配線基板、多数個取り配線基板、およびその製造方法
【課題】基板本体の表面における各側面側に沿って設けたメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜やロウ材が傷付いていない配線基板、該配線基板を複数個同時に提供するための多数個取り配線基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックＳからなり、平面視が矩形の表面３および裏面４と、該表面３と裏面４との間に位置し、且つ表面３側に位置する溝入面７および裏面４側に位置する破断面６よりなる四辺の側面５とを備えた基板本体２と、該基板本体２の表面３における四辺の側面５に沿って形成され、平面視が矩形枠状のメタライズ層１１と、を含む配線基板１ａであって、上記基板本体２の側面５ごとにおける溝入面７とメタライズ層１１との間に、基板本体２のセラミックＳが露出してなる水平面１３が位置している、配線基板１ａ。
【解決手段】セラミックＳからなり、平面視が矩形の表面３および裏面４と、該表面３と裏面４との間に位置し、且つ表面３側に位置する溝入面７および裏面４側に位置する破断面６よりなる四辺の側面５とを備えた基板本体２と、該基板本体２の表面３における四辺の側面５に沿って形成され、平面視が矩形枠状のメタライズ層１１と、を含む配線基板１ａであって、上記基板本体２の側面５ごとにおける溝入面７とメタライズ層１１との間に、基板本体２のセラミックＳが露出してなる水平面１３が位置している、配線基板１ａ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板本体の表面などの各側面に沿って設けたメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜やロウ材が傷付いていない配線基板、該配線基板を複数個同時に提供するための多数個取り配線基板、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、セラミック配線基板は、多数個取りセラミック配線基板をその表面や裏面に設けた分割溝に沿って個々のセラミック配線基板に分割して個片化することで製作されている。かかる個片化時において、分割溝の付近でのバリなどを生じにくくするため、刃先角が所定範囲の刃物（ブレード）をグリーンシート積層体の分割溝予定位置に沿って挿入することで、所要の分割溝を形成可能とした多数個取り配線基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、刃物により形成される分割溝は、断面が鋭角のＶ字形状であるため、隣接する配線基板間に十分な溝幅がとれず、封止用のロウ材を加熱して溶融すると、隣接するロウ材同士が不用意に融着して個片化できなくなる場合がある。
更に、前記刃物による分割溝が鋭角のＶ字形断面であるため、該分割溝を形成した表面側を谷折りして個片化する際に、隣接する一対の配線基板部の表面に設けたメタライズ層ごとに被覆したメッキ膜または封止用のロウ材同士が擦れ合って、配線基板ごとのメッキ膜やロウ材が傷付く場合がある、という問題があった。
【０００３】
一方、多数個取り配線基板の分割溝を、１回目のレーザ照射で深くて急峻な幅狭溝部を奥側に形成した後、２回目のレーザ照射で前記幅狭溝部の開口部に一対の面取り部を形成することで、開口部付近に脆弱部分のない分割溝を形成する分割用セラミック基板の製造方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
しかし、特許文献２の製造方法のように、２段階のレーザ照射により形成される断面ほぼＹ字形状の分割溝も、その開口部の両側に位置する面取りがあっても、個片化時における前記メッキ膜同士やロウ材同士の擦れによる傷付きや、該ロウ材同士の不用意な融着を確実に防ぐことができない、という問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２１８３１９号公報(第１〜１１頁、図１〜８)
【特許文献２】特開２００４−２７６３８６号公報(第１〜７頁、図１〜４)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、表面などにおいて各側面に沿って設けたメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜やロウ材が傷付いていない配線基板、該配線基板を複数個同時に提供するための多数個取り配線基板、および該配線基板を確実に得るための製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、セラミック製の多数個取り配線基板に形成すべき分割溝を、断面が鈍角の奥溝と、その開口部の両側に位置するセラミックの水平面を含む浅溝とから構成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、セラミックからなり、平面視が矩形の表面および裏面と、該表面と裏面との間に位置し、且つ表面側に位置する溝入面および裏面側に位置する破断面よりなる四辺の側面とを備えた基板本体と、該基板本体の表面における四辺の側面に沿って形成され、平面視が矩形枠状のメタライズ層と、を含む配線基板であって、上記基板本体の側面ごとにおける溝入面と上記メタライズ層との間に、上記基板本体のセラミックが露出してなる水平面が位置している、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、後述する多数個取り配線基板を個片化して本配線基板を得る際に、各側面に現れた破断面および分割溝における一方の内壁面であった溝入面と、基板本体の表面における各側面に沿って形成されたメタライズ層との間にセラミックの水平面が位置している。しかも、上記溝入面は、垂直線に対して４５度超または約４５度と大きく傾斜している。そのため、隣接する配線基板ごとのメタライズ層の上に配設されていたロウ材同士が互いに融着していないので、個々の配線基板に個片化された際に生じるロウ材の剥がれやバリも生じていない。更に、表面側を谷折りにして個片化されていても、隣接する配線基板ごとのメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜（例えば、ＮｉおよびＡｕメッキ膜）同士、あるいはロウ材同士が相互の擦れによって傷付いたりしていない。しかも、上記ロウ材を介して接合された金具（シールリング）同士が接触して、変形するような不具合も生じ難い。従って、追って基板本体の表面に開口するキャビティを封止する際に、金属製蓋板や金具を確実に密着させて封止することが可能となる。
【０００８】
尚、前記セラミックは、例えば、アルミナなどの高温焼成セラミック、あるいは低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックを含む。
また、前記配線基板の基板本体、および後述する多数個取り配線基板の基板本体は、複数のセラミック層を一体に積層したものである。
更に、前記溝入面は、垂直状の破断面と前記水平面との間において傾斜している。その傾斜角度は、垂直線に対し４５度超（鈍角の半分）か、約４５度である。
また、前記メタライズ層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇなどが主成分の導体層で、該導体層の表面には、例えば、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜が被覆される。
更に、前記ロウ材は、例えば、Ａｇ−Ｃｕ合金、あるいはＡｕ−Ｓｎ合金からなり、前記メタライズ層の上に蓋板や金具を取り付けるために用いられ、該メタライズ層に被覆された上記メッキ膜の上に配設される。
また、前記セラミックが露出した水平面は、前記基板本体の表面および裏面とほぼ平行となる比較的平坦な面である。
加えて、前記基板本体の表面で且つメタライズ層の内側には、該表面に開口するキャビティが位置しており、該キャビティの底面には、例えば、水晶振動子などの電子部品が追って実装される。
【０００９】
また、本発明には、前記側面における前記破断面と裏面との間にも表面側の溝入面と同様の溝入面が位置し、且つ前記基板本体の裏面における四辺の側面に沿って前記同様のメタライズ層が形成されていると共に、上記基板本体の側面ごとにおける上記裏面側の溝入面と上記裏面側のメタライズ層との間にも、前記同様の水平面が位置している、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、基板本体の表面側と共に裏面側にも、該裏面に開口するキャビティの周囲にメタライズ層が形成されると共に、各側面における厚み方向の中間に位置する破断面を挟んだ表面側および裏面側の各溝入面と、表面側および裏面側の各メタライズ層との間にそれぞれ前記水平面が位置している。従って、追って基板本体の表面および裏面の双方に開口する複数のキャビティごとを封止する際に、金属製蓋板や金具を確実にそれぞれ密着させて接合することができる。
【００１０】
更に、本発明には、前記基板本体の側面には、表面および裏面の厚み方向に沿った切欠部が前記破断面側に開口し、該切欠部の内壁面には、上端部および下端部の少なくとも一方が前記水平面に進入しない導体層が形成されている、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、切欠部の内壁面に形成され、且つ外部との導通に用いる導体層が、平面視における溝入面の最奥側にまで達していても、該導体層と前記メタライズ層との間には、前記セラミックが露出した水平面が位置している。そのため、上記導体層とメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜やロウ材との不用意な短絡を防止できるので、内部配線や実装すべき電子部品の動作を確実に保証できる。
尚、前記配線基板の側面に形成する切欠部およびその内壁面に形成する導体層は、側面の水平方向における中間、あるいは隣接する一対の側面間の角部に位置している。該導体層の平面視の断面は、半円形状または４分の１円弧形状である。
【００１１】
一方、本発明の多数個取り配線基板（請求項４）は、セラミックからなり、且つ平面視が矩形の表面および裏面を有する基板本体と、該表面および裏面の少なくとも一方に設けた矩形枠状のメタライズ層とを有する複数の配線基板部を縦横に隣接して併有する製品領域と、上記と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠形の表面および裏面を有する耳部と、隣接する上記配線基板部同士の間、および上記製品領域と耳部との間に沿って、表面および裏面の少なくとも一方で平面視が格子状に形成された分割溝と、を備えた多数個取り配線基板であって、上記分割溝は、隣接する配線基板部同士の間に形成された奥溝と、隣接する配線基板部の表面および裏面の少なくとも一方ごとに位置する左右一対のメタライズ層、および該メタライズ層と上記奥溝との間に位置し且つ上記基板本体のセラミックが露出してなる左右一対の水平面に囲まれた浅溝と、からなる、ことを特徴とする。
