚を第二処理部３８に移載し、さらに、第二処理部３８の処理済ウエハを外側移載装置３０のフィンガーアッシー３２上へ移載する。
【００１７】
図４は、処理部１６内の内側移載装置４０が第二処理部３８側に待機している時（ウエハ処理時）の状態を示す。
内側移載装置４０は、ウエハの外径より大きな円弧部４３ａと、円弧部４３ａから切欠かれた切欠き部４３ｂと、円弧部４３ａから円弧部の中心にむかって略水平に設けられたウエハを載置する爪部４３ｃと、円弧部４３ａを支えるフレーム部４３ｄが設けられたアーム４７と、を有する。
円弧部４３ａとフレーム部４３ｄとは連続して形成され、アーム４７から略水平に装着され、爪部４３ｃを介してウエハ１を支持する。
アーム４７は、鉛直方向に延びる軸部４３ｅを回転軸として回転するように、かつ、鉛直方向に昇降するように構成されている。
切欠き部４３ｂは、軸部４３ｅが回転し、第一処理部３６側に位置するときに、搬送室１２と処理室１６との間に設けられたゲートバルブ３５と向かい合う位置に配置する。
したがって、内側移載装置４０は、回転軸である軸部４３ｅの回転、昇降動作に伴い、回転動作や昇降動作を行うので、外側移載装置３０によって処理室１６内に搬送された２枚のウエハのうち、１枚のウエハを第一処理部３６上方から搬送室１２の遠方にある第二処理部３８に搬送して載置することができる。
内側移載装置４０は、第一処理部３６および第二処理部３８からの熱輻射により高温（２００℃くらい）になるため、耐プラズマ性、耐高熱性である例えばアルミナセラミックス、石英、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等から形成するのが好ましい。金属部品に比べ熱膨張係数の小さい例えばアルミナセラミックスで形成することで、熱変形によるたわみ等による搬送信頼性劣化を防止することができる。ただし、内側移載装置４０の基部には位置・レベル調整のため、金属部品を使用する。
【００１８】
第一処理部３６および第二処理部３８は、処理室１６内において固定部材（不図示）により装置本体１１に固定されている。第一処理部３６外周には３つの第一保持ピン３９ａが鉛直方向に貫通しており、第一保持ピン３９ａが上下に昇降することで、ウエハ１を略水平に昇降させる。第二処理部３８外周には３つの第二保持ピン３９ｂが鉛直方向に貫通しており、第二保持ピン３９ｂが上下に昇降することで、ウエハ１を略水平に昇降させる。したがって、ゲートバルブ３５を介して外側移載装置３０により搬送されたウエハ１は、保持ピン３９ａ、３９ｂを介して保持台３７に載置されるようになっている。つまり、モータが回転および逆回転することにより、第一保持ピン３９ａ、第二保持ピン３９ｂが上下方向に移動する。
【００１９】
図５および図６に処理室１６内におけるウエハ移載のフローの概要を示す。
図５（ａ）〜（ｄ）および図６（ｅ) 〜（ｈ）において、上図は処理室１６の上面図であり、下図は上図の断面をイメージした図で、説明用図面である。
下図では、保持ピン３９ａの一つが第一処理部３６内のゲートバルブ３５に近い箇所に設けられている。これは説明の便宜上のものである。実際には上図のように、第一処理部３６内のゲートバルブ３５に近い箇所、すなわち、外側移載装置３０が図５（ｃ）上図のように待機する箇所には、保持ピン３９ａは設けられていない。
なお、以下の説明において、半導体製造装置１０を構成する各部の動作はコントローラ８４により制御する。
まず、処理室１６内は搬送室１２と同圧に減圧化される。
【００２０】
（ステップ１ 図５（ａ））
ゲートバルブ３５が開き、第一処理部３６の第一保持ピン３９ａと第二処理部３８の第二保持ピン３９ｂが上昇する。内側移載装置４０は第二処理部３８側に待機し、第一保持ピン３９ａ、第二保持ピン３９ｂと共に上昇する。
【００２１】
（ステップ２ 図５（ｂ））
内側移載装置４０は、軸部４３ｅが回転することで、略水平に第一処理部３６側へ移動する。この際、内側移載装置４０の切欠き部４３ｂは、ゲートバルブ３５と向かい合っている。
【００２２】
（ステップ３ 図５（ｃ））
外側移載装置３０が上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂに載置された２枚のウエハ１、１を同時に搬送しながら、搬送室１２からゲートバルブ３５を介して処理室１６に移動し、第一処理部３６の上方にて停止する。その際、内側移載装置４０はフィンガーアッシー３２の上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂの間に収まる高さ位置にて待機している。
【００２３】
（ステップ４ 図５（ｄ））
外側移載装置３０はそのまま動作しない状態にて、第一処理部３６の第一保持ピン３９ａが上昇し、下フィンガー３２ｂに載置されたウエハを第一保持ピン３９ａ上に載置する。さらに、内側移載装置４０が上昇することで、上フィンガー３２ａに載置されたウエハを内側移載装置４０の爪部４３ｃ上に載置する。
【００２４】
（ステップ５ 図６（ｅ））
外側移載装置３０は、搬送室１２内に戻る。
【００２５】
（ステップ６ 図６（ｆ））
内側移載装置４０は、ウエハ１を載置した状態で、軸部４３ｅが回転することで略水平に第二処理部３８側へ移動する。
ゲートバルブ３５が閉まる。
【００２６】
（ステップ７ 図６（ｇ））
軸部４３ｅが下降して、内側移載装置４０は第二処理部３８の外周下方に移動する。
