配線構造及び半導体搭載用基板
【課題】 接着層を挟んで積層した配線板の接合部にボイドがないようにして信頼性を高くし、しかも、積層した両配線板の厚さを薄くするとともに両配線板の接合部から外部への接着層樹脂の流出を抑制する。
【解決手段】 プリプレグ３２を挟んで積層される両配線板１８，１９の内、導体パターン３０の一部によって開口部１３の縁端に沿ったボンディングパッド列１５が形成される第２配線板１８の導体パターン面には、第３配線板１９との接合部の内側縁端に沿って環状に閉じた状態の内側帯状パターン３３を形成する。又、第２配線板１８の導体パターン面には、第３配線板１９との接合部の外側縁端に沿って環状に閉じた状態の外側帯状パターン３４を形成する。
【解決手段】 プリプレグ３２を挟んで積層される両配線板１８，１９の内、導体パターン３０の一部によって開口部１３の縁端に沿ったボンディングパッド列１５が形成される第２配線板１８の導体パターン面には、第３配線板１９との接合部の内側縁端に沿って環状に閉じた状態の内側帯状パターン３３を形成する。又、第２配線板１８の導体パターン面には、第３配線板１９との接合部の外側縁端に沿って環状に閉じた状態の外側帯状パターン３４を形成する。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線構造に好適な配線構造、及び、ＩＣチップ等の半導体パッケージに使用する半導体搭載用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、入出力端子数の多いＩＣチップを収容するために、複数の配線板を積層して形成した多層配線構造を備えた半導体パッケージがある。このような半導体パッケージでは、表裏面にそれぞれ導体パターンが形成された複数の配線板が、層間絶縁層となるプリプレグ等の接着層によって接着されている。プリプレグは、両基板の積層時に加えられる熱と圧力によって含侵樹脂が流動化し、重ね合わされた両配線板を硬化時に接着するとともに、ほぼ所定の層厚の層間絶縁層となる。
【０００３】プリプレグを挟んで両配線板を積層する場合、導体パターン間の隙間にボイド（気泡）が生じないようにする必要がある。配線板の積層時に両配線板間にボイドが生じると、積層作業での加熱・加圧時にボイドが膨張し、両配線板が良好に接着されないことがある。このため、半導体パッケージの多層配線板が層間で剥離する可能性があり、信頼性を高くすることができなくなるからである。
【０００４】そこで、積層時に、プリプレグ樹脂がボイドを生じることなく導体パターン同士の間の隙間を充填するようにするために、樹脂の硬化状態がＡステージに近いＢステージのプリプレグを使用することが考えられる。この場合には、配線板の積層時に流動化したプリプレグ樹脂が導体パターンの間の隙間に良好に充填される。しかしながら、このように樹脂の流動性が高いプリプレグを挟んで配線板を積層すると、両配線板の接合部から外部にプリプレグ樹脂が流出する問題があった。プリプレグ樹脂が半導体搭載用基板に搭載された半導体側に流出した場合には、配線板に導体パターンによって形成されたボンディングパッドが汚染される可能性があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、積層時にプリプレグ樹脂が両配線板の接合部から外部に流出しないように硬化状態がそれほどＡステージに近くないプリプレグを使用しながら、積層時に両配線板間にボイドが生じないようにするために、プリプレグに加えて、両配線板の導体パターン面全体にそれぞれソルダレジストを塗布することがある。各配線板の導体パターン面にソルダレジストを塗布すると、導体パターン間の隙間が埋められて導体パターン面がある程度平坦化される。従って、両配線板を積層したときに、導体パターン間の凹部が流動化したプリプレグによって良好に充填され、両配線板間にボイドが発生し難くなる。
【０００６】しかしながら、各配線板の導体パターン面をソルダレジストで被覆すると、導体パターンの上にもソルダレジストがのる。このソルダレジストの厚さは、例えば２０〜３０μｍであることから、プリプレグを挟んで積層した両配線板間の絶縁層の厚さが厚くなり、多層配線部の厚さが厚くなって半導体パッケージの小形化の支障となる問題があった。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、接着層を挟んで積層した配線板間にボイドがないようにして剥離に対する信頼性を高くすることができ、しかも、積層した両配線板の厚さが厚くならないようにすることができるとともに積層した基板間から外部への接着層樹脂の流出を抑制することができる配線構造、及び、半導体搭載用基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するため、請求項１に記載の発明は、導体パターンが形成された導体パターン面を備えた配線板を含む一対の基板が、前記導体パターン面が内側となる状態で、前記両基板間に接着層を挟んで積層された配線構造において、前記両基板の少なくとも一方には、前記接着層に向き合う接合面の一部に、前記両基板の積層時に流動化した接着層樹脂の該両基板の接合部から外部への流出を抑制するための帯状パターンが形成されている。「接合部」とは、積層された両基板の各接合面の間を意味する。