【００１２】
これによれば、隣接する配線基板部同士の間や、前記製品領域と耳部との間に沿って形成された分割溝は、開口部が幅広の奥溝と、該奥溝と左右一対のメタライズ層との間ごとに位置する一対の水平面を含む浅溝とからなっている。そのため、該分割溝の表面側または裏面側を谷折りして個々の配線基板に個片化した場合でも、隣接する配線基板ごとのメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜同士や、あるいはロウ材同士が相互の擦れにより傷付く事態を確実に防止できる。更に、上記ロウ材を加熱して溶融した際に隣接する該ロウ材同士が不用意に融着する事態を確実に防止できる。従って、追って基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に開口するキャビティを封止するための金属製蓋板や金具を確実に密着させて封止できる複数の配線基板を確実に提供できる。
尚、前記分割溝の奥溝は、鈍角(９０度超)の断面が望ましいが、９０度や９０度未満（約８０度以上）でも良い。
【００１３】
また、本発明には、前記分割溝は、前記表面と裏面との間を貫通する貫通孔と該貫通孔の径方向に沿って交叉しており、該貫通孔の内壁面には、筒形導体が形成されている、多数個取り配線基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、分割溝に沿って複数の配線基板に個片化した際に、各配線基板の側面における水平方向の中間や、隣接する一対の側面間の角部に、前記貫通孔が軸方向に沿って分割され且つ表面および裏面の厚み方向に沿った切欠部と、該切欠部の内壁面に形成され且つ前記筒形導体が軸方向に沿って分割された導体層とを有する複数の配線基板を提供できる。しかも、各配線基板の側面付近において、上記導体層と前記メタライズ層との不用意な短絡を防ぐことも可能となる。
【００１４】
更に、本発明による多数個取り配線基板の製造方法（請求項６）は、セラミックからなり、且つ平面視が矩形の表面および裏面を有する基板本体と、該表面および裏面の少なくも一方に枠状のメタライズ層とを有する複数の配線基板部を縦横に隣接して併有する製品領域と、上記と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠形の表面および裏面を有する耳部と、隣接する上記配線基板部同士の間、および上記製品領域と耳部との間に沿って、表面および裏面の少なくとも一方で平面視が格子状に形成された分割溝と、を備えた多数個取り配線基板の製造方法であって、追って上記製品領域および耳部となる表面および裏面を有するグリーンシートおいて、該製品領域の表面および裏面の少なくとも一方に枠状のメタライズ層を形成する工程と、該メタライズ層の上方から上記分割溝予定位置に沿って、レーザをグリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に照射しつつ走査することで、上記グリーンシート内に形成された奥溝と、該奥溝の両側に位置し且つグリーンシートが露出してなる左右一対の水平面、および該水平面ごとの外側に位置する左右一対のメタライズ層に囲まれた浅溝と、からなる分割溝を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【００１５】
これによれば、個片化する際に、配線基板ごとのメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜同士や、あるいはロウ材同士が相互の擦れにより傷付いたりしないと共に、隣接するロウ材同士が不用意に互いに融着したり、該ロウ材を介して接合された金具同士の接触による変形が生じていない複数の前記配線基板部を併有する多数個取り配線基板を、確実に製造することができる。
尚、前記グリーンシートは、複数のグリーンシートの積層体である。
また、前記メタライズ層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇなどを主成分とする導電性ペーストであり、その焼成後における表面には、追ってＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜などの電解金属メッキ膜が被覆され、その上には更にプリフォームされたロウ材が配設される。
【００１６】
加えて、本発明には、前記分割溝を形成する工程は、前記分割溝予定位置に沿って、レーザを前記グリーンシートの表面に少なくとも２回以上にわたって照射しつつ走査し、初回の焦点の位置を前記メタライズ層の表面付近とし、２回目以降の焦点の位置を上記初回の焦点の位置よりも上記グリーンシートの厚み方向において深くまたは浅く設定している、多数個取り配線基板の製造方法（請求項６）も含まれる。
これによれば、１回目のレーザ照射で断面が鋭角で且つ開口部の幅が狭い奥溝を形成した後、２回目のレーザ照射において焦点からずれている前記メタライズ層を優先的に除去し、且つ上記奥溝を鈍角にすることで、該奥溝と左右一対の各メタライズ層との間ごとに位置する一対の水平面を含む浅溝とからなる分割溝を、グリーンシートにおける所望の位置に格子状にして確実に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による一形態の配線基板を斜め上方から示した斜視図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線およびｘ−ｘ線の矢視に沿った部分垂直断面図。
【図３】上記配線基板の応用形態の配線基板を示す平面図。
【図４】図３中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面を含む部分斜視図。
【図５】図１の配線基板の異なる応用形態を示す図２と同様の部分垂直断面図。
【図６】図３の配線基板の応用形態を示す図２と同様の部分垂直断面図。
【図７】本発明による一形態の多数個取り配線基板を示す平面図。
【図８】図７中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った部分垂直断面図。
【図９】図８中の分割溝付近を示す拡大図。
【図１０】異なる形態の多数個取り配線基板を示す平面図。
【図１１】更に異なる形態の多数個取り配線基板を示す平面図。
【図１２】多数個取り配線基板の製造法における分割溝形成工程を示す概略図。
【図１３】図１２に続く分割溝形成工程を示す概略図。
【図１４】図１３に続く分割溝形成工程を示す概略図。
【図１５】上記工程により得られたグリーンシートの分割溝付近を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の配線基板１ａを示す斜視図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線およびｘ−ｘ線の矢視に沿った部分垂直断面図である。
配線基板１ａは、図１，図２に示すように、アルミナなどからなる複数のセラミック層(セラミック)Ｓを積層してなり、平面視が長方形（矩形）状の表面３および裏面４と、該表面３と裏面４との間に位置し且つ表面３側に位置する傾斜した溝入面７および裏面４側に位置する上記セラミックＳの破断面６よりなる四辺の側面５とを備えた基板本体２と、該基板本体２の表面３における四辺の側面５側に沿って形成され、平面視が長方形（矩形）枠状のメタライズ層１１とを含む。
上記基板本体２の表面３には、平面視が長方形の底面９とその四辺から立設する側壁１０とからなる直方体状のキャビティ８が開口しており、上記底面９に設けた図示しない電極に、例えば、水晶振動子などの図示しない電子部品の電極をロウ付けなどで導通することにより、該電子部品をキャビティ８内に実装可能としている。
尚、前記セラミック層(セラミック)Ｓは、アルミナ以外の高温焼成セラミック、またはガラスーセラミックなどの低温焼成セラミックでも良い。
【００１９】
前記側面５のうち、表面３側の溝入面７は、後述するレーザ加工によって形成され、裏面４側のセラミックＳが露出した破断面６と比較して、相対的に平滑な面であり、且つ垂直線に対して４５度超の傾斜が付されている。
また、前記メタライズ層１１は、前記セラミック層Ｓがアルミナなどの高温焼成セラミックの場合には、ＷまたはＭｏなどからなり、前記セラミック層Ｓがガラスーセラミックなどの低温焼成セラミックの場合には、ＣｕまたはＡｇなどからなる。該メタライズ層１１は、図２に示すように、断面がほぼ長方形で且つ側面５側に傾斜面１２を有している。尚、図２中の一点鎖線部分ｓの部分拡大断面図で示すように、該メタライズ層１１の表層側には、例えば、Ｎｉメッキ膜ｍ１およびＡｕメッキ膜ｍ２（メッキ膜）と、ロウ材層ｂｍ（例えば、Ａｇ−Ｃｕ合金あるいはＡｕ−Ｓｎ合金）とが順次被覆されている。
上記メタライズ層１１の該傾斜面１２と前記側面５の溝入面７との間には、前記セラミックＳが露出した水平状の水平面１３が、基板本体２の四周に沿って一定の幅で位置している。
【００２０】
以上のような配線基板１ａによれば、前記基板本体２の側面５ごとにおける溝入面７と前記メタライズ層１１との間に、該基板本体２のセラミックＳが露出してなる水平面１３が位置している。そのため、後述する多数個取り配線基板の状態において封止用のロウ材ｂｍを加熱して溶融した場合でも、隣接するロウ材ｂｍ同士が互いに融着（ブリッジ）しなので、個片化する際における該ロウ材の剥がれやバリ生じていない。更に、本配線基板１ａを多数個取り配線基板から個片化するため、表面３側を谷折りされた際にも、隣接する配線基板１ａごとのメタライズ層１１の表面に被覆したＮｉメッキ膜ｍ１およびＡｕメッキ膜ｍ２同士、あるいはロウ材ｂｍ同士が相互の擦れにより傷付いていない。従って、追って基板本体２の表面３に開口するキャビティ８を封止する際に、上記ロウ材ｂｍを介して、金属製蓋板や金具を確実に密着させて封止することが可能となる。
尚、配線基板１ａの表面３、裏面４、およびキャビティ８の底面９は、平面視で正方形を呈する形態であっても良い。
【００２１】
図３は、前記配線基板１ａの応用形態の配線基板１ｂを示す平面図、図３中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面を含む部分斜視図である。