内側移載装置４０はウエハ処理中も処理室１６内に待機することになるため、第二処理部３８上方から供給される処理ガス（例えばＯ2 ラジカル等）のガスの流れを阻害し、ウエハ面内の均一性を悪化させる危惧がある。そのため、第二処理部３８の外周のガス流れを阻害しない高さへと移動する。
【００２７】
（ステップ８ 図６（ｈ））
第一処理部３６の第一保持ピン３９ａおよび第二処理部３８の第二保持ピン３９ｂがウエハ１を略水平に保持した状態で略同時に下降し、ウエハ１を保持台３７に載置する。すなわち、それぞれのウエハと、それらのウエハに対応した保持台との距離が互いに等しくなるよう、ウエハを下降させる。第一処理部３６および第二処理部３８それぞれのウエハへの熱影響を同じにするためである。
熱影響を同じにすることにより、例えばそれぞれのウエハのアッシングレートを均一にすることができる。まったく同じ熱影響とする必要は無く、アッシングレートが均一にさえなれば、誤差があってもよい。誤差は、例えば２秒程度である。
第一保持ピン３９ａと第二保持ピン３９ｂを略同時に下降して、熱影響を同じとする代わりに、ヒータを個別に制御してもよい。
また、本実施形態では、保持ピン３９が下がるが、保持台３７が上下するように構成にしてもよい。
【００２８】
その後、処理室１６内にガスを供給し、プラズマ生成（アッシング処理）がなされ、基板処理後は、逆のシーケンスを実行し、処理済ウエハ１、１を搬出する。
【００２９】
図７は制御手段としての制御システム７０を示している。
図７に示されているように、制御システム７０はパーソナルコンピュータ等から構築されたメインコントローラ７１を備えている。メインコントローラ７１にはＬＡＮシステム７２を介して、外側移載装置３０を制御するサブコントローラ７３、内側移載装置４０を制御するサブコントローラ７４、ＥＦＥＭ１８のウエハ移載装置を制御するサブコントローラ７５、搬送室１２、ロードロック室１４ａ、１４ｂおよび処理室１６ａ、１６ｂに対して設けられた排気装置を制御するサブコントローラ７６と、ゲートバルブ２４、２５、３５を制御するサブコントローラ７７等が接続されている。
メインコントローラ７１には、キーボードやマウス等の入力手段によって構成された入力装置８１、テレビモニタ等の表示部（操作画面）によって構成された表示装置８２、記憶媒体駆動装置等によって構成された記憶装置８３等が接続されている。
また、メインコントローラはホストコンピュータ８４に接続することができるようになっている。
【００３０】
メインコントローラ７１はＧＵＩ（グラフィカル・ユーザ・インタフエース）システム８５を備えている。
メインコントローラ７１にはスタンバイスキッププログラム（以下、スキッププログラムという）８６がプログラミングされて組み込まれている。スキッププログラム８６は図８に示されたフローを実行するように構成されている。
【００３１】
ところで、本実施形態に係る半導体製造装置においては、例えば、自動生産時における準備不足によるロットアウトを防止するために、システムスタンバイ処理プログラムによって自動生産の準備を自動的に実行する。
システムスタンバイ処理プログラムの実行項目処理に要する時間は、各半導体製造装置個性（個体それぞれの特性）によってまちまちであるために、最悪の場合には数時間以上もかかってしまう。このような場合には、パーティクルチェックを繰り返し行うと、作業時間が極めて長くなってしまう。
そこで、本実施形態においては、システムスタンバイ処理プログラムの実行前に、例えば、図９に示されたセットアップコンフィグレーションスタンバイ処理選択画面を表示装置８２に表示させ、半導体製造装置のオペレータが必要な項目を選択することができるようにした。
【００３２】
以下、スキッププログラム８６のプロセスフローを説明する。
例えば、図９において、項目を選択した後、所定の釦（アイコン）を押下し、スキッププログラム８６を起動させる。
スキッププログラム８６が起動すると、図８（ａ）に示された第一ステップＡ１（以下、各ステップについて同様に表記する）において、セットアップコンフィグレーションチェックが実行され、ゲートイニシャル処理が必要かが判定される。
必要と判定された場合（ＹＥＳ）には第二ステップＡ２に進む。第二ステップＡ２においてはゲートイニシャル処理が実行される。
続いて、第三ステップＡ３において、ゲートイニシャル処理が正常に終了したかが判定される。正常に終了しなかった場合（ＮＯ）には第四ステップＡ４に進む。第四ステップＡ４においては、異常終了応答がメインコントローラ７１へ報告され、スキッププログラム８６が終了する。
第一ステップＡ１において不要と判定された場合（ＮＯ）および第三ステップＡ３において正常と判定された場合（ＹＥＳ）には、第五ステップＡ５に進む。第五ステップＡ５においてはゲートバルブ２４、２５、３５のクローズ処理が実行される。
続いて、第六ステップＡ６において、全ゲートクローズ処理が正常に終了したかが判定される。正常に終了しなかったと判定された場合（ＮＯ）には第七ステップＡ７に進む。第七ステップＡ７においては、異常終了応答がメインコントローラ７１へ報告され、スキッププログラム８６が終了する。
【００３３】
第六ステップＡ６において正常に終了と判定された（ＹＥＳ）には、第八ステップＡ８に進む。第八ステップＡ８において、セットアップコンフィグレーションチェックが実行され、搬送室真空引き処理が必要かが判定される。
必要と判定された（ＹＥＳ）には第九ステップＡ９に進む。第九ステップＡ９においては搬送室１２の真空引き処理が実行される。