【０００９】請求項２に記載の発明は、半導体が搭載される搭載用基板上に、導体パターンが形成された導体パターン面を備えた複数の配線板を積層して形成されるとともに前記半導体を囲んだ状態で前記搭載用基板上に搭載するための開口部を備えた多層配線部が設けられ、前記配線板の少なくとも１つは、前記導体パターン面に接着層が向き合う状態で積層されている半導体搭載用基板において、前記接着層に向き合う第１の配線板の前記導体パターン面、及び、該第１の配線板に前記接着層を挟んで積層された第２の配線板の接合面の少なくとも一方には、前記両配線板の接合部の内側縁端及び外側縁端の少なくとも一方に沿って、該両配線板の積層時に流動化した接着層樹脂の該接合部から外部への流出を抑制するための帯状パターンが形成されている。「半導体搭載用基板」とは、半導体パッケージを構成する基板である。「内側縁端」とは、開口部によって環状となっている接合部の内側、即ち、開口部側の環状の縁端であり、「外側縁端」とは、同じく環状の接合部の外側、即ち、外周側の縁端である。
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記第１の配線板は、前記導体パターンの一部により前記開口部の縁端に沿って形成されるとともに前記半導体にワイヤボンディングされるボンディングパッド列を備え、前記帯状パターンは、前記導体パターン面に前記接合部の内側縁端に沿って環状に閉じた状態で設けられている。
【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記帯状パターンは、前記接合部の外側縁端に沿って環状に閉じた状態で設けられている。
（作用）請求項１に記載の発明によれば、両基板の積層に使用するプリプレグ等の接着層の硬化状態をＡステージに近いＢステージとすることにより、配線板の導体パターン面をソルダレジスト等の被覆層で平坦化しないままで、導体パターン面に形成されている導体パターン同士の間の隙間に接着層樹脂が良好に充填される。そして、流動化した接着層樹脂の両基板間からの流出が、積層される両基板の少なくとも一方の接合面の一部に形成されている帯状パターンによって抑制される。このとき、帯状パターンが導体パターン面又は接合面の一部にのみ形成されているので、導体パターンの上に帯状パターンがのった部分の厚さが接着層の部分的な変形によって吸収され、従来のように配線パターン面に被覆層を形成する場合と異なり、積層された両基板全体の厚さが厚くならない。
【００１２】請求項２に記載の発明によれば、多層配線部の少なくとも一部を構成する第１及び第２の配線板の積層に使用する接着層樹脂の硬化状態をＡステージに近いＢステージとすることにより、第１の配線板の導体パターン面を被覆層で平坦化しないままで、導体パターン面に形成されている導体パターン同士の間の隙間に接着層が良好に充填される。そして、流動化した接着層樹脂の両配線板の接合部から外部への流出が、積層される両配線板の少なくとも一方に、接合部の内側縁端及び外側縁端の少なくとも一方に沿って設けられている帯状パターンによって抑制される。帯状パターンが内側縁端に沿って設けられている場合には、接合部から開口部側への接着層樹脂の流出が抑制され、帯状パターンが外側縁端に沿って設けられている場合には、接合部から多層配線部の外周側への流出が抑制される。このとき、帯状パターンが、導体パターン面又は接合面の少なくとも一方に、接合部の縁端に沿ってのみ形成されているので、導体パターンに向き合う帯状パターンの厚さが接着層の部分的な変形によって吸収され、従来のように配線パターン面に被覆層を形成する場合と異なり、積層された両配線板全体の厚さが被覆層によって厚くならない。
【００１３】請求項３に記載の発明によれば、請求項２に記載の発明の作用に加えて、開口部の縁端に沿ってボンディングパッド列が設けられた多層配線部において、ボンディングパッド列が形成された導体パターン面に接合部の内側縁端に沿って環状に閉じた状態で帯状パターンが設けられているので、接合部からボンディングパッド列側への接着層樹脂の流出が効果的に抑制される。
【００１４】請求項４に記載の発明によれば、請求項３に記載の発明の作用に加えて、両配線板の接合部の外側縁端に沿って環状に閉じた状態で帯状パターンが設けられているので、接合部から多層配線部の外周側への接着層樹脂の流出が効果的に抑制される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を半導体搭載用基板に具体化した一実施の形態を図１〜図６に従って説明する。
【００１６】図２( ａ) ，（ｂ）は半導体パッケージを構成する半導体搭載用基板１０を示している。半導体搭載用基板１０は、例えばＩＣベアチップ等の半導体が搭載される搭載用基板としてのメタルスラグ１１と、半導体に接続される多層配線部１２とを備えている。多層配線部１２の中央部には、メタルスラグ１１上に半導体を搭載するための開口部１３が形成されている。開口部１３の周辺には、半導体の各ボンディングパッドをワイヤボンディングするためのボンディングパッド列１４，１５が設けられている。又、多層配線部１２の上面には、各ボンディングパッド列１４，１５の各パッドに電気的に導通された複数のバンプ１６が設けられている。
【００１７】図１は多層配線部１２の一部の断面を示している。多層配線部１２は、積層された第１配線板１７、第２配線板１８及び第３配線板１９とで形成されている。第１配線板１７はメタルスラグ１１の上面に積層され、第２配線板１８は第１配線板１７の上に積層され、第３配線板１９は第２配線板１８の上に積層されている。
【００１８】第３配線板１９の上面には第１配線層２０が形成され、同じく下面には第２配線層２１が形成されている。第２配線板１８の上面には第３配線層２２が形成され、同じく下面には第４配線層２３が形成されている。第１配線板１７の上面には第５配線層２４が形成され、同じく下面には第６配線層２５が形成されている。各配線層２０〜２５はバイアホール２６によって接続されている。
【００１９】第１配線板１７の開口部１３側の周縁部は、第２配線板１８の開口部１３側の周縁部よりも内側に張り出すように形成され、その張り出し部分において外部に露出する第５配線層２４にボンディングパッド列１４が形成されている。