配線基板１ｂは、図３，図４に示すように、前記同様のセラミック層Ｓからなり、平面視が正方形（矩形）状の表面３および裏面４と、該表面３と裏面４との間に位置し且つ表面３側に位置する傾斜した溝入面７および裏面４側に位置する上記セラミックＳの破断面６よりなる四辺の側面５とを備えた基板本体２と、該基板本体２の表面３における四辺の側面５に沿って形成され、平面視が正方形（矩形）枠状のメタライズ層１１とを備えている。基板本体２の表面３には、前記同様で且つ平面視が正方形状のキャビティ８が開口している。
【００２２】
図３，図４に示すように、配線基板１ｂにおいても、前記側面５ごとの溝入面７とメタライズ層１１ごとの傾斜面１２との間には、前記セラミックＳが露出した水平状の水平面１３が、一定の幅で基板本体２の四周に沿って位置している。
また、基板本体２における隣接する一対の側面５，５間の角部には、表面３および裏面４の厚み方向に沿って断面が４分の１円弧形状の切欠部１４が形成され、該切欠部１４の破断面６側に開口する曲面状の内壁面には、断面が上記円弧形状と相似形の導体層１５が形成されている。
更に、各側面５における水平方向の中間には、表面３および裏面４の厚み方向に沿って断面が半円形状の切欠部１６が形成され、該切欠部１６の破断面６側に開口する半円筒形状の内壁面には、導体層１７が形成されている。但し、上記導体層１５，１７の上端部は、図３，図４に示すように、何れも隣接する水平面１３には進入していない。
【００２３】
尚、前記導体層１５，１７は、前記同様のＷあるいはＭｏなどからなり、本配線基板１ｂを搭載するプリント基板（図示せず）などの外部端子とロウ付けにより接合され、且つ内部配線やキャビティ８内に実装される電子部品（図示せず）と導通するために用いられる。
以上のような配線基板１ｂによれば、前記配線基板１ａによる効果に加え、前記導体層１５，１７とメタライズ層１１との間には、前記セラミックＳが露出した水平面１３が位置している。その結果、上記導体層１５，１７とメタライズ層１１の表面に被覆した前記メッキ膜ｍ１、ｍ２やロウ材ｂｍとの不用意な短絡を防止できるので、内部配線や実装すべき電子部品の動作を確実に保証できる。
尚、配線基板１ｂの表面３、裏面４、およびキャビティ８の底面９は、平面視で長方形を呈する形態であっても良い。
【００２４】
図５は、前記配線基板１ａの異なる応用形態の配線基板１ｃを示す前記図２と同様の部分垂直断面図である。該配線基板１ｃは、前記同様の表面３、裏面４、および側面５を有する基板本体２ａと、表面３側のメタライズ層１１とに加え、図５に示すように、更に側面５ごとにおける破断面６と裏面４との間にも前記同様の溝入面７、水平面１３、およびメタライズ層１１を表面３側と線対称にて有している。即ち、配線基板１ｃの各側面５は、厚み方向の中間に位置する破断面６の上下に一対の溝入面７が対称に位置している。裏面４側のメタライズ層１１の内側には、該裏面４に開口する前記同様のキャビティ８が対称に位置している。
上記配線基板１ｃによれば、後述する多数個取り配線基板の状態において、配線基板部ごとに配設したロウ材ｂｍを加熱および溶融した際に、隣接するロウ材ｂｍ同士が不用意に融着していないので、個片化時の剥がれやバリが生じていない。しかも、多数個取り配線基板から個片化する際に、裏面４側を谷折りされた際にも、隣接する配線基板１ｃごとのメタライズ層１１の表面に被覆したＮｉメッキ膜ｍ１およびＡｕメッキ膜ｍ２同士、あるいはロウ材ｂｍ同士が相互の擦れで傷付いていない。従って、表面３および裏面４の双方に開口する各キャビティ８を確実に封止することが可能となる。
【００２５】
図６は、前記配線基板１ｂの応用形態である配線基板１ｄを示す前記図２と同様の部分垂直断面図である。かかる配線基板１ｄも、前記同様の基板本体２ａ、表面３側のメタライズ層１１、および表面３側のキャビティ８に加え、図６に示すように、更に側面５ごとにおける裏面４側の溝入面７、水平面１３、裏面４側のメタライズ層１１、および裏面４側のキャビティ８を対称に備えている。
図６で例示するように、側面５ごとの上下一対の溝入面７，７間には、表面３および裏面４の厚み方向に沿った前記同様の切欠部１４，(１６)が形成され、該切欠部１４，１６の内壁面には、前記同様の導体層１５，(１７)が形成されている。該導体層１５，(１７)の上端部および下端部は、表面３側および裏面４側の各水平面１３に何れも進入していない。
上記配線基板１ｄによれば、前記導体層１５，１７と表面３側および裏面４側各メタライズ層１１の表面に被覆した前記メッキ膜ｍ１、ｍ２やロウ材ｂｍとの不用意な短絡を防止できるので、内部配線や表面３および裏面４に開口する各キャビティ８に実装される電子部品の動作を確実に保証することが可能となる。
【００２６】
図７は、複数の前記配線基板１ａを得るための多数個取り配線基板２０ａを示す平面図、図８は、図７中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った部分垂直断面図、図９は、図８中の分割溝付近を示す拡大図である。
多数個取り配線基板２０ａは、図７〜図９に示すように、表面２１および裏面２２を有する複数の配線基板部２４を平面視で縦横に隣接して併有する製品領域２５と、該製品領域２５の周囲に位置し且つ平面視が正方形（矩形）枠状の表面２１および裏面２２を有する耳部２６と、上記配線基板部２４，２４間、および製品領域２５と耳部２６との間に沿って、表面２１に平面視が格子状に形成された分割溝３０と、を備えている。
尚、上記製品領域２５および耳部２６は、何れも前記同様のセラミック層Ｓからなる。また、図７〜図９、および後述する図１０以降において、表面２１と裏面２２は、基板本体２３、製品領域２５、および耳部２６に共通して用いられる。
【００２７】
前記配線基板部２４は、図７〜図９に示すように、平面視が正方形（矩形）状の表面２１および裏面２２を有する基板本体２３と、該基板本体２３の表面２１に設けた矩形枠状のメタライズ層１１と、該メタライズ層１１の内側の表面２１に開口する前記同様のキャビティ８とを有している。
尚、上記メタライズ層１１において、外部に露出する表層には、前記同様のメッキ膜ｍ１，ｍ２およびロウ材ｂｍが被覆されている。
また、前記分割溝３０は、図９に示すように、隣接する配線基板部２４，２４間の分割溝予定位置Ｖに沿って最低部が位置する断面が鈍角θの奥溝２８と、隣接する一対の配線基板部２４の各表面２１に位置する各メタライズ層１１の傾斜面１２、および該一対のメタライズ層１１と上記奥溝２８との間に位置し且つセラミックＳが露出してなる左右一対の水平面２７とに囲まれた浅溝２９とからなる。上記奥溝２８の断面は、断面が９０度超〜約１５０度の鈍角θを最低部に有するほぼ二等辺三角形を呈し、上記浅溝２９の断面は、ほぼ逆台形を呈している。
【００２８】
以上のような多数個取り配線基板２０ａによれば、前記分割溝３０が奥溝２８および浅溝２９からなるため、配線基板部２４ごとのメタライズ層１１上に配設したロウ材ｂｍを加熱・溶融しても、隣接するロウ材ｂｍ同士が不用意に融着する事態を確実に防止できる。更に、前記分割溝３０が開口する表面２１側を谷折りして個々の配線基板部２４を個片化した場合でも、隣接する配線基板部２４ごとのメタライズ層１１の表面に被覆したメッキ膜ｍ１，ｍ２同士や、あるいはロウ材ｂｍ同士が相互の擦れにて傷付く事態を確実に防止できる。従って、追って前記基板本体２の表面３に開口するキャビティ８を封止するための金属製蓋板や金具を確実に密着させて固定し得る複数の配線基板１ａを確実に提供できる。
尚、前記製品領域２５における配線基板部２４ごとの裏面２２側にも、前記同様のキャビティ８、メタライズ層１１、および分割溝３０を、表面２１側と線対称で配設することにより、複数の前記配線基板１ｃを得るための多数個取り配線基板を提供することが可能となる。
【００２９】
図１０は、異なる形態の多数個取り配線基板２０ｂを示す平面図である。
多数個取り配線基板２０ｂは、図１０に示すように、前記同様の製品領域２５、耳部２６、および分割溝３０を備えると共に、平面視で各配線基板部２４を区画する四辺の分割溝３０ごとの中間位置で該分割溝３０が径方向に沿って交叉し、且つ表面２１と裏面２２との間を貫通する断面円形状の貫通孔３１と、該貫通孔３１の内壁面に形成した円筒形状の筒形導体３２とを更に有している。
図１１は、更に異なる形態の多数個取り配線基板２０ｃを示す平面図である。
多数個取り配線基板２０ｃは、図１１に示すように、前記同様の製品領域２５、耳部２６、および分割溝３０を備えると共に、平面視で各配線基板部２４を区画する四辺の分割溝３０のうち、隣接する一対の分割溝３０が直角に交叉する位置で各分割溝３０が径方向に沿って交叉し、且つ表面２１と裏面２２との間を貫通する断面円形状の貫通孔３３と、該貫通孔３１の内壁面に形成した円筒形状の筒形導体３４とを更に有している。尚、筒形導体３２，３４も、Ｗなどからなる。
【００３０】
前記のような多数個取り配線基板２０ｂ，２０ｃによれば、前記多数個取り配線基板２０ａによる効果に加え、分割溝３０に沿って複数の配線基板（１ｎ）に個片化した際に、各配線基板の側面５における水平方向の中間、あるいは隣接する一対の側面５間の角部に、前記貫通孔３１，３３が軸方向に沿って分割され且つ表面３および裏面４の厚み方向に沿った切欠部１６，１４と、該切り欠き部１６，１４の内壁面に形成され且つ前記筒形導体３２，３４が軸方向に沿って分割された導体層１７，１５とを有する複数の配線基板を提供できる。しかも、各配線基板の側面５付近において、上記導体層１５，１７と前記メタライズ層１１との不用意な短絡も防ぐことも可能となる。
尚、前記切欠部１４，１６および筒形導体１５，１７を併有する多数個取り配線基板とした場合、該多数個取り配線基板を前記分割溝３０に沿って個片化することで複数の前記配線基板１ｂを得ることができる。また、裏面２２側にも、前記同様のキャビティ８、メタライズ層１１、および分割溝３０を、表面２１側と線対称で配設することにより、複数の前記配線基板１ｄを得るための多数個取り配線基板を提供することも可能となる。
【００３１】
以下において、前記多数個取り配線基板２０ａの製造方法について説明する。
予め、アルミナ粉末に適量ずつの樹脂バインダや溶剤などを配合した所定厚さのグリーンシートを複数用意し、該グリーンシートに複数種の打ち抜き加工を施し、得られた比較的細径の貫通孔にＷ粉末またはＭｏ粉末を含む導電性ペーストを充填し、各グリーンシートの表面や裏面の適所にも上記同様の導電性ペーストを印刷した後、該複数のグリーンシートを角形の大きな貫通孔が連通するように積層・圧着した。
その結果、図１２に示すように、表面２１および裏面２２を有してなり、平面視で縦横に隣接する複数の配線基板部２４ごとの表面２１側に開口するキャビティ８を有し、且つ隣接する配線基板部２４，２４間に位置する分割溝予定位置Ｖの上方の表面２１に未焼成のメタライズ層１１ａが形成された所定厚さのグリーンシート積層体（グリーンシート）ｇｓを製作した。