続いて、第十ステップＡ１０において、搬送室真空引き処理が正常に終了したかが判定される。正常に終了しなかったと判定された場合（ＮＯ）には第十一ステップＡ１１に進む。第十一ステップＡ１１においては、異常終了応答がメインコントローラ７１へ報告され、スキッププログラム８６が終了する。
【００３４】
第八ステップＡ８において不要と判定された場合（ＮＯ）および第十ステップＡ１０において正常と判定された場合（ＹＥＳ）には、第十二ステップＡ１２（以降図８（ｂ））に進む。第十二ステップＡ１２において、セットアップコンフィグレーションチェックが実行され、ロードロック室大気開放処理が必要かが判定される。
必要と判定された場合（ＹＥＳ）には第十三ステップＡ１３に進む。第十三ステップＡ１３においてはロードロック室１４ａ、１４ｂの大気開放処理が実行される。
続いて、第十四ステップＡ１４においては、ロードロック室大気開放処理が正常に終了したかが判定される。正常に終了しなかったと判定された場合（ＮＯ）には第十五ステップＡ１５に進む。第十五ステップＡ１５においては、異常終了応答がメインコントローラ７１へ報告され、スキッププログラム８６が終了する。
【００３５】
第十二ステップＡ１２において不要と判定された場合（ＮＯ）および第十四ステップＡ１４において正常と判定された場合（ＹＥＳ）には、第十六ステップＡ１６に進む。第十六ステップＡ１６においては、セットアップコンフィグレーションチェックが実行され、処理室アッシング準備処理が必要かが判定される。
必要と判定された（ＹＥＳ）には第十七ステップＡ１７に進む。第十七ステップＡ１７においては処理室１６のアッシング準備処理が実行される。
続いて、第十八ステップＡ１８において、処理室アッシング準備処理が正常に終了したかが判定される。正常に終了しなかったと判定された場合（ＮＯ）には第十九ステップＡ１９に進む。第十九ステップＡ１９においては、異常終了応答がメインコントローラ７１へ報告され、スキッププログラム８６が終了する。
第十六ステップＡ１６において不要と判定された場合（ＮＯ）には、第二十ステップＡ２０に進む。第二十ステップＡ２０においては、異常終了応答がメインコントローラ７１へ報告され、スキッププログラム８６が終了する。
【００３６】
その後は、前述したアッシング工程のシーケンスのプロセスフローが実施される。
【００３７】
本実施形態によれば、次の効果が得られる。
【００３８】
1) 必要なシステムスタンバイ処理のみを実行することにより、システムスタンバイ処理時間を短縮することができるので、セットアップ作業を短縮することができる。
【００３９】
2) セットアップ時間を短縮することにより、半導体製造装置の稼働効率を向上させることができる。
【００４０】
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４１】
前記実施形態ではアッシング装置について説明したが、成膜装置、酸化装置や拡散装置、アニール装置および熱処理装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００４２】
また、ウエハを処理する場合について説明したが、液晶パネルや磁気ディスク、光ディスク等の基板全般について適用することができる。
【００４３】
次に、本発明の好ましい他の実施態様を付記する。
［実施態様１］
基板に処理を施す複数の処理室と、
前記複数の処理室のそれぞれへ前記基板を保持部に保持して搬送する第一搬送装置を備えた第一搬送室と、
前記基板を大気圧状態で搬送する第二搬送装置を備えた第二搬送室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送装置とを連結する減圧可能な予備室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送装置および前記予備室に対して設けられた排気装置と、 前記基板が複数収納された収納容器と前記複数の処理室との間の前記第一搬送装置および前記第二搬送装置の搬送を制御する制御手段と、を有する基板処理装置において、
前記制御手段は、システムスタンバイ処理を実行する前に、前記システムスタンバイ処理で実行する項目を設定する処理選択画面を表示部に表示し、選択された前記項目のみをシステムスタンバイ処理として実行する、
ことを特徴とする基板処理装置。
［実施態様２］
システムスタンバイ処理プログラムによって自動生産を準備するに際して、前記システムスタンバイ処理プログラムによって実行する項目を処理選択画面を表示部に表示し、選択された前記項目のみをシステムスタンバイ処理として実行する、基板処理方法。
【符号の説明】
【００４４】
１ ウエハ（基板）
１２ 搬送室
１４ａ 第一ロードロック室
１４ｂ 第二ロードロック室
１６ａ 処理室
１６ｂ 処理室
１８ ＥＦＥＭ
３０ 外側移載装置
４０ 内側移載装置
７０ 制御システム（制御手段）
７１ メインコントローラ
８１ 入力装置
８２ 表示装置
８３ 記憶装置
８４ ホストコンピュータ
８５ ＧＵＩ（グラフィカル・ユーザ・インタフエース）システム