【００２０】又、第２配線板１８の開口部１３側の周縁部は、第３配線板１９の開口部１３側の周縁部よりも内側に張り出すように形成され、その張り出し部分において外部に露出する第３配線層２２にボンディングパッド列１５が形成されている。
【００２１】第１配線板１７は、接着層２７によってメタルスラグ１１に接着されている。第１配線板１７の第６配線層２５にはソルダマスク２８が被覆されている。又、第３配線板１９の第１配線層２０にはソルダマスク２９が被覆されている。
【００２２】多層配線部１２の多層配線構造について説明する。図３は、第１の配線板としての第２配線板１８の上面に形成された第３配線層２２を示している。第３配線層２２は、導体パターン３０によって形成されている。ボンディングパッド列１５は、導体パターン３０の一部によって形成されている。導体パターン３０は、例えば、３０μｍの厚さに形成されている。
【００２３】図４は第３配線層２２の一部を拡大した図である。第３配線層２２の各導体パターン３０は、他の配線層２０，２１，２３，２４，２５の各導体パターンとインピーダンスが調整された所定の線幅で形成されている。又、導体パターン３０は、隣り合う導体パターン３０との間隔が、少なくとも１００μｍ以上となるように設けられている。尚、インピーダンス等の要因により線幅が制約されない導体パターン３０は、例えば、導体パターン３０ａのように、隣り合う導体パターン３０との間隔が１００〜３００μｍの範囲内の幅となるように、あえて、その線幅が広く形成されている。
【００２４】第２配線板１８の上面には、第３配線層２２を形成する導体パターン３０に加えて、導体パターン３０の間、即ち、導体パターン３０が形成されていないパターン非形成領域に、擬似パターン３１が形成されている。
【００２５】擬似パターン３１は、導体パターン３０の厚さと同じ厚さ、即ち、３０μｍの厚さに形成されている。又、擬似パターン３１は、電気的機能を具備しない、即ち、ボンディングパッド１４，１５及びバンプ１６に接続されておらず電気路として使用されない導体パターンとして形成されている。さらに、擬似パターン３１は、各導体パターン３０の周囲をできるだけ取り囲まないように、互いに独立した形状に形成されている。
【００２６】図５は導体パターン３０の一部を拡大した図である。擬似パターン３１は、隣り合う導体パターン３０間との間隔Ｗが、１００〜３００μｍの範囲内となるように設けられている。
【００２７】又、第２配線板１８の第３配線層２２と対向する状態で積層されている第２の配線板としての第３配線板１９の第２配線層２１にも、同様に擬似パターンが形成されている。
【００２８】図６は第２配線板１８と第３配線板１９の積層状態を模式的に示している。第２配線板１８と第３配線板１９とは、接着層としてのプリプレグ３２のみを介在した状態で積層されている。プリプレグ３２としては、積層前の厚さが例えば６０μｍのものが使用されている。第３配線層２２及び第２配線層２１において、導体パターン３０同士の間、又は、導体パターン３０と擬似パターン３１との間は、積層時の加圧・加熱によって流動化したプリプレグ３２によってボイドが生じていない状態で充填されている。
【００２９】擬似パターン３１が、導体パターン３０との間隔が、１００〜３００μｍの範囲内の幅となるように設けられている理由は、導体パターン３０同士の間隔、又は、導体パターン３０と擬似パターン３１との間隔が１００〜３００μｍの範囲内である場合には、配線板１８，１９の積層時に、流動化したプリプレグ３２が導体パターン３０同士の間、又は、導体パターン３０と擬似パターン３１と間に、ボイドを生じることなく良好に入り込むためである。
【００３０】尚、積層時にプリプレグ３２を挟んだ状態で互いに向き合う状態で配置される第１配線板１７の第５配線層２４と、第２配線板１８の第４配線層２３とについても、各導体パターン面のパターン非形成領域に、第２配線層２１及び第３配線層２２と同様に擬似パターン３１が形成されている。
【００３１】又、図３に示すように、第２配線板１８の第３配線層２２が形成された導体パターン面には、導体パターン３０に加え、ソルダレジストによって帯状パターンとしての内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４が形成されている。
【００３２】内側帯状パターン３３は、積層時に流動化したプリプレグ樹脂の、両配線板１８，１９の間からボンディングパッド列１５側への流出を抑制するために設けられているものであって、導体パターン面上に、第３配線板１９との接合部の内側縁端となる領域に沿って環状に閉じた状態で設けられている。内側帯状パターン３３は、図１，４に示すように、導体パターン３０上と、導体パターン３０の非形成領域とに渡って、約３０μｍの厚さで形成されている。
【００３３】外側帯状パターン３４は、積層時に流動化したプリプレグ樹脂の、両配線板１７，１８の間から多層配線部１２の外端側への流出を抑制するために設けられているものであって、導体パターン面上に、第３配線板１９との接合部の外側縁端となる領域に沿って環状に閉じた状態で形成されている。外側帯状パターン３４は、図１，４に示すように、導体パターン３０が形成されていないパターン非形成領域に、約３０μｍの厚さで形成されている。
【００３４】尚、図１に示すように、第１の配線板としての第１配線板１７の第５配線層２４と、第２の配線板としての第２配線板１８の第４配線層２３とについても、第１配線板１７の第５配線層２４が形成された導体パターン面に、両配線板１７，１８の接合部の内側縁端に沿って内側帯状パターン３３が形成され、同じく接合部の外側縁端に沿って外側帯状パターン３４が形成されている。