次に、該グリーンシート積層体ｇｓの表面２１に対し、前記配線基板部２４の周囲および製品領域２５と耳部２６とを区画するようにレーザＬを複数回照射して走査することで、複数の分割溝３０を平面視で格子状に形成する工程を行った。
【００３２】
即ち、図１２に示すように、第１回目（１ｔｈ）の照射では、グリーンシート積層体ｇｓの表面２１側における分割溝予定位置Ｖの真上のメタライズ層１１ａに対し、レーザＬを厚み方向に沿って照射しつつ、該メタライズ層１１ａの長手方向に沿って連続して走査した。この際、該レーザＬの焦点Ｆの位置は、調整用の凸レンズ３６にてメタライズ層１１ａよりも裏面２２側（奥側）に設定した。
上記レーザＬには、例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用い、且つ一定の送り速度（約１００ｍｍ／秒）で行った。
尚、図１２は、該レーザＬの送り方向と直交する方向の視覚を示す概略図であり、以降の図１３〜図１５も同様である。
また、形成すべき分割溝３０の奥溝２８の深さが約２００μｍで且つ開口部の幅が約５０μｍの場合、上記レーザＬの条件は、周波数：約３０〜１００Ｈｚ、繰り返し回数：２〜５回とした。
【００３３】
その結果、図１３に示すように、最低部がグリーンシート積層体ｇｓの内部に位置し且つ断面が鋭角の奥溝２８ａが前記分割溝予定位置Ｖに沿って形成された。同時に、前記未焼成のメタライズ層１１ａは、上記奥溝２８により左右一対のメタライズ層１１ｂに分割され、且つ未焼成の各メタライズ層１１ｂには、奥溝２８ａの各内壁面と同様な傾斜の傾斜面１２ａが線対称に形成された。
次いで、図１４に示すように、第２回目（２ｔｈ）のレーザＬの照射を、奥溝２８に沿って連続して走査した。この際、該レーザＬの焦点Ｆの位置は、調整用の凸レンズ３６によって第１回目（１ｔｈ）での位置よりもグリーンシート積層体ｇｓの厚み方向で深くに設定した。そのため、焦点Ｆの位置を深くしてメタライズ層１１ｂからずらしたので、上記レーザＬの加工エネルギは、該メタライズ層１１ｂにほぼ集中した。
尚、第２回目のレーザＬの種類、送り速度、およびレーザの条件は、第１回目と同様とした。また、該第２回目のレーザＬの照射を複数回で行っても良い。更に、第２回目以降に照射するレーザＬの焦点Ｆの位置を、第１回目の位置よりもグリーンシート積層体ｇｓの厚み方向で浅く設定しても良い。
【００３４】
その結果、図１５に示すように、グリーンシート積層体ｇｓの前記分割溝予定位置Ｖに沿って、断面が鈍角θの奥溝２８と、左右一対のメタライズ層１１ｂの傾斜面２７および左右一対の水平面２７に囲まれた浅溝２９とからなる分割溝３０が、グリーンシート積層体ｇｓの表面２１側において格子状に形成された。
更に、分割溝３０が表面２１側に格子状に形成されたグリーンシート積層体ｇｓを所定温度で焼成した後、得られたセラミック積層体を、Ｎｉメッキ電解浴およびＡｕメッキ電解浴に順次浸漬して電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを行って、焼成されたメタライズ層１１の表面などにＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を被覆した。その結果、前記多数個取り配線基板２０ａを得ることができた。
【００３５】
以上のような多数個取り配線基板２０ａの製造方法によれば、配線基板１ａごとのメタライズ層１１の表面に被覆したメッキ膜ｍ１，ｍ２同士や、あるいはロウ材ｂｍ同士が相互の擦れにより傷付いたり、隣接するロウ材ｂｍ同士が不用意に融着しない複数の配線基板１ａを併有する多数個取り配線基板２０ａを確実に製造できた。しかも、焦点Ｆの位置が異なる２段階のレーザＬの照射により、前記奥溝２８と浅溝２９とからなる分割溝３０を確実に形成することもできた。
尚、裏面２２側にも、前記同様のキャビティ８、メタライズ層１１、および分割溝３０を、表面２１側と線対称で形成することにより、複数の前記配線基板１ｃを得るための多数個取り配線基板の製造方法とすることも可能である。
また、前記分割溝予定位置Ｖの厚み方向に沿って、前記貫通孔３１，３３を形成し、これらの内壁面に前記筒形導体３２，３４を形成した後、前記２段階のレーザＬによる分割溝３０を形成する工程を行うことで、前記多数個取り配線基板２０ｂ，２０ｃの製造方法としたり、あるいは複数の前記配線基板１ｄを得るための多数個取り配線基板の製造方法とすることも可能である。
【００３６】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記配線基板や多数個取り配線基板のセラミックは、アルミナ以外の高温焼成セラミック（例えば、窒化アルミニウムやムライト）としても良い。
また、前記配線基板は、前記キャビティを必ずしも必須とするものではない。
更に、前記配線基板におけるメタライズ層の内側には、複数のキャビティが併設されていても良い。
加えて、配線基板および多数個取り配線基板における表面側と裏面側とのメタライズ層は、平面視で異なる位置ごとに形成されていても良く、これに応じて例えば、表面側と裏面側との水平面ごとの幅が相違する形態としても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明によれば、基板本体の表面などにおける各側面に沿って設けたメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜やロウ材が傷付いていない配線基板、該配線基板を複数個同時に得るための多数個取り配線基板、および該配線基板を確実に製造方法を提供することが可能となる。
【符号の説明】
【００３８】
１ａ〜１ｄ………配線基板
２，２ａ…………基板本体
３…………………基板本体の表面
４…………………基板本体の裏面
５…………………側面
６…………………破断面
７…………………溝入面
１１，１１ａ……メタライズ層
１３………………配線基板の水平面
１４，１６………切欠部
１５，１７………導体層
２０ａ〜２０ｃ…多数個取り配線基板
２１………………基板本体／製品領域／耳部の表面
２２………………基板本体／製品領域／耳部の裏面
２３………………基板本体
２４………………配線基板部
２５………………製品領域
２６………………耳部
２７………………多数個取り配線基板の水平面
２８………………奥溝
２９………………浅溝
３０………………分割溝
３１，３３………貫通孔
３２，３４………筒形導体
Ｓ…………………セラミック層（セラミック）
Ｌ…………………レーザ
Ｆ…………………焦点
ｇｓ………………グリーンシート積層体（グリーンシート）
Ｖ…………………分割溝予定位置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板本体の表面などの各側面に沿って設けたメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜やロウ材が傷付いていない配線基板、該配線基板を複数個同時に提供するための多数個取り配線基板、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、セラミック配線基板は、多数個取りセラミック配線基板をその表面や裏面に設けた分割溝に沿って個々のセラミック配線基板に分割して個片化することで製作されている。かかる個片化時において、分割溝の付近でのバリなどを生じにくくするため、刃先角が所定範囲の刃物（ブレード）をグリーンシート積層体の分割溝予定位置に沿って挿入することで、所要の分割溝を形成可能とした多数個取り配線基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、刃物により形成される分割溝は、断面が鋭角のＶ字形状であるため、隣接する配線基板間に十分な溝幅がとれず、封止用のロウ材を加熱して溶融すると、隣接するロウ材同士が不用意に融着して個片化できなくなる場合がある。
更に、前記刃物による分割溝が鋭角のＶ字形断面であるため、該分割溝を形成した表面側を谷折りして個片化する際に、隣接する一対の配線基板部の表面に設けたメタライズ層ごとに被覆したメッキ膜または封止用のロウ材同士が擦れ合って、配線基板ごとのメッキ膜やロウ材が傷付く場合がある、という問題があった。
【０００３】
一方、多数個取り配線基板の分割溝を、１回目のレーザ照射で深くて急峻な幅狭溝部を奥側に形成した後、２回目のレーザ照射で前記幅狭溝部の開口部に一対の面取り部を形成することで、開口部付近に脆弱部分のない分割溝を形成する分割用セラミック基板の製造方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
しかし、特許文献２の製造方法のように、２段階のレーザ照射により形成される断面ほぼＹ字形状の分割溝も、その開口部の両側に位置する面取りがあっても、個片化時における前記メッキ膜同士やロウ材同士の擦れによる傷付きや、該ロウ材同士の不用意な融着を確実に防ぐことができない、という問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２１８３１９号公報(第１〜１１頁、図１〜８)
【特許文献２】特開２００４−２７６３８６号公報(第１〜７頁、図１〜４)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、表面などにおいて各側面に沿って設けたメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜やロウ材が傷付いていない配線基板、該配線基板を複数個同時に提供するための多数個取り配線基板、および該配線基板を確実に得るための製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、セラミック製の多数個取り配線基板に形成すべき分割溝を、断面が鈍角の奥溝と、その開口部の両側に位置するセラミックの水平面を含む浅溝とから構成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、セラミックからなり、平面視が矩形の表面および裏面と、該表面と裏面との間に位置し、且つ表面側に位置する溝入面および裏面側に位置する破断面よりなる四辺の側面とを備えた基板本体と、該基板本体の表面における四辺の側面に沿って形成され、平面視が矩形枠状のメタライズ層と、を含む配線基板であって、上記基板本体の側面ごとにおける溝入面と上記メタライズ層との間に、上記基板本体のセラミックが露出してなる水平面が位置している、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、後述する多数個取り配線基板を個片化して本配線基板を得る際に、各側面に現れた破断面および分割溝における一方の内壁面であった溝入面と、基板本体の表面における各側面に沿って形成されたメタライズ層との間にセラミックの水平面が位置している。しかも、上記溝入面は、垂直線に対して４５度超または約４５度と大きく傾斜している。そのため、隣接する配線基板ごとのメタライズ層の上に配設されていたロウ材同士が互いに融着していないので、個々の配線基板に個片化された際に生じるロウ材の剥がれやバリも生じていない。更に、表面側を谷折りにして個片化されていても、隣接する配線基板ごとのメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜（例えば、ＮｉおよびＡｕメッキ膜）同士、あるいはロウ材同士が相互の擦れによって傷付いたりしていない。しかも、上記ロウ材を介して接合された金具（シールリング）同士が接触して、変形するような不具合も生じ難い。従って、追って基板本体の表面に開口するキャビティを封止する際に、金属製蓋板や金具を確実に密着させて封止することが可能となる。