８６ スキッププログラム（スタンバイスキッププログラム）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという）を作り込む半導体ウエハ（以下、ウエハという）に絶縁膜や金属膜および半導体膜を形成する基板処理装置としては、ウエハに処理を施す複数の処理室と、 ウエハを各処理室へ搬送する第一搬送装置を備えた第一搬送室と、 大気圧状態でウエハを搬送する第二搬送装置を備えた第二搬送室と、 第一搬送室と第二搬送室とを連結した減圧可能な予備室（ロードロック室）と、 予備室を開閉するゲートバルブと、第一搬送室と第二搬送室と予備室とに設けられた排気装置と、第一搬送装置や第二搬送装置および排気装置を制御する制御手段と、 を備えている半導体製造装置がある。例えば、特許文献１参照。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−７０３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のこの種の基板処理装置においては、自動生産時における準備（スタンバイ）不足によるロットアウト（ロット全不良）を防止するために、ワンタッチで自動生産の準備を実行することができるシステムスタンバイ処理プログラムを搭載している。
しかしながら、このシステムスタンバイ処理プログラムの実行による自動生産の準備時間は基板処理装置の個体によってまちまちである。例えば、搬送装置等の軸数が多い基板処理装置、ガス配管および排気装置の共有を理由にロードロック室および搬送室の処理をシーケンシャルにしか実行することができない基板処理装置、がある。その結果、最悪の場合には、システムスタンバイ処理が数時間以上もかかってしまう。このような場合には、パーティクルチェックを繰り返し行うと、作業時間が極めて長くなってしまう。
【０００５】
本発明の目的は、必要なシステムスタンバイ処理のみを実行し、パーティクルチェック作業を短縮することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
基板に処理を施す複数の処理室と、
前記複数の処理室のそれぞれへ前記基板を保持部に保持して搬送する第一搬送装置を備えた第一搬送室と、
前記基板を大気圧状態で搬送する第二搬送装置を備えた第二搬送室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送装置とを連結する減圧可能な予備室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送装置および前記予備室に対して設けられた排気装置と、
前記基板が複数収納された収納容器と前記複数の処理室との間の前記第一搬送装置および前記第二搬送装置の搬送を制御する制御手段と、を有する基板処理装置において、
前記制御手段は、システムスタンバイ処理を実行する前に、前記システムスタンバイ処理で実行する項目を設定する処理選択画面を表示部に表示し、選択された前記項目のみをシステムスタンバイ処理として実行する、
ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、必要なシステムスタンバイ処理のみを選択し、選択した項目を実行するので、例えば、パーティクルチェック作業を行うだけで、セットアップ作業を終了することができる。よって、自動運転の準備時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態である半導体製造装置を示す平面断面図である。
【図２】本発明の一実施形態である半導体製造装置を示す縦断面図である。
【図３】本発明の一実施形態である半導体製造装置の処理室を示す斜視図である。
【図４】ウエハ処理時の内側移載装置周辺を示す平面図である。
【図５】ウエハ移載フローを示す各模式的平面図および各縦断面図である。
【図６】ウエハ移載フローの続きを示す各模式的平面図および各縦断面図である。
【図７】制御システムを示すブロック図である。
【図８（ａ）】スキップ処理を示すフローチャートである。
【図８（ｂ）】スキップ処理の続きを示すフローチャートである。
【図９】スキップ処理選択画面を示す画面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態を図面に即して説明する。
【００１０】
本実施形態において、本発明に係る基板処理装置は、半導体製造装置１０として構成されている。
図１に示されているように、半導体製造装置１０は第一搬送室としての搬送室１２を中心として、２つのロードロック室（予備室）１４ａ、１４ｂおよび２つの処理室１６ａ、１６ｂが配置されている。２つのロードロック室１４ａ、１４ｂの上流側には第二搬送室であるＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）１８が配置されている。
【００１１】
図示しないが、ＥＦＥＭ１８は３台のキャリアを搭載することができる構造になっている。キャリアには２５段のスロットが形成されており、各段のスロットはウエハを１枚ずつ保持するように構成されている。したがって、キャリアは最小１枚から最大２５枚のウエハを収容可能である。
図示しないが、ＥＦＥＭ１８内には第二搬送装置としてのウエハ移載装置（Ｗａｆｅｒ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）が設置されており、ウエハ移載装置は大気中にて同時に複数枚（通例、５枚）を移載することができる。ウエハ移載装置は２つのロードロック室１４ａ、１４ｂとの間のウエハ移載を可能にしている。
【００１２】
図２に示されているように、ロードロック室１４ａ、１４ｂには支持台２０が設けられており、支持台２０は２５枚のウエハを縦方向に一定間隔を隔てて収容する。支持台２０は、例えば炭化珪素やアルミニウムで構成されており、上部板２２と下部板２４とを接続する例えば３つの支柱２６を有する。支柱２６の長手方向内側には例えば２５個の載置部２８が平行に形成されている。