【００３５】次に、多層配線部の製造方法について説明する。まず、各配線板１７〜１９を、銅張積層板から製造する。銅張積層板にサブトラクティブ法によって各配線層２０〜２５を形成する導体パターン３０を約３０μｍの厚さに形成する。このとき、擬似パターン３１を形成する第１配線板１７の第５配線層２４、第２配線板１８の第３，４配線層２２，２３、及び、第３配線板１９の第２配線層２１については、導体パターン３０と共に擬似パターン３１を、電気的機能を具備しない導体パターンとして同一のパターン形成工程で形成する。
【００３６】次に、第１配線板１７の第５配線層２４と、第２配線板１８の第３配線層２２とに、ソルダレジストのスクリーン印刷により内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４をそれぞれ約３０μｍの厚さで形成する。
【００３７】各配線板１７〜１９に配線層２０〜２５を形成した後は、メタルスラグ１１及び各配線板１７〜１９を積層する。メタルスラグ１１と第１配線板１７とは、第１配線板１７の第６配線層２５をソルダマスク２８で被覆した上で、メタルスラグ１１側に接着層２７となる接着材を塗布して積層する。
【００３８】第１配線板１７と第２配線板１８、及び、第２配線板１８と第３配線板１９とは、プリプレグ３２のみを介在させた状態で加圧・加熱する。すると、図６に示すように、流動化したプリプレグ３２が、各配線層間２１，２２、２３，２４において、間隔が１００〜３００μｍの範囲内の幅とされた導体パターン３０同士の間、又は、導体パターン３０と擬似パターン３１との間の隙間にボイドを生じることなく良好に入り込む。このとき使用するプリプレグ３２は、Ａステージに近いＢステージのものであって含浸樹脂の流動性が高めのものが好ましい。
【００３９】又、第３配線板１９の第１配線層２０は、スクリーン印刷によるソルダマスク２９で被覆する。以上詳述したように、本実施の形態によれば、以下に記載の各効果を得ることができる。
【００４０】（１） プリプレグ３２を挟んで第３配線板１９と積層される第２配線板１８の第３配線層２２には、導体パターン面の一部に、両配線板１８，１９の積層時に流動化したプレプレグ樹脂が、両配線板１８，１９間から外部への流出を抑制するための内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４を形成した。従って、プリプレグ３２だけで導体パターン３０同士の間の隙間をボイドを生じることなく良好に充填するために、プリプレグ樹脂の硬化状態がＡステージに近いＢステージのものを使用しても、流動化したプリプレグ樹脂が両配線板１８，１９間から外部に流出し難い。このとき、内側帯状パターン３３が導体パターン面の一部にのみ形成されているので、導体パターン３０の上に内側帯状パターン３３がのった部分の厚さがプリプレグ３２の部分的な変形によって吸収され、従来のように配線パターン面全体に被覆層を形成する場合と異なり、積層された両配線板１８，１９の厚さが厚くならない。
【００４１】その結果、積層した配線板１８，１９間にボイドがないようにして剥離に対する信頼性を高くすることができ、しかも、積層した両配線板１８，１９の厚さが厚くならないようにすることができるとともに積層した両配線板１８，１９の接合部から外部へのプリプレグ樹脂の流出を抑制することができる。
【００４２】尚、外側帯状パターン３４は、導体パターン３０が設けられていない部分にのみ形成されているので、両配線板１８，１９を厚くすることはない。さらに、外側帯状パターン３４は、導体パターン３０が設けられていない両配線板１８，１９の接合部の外側縁端に沿って設けられているので、加工上の理由で導体パターン３０及び擬似パターン３１を設けることが望ましくない外側縁端に隙間ができないようにすることができる。従って、積層された両配線板１８，１９の外側縁端が外側帯状パターン３４及びプリプレグ樹脂で確実に封止されるので、各配線層２１，２２を外部から確実に封止することができる。
【００４３】（２） 半導体パッケージを構成する半導体搭載用基板１０の多層配線部１２の配線構造に実施したので、積層した配線板１７，１８、１８，１９間にボイドがないようにして半導体パッケージの信頼性を高くすることができ、しかも、多層配線部１２の厚さが厚くならないようにして半導体パッケージの薄型化を図ることができるとともに多層配線部１２の開口部１３側又は外周側がプリプレグ樹脂で汚染されないようにすることができる。
【００４４】（３） 半導体が搭載される開口部１３の縁端に沿ってボンディングパッド列１５が設けられた第２配線板１８の第３配線層２２の導体パターン面に、積層される第３配線板１９との接合部の内側縁端に沿って環状に閉じた状態で内側帯状パターン３３を設けた。従って、両配線板１８，１９からのボンディングパッド列１５側へのプリプレグ樹脂の流出が効果的に抑制されるので、開口部１３の周縁端に沿って設けられたボンディングパッド列１５がプリプレグ樹脂で汚染されないようにして、ボンディングパッド列１５に対するワイヤボンディングの信頼性を高くすることができる。
【００４５】（４） 両配線板１８，１９の接合部の外側縁端に沿って、環状に閉じた状態で外側帯状パターン３４を設けた。従って、両配線板１８，１９の接合部から外周側へのプリプレグ樹脂の流出が効果的に抑制されるので、多層配線部１２の外周側が汚染されないようにすることができる。
【００４６】（５） 内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４をソルダレジストのスクリーン印刷で形成するので、従来の工法で容易かつ確実に形成することができる。従って、上記（１）〜（４）に記載の各効果を備えた半導体搭載用基板１０を従来の工法だけで容易かつ確実に製造することができる。