【０００８】
尚、前記セラミックは、例えば、アルミナなどの高温焼成セラミック、あるいは低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックを含む。
また、前記配線基板の基板本体、および後述する多数個取り配線基板の基板本体は、複数のセラミック層を一体に積層したものである。
更に、前記溝入面は、垂直状の破断面と前記水平面との間において傾斜している。その傾斜角度は、垂直線に対し４５度超（鈍角の半分）か、約４５度である。
また、前記メタライズ層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇなどが主成分の導体層で、該導体層の表面には、例えば、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜が被覆される。
更に、前記ロウ材は、例えば、Ａｇ−Ｃｕ合金、あるいはＡｕ−Ｓｎ合金からなり、前記メタライズ層の上に蓋板や金具を取り付けるために用いられ、該メタライズ層に被覆された上記メッキ膜の上に配設される。
また、前記セラミックが露出した水平面は、前記基板本体の表面および裏面とほぼ平行となる比較的平坦な面である。
加えて、前記基板本体の表面で且つメタライズ層の内側には、該表面に開口するキャビティが位置しており、該キャビティの底面には、例えば、水晶振動子などの電子部品が追って実装される。
【０００９】
また、本発明には、前記側面における前記破断面と裏面との間にも表面側の溝入面と同様の溝入面が位置し、且つ前記基板本体の裏面における四辺の側面に沿って前記同様のメタライズ層が形成されていると共に、上記基板本体の側面ごとにおける上記裏面側の溝入面と上記裏面側のメタライズ層との間にも、前記同様の水平面が位置している、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、基板本体の表面側と共に裏面側にも、該裏面に開口するキャビティの周囲にメタライズ層が形成されると共に、各側面における厚み方向の中間に位置する破断面を挟んだ表面側および裏面側の各溝入面と、表面側および裏面側の各メタライズ層との間にそれぞれ前記水平面が位置している。従って、追って基板本体の表面および裏面の双方に開口する複数のキャビティごとを封止する際に、金属製蓋板や金具を確実にそれぞれ密着させて接合することができる。
【００１０】
更に、本発明には、前記基板本体の側面には、表面および裏面の厚み方向に沿った切欠部が前記破断面側に開口し、該切欠部の内壁面には、上端部および下端部の少なくとも一方が前記水平面に進入しない導体層が形成されている、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、切欠部の内壁面に形成され、且つ外部との導通に用いる導体層が、平面視における溝入面の最奥側にまで達していても、該導体層と前記メタライズ層との間には、前記セラミックが露出した水平面が位置している。そのため、上記導体層とメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜やロウ材との不用意な短絡を防止できるので、内部配線や実装すべき電子部品の動作を確実に保証できる。
尚、前記配線基板の側面に形成する切欠部およびその内壁面に形成する導体層は、側面の水平方向における中間、あるいは隣接する一対の側面間の角部に位置している。該導体層の平面視の断面は、半円形状または４分の１円弧形状である。
【００１１】
一方、本発明の多数個取り配線基板（請求項４）は、セラミックからなり、且つ平面視が矩形の表面および裏面を有する基板本体と、該表面および裏面の少なくとも一方に設けた矩形枠状のメタライズ層とを有する複数の配線基板部を縦横に隣接して併有する製品領域と、上記と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠形の表面および裏面を有する耳部と、隣接する上記配線基板部同士の間、および上記製品領域と耳部との間に沿って、表面および裏面の少なくとも一方で平面視が格子状に形成された分割溝と、を備えた多数個取り配線基板であって、上記分割溝は、隣接する配線基板部同士の間に形成された奥溝と、隣接する配線基板部の表面および裏面の少なくとも一方ごとに位置する左右一対のメタライズ層、および該メタライズ層と上記奥溝との間に位置し且つ上記基板本体のセラミックが露出してなる左右一対の水平面に囲まれた浅溝と、からなる、ことを特徴とする。
【００１２】
これによれば、隣接する配線基板部同士の間や、前記製品領域と耳部との間に沿って形成された分割溝は、開口部が幅広の奥溝と、該奥溝と左右一対のメタライズ層との間ごとに位置する一対の水平面を含む浅溝とからなっている。そのため、該分割溝の表面側または裏面側を谷折りして個々の配線基板に個片化した場合でも、隣接する配線基板ごとのメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜同士や、あるいはロウ材同士が相互の擦れにより傷付く事態を確実に防止できる。更に、上記ロウ材を加熱して溶融した際に隣接する該ロウ材同士が不用意に融着する事態を確実に防止できる。従って、追って基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に開口するキャビティを封止するための金属製蓋板や金具を確実に密着させて封止できる複数の配線基板を確実に提供できる。
尚、前記分割溝の奥溝は、鈍角(９０度超)の断面が望ましいが、９０度や９０度未満（約８０度以上）でも良い。
【００１３】
また、本発明には、前記分割溝は、前記表面と裏面との間を貫通する貫通孔と該貫通孔の径方向に沿って交叉しており、該貫通孔の内壁面には、筒形導体が形成されている、多数個取り配線基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、分割溝に沿って複数の配線基板に個片化した際に、各配線基板の側面における水平方向の中間や、隣接する一対の側面間の角部に、前記貫通孔が軸方向に沿って分割され且つ表面および裏面の厚み方向に沿った切欠部と、該切欠部の内壁面に形成され且つ前記筒形導体が軸方向に沿って分割された導体層とを有する複数の配線基板を提供できる。しかも、各配線基板の側面付近において、上記導体層と前記メタライズ層との不用意な短絡を防ぐことも可能となる。
【００１４】
更に、本発明による多数個取り配線基板の製造方法（請求項６）は、セラミックからなり、且つ平面視が矩形の表面および裏面を有する基板本体と、該表面および裏面の少なくも一方に枠状のメタライズ層とを有する複数の配線基板部を縦横に隣接して併有する製品領域と、上記と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠形の表面および裏面を有する耳部と、隣接する上記配線基板部同士の間、および上記製品領域と耳部との間に沿って、表面および裏面の少なくとも一方で平面視が格子状に形成された分割溝と、を備えた多数個取り配線基板の製造方法であって、追って上記製品領域および耳部となる表面および裏面を有するグリーンシートおいて、該製品領域の表面および裏面の少なくとも一方に枠状のメタライズ層を形成する工程と、該メタライズ層の上方から上記分割溝予定位置に沿って、レーザをグリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に照射しつつ走査することで、上記グリーンシート内に形成された奥溝と、該奥溝の両側に位置し且つグリーンシートが露出してなる左右一対の水平面、および該水平面ごとの外側に位置する左右一対のメタライズ層に囲まれた浅溝と、からなる分割溝を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【００１５】
これによれば、個片化する際に、配線基板ごとのメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜同士や、あるいはロウ材同士が相互の擦れにより傷付いたりしないと共に、隣接するロウ材同士が不用意に互いに融着したり、該ロウ材を介して接合された金具同士の接触による変形が生じていない複数の前記配線基板部を併有する多数個取り配線基板を、確実に製造することができる。
尚、前記グリーンシートは、複数のグリーンシートの積層体である。
また、前記メタライズ層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇなどを主成分とする導電性ペーストであり、その焼成後における表面には、追ってＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜などの電解金属メッキ膜が被覆され、その上には更にプリフォームされたロウ材が配設される。
【００１６】
加えて、本発明には、前記分割溝を形成する工程は、前記分割溝予定位置に沿って、レーザを前記グリーンシートの表面に少なくとも２回以上にわたって照射しつつ走査し、初回の焦点の位置を前記メタライズ層の表面付近とし、２回目以降の焦点の位置を上記初回の焦点の位置よりも上記グリーンシートの厚み方向において深くまたは浅く設定している、多数個取り配線基板の製造方法（請求項６）も含まれる。
これによれば、１回目のレーザ照射で断面が鋭角で且つ開口部の幅が狭い奥溝を形成した後、２回目のレーザ照射において焦点からずれている前記メタライズ層を優先的に除去し、且つ上記奥溝を鈍角にすることで、該奥溝と左右一対の各メタライズ層との間ごとに位置する一対の水平面を含む浅溝とからなる分割溝を、グリーンシートにおける所望の位置に格子状にして確実に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による一形態の配線基板を斜め上方から示した斜視図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線およびｘ−ｘ線の矢視に沿った部分垂直断面図。