また、支持台２０は、ロードロック室１４ａ、１４ｂ内において、鉛直方向に移動（上下方向に移動）するように構成されているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するように構成されている。
【００１３】
搬送室１２には第一搬送装置としてのウエハ移載装置３０が設置されている。ウエハ移載装置３０はロードロック室１４ａ、１４ｂと処理室１６ａ、１６ｂとの間でウエハ１を搬送する。ウエハ移載装置３０はフィンガーアッシー３２が設けられたアーム３４を備えている。フィンガーアッシー３２は上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂとを有する。上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂとは同一の形状をしており、上下方向に所定の間隔で離間され、アーム３４からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、ウエハ１をそれぞれ支持する。アーム３４は鉛直方向に延びる回転軸を中心として回転するように、かつ、水平方向に移動するように構成されている。
搬送室１２と処理室１６ａ、搬送室１２と処理室１６ｂは、ゲートバルブ３５（図３参照）を介してそれぞれ連通している。
【００１４】
したがって、搬送室１２に設置されたウエハ移載装置３０は、ロードロック室１４ａ、１４ｂにストックされた未処理ウエハを同時に２枚ずつゲートバルブ３５を介して処理室１６ａ、１６ｂへ移載することができるとともに、処理済ウエハを一度に２枚ずつ処理室１６ａ、１６ｂからロードロック室１４ａ、１４ｂに移載することができる。
【００１５】
図３に示されているように、処理室１６には２つの保持台３７、３７が載置されている。搬送室１２側の保持台３７を第一処理部３６、他方の保持台３７を第二処理部３８とする。第一処理部３６と第二処理部３８はおのおの独立した構造となっており、装置全体からみると、ウエハ処理流れ方向と同方向一列になっている。すなわち、第二処理部３８は、搬送室１２から第一処理部３６を挟んで遠方に配置されている。
第一処理部３６と第二処理部３８とは連通し、処理室１６内は３００℃までの昇温が可能である。第一処理部３６と第二処理部３８は、例えばアルミニウムで形成され、内挿したヒータ（不図示）により加熱される。
省スペース、低コスト化の目的を達成するため、ロードロック室１４ａ、１４ｂ、搬送室１２および処理室１６ａ、１６ｂを例えばアルミニウム一部品にて形成してもよい。
【００１６】
処理室１６内の第一処理部３６と第二処理部３８の間の内側寄りには、処理室内ウエハ移載装置（以下、内側移載装置という）４０が設けられている。内側移載装置４０はウエハ移載装置（以下、外側移載装置という）３０によって搬送された２枚の未処理ウエハのうちの１枚を第二処理部３８に移載し、さらに、第二処理部３８の処理済ウエハを外側移載装置３０のフィンガーアッシー３２上へ移載する。
【００１７】
図４は、処理部１６内の内側移載装置４０が第二処理部３８側に待機している時（ウエハ処理時）の状態を示す。
内側移載装置４０は、ウエハの外径より大きな円弧部４３ａと、円弧部４３ａから切欠かれた切欠き部４３ｂと、円弧部４３ａから円弧部の中心にむかって略水平に設けられたウエハを載置する爪部４３ｃと、円弧部４３ａを支えるフレーム部４３ｄが設けられたアーム４７と、を有する。
円弧部４３ａとフレーム部４３ｄとは連続して形成され、アーム４７から略水平に装着され、爪部４３ｃを介してウエハ１を支持する。
アーム４７は、鉛直方向に延びる軸部４３ｅを回転軸として回転するように、かつ、鉛直方向に昇降するように構成されている。
切欠き部４３ｂは、軸部４３ｅが回転し、第一処理部３６側に位置するときに、搬送室１２と処理室１６との間に設けられたゲートバルブ３５と向かい合う位置に配置する。
したがって、内側移載装置４０は、回転軸である軸部４３ｅの回転、昇降動作に伴い、回転動作や昇降動作を行うので、外側移載装置３０によって処理室１６内に搬送された２枚のウエハのうち、１枚のウエハを第一処理部３６上方から搬送室１２の遠方にある第二処理部３８に搬送して載置することができる。
内側移載装置４０は、第一処理部３６および第二処理部３８からの熱輻射により高温（２００℃くらい）になるため、耐プラズマ性、耐高熱性である例えばアルミナセラミックス、石英、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等から形成するのが好ましい。金属部品に比べ熱膨張係数の小さい例えばアルミナセラミックスで形成することで、熱変形によるたわみ等による搬送信頼性劣化を防止することができる。ただし、内側移載装置４０の基部には位置・レベル調整のため、金属部品を使用する。
【００１８】
第一処理部３６および第二処理部３８は、処理室１６内において固定部材（不図示）により装置本体１１に固定されている。第一処理部３６外周には３つの第一保持ピン３９ａが鉛直方向に貫通しており、第一保持ピン３９ａが上下に昇降することで、ウエハ１を略水平に昇降させる。第二処理部３８外周には３つの第二保持ピン３９ｂが鉛直方向に貫通しており、第二保持ピン３９ｂが上下に昇降することで、ウエハ１を略水平に昇降させる。したがって、ゲートバルブ３５を介して外側移載装置３０により搬送されたウエハ１は、保持ピン３９ａ、３９ｂを介して保持台３７に載置されるようになっている。つまり、モータが回転および逆回転することにより、第一保持ピン３９ａ、第二保持ピン３９ｂが上下方向に移動する。