【００４７】（６） 内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４を導体パターン３０と同じ厚さで形成したので、積層された配線板１８，１９が厚くならないようにしながら、両配線板１８，１９の接合部から外部へのプリプレグ樹脂の流出をより一層効果的に抑制することができる。
【００４８】（７） 導体パターン面の導体パターン３０が形成されていないパターン非領域に、導体パターン３０との間隔が１００〜３００μｍの範囲内の幅となるように擬似パターン３１を形成するとともに、樹脂の硬化状態がＡステージに近いＢステージのプリプレグ３２を使用した。従って、プリプレグ樹脂によるボンディングパッド列１５や、多層配線部１２の外側縁端の汚染を防止しながら、導体パターン３０同士の間の隙間、又は、導体パターン３０と擬似パターン３１との間の隙間をボイドを生じさせることなく確実に充填することができる。その結果、多層配線部１２の信頼性をより一層高くすることができる。
【００４９】尚、実施の形態は上記実施の形態に限らず、以下に記載の各別例のように変更してもよい。
・ 内側帯状パターン３３は、両配線板１８，１９の接合部から流出するプリプレグ樹脂がボンディングパッド列１５を汚染しないように設ければよく、必ずしも、環状に閉じていなくてもよい。例えば、接合部の内側縁端の内、ボンディングパッド列１５に相対する部分だけに設けてもよい。
【００５０】・ 外側帯状パターン３４は、両配線板１８，１９の接合部から流出するプリプレグ樹脂が多層配線部１２の外側端部を汚染しないように設ければよく、必ずしも、環状に閉じていなくてもよい。例えば、接合部の外側縁端に、不連続的に設けてもよい。
【００５１】・ 内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４を、ソルダレジストのフォトエッチングで形成してもよい。
・ 内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４の厚さは、積層された両配線板１８，１９が厚くならず、又、接合部から外部へのプリプレグ樹脂の流出を抑制できれば導体パターン３０と同じでなくてもよい。例えば、導体パターン３０の厚さ、導体パターン３０同士の間隔、使用するプリプレグ樹脂の硬化状態等により、導体パターン３０よりも薄く、あるいは、導体パターン３０よりも厚くしもよい。
【００５２】・ 擬似パターン３１を導体パターン面に設けない配線構造に実施してもよい。この場合にも、樹脂の硬化状態がＡステージに近いＢステージのプリプレグ３２を使用して両配線板１８，１９間にボイドが生じないようにするとともに、接合部から外部に流出したプリプレグ樹脂によるボンディングパッド列１５等の汚染を防止することができる。
【００５３】・ 外側帯状パターン３４は、接合部から外側へのプリプレグ樹脂の流出を抑制することができればよく、第３配線板１９の第２配線層２１が形成された導体パターン面に設けてもよい。
【００５４】・ 内側帯状パターン３３又は外側帯状パターン３４を、第２配線板１８の第３配線層２２が形成された導体パターン面だけでなく、第３配線板１９の第２配線層２１が形成された導体パターン面にも設けてもよい。この構成では、両配線板１８，１９の接合部から外部ヘのプリプレグ樹脂の流出をより効果的に抑制することができる。
【００５５】・ プリプレグ３２は両配線板１８，１９の間にボイドを生じさせることなくほぼ所定の厚さの層間絶縁層を形成して積層することができるものであればよく、積層前の厚さが６０μｍの厚さのものに限らないが、３０〜１２０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００５６】・ 擬似パターン３１を、電気的機能を具備しない導体パターンとして形成する代りに、例えばソルダレジスト等の樹脂で形成してもよい。擬似パターン３１をソルダレジストで形成するには、例えば、導体パターン３０を形成した導体パターン面に、フォトエッチングによって形成する。
【００５７】・ 半導体搭載用基板１０に限らず、その他の、多層配線構造を備えたプリント配線板に実施してもよい。
・ 両面プリント配線板同士を積層した多層配線構造に限らず、両面プリント板と片面プリント板、あるいは、片面プリント板同士を積層した多層配線構造に実施してもよい。
【００５８】以下、特許請求の範囲に記載した各発明の外に、前述した各実施の形態から把握される技術的思想をその効果とともに記載する。
（１） 請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の発明において、前記帯状パターンは前記導体パターンと同じ厚さで形成されている。このような構成によれば、積層した両基板を厚くすることなく接合部から外部へのプリプレグ樹脂の流出をより一層効果的に抑制することができる。
【００５９】（２） 請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の発明において、前記帯状パターンは、ソルダレジストで形成されている。このような構成によれば、従来の手法であるスクリーン印刷又はフォトエッチングにより帯状パターンを容易かつ確実に形成することができる。
【００６０】（３） 請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の発明において、前記プリプレグに向き合う前記導体パターン面には、前記導体パターンが形成されていないパターン非形成領域に、前記導体パターンとの間隔が所定の幅となるように擬似パターン（３１）が形成されている。このような構成によれば、導体パターン同士の間の隙間、又は、導体パターンと擬似パターンとの間の隙間にボイドを生じさせることなく確実に充填することができ、積層された両基板の信頼性をより一層高くすることができる。