【図３】上記配線基板の応用形態の配線基板を示す平面図。
【図４】図３中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面を含む部分斜視図。
【図５】図１の配線基板の異なる応用形態を示す図２と同様の部分垂直断面図。
【図６】図３の配線基板の応用形態を示す図２と同様の部分垂直断面図。
【図７】本発明による一形態の多数個取り配線基板を示す平面図。
【図８】図７中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った部分垂直断面図。
【図９】図８中の分割溝付近を示す拡大図。
【図１０】異なる形態の多数個取り配線基板を示す平面図。
【図１１】更に異なる形態の多数個取り配線基板を示す平面図。
【図１２】多数個取り配線基板の製造法における分割溝形成工程を示す概略図。
【図１３】図１２に続く分割溝形成工程を示す概略図。
【図１４】図１３に続く分割溝形成工程を示す概略図。
【図１５】上記工程により得られたグリーンシートの分割溝付近を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の配線基板１ａを示す斜視図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線およびｘ−ｘ線の矢視に沿った部分垂直断面図である。
配線基板１ａは、図１，図２に示すように、アルミナなどからなる複数のセラミック層(セラミック)Ｓを積層してなり、平面視が長方形（矩形）状の表面３および裏面４と、該表面３と裏面４との間に位置し且つ表面３側に位置する傾斜した溝入面７および裏面４側に位置する上記セラミックＳの破断面６よりなる四辺の側面５とを備えた基板本体２と、該基板本体２の表面３における四辺の側面５側に沿って形成され、平面視が長方形（矩形）枠状のメタライズ層１１とを含む。
上記基板本体２の表面３には、平面視が長方形の底面９とその四辺から立設する側壁１０とからなる直方体状のキャビティ８が開口しており、上記底面９に設けた図示しない電極に、例えば、水晶振動子などの図示しない電子部品の電極をロウ付けなどで導通することにより、該電子部品をキャビティ８内に実装可能としている。
尚、前記セラミック層(セラミック)Ｓは、アルミナ以外の高温焼成セラミック、またはガラスーセラミックなどの低温焼成セラミックでも良い。
【００１９】
前記側面５のうち、表面３側の溝入面７は、後述するレーザ加工によって形成され、裏面４側のセラミックＳが露出した破断面６と比較して、相対的に平滑な面であり、且つ垂直線に対して４５度超の傾斜が付されている。
また、前記メタライズ層１１は、前記セラミック層Ｓがアルミナなどの高温焼成セラミックの場合には、ＷまたはＭｏなどからなり、前記セラミック層Ｓがガラスーセラミックなどの低温焼成セラミックの場合には、ＣｕまたはＡｇなどからなる。該メタライズ層１１は、図２に示すように、断面がほぼ長方形で且つ側面５側に傾斜面１２を有している。尚、図２中の一点鎖線部分ｓの部分拡大断面図で示すように、該メタライズ層１１の表層側には、例えば、Ｎｉメッキ膜ｍ１およびＡｕメッキ膜ｍ２（メッキ膜）と、ロウ材層ｂｍ（例えば、Ａｇ−Ｃｕ合金あるいはＡｕ−Ｓｎ合金）とが順次被覆されている。
上記メタライズ層１１の該傾斜面１２と前記側面５の溝入面７との間には、前記セラミックＳが露出した水平状の水平面１３が、基板本体２の四周に沿って一定の幅で位置している。
【００２０】
以上のような配線基板１ａによれば、前記基板本体２の側面５ごとにおける溝入面７と前記メタライズ層１１との間に、該基板本体２のセラミックＳが露出してなる水平面１３が位置している。そのため、後述する多数個取り配線基板の状態において封止用のロウ材ｂｍを加熱して溶融した場合でも、隣接するロウ材ｂｍ同士が互いに融着（ブリッジ）しなので、個片化する際における該ロウ材の剥がれやバリ生じていない。更に、本配線基板１ａを多数個取り配線基板から個片化するため、表面３側を谷折りされた際にも、隣接する配線基板１ａごとのメタライズ層１１の表面に被覆したＮｉメッキ膜ｍ１およびＡｕメッキ膜ｍ２同士、あるいはロウ材ｂｍ同士が相互の擦れにより傷付いていない。従って、追って基板本体２の表面３に開口するキャビティ８を封止する際に、上記ロウ材ｂｍを介して、金属製蓋板や金具を確実に密着させて封止することが可能となる。
尚、配線基板１ａの表面３、裏面４、およびキャビティ８の底面９は、平面視で正方形を呈する形態であっても良い。
【００２１】
図３は、前記配線基板１ａの応用形態の配線基板１ｂを示す平面図、図３中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面を含む部分斜視図である。
配線基板１ｂは、図３，図４に示すように、前記同様のセラミック層Ｓからなり、平面視が正方形（矩形）状の表面３および裏面４と、該表面３と裏面４との間に位置し且つ表面３側に位置する傾斜した溝入面７および裏面４側に位置する上記セラミックＳの破断面６よりなる四辺の側面５とを備えた基板本体２と、該基板本体２の表面３における四辺の側面５に沿って形成され、平面視が正方形（矩形）枠状のメタライズ層１１とを備えている。基板本体２の表面３には、前記同様で且つ平面視が正方形状のキャビティ８が開口している。
【００２２】
図３，図４に示すように、配線基板１ｂにおいても、前記側面５ごとの溝入面７とメタライズ層１１ごとの傾斜面１２との間には、前記セラミックＳが露出した水平状の水平面１３が、一定の幅で基板本体２の四周に沿って位置している。
また、基板本体２における隣接する一対の側面５，５間の角部には、表面３および裏面４の厚み方向に沿って断面が４分の１円弧形状の切欠部１４が形成され、該切欠部１４の破断面６側に開口する曲面状の内壁面には、断面が上記円弧形状と相似形の導体層１５が形成されている。
更に、各側面５における水平方向の中間には、表面３および裏面４の厚み方向に沿って断面が半円形状の切欠部１６が形成され、該切欠部１６の破断面６側に開口する半円筒形状の内壁面には、導体層１７が形成されている。但し、上記導体層１５，１７の上端部は、図３，図４に示すように、何れも隣接する水平面１３には進入していない。
【００２３】
尚、前記導体層１５，１７は、前記同様のＷあるいはＭｏなどからなり、本配線基板１ｂを搭載するプリント基板（図示せず）などの外部端子とロウ付けにより接合され、且つ内部配線やキャビティ８内に実装される電子部品（図示せず）と導通するために用いられる。
以上のような配線基板１ｂによれば、前記配線基板１ａによる効果に加え、前記導体層１５，１７とメタライズ層１１との間には、前記セラミックＳが露出した水平面１３が位置している。その結果、上記導体層１５，１７とメタライズ層１１の表面に被覆した前記メッキ膜ｍ１、ｍ２やロウ材ｂｍとの不用意な短絡を防止できるので、内部配線や実装すべき電子部品の動作を確実に保証できる。
尚、配線基板１ｂの表面３、裏面４、およびキャビティ８の底面９は、平面視で長方形を呈する形態であっても良い。
【００２４】
図５は、前記配線基板１ａの異なる応用形態の配線基板１ｃを示す前記図２と同様の部分垂直断面図である。該配線基板１ｃは、前記同様の表面３、裏面４、および側面５を有する基板本体２ａと、表面３側のメタライズ層１１とに加え、図５に示すように、更に側面５ごとにおける破断面６と裏面４との間にも前記同様の溝入面７、水平面１３、およびメタライズ層１１を表面３側と線対称にて有している。即ち、配線基板１ｃの各側面５は、厚み方向の中間に位置する破断面６の上下に一対の溝入面７が対称に位置している。裏面４側のメタライズ層１１の内側には、該裏面４に開口する前記同様のキャビティ８が対称に位置している。
上記配線基板１ｃによれば、後述する多数個取り配線基板の状態において、配線基板部ごとに配設したロウ材ｂｍを加熱および溶融した際に、隣接するロウ材ｂｍ同士が不用意に融着していないので、個片化時の剥がれやバリが生じていない。しかも、多数個取り配線基板から個片化する際に、裏面４側を谷折りされた際にも、隣接する配線基板１ｃごとのメタライズ層１１の表面に被覆したＮｉメッキ膜ｍ１およびＡｕメッキ膜ｍ２同士、あるいはロウ材ｂｍ同士が相互の擦れで傷付いていない。従って、表面３および裏面４の双方に開口する各キャビティ８を確実に封止することが可能となる。
【００２５】
図６は、前記配線基板１ｂの応用形態である配線基板１ｄを示す前記図２と同様の部分垂直断面図である。かかる配線基板１ｄも、前記同様の基板本体２ａ、表面３側のメタライズ層１１、および表面３側のキャビティ８に加え、図６に示すように、更に側面５ごとにおける裏面４側の溝入面７、水平面１３、裏面４側のメタライズ層１１、および裏面４側のキャビティ８を対称に備えている。
図６で例示するように、側面５ごとの上下一対の溝入面７，７間には、表面３および裏面４の厚み方向に沿った前記同様の切欠部１４，(１６)が形成され、該切欠部１４，１６の内壁面には、前記同様の導体層１５，(１７)が形成されている。該導体層１５，(１７)の上端部および下端部は、表面３側および裏面４側の各水平面１３に何れも進入していない。
上記配線基板１ｄによれば、前記導体層１５，１７と表面３側および裏面４側各メタライズ層１１の表面に被覆した前記メッキ膜ｍ１、ｍ２やロウ材ｂｍとの不用意な短絡を防止できるので、内部配線や表面３および裏面４に開口する各キャビティ８に実装される電子部品の動作を確実に保証することが可能となる。
【００２６】
図７は、複数の前記配線基板１ａを得るための多数個取り配線基板２０ａを示す平面図、図８は、図７中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った部分垂直断面図、図９は、図８中の分割溝付近を示す拡大図である。
多数個取り配線基板２０ａは、図７〜図９に示すように、表面２１および裏面２２を有する複数の配線基板部２４を平面視で縦横に隣接して併有する製品領域２５と、該製品領域２５の周囲に位置し且つ平面視が正方形（矩形）枠状の表面２１および裏面２２を有する耳部２６と、上記配線基板部２４，２４間、および製品領域２５と耳部２６との間に沿って、表面２１に平面視が格子状に形成された分割溝３０と、を備えている。
尚、上記製品領域２５および耳部２６は、何れも前記同様のセラミック層Ｓからなる。また、図７〜図９、および後述する図１０以降において、表面２１と裏面２２は、基板本体２３、製品領域２５、および耳部２６に共通して用いられる。
【００２７】