【００１９】
図５および図６に処理室１６内におけるウエハ移載のフローの概要を示す。
図５（ａ）〜（ｄ）および図６（ｅ) 〜（ｈ）において、上図は処理室１６の上面図であり、下図は上図の断面をイメージした図で、説明用図面である。
下図では、保持ピン３９ａの一つが第一処理部３６内のゲートバルブ３５に近い箇所に設けられている。これは説明の便宜上のものである。実際には上図のように、第一処理部３６内のゲートバルブ３５に近い箇所、すなわち、外側移載装置３０が図５（ｃ）上図のように待機する箇所には、保持ピン３９ａは設けられていない。
なお、以下の説明において、半導体製造装置１０を構成する各部の動作はコントローラ８４により制御する。
まず、処理室１６内は搬送室１２と同圧に減圧化される。
【００２０】
（ステップ１ 図５（ａ））
ゲートバルブ３５が開き、第一処理部３６の第一保持ピン３９ａと第二処理部３８の第二保持ピン３９ｂが上昇する。内側移載装置４０は第二処理部３８側に待機し、第一保持ピン３９ａ、第二保持ピン３９ｂと共に上昇する。
【００２１】
（ステップ２ 図５（ｂ））
内側移載装置４０は、軸部４３ｅが回転することで、略水平に第一処理部３６側へ移動する。この際、内側移載装置４０の切欠き部４３ｂは、ゲートバルブ３５と向かい合っている。
【００２２】
（ステップ３ 図５（ｃ））
外側移載装置３０が上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂに載置された２枚のウエハ１、１を同時に搬送しながら、搬送室１２からゲートバルブ３５を介して処理室１６に移動し、第一処理部３６の上方にて停止する。その際、内側移載装置４０はフィンガーアッシー３２の上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂの間に収まる高さ位置にて待機している。
【００２３】
（ステップ４ 図５（ｄ））
外側移載装置３０はそのまま動作しない状態にて、第一処理部３６の第一保持ピン３９ａが上昇し、下フィンガー３２ｂに載置されたウエハを第一保持ピン３９ａ上に載置する。さらに、内側移載装置４０が上昇することで、上フィンガー３２ａに載置されたウエハを内側移載装置４０の爪部４３ｃ上に載置する。
【００２４】
（ステップ５ 図６（ｅ））
外側移載装置３０は、搬送室１２内に戻る。
【００２５】
（ステップ６ 図６（ｆ））
内側移載装置４０は、ウエハ１を載置した状態で、軸部４３ｅが回転することで略水平に第二処理部３８側へ移動する。
ゲートバルブ３５が閉まる。
【００２６】
（ステップ７ 図６（ｇ））
軸部４３ｅが下降して、内側移載装置４０は第二処理部３８の外周下方に移動する。
内側移載装置４０はウエハ処理中も処理室１６内に待機することになるため、第二処理部３８上方から供給される処理ガス（例えばＯ2 ラジカル等）のガスの流れを阻害し、ウエハ面内の均一性を悪化させる危惧がある。そのため、第二処理部３８の外周のガス流れを阻害しない高さへと移動する。
【００２７】
（ステップ８ 図６（ｈ））
第一処理部３６の第一保持ピン３９ａおよび第二処理部３８の第二保持ピン３９ｂがウエハ１を略水平に保持した状態で略同時に下降し、ウエハ１を保持台３７に載置する。すなわち、それぞれのウエハと、それらのウエハに対応した保持台との距離が互いに等しくなるよう、ウエハを下降させる。第一処理部３６および第二処理部３８それぞれのウエハへの熱影響を同じにするためである。
熱影響を同じにすることにより、例えばそれぞれのウエハのアッシングレートを均一にすることができる。まったく同じ熱影響とする必要は無く、アッシングレートが均一にさえなれば、誤差があってもよい。誤差は、例えば２秒程度である。
第一保持ピン３９ａと第二保持ピン３９ｂを略同時に下降して、熱影響を同じとする代わりに、ヒータを個別に制御してもよい。
また、本実施形態では、保持ピン３９が下がるが、保持台３７が上下するように構成にしてもよい。
【００２８】
その後、処理室１６内にガスを供給し、プラズマ生成（アッシング処理）がなされ、基板処理後は、逆のシーケンスを実行し、処理済ウエハ１、１を搬出する。
【００２９】
図７は制御手段としての制御システム７０を示している。
図７に示されているように、制御システム７０はパーソナルコンピュータ等から構築されたメインコントローラ７１を備えている。メインコントローラ７１にはＬＡＮシステム７２を介して、外側移載装置３０を制御するサブコントローラ７３、内側移載装置４０を制御するサブコントローラ７４、ＥＦＥＭ１８のウエハ移載装置を制御するサブコントローラ７５、搬送室１２、ロードロック室１４ａ、１４ｂおよび処理室１６ａ、１６ｂに対して設けられた排気装置を制御するサブコントローラ７６と、ゲートバルブ２４、２５、３５を制御するサブコントローラ７７等が接続されている。
メインコントローラ７１には、キーボードやマウス等の入力手段によって構成された入力装置８１、テレビモニタ等の表示部（操作画面）によって構成された表示装置８２、記憶媒体駆動装置等によって構成された記憶装置８３等が接続されている。
また、メインコントローラはホストコンピュータ８４に接続することができるようになっている。
【００３０】
メインコントローラ７１はＧＵＩ（グラフィカル・ユーザ・インタフエース）システム８５を備えている。