【００６１】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜請求項４に記載の発明によれば、積層した基板間にボイドがないようにして剥離に対する信頼性を高くすることができ、しかも、積層した両基板の厚さが厚くならないようにすることができるとともに両基板の接合部から外部へのプリプレグ樹脂の流出を抑制することができる。
【００６２】請求項２〜請求項４に記載の発明によれば、半導体パッケージを構成する半導体搭載用基板の剥離に対する信頼性を高くすることができ、しかも、半導体パッケージの薄型化を図ることができるとともに多層配線部の開口部側又は外周側がプリプレグ樹脂で汚染されないようにすることができる。
【００６３】請求項３又は請求項４に記載の発明によれば、半導体が搭載される開口部の縁端に沿って設けられたボンディングパッド列がプリプレグ樹脂により確実に汚染されないようにすることができる。
【００６４】請求項４に記載の発明によれば、多層配線部の外周側がプリプレグ樹脂により確実に汚染されないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 半導体搭載用基板の多層配線部の一部を示す模式断面図。
【図２】 （ａ）は半導体搭載用基板の平面図、（ｂ）は同じく（ａ）におけるＡ−Ａ線模式断面図。
【図３】 第２配線板の第３配線層を示す模式平面図。
【図４】 第３配線層の一部を拡大した模式平面図。
【図５】 第３配線層の導体パターンの一部を示す模式平面図。
【図６】 第３配線層の導体パターンの一部を示す模式断面図。
【符号の説明】
１１…搭載用基板としてのメタルスラグ、１２…多層配線部、１３…開口部、１４，１５…ボンディングパッド列、１７…第１の配線板としての第１配線板、１８…第１の配線板及び第２の配線板としての第２配線板、１９…第２の配線板としての第３配線板、３０，３０ａ…導体パターン、３２…接着層としてのプリプレグ、３３…帯状パターンとしての内側帯状パターン、３４…同じく外側帯状パターン。
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線構造に好適な配線構造、及び、ＩＣチップ等の半導体パッケージに使用する半導体搭載用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、入出力端子数の多いＩＣチップを収容するために、複数の配線板を積層して形成した多層配線構造を備えた半導体パッケージがある。このような半導体パッケージでは、表裏面にそれぞれ導体パターンが形成された複数の配線板が、層間絶縁層となるプリプレグ等の接着層によって接着されている。プリプレグは、両基板の積層時に加えられる熱と圧力によって含侵樹脂が流動化し、重ね合わされた両配線板を硬化時に接着するとともに、ほぼ所定の層厚の層間絶縁層となる。
【０００３】プリプレグを挟んで両配線板を積層する場合、導体パターン間の隙間にボイド（気泡）が生じないようにする必要がある。配線板の積層時に両配線板間にボイドが生じると、積層作業での加熱・加圧時にボイドが膨張し、両配線板が良好に接着されないことがある。このため、半導体パッケージの多層配線板が層間で剥離する可能性があり、信頼性を高くすることができなくなるからである。
【０００４】そこで、積層時に、プリプレグ樹脂がボイドを生じることなく導体パターン同士の間の隙間を充填するようにするために、樹脂の硬化状態がＡステージに近いＢステージのプリプレグを使用することが考えられる。この場合には、配線板の積層時に流動化したプリプレグ樹脂が導体パターンの間の隙間に良好に充填される。しかしながら、このように樹脂の流動性が高いプリプレグを挟んで配線板を積層すると、両配線板の接合部から外部にプリプレグ樹脂が流出する問題があった。プリプレグ樹脂が半導体搭載用基板に搭載された半導体側に流出した場合には、配線板に導体パターンによって形成されたボンディングパッドが汚染される可能性があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、積層時にプリプレグ樹脂が両配線板の接合部から外部に流出しないように硬化状態がそれほどＡステージに近くないプリプレグを使用しながら、積層時に両配線板間にボイドが生じないようにするために、プリプレグに加えて、両配線板の導体パターン面全体にそれぞれソルダレジストを塗布することがある。各配線板の導体パターン面にソルダレジストを塗布すると、導体パターン間の隙間が埋められて導体パターン面がある程度平坦化される。従って、両配線板を積層したときに、導体パターン間の凹部が流動化したプリプレグによって良好に充填され、両配線板間にボイドが発生し難くなる。
【０００６】しかしながら、各配線板の導体パターン面をソルダレジストで被覆すると、導体パターンの上にもソルダレジストがのる。このソルダレジストの厚さは、例えば２０〜３０μｍであることから、プリプレグを挟んで積層した両配線板間の絶縁層の厚さが厚くなり、多層配線部の厚さが厚くなって半導体パッケージの小形化の支障となる問題があった。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、接着層を挟んで積層した配線板間にボイドがないようにして剥離に対する信頼性を高くすることができ、しかも、積層した両配線板の厚さが厚くならないようにすることができるとともに積層した基板間から外部への接着層樹脂の流出を抑制することができる配線構造、及び、半導体搭載用基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するため、請求項１に記載の発明は、導体パターンが形成された導体パターン面を備えた配線板を含む一対の基板が、前記導体パターン面が内側となる状態で、前記両基板間に接着層を挟んで積層された配線構造において、前記両基板の少なくとも一方には、前記接着層に向き合う接合面の一部に、前記両基板の積層時に流動化した接着層樹脂の該両基板の接合部から外部への流出を抑制するための帯状パターンが形成されている。「接合部」とは、積層された両基板の各接合面の間を意味する。