前記配線基板部２４は、図７〜図９に示すように、平面視が正方形（矩形）状の表面２１および裏面２２を有する基板本体２３と、該基板本体２３の表面２１に設けた矩形枠状のメタライズ層１１と、該メタライズ層１１の内側の表面２１に開口する前記同様のキャビティ８とを有している。
尚、上記メタライズ層１１において、外部に露出する表層には、前記同様のメッキ膜ｍ１，ｍ２およびロウ材ｂｍが被覆されている。
また、前記分割溝３０は、図９に示すように、隣接する配線基板部２４，２４間の分割溝予定位置Ｖに沿って最低部が位置する断面が鈍角θの奥溝２８と、隣接する一対の配線基板部２４の各表面２１に位置する各メタライズ層１１の傾斜面１２、および該一対のメタライズ層１１と上記奥溝２８との間に位置し且つセラミックＳが露出してなる左右一対の水平面２７とに囲まれた浅溝２９とからなる。上記奥溝２８の断面は、断面が９０度超〜約１５０度の鈍角θを最低部に有するほぼ二等辺三角形を呈し、上記浅溝２９の断面は、ほぼ逆台形を呈している。
【００２８】
以上のような多数個取り配線基板２０ａによれば、前記分割溝３０が奥溝２８および浅溝２９からなるため、配線基板部２４ごとのメタライズ層１１上に配設したロウ材ｂｍを加熱・溶融しても、隣接するロウ材ｂｍ同士が不用意に融着する事態を確実に防止できる。更に、前記分割溝３０が開口する表面２１側を谷折りして個々の配線基板部２４を個片化した場合でも、隣接する配線基板部２４ごとのメタライズ層１１の表面に被覆したメッキ膜ｍ１，ｍ２同士や、あるいはロウ材ｂｍ同士が相互の擦れにて傷付く事態を確実に防止できる。従って、追って前記基板本体２の表面３に開口するキャビティ８を封止するための金属製蓋板や金具を確実に密着させて固定し得る複数の配線基板１ａを確実に提供できる。
尚、前記製品領域２５における配線基板部２４ごとの裏面２２側にも、前記同様のキャビティ８、メタライズ層１１、および分割溝３０を、表面２１側と線対称で配設することにより、複数の前記配線基板１ｃを得るための多数個取り配線基板を提供することが可能となる。
【００２９】
図１０は、異なる形態の多数個取り配線基板２０ｂを示す平面図である。
多数個取り配線基板２０ｂは、図１０に示すように、前記同様の製品領域２５、耳部２６、および分割溝３０を備えると共に、平面視で各配線基板部２４を区画する四辺の分割溝３０ごとの中間位置で該分割溝３０が径方向に沿って交叉し、且つ表面２１と裏面２２との間を貫通する断面円形状の貫通孔３１と、該貫通孔３１の内壁面に形成した円筒形状の筒形導体３２とを更に有している。
図１１は、更に異なる形態の多数個取り配線基板２０ｃを示す平面図である。
多数個取り配線基板２０ｃは、図１１に示すように、前記同様の製品領域２５、耳部２６、および分割溝３０を備えると共に、平面視で各配線基板部２４を区画する四辺の分割溝３０のうち、隣接する一対の分割溝３０が直角に交叉する位置で各分割溝３０が径方向に沿って交叉し、且つ表面２１と裏面２２との間を貫通する断面円形状の貫通孔３３と、該貫通孔３１の内壁面に形成した円筒形状の筒形導体３４とを更に有している。尚、筒形導体３２，３４も、Ｗなどからなる。
【００３０】
前記のような多数個取り配線基板２０ｂ，２０ｃによれば、前記多数個取り配線基板２０ａによる効果に加え、分割溝３０に沿って複数の配線基板（１ｎ）に個片化した際に、各配線基板の側面５における水平方向の中間、あるいは隣接する一対の側面５間の角部に、前記貫通孔３１，３３が軸方向に沿って分割され且つ表面３および裏面４の厚み方向に沿った切欠部１６，１４と、該切り欠き部１６，１４の内壁面に形成され且つ前記筒形導体３２，３４が軸方向に沿って分割された導体層１７，１５とを有する複数の配線基板を提供できる。しかも、各配線基板の側面５付近において、上記導体層１５，１７と前記メタライズ層１１との不用意な短絡も防ぐことも可能となる。
尚、前記切欠部１４，１６および筒形導体１５，１７を併有する多数個取り配線基板とした場合、該多数個取り配線基板を前記分割溝３０に沿って個片化することで複数の前記配線基板１ｂを得ることができる。また、裏面２２側にも、前記同様のキャビティ８、メタライズ層１１、および分割溝３０を、表面２１側と線対称で配設することにより、複数の前記配線基板１ｄを得るための多数個取り配線基板を提供することも可能となる。
【００３１】
以下において、前記多数個取り配線基板２０ａの製造方法について説明する。
予め、アルミナ粉末に適量ずつの樹脂バインダや溶剤などを配合した所定厚さのグリーンシートを複数用意し、該グリーンシートに複数種の打ち抜き加工を施し、得られた比較的細径の貫通孔にＷ粉末またはＭｏ粉末を含む導電性ペーストを充填し、各グリーンシートの表面や裏面の適所にも上記同様の導電性ペーストを印刷した後、該複数のグリーンシートを角形の大きな貫通孔が連通するように積層・圧着した。
その結果、図１２に示すように、表面２１および裏面２２を有してなり、平面視で縦横に隣接する複数の配線基板部２４ごとの表面２１側に開口するキャビティ８を有し、且つ隣接する配線基板部２４，２４間に位置する分割溝予定位置Ｖの上方の表面２１に未焼成のメタライズ層１１ａが形成された所定厚さのグリーンシート積層体（グリーンシート）ｇｓを製作した。
次に、該グリーンシート積層体ｇｓの表面２１に対し、前記配線基板部２４の周囲および製品領域２５と耳部２６とを区画するようにレーザＬを複数回照射して走査することで、複数の分割溝３０を平面視で格子状に形成する工程を行った。
【００３２】
即ち、図１２に示すように、第１回目（１ｔｈ）の照射では、グリーンシート積層体ｇｓの表面２１側における分割溝予定位置Ｖの真上のメタライズ層１１ａに対し、レーザＬを厚み方向に沿って照射しつつ、該メタライズ層１１ａの長手方向に沿って連続して走査した。この際、該レーザＬの焦点Ｆの位置は、調整用の凸レンズ３６にてメタライズ層１１ａよりも裏面２２側（奥側）に設定した。
上記レーザＬには、例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用い、且つ一定の送り速度（約１００ｍｍ／秒）で行った。
尚、図１２は、該レーザＬの送り方向と直交する方向の視覚を示す概略図であり、以降の図１３〜図１５も同様である。
また、形成すべき分割溝３０の奥溝２８の深さが約２００μｍで且つ開口部の幅が約５０μｍの場合、上記レーザＬの条件は、周波数：約３０〜１００Ｈｚ、繰り返し回数：２〜５回とした。
【００３３】
その結果、図１３に示すように、最低部がグリーンシート積層体ｇｓの内部に位置し且つ断面が鋭角の奥溝２８ａが前記分割溝予定位置Ｖに沿って形成された。同時に、前記未焼成のメタライズ層１１ａは、上記奥溝２８により左右一対のメタライズ層１１ｂに分割され、且つ未焼成の各メタライズ層１１ｂには、奥溝２８ａの各内壁面と同様な傾斜の傾斜面１２ａが線対称に形成された。
次いで、図１４に示すように、第２回目（２ｔｈ）のレーザＬの照射を、奥溝２８に沿って連続して走査した。この際、該レーザＬの焦点Ｆの位置は、調整用の凸レンズ３６によって第１回目（１ｔｈ）での位置よりもグリーンシート積層体ｇｓの厚み方向で深くに設定した。そのため、焦点Ｆの位置を深くしてメタライズ層１１ｂからずらしたので、上記レーザＬの加工エネルギは、該メタライズ層１１ｂにほぼ集中した。
尚、第２回目のレーザＬの種類、送り速度、およびレーザの条件は、第１回目と同様とした。また、該第２回目のレーザＬの照射を複数回で行っても良い。更に、第２回目以降に照射するレーザＬの焦点Ｆの位置を、第１回目の位置よりもグリーンシート積層体ｇｓの厚み方向で浅く設定しても良い。
【００３４】
その結果、図１５に示すように、グリーンシート積層体ｇｓの前記分割溝予定位置Ｖに沿って、断面が鈍角θの奥溝２８と、左右一対のメタライズ層１１ｂの傾斜面２７および左右一対の水平面２７に囲まれた浅溝２９とからなる分割溝３０が、グリーンシート積層体ｇｓの表面２１側において格子状に形成された。
更に、分割溝３０が表面２１側に格子状に形成されたグリーンシート積層体ｇｓを所定温度で焼成した後、得られたセラミック積層体を、Ｎｉメッキ電解浴およびＡｕメッキ電解浴に順次浸漬して電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを行って、焼成されたメタライズ層１１の表面などにＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を被覆した。その結果、前記多数個取り配線基板２０ａを得ることができた。
【００３５】
以上のような多数個取り配線基板２０ａの製造方法によれば、配線基板１ａごとのメタライズ層１１の表面に被覆したメッキ膜ｍ１，ｍ２同士や、あるいはロウ材ｂｍ同士が相互の擦れにより傷付いたり、隣接するロウ材ｂｍ同士が不用意に融着しない複数の配線基板１ａを併有する多数個取り配線基板２０ａを確実に製造できた。しかも、焦点Ｆの位置が異なる２段階のレーザＬの照射により、前記奥溝２８と浅溝２９とからなる分割溝３０を確実に形成することもできた。
尚、裏面２２側にも、前記同様のキャビティ８、メタライズ層１１、および分割溝３０を、表面２１側と線対称で形成することにより、複数の前記配線基板１ｃを得るための多数個取り配線基板の製造方法とすることも可能である。
また、前記分割溝予定位置Ｖの厚み方向に沿って、前記貫通孔３１，３３を形成し、これらの内壁面に前記筒形導体３２，３４を形成した後、前記２段階のレーザＬによる分割溝３０を形成する工程を行うことで、前記多数個取り配線基板２０ｂ，２０ｃの製造方法としたり、あるいは複数の前記配線基板１ｄを得るための多数個取り配線基板の製造方法とすることも可能である。
【００３６】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記配線基板や多数個取り配線基板のセラミックは、アルミナ以外の高温焼成セラミック（例えば、窒化アルミニウムやムライト）としても良い。
また、前記配線基板は、前記キャビティを必ずしも必須とするものではない。
更に、前記配線基板におけるメタライズ層の内側には、複数のキャビティが併設されていても良い。
加えて、配線基板および多数個取り配線基板における表面側と裏面側とのメタライズ層は、平面視で異なる位置ごとに形成されていても良く、これに応じて例えば、表面側と裏面側との水平面ごとの幅が相違する形態としても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明によれば、基板本体の表面などにおける各側面に沿って設けたメタライズ層の表面に被覆したメッキ膜やロウ材が傷付いていない配線基板、該配線基板を複数個同時に得るための多数個取り配線基板、および該配線基板を確実に製造方法を提供することが可能となる。
【符号の説明】
【００３８】
１ａ〜１ｄ………配線基板
２，２ａ…………基板本体