メインコントローラ７１にはスタンバイスキッププログラム（以下、スキッププログラムという）８６がプログラミングされて組み込まれている。スキッププログラム８６は図８に示されたフローを実行するように構成されている。
【００３１】
ところで、本実施形態に係る半導体製造装置においては、例えば、自動生産時における準備不足によるロットアウトを防止するために、システムスタンバイ処理プログラムによって自動生産の準備を自動的に実行する。
システムスタンバイ処理プログラムの実行項目処理に要する時間は、各半導体製造装置個性（個体それぞれの特性）によってまちまちであるために、最悪の場合には数時間以上もかかってしまう。このような場合には、パーティクルチェックを繰り返し行うと、作業時間が極めて長くなってしまう。
そこで、本実施形態においては、システムスタンバイ処理プログラムの実行前に、例えば、図９に示されたセットアップコンフィグレーションスタンバイ処理選択画面を表示装置８２に表示させ、半導体製造装置のオペレータが必要な項目を選択することができるようにした。
【００３２】
以下、スキッププログラム８６のプロセスフローを説明する。
例えば、図９において、項目を選択した後、所定の釦（アイコン）を押下し、スキッププログラム８６を起動させる。
スキッププログラム８６が起動すると、図８（ａ）に示された第一ステップＡ１（以下、各ステップについて同様に表記する）において、セットアップコンフィグレーションチェックが実行され、ゲートイニシャル処理が必要かが判定される。
必要と判定された場合（ＹＥＳ）には第二ステップＡ２に進む。第二ステップＡ２においてはゲートイニシャル処理が実行される。
続いて、第三ステップＡ３において、ゲートイニシャル処理が正常に終了したかが判定される。正常に終了しなかった場合（ＮＯ）には第四ステップＡ４に進む。第四ステップＡ４においては、異常終了応答がメインコントローラ７１へ報告され、スキッププログラム８６が終了する。
第一ステップＡ１において不要と判定された場合（ＮＯ）および第三ステップＡ３において正常と判定された場合（ＹＥＳ）には、第五ステップＡ５に進む。第五ステップＡ５においてはゲートバルブ２４、２５、３５のクローズ処理が実行される。
続いて、第六ステップＡ６において、全ゲートクローズ処理が正常に終了したかが判定される。正常に終了しなかったと判定された場合（ＮＯ）には第七ステップＡ７に進む。第七ステップＡ７においては、異常終了応答がメインコントローラ７１へ報告され、スキッププログラム８６が終了する。
【００３３】
第六ステップＡ６において正常に終了と判定された（ＹＥＳ）には、第八ステップＡ８に進む。第八ステップＡ８において、セットアップコンフィグレーションチェックが実行され、搬送室真空引き処理が必要かが判定される。
必要と判定された（ＹＥＳ）には第九ステップＡ９に進む。第九ステップＡ９においては搬送室１２の真空引き処理が実行される。
続いて、第十ステップＡ１０において、搬送室真空引き処理が正常に終了したかが判定される。正常に終了しなかったと判定された場合（ＮＯ）には第十一ステップＡ１１に進む。第十一ステップＡ１１においては、異常終了応答がメインコントローラ７１へ報告され、スキッププログラム８６が終了する。
【００３４】
第八ステップＡ８において不要と判定された場合（ＮＯ）および第十ステップＡ１０において正常と判定された場合（ＹＥＳ）には、第十二ステップＡ１２（以降図８（ｂ））に進む。第十二ステップＡ１２において、セットアップコンフィグレーションチェックが実行され、ロードロック室大気開放処理が必要かが判定される。
必要と判定された場合（ＹＥＳ）には第十三ステップＡ１３に進む。第十三ステップＡ１３においてはロードロック室１４ａ、１４ｂの大気開放処理が実行される。
続いて、第十四ステップＡ１４においては、ロードロック室大気開放処理が正常に終了したかが判定される。正常に終了しなかったと判定された場合（ＮＯ）には第十五ステップＡ１５に進む。第十五ステップＡ１５においては、異常終了応答がメインコントローラ７１へ報告され、スキッププログラム８６が終了する。
【００３５】
第十二ステップＡ１２において不要と判定された場合（ＮＯ）および第十四ステップＡ１４において正常と判定された場合（ＹＥＳ）には、第十六ステップＡ１６に進む。第十六ステップＡ１６においては、セットアップコンフィグレーションチェックが実行され、処理室アッシング準備処理が必要かが判定される。
必要と判定された（ＹＥＳ）には第十七ステップＡ１７に進む。第十七ステップＡ１７においては処理室１６のアッシング準備処理が実行される。
続いて、第十八ステップＡ１８において、処理室アッシング準備処理が正常に終了したかが判定される。正常に終了しなかったと判定された場合（ＮＯ）には第十九ステップＡ１９に進む。第十九ステップＡ１９においては、異常終了応答がメインコントローラ７１へ報告され、スキッププログラム８６が終了する。
第十六ステップＡ１６において不要と判定された場合（ＮＯ）には、第二十ステップＡ２０に進む。第二十ステップＡ２０においては、異常終了応答がメインコントローラ７１へ報告され、スキッププログラム８６が終了する。
【００３６】
その後は、前述したアッシング工程のシーケンスのプロセスフローが実施される。
【００３７】
本実施形態によれば、次の効果が得られる。
【００３８】
1) 必要なシステムスタンバイ処理のみを実行することにより、システムスタンバイ処理時間を短縮することができるので、セットアップ作業を短縮することができる。