【０００９】請求項２に記載の発明は、半導体が搭載される搭載用基板上に、導体パターンが形成された導体パターン面を備えた複数の配線板を積層して形成されるとともに前記半導体を囲んだ状態で前記搭載用基板上に搭載するための開口部を備えた多層配線部が設けられ、前記配線板の少なくとも１つは、前記導体パターン面に接着層が向き合う状態で積層されている半導体搭載用基板において、前記接着層に向き合う第１の配線板の前記導体パターン面、及び、該第１の配線板に前記接着層を挟んで積層された第２の配線板の接合面の少なくとも一方には、前記両配線板の接合部の内側縁端及び外側縁端の少なくとも一方に沿って、該両配線板の積層時に流動化した接着層樹脂の該接合部から外部への流出を抑制するための帯状パターンが形成されている。「半導体搭載用基板」とは、半導体パッケージを構成する基板である。「内側縁端」とは、開口部によって環状となっている接合部の内側、即ち、開口部側の環状の縁端であり、「外側縁端」とは、同じく環状の接合部の外側、即ち、外周側の縁端である。
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記第１の配線板は、前記導体パターンの一部により前記開口部の縁端に沿って形成されるとともに前記半導体にワイヤボンディングされるボンディングパッド列を備え、前記帯状パターンは、前記導体パターン面に前記接合部の内側縁端に沿って環状に閉じた状態で設けられている。
【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記帯状パターンは、前記接合部の外側縁端に沿って環状に閉じた状態で設けられている。
（作用）請求項１に記載の発明によれば、両基板の積層に使用するプリプレグ等の接着層の硬化状態をＡステージに近いＢステージとすることにより、配線板の導体パターン面をソルダレジスト等の被覆層で平坦化しないままで、導体パターン面に形成されている導体パターン同士の間の隙間に接着層樹脂が良好に充填される。そして、流動化した接着層樹脂の両基板間からの流出が、積層される両基板の少なくとも一方の接合面の一部に形成されている帯状パターンによって抑制される。このとき、帯状パターンが導体パターン面又は接合面の一部にのみ形成されているので、導体パターンの上に帯状パターンがのった部分の厚さが接着層の部分的な変形によって吸収され、従来のように配線パターン面に被覆層を形成する場合と異なり、積層された両基板全体の厚さが厚くならない。
【００１２】請求項２に記載の発明によれば、多層配線部の少なくとも一部を構成する第１及び第２の配線板の積層に使用する接着層樹脂の硬化状態をＡステージに近いＢステージとすることにより、第１の配線板の導体パターン面を被覆層で平坦化しないままで、導体パターン面に形成されている導体パターン同士の間の隙間に接着層が良好に充填される。そして、流動化した接着層樹脂の両配線板の接合部から外部への流出が、積層される両配線板の少なくとも一方に、接合部の内側縁端及び外側縁端の少なくとも一方に沿って設けられている帯状パターンによって抑制される。帯状パターンが内側縁端に沿って設けられている場合には、接合部から開口部側への接着層樹脂の流出が抑制され、帯状パターンが外側縁端に沿って設けられている場合には、接合部から多層配線部の外周側への流出が抑制される。このとき、帯状パターンが、導体パターン面又は接合面の少なくとも一方に、接合部の縁端に沿ってのみ形成されているので、導体パターンに向き合う帯状パターンの厚さが接着層の部分的な変形によって吸収され、従来のように配線パターン面に被覆層を形成する場合と異なり、積層された両配線板全体の厚さが被覆層によって厚くならない。
【００１３】請求項３に記載の発明によれば、請求項２に記載の発明の作用に加えて、開口部の縁端に沿ってボンディングパッド列が設けられた多層配線部において、ボンディングパッド列が形成された導体パターン面に接合部の内側縁端に沿って環状に閉じた状態で帯状パターンが設けられているので、接合部からボンディングパッド列側への接着層樹脂の流出が効果的に抑制される。
【００１４】請求項４に記載の発明によれば、請求項３に記載の発明の作用に加えて、両配線板の接合部の外側縁端に沿って環状に閉じた状態で帯状パターンが設けられているので、接合部から多層配線部の外周側への接着層樹脂の流出が効果的に抑制される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を半導体搭載用基板に具体化した一実施の形態を図１〜図６に従って説明する。
【００１６】図２( ａ) ，（ｂ）は半導体パッケージを構成する半導体搭載用基板１０を示している。半導体搭載用基板１０は、例えばＩＣベアチップ等の半導体が搭載される搭載用基板としてのメタルスラグ１１と、半導体に接続される多層配線部１２とを備えている。多層配線部１２の中央部には、メタルスラグ１１上に半導体を搭載するための開口部１３が形成されている。開口部１３の周辺には、半導体の各ボンディングパッドをワイヤボンディングするためのボンディングパッド列１４，１５が設けられている。又、多層配線部１２の上面には、各ボンディングパッド列１４，１５の各パッドに電気的に導通された複数のバンプ１６が設けられている。