３…………………基板本体の表面
４…………………基板本体の裏面
５…………………側面
６…………………破断面
７…………………溝入面
１１，１１ａ……メタライズ層
１３………………配線基板の水平面
１４，１６………切欠部
１５，１７………導体層
２０ａ〜２０ｃ…多数個取り配線基板
２１………………基板本体／製品領域／耳部の表面
２２………………基板本体／製品領域／耳部の裏面
２３………………基板本体
２４………………配線基板部
２５………………製品領域
２６………………耳部
２７………………多数個取り配線基板の水平面
２８………………奥溝
２９………………浅溝
３０………………分割溝
３１，３３………貫通孔
３２，３４………筒形導体
Ｓ…………………セラミック層（セラミック）
Ｌ…………………レーザ
Ｆ…………………焦点
ｇｓ………………グリーンシート積層体（グリーンシート）
Ｖ…………………分割溝予定位置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックからなり、平面視が矩形の表面および裏面と、該表面と裏面との間に位置し、且つ表面側に位置する溝入面および裏面側に位置する破断面よりなる四辺の側面とを備えた基板本体と、
上記基板本体の表面における四辺の側面に沿って形成され、平面視が矩形枠状のメタライズ層と、を含む配線基板であって、
上記基板本体の側面ごとにおける溝入面と上記メタライズ層との間に、上記基板本体のセラミックが露出してなる水平面が位置している、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記側面における前記破断面と裏面との間にも表面側の溝入面と同様の溝入面が位置し、且つ前記基板本体の裏面における四辺の側面に沿って前記同様のメタライズ層が形成されていると共に、上記基板本体の側面ごとにおける上記裏面側の溝入面と上記裏面側のメタライズ層との間にも、前記同様の水平面が位置している、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記基板本体の側面には、表面および裏面の厚み方向に沿った切欠部が前記破断面側に開口し、該切欠部の内壁面には、上端部および下端部の少なくとも一方が前記水平面に進入しない導体層が形成されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
セラミックからなり、且つ平面視が矩形の表面および裏面を有する基板本体と、該表面および裏面の少なくとも一方に設けた矩形枠状のメタライズ層とを有する複数の配線基板部を縦横に隣接して併有する製品領域と、
上記と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠形の表面および裏面を有する耳部と、
隣接する上記配線基板部同士の間、および上記製品領域と耳部との間に沿って、表面および裏面の少なくとも一方で平面視が格子状に形成された分割溝と、を備えた多数個取り配線基板であって、
上記分割溝は、隣接する配線基板部同士の間に形成された奥溝と、隣接する配線基板部の表面および裏面の少なくとも一方ごとに位置する左右一対のメタライズ層、および該メタライズ層と上記奥溝との間に位置し且つ上記基板本体のセラミックが露出してなる左右一対の水平面に囲まれた浅溝と、からなる、
ことを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項５】
前記分割溝は、前記表面と裏面との間を貫通する貫通孔と該貫通孔の径方向に沿って交叉しており、該貫通孔の内壁面には、筒形導体が形成されている、
ことを特徴とする請求項４に記載の多数個取り配線基板。
【請求項６】
セラミックからなり、且つ平面視が矩形の表面および裏面を有する基板本体と、該表面および裏面の少なくとも一方に枠状のメタライズ層とを有する複数の配線基板部を縦横に隣接して併有する製品領域と、
上記と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠形の表面および裏面を有する耳部と、
隣接する上記配線基板部同士の間、および上記製品領域と耳部との間に沿って、表面および裏面の少なくとも一方で平面視が格子状に形成された分割溝と、を備えた多数個取り配線基板の製造方法であって、
追って上記製品領域および耳部となる表面および裏面を有するグリーンシートおいて、該製品領域の表面および裏面の少なくとも一方に枠状のメタライズ層を形成する工程と、
上記メタライズ層の上方から上記分割溝予定位置に沿って、レーザをグリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に照射しつつ走査することで、上記グリーンシート内に形成された奥溝と、該奥溝の両側に位置し且つグリーンシートが露出してなる左右一対の水平面、および該水平面ごとの外側に位置する左右一対のメタライズ層に囲まれた浅溝と、からなる分割溝を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記分割溝を形成する工程は、前記分割溝予定位置に沿って、レーザを前記グリーンシートの表面に少なくとも２回以上にわたって照射しつつ走査し、初回の焦点の位置を前記メタライズ層の表面付近とし、２回目以降の焦点の位置を上記初回の焦点の位置よりも上記グリーンシートの厚み方向において深くまたは浅く設定している、
ことを特徴とする請求項６に記載の多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項１】
セラミックからなり、平面視が矩形の表面および裏面と、該表面と裏面との間に位置し、且つ表面側に位置する溝入面および裏面側に位置する破断面よりなる四辺の側面とを備えた基板本体と、
上記基板本体の表面における四辺の側面に沿って形成され、平面視が矩形枠状のメタライズ層と、を含む配線基板であって、
上記基板本体の側面ごとにおける溝入面と上記メタライズ層との間に、上記基板本体のセラミックが露出してなる水平面が位置している、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記側面における前記破断面と裏面との間にも表面側の溝入面と同様の溝入面が位置し、且つ前記基板本体の裏面における四辺の側面に沿って前記同様のメタライズ層が形成されていると共に、上記基板本体の側面ごとにおける上記裏面側の溝入面と上記裏面側のメタライズ層との間にも、前記同様の水平面が位置している、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記基板本体の側面には、表面および裏面の厚み方向に沿った切欠部が前記破断面側に開口し、該切欠部の内壁面には、上端部および下端部の少なくとも一方が前記水平面に進入しない導体層が形成されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
セラミックからなり、且つ平面視が矩形の表面および裏面を有する基板本体と、該表面および裏面の少なくとも一方に設けた矩形枠状のメタライズ層とを有する複数の配線基板部を縦横に隣接して併有する製品領域と、
上記と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠形の表面および裏面を有する耳部と、
隣接する上記配線基板部同士の間、および上記製品領域と耳部との間に沿って、表面および裏面の少なくとも一方で平面視が格子状に形成された分割溝と、を備えた多数個取り配線基板であって、
上記分割溝は、隣接する配線基板部同士の間に形成された奥溝と、隣接する配線基板部の表面および裏面の少なくとも一方ごとに位置する左右一対のメタライズ層、および該メタライズ層と上記奥溝との間に位置し且つ上記基板本体のセラミックが露出してなる左右一対の水平面に囲まれた浅溝と、からなる、
ことを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項５】
前記分割溝は、前記表面と裏面との間を貫通する貫通孔と該貫通孔の径方向に沿って交叉しており、該貫通孔の内壁面には、筒形導体が形成されている、
ことを特徴とする請求項４に記載の多数個取り配線基板。
【請求項６】
セラミックからなり、且つ平面視が矩形の表面および裏面を有する基板本体と、該表面および裏面の少なくとも一方に枠状のメタライズ層とを有する複数の配線基板部を縦横に隣接して併有する製品領域と、
上記と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠形の表面および裏面を有する耳部と、
隣接する上記配線基板部同士の間、および上記製品領域と耳部との間に沿って、表面および裏面の少なくとも一方で平面視が格子状に形成された分割溝と、を備えた多数個取り配線基板の製造方法であって、
追って上記製品領域および耳部となる表面および裏面を有するグリーンシートおいて、該製品領域の表面および裏面の少なくとも一方に枠状のメタライズ層を形成する工程と、
上記メタライズ層の上方から上記分割溝予定位置に沿って、レーザをグリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に照射しつつ走査することで、上記グリーンシート内に形成された奥溝と、該奥溝の両側に位置し且つグリーンシートが露出してなる左右一対の水平面、および該水平面ごとの外側に位置する左右一対のメタライズ層に囲まれた浅溝と、からなる分割溝を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記分割溝を形成する工程は、前記分割溝予定位置に沿って、レーザを前記グリーンシートの表面に少なくとも２回以上にわたって照射しつつ走査し、初回の焦点の位置を前記メタライズ層の表面付近とし、２回目以降の焦点の位置を上記初回の焦点の位置よりも上記グリーンシートの厚み方向において深くまたは浅く設定している、
ことを特徴とする請求項６に記載の多数個取り配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−２３０９４５（Ｐ２０１２−２３０９４５Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９６８２９（Ｐ２０１１−９６８２９）
【出願日】平成２３年４月２５日（２０１１．４．２５）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２５日（２０１１．４．２５）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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