【００３９】
2) セットアップ時間を短縮することにより、半導体製造装置の稼働効率を向上させることができる。
【００４０】
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４１】
前記実施形態ではアッシング装置について説明したが、成膜装置、酸化装置や拡散装置、アニール装置および熱処理装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００４２】
また、ウエハを処理する場合について説明したが、液晶パネルや磁気ディスク、光ディスク等の基板全般について適用することができる。
【００４３】
次に、本発明の好ましい他の実施態様を付記する。
［実施態様１］
基板に処理を施す複数の処理室と、
前記複数の処理室のそれぞれへ前記基板を保持部に保持して搬送する第一搬送装置を備えた第一搬送室と、
前記基板を大気圧状態で搬送する第二搬送装置を備えた第二搬送室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送装置とを連結する減圧可能な予備室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送装置および前記予備室に対して設けられた排気装置と、 前記基板が複数収納された収納容器と前記複数の処理室との間の前記第一搬送装置および前記第二搬送装置の搬送を制御する制御手段と、を有する基板処理装置において、
前記制御手段は、システムスタンバイ処理を実行する前に、前記システムスタンバイ処理で実行する項目を設定する処理選択画面を表示部に表示し、選択された前記項目のみをシステムスタンバイ処理として実行する、
ことを特徴とする基板処理装置。
［実施態様２］
システムスタンバイ処理プログラムによって自動生産を準備するに際して、前記システムスタンバイ処理プログラムによって実行する項目を処理選択画面を表示部に表示し、選択された前記項目のみをシステムスタンバイ処理として実行する、基板処理方法。
【符号の説明】
【００４４】
１ ウエハ（基板）
１２ 搬送室
１４ａ 第一ロードロック室
１４ｂ 第二ロードロック室
１６ａ 処理室
１６ｂ 処理室
１８ ＥＦＥＭ
３０ 外側移載装置
４０ 内側移載装置
７０ 制御システム（制御手段）
７１ メインコントローラ
８１ 入力装置
８２ 表示装置
８３ 記憶装置
８４ ホストコンピュータ
８５ ＧＵＩ（グラフィカル・ユーザ・インタフエース）システム
８６ スキッププログラム（スタンバイスキッププログラム）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を施す複数の処理室と、
前記複数の処理室のそれぞれへ前記基板を保持部に保持して搬送する第一搬送装置を備えた第一搬送室と、
前記基板を大気圧状態で搬送する第二搬送装置を備えた第二搬送室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送装置とを連結する減圧可能な予備室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送装置および前記予備室に対して設けられた排気装置と、
前記基板が複数収納された収納容器と前記複数の処理室との間の前記第一搬送装置および前記第二搬送装置の搬送を制御する制御手段と、を有する基板処理装置において、
前記制御手段は、システムスタンバイ処理を実行する前に、前記システムスタンバイ処理で実行する項目を設定する処理選択画面を表示部に表示し、選択された前記項目のみをシステムスタンバイ処理として実行する、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板に処理を施す複数の処理室と、
前記複数の処理室のそれぞれへ前記基板を保持部に保持して搬送する第一搬送装置を備えた第一搬送室と、
前記基板を大気圧状態で搬送する第二搬送装置を備えた第二搬送室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送装置とを連結する減圧可能な予備室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送装置および前記予備室に対して設けられた排気装置と、
前記基板が複数収納された収納容器と前記複数の処理室との間の前記第一搬送装置および前記第二搬送装置の搬送を制御する制御手段と、を有する基板処理装置において、
前記制御手段は、システムスタンバイ処理を実行する前に、前記システムスタンバイ処理で実行する項目を設定する処理選択画面を表示部に表示し、選択された前記項目のみをシステムスタンバイ処理として実行する、
ことを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８（ａ）】
【図８（ｂ）】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８（ａ）】
【図８（ｂ）】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−５４４７３（Ｐ２０１２−５４４７３Ａ）
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１９７０７６（Ｐ２０１０−１９７０７６）
【出願日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]