【００１７】図１は多層配線部１２の一部の断面を示している。多層配線部１２は、積層された第１配線板１７、第２配線板１８及び第３配線板１９とで形成されている。第１配線板１７はメタルスラグ１１の上面に積層され、第２配線板１８は第１配線板１７の上に積層され、第３配線板１９は第２配線板１８の上に積層されている。
【００１８】第３配線板１９の上面には第１配線層２０が形成され、同じく下面には第２配線層２１が形成されている。第２配線板１８の上面には第３配線層２２が形成され、同じく下面には第４配線層２３が形成されている。第１配線板１７の上面には第５配線層２４が形成され、同じく下面には第６配線層２５が形成されている。各配線層２０〜２５はバイアホール２６によって接続されている。
【００１９】第１配線板１７の開口部１３側の周縁部は、第２配線板１８の開口部１３側の周縁部よりも内側に張り出すように形成され、その張り出し部分において外部に露出する第５配線層２４にボンディングパッド列１４が形成されている。
【００２０】又、第２配線板１８の開口部１３側の周縁部は、第３配線板１９の開口部１３側の周縁部よりも内側に張り出すように形成され、その張り出し部分において外部に露出する第３配線層２２にボンディングパッド列１５が形成されている。
【００２１】第１配線板１７は、接着層２７によってメタルスラグ１１に接着されている。第１配線板１７の第６配線層２５にはソルダマスク２８が被覆されている。又、第３配線板１９の第１配線層２０にはソルダマスク２９が被覆されている。
【００２２】多層配線部１２の多層配線構造について説明する。図３は、第１の配線板としての第２配線板１８の上面に形成された第３配線層２２を示している。第３配線層２２は、導体パターン３０によって形成されている。ボンディングパッド列１５は、導体パターン３０の一部によって形成されている。導体パターン３０は、例えば、３０μｍの厚さに形成されている。
【００２３】図４は第３配線層２２の一部を拡大した図である。第３配線層２２の各導体パターン３０は、他の配線層２０，２１，２３，２４，２５の各導体パターンとインピーダンスが調整された所定の線幅で形成されている。又、導体パターン３０は、隣り合う導体パターン３０との間隔が、少なくとも１００μｍ以上となるように設けられている。尚、インピーダンス等の要因により線幅が制約されない導体パターン３０は、例えば、導体パターン３０ａのように、隣り合う導体パターン３０との間隔が１００〜３００μｍの範囲内の幅となるように、あえて、その線幅が広く形成されている。
【００２４】第２配線板１８の上面には、第３配線層２２を形成する導体パターン３０に加えて、導体パターン３０の間、即ち、導体パターン３０が形成されていないパターン非形成領域に、擬似パターン３１が形成されている。
【００２５】擬似パターン３１は、導体パターン３０の厚さと同じ厚さ、即ち、３０μｍの厚さに形成されている。又、擬似パターン３１は、電気的機能を具備しない、即ち、ボンディングパッド１４，１５及びバンプ１６に接続されておらず電気路として使用されない導体パターンとして形成されている。さらに、擬似パターン３１は、各導体パターン３０の周囲をできるだけ取り囲まないように、互いに独立した形状に形成されている。
【００２６】図５は導体パターン３０の一部を拡大した図である。擬似パターン３１は、隣り合う導体パターン３０間との間隔Ｗが、１００〜３００μｍの範囲内となるように設けられている。
【００２７】又、第２配線板１８の第３配線層２２と対向する状態で積層されている第２の配線板としての第３配線板１９の第２配線層２１にも、同様に擬似パターンが形成されている。
【００２８】図６は第２配線板１８と第３配線板１９の積層状態を模式的に示している。第２配線板１８と第３配線板１９とは、接着層としてのプリプレグ３２のみを介在した状態で積層されている。プリプレグ３２としては、積層前の厚さが例えば６０μｍのものが使用されている。第３配線層２２及び第２配線層２１において、導体パターン３０同士の間、又は、導体パターン３０と擬似パターン３１との間は、積層時の加圧・加熱によって流動化したプリプレグ３２によってボイドが生じていない状態で充填されている。
【００２９】擬似パターン３１が、導体パターン３０との間隔が、１００〜３００μｍの範囲内の幅となるように設けられている理由は、導体パターン３０同士の間隔、又は、導体パターン３０と擬似パターン３１との間隔が１００〜３００μｍの範囲内である場合には、配線板１８，１９の積層時に、流動化したプリプレグ３２が導体パターン３０同士の間、又は、導体パターン３０と擬似パターン３１と間に、ボイドを生じることなく良好に入り込むためである。
【００３０】尚、積層時にプリプレグ３２を挟んだ状態で互いに向き合う状態で配置される第１配線板１７の第５配線層２４と、第２配線板１８の第４配線層２３とについても、各導体パターン面のパターン非形成領域に、第２配線層２１及び第３配線層２２と同様に擬似パターン３１が形成されている。
【００３１】又、図３に示すように、第２配線板１８の第３配線層２２が形成された導体パターン面には、導体パターン３０に加え、ソルダレジストによって帯状パターンとしての内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４が形成されている。
【００３２】内側帯状パターン３３は、積層時に流動化したプリプレグ樹脂の、両配線板１８，１９の間からボンディングパッド列１５側への流出を抑制するために設けられているものであって、導体パターン面上に、第３配線板１９との接合部の内側縁端となる領域に沿って環状に閉じた状態で設けられている。内側帯状パターン３３は、図１，４に示すように、導体パターン３０上と、導体パターン３０の非形成領域とに渡って、約３０μｍの厚さで形成されている。
【００３３】外側帯状パターン３４は、積層時に流動化したプリプレグ樹脂の、両配線板１７，１８の間から多層配線部１２の外端側への流出を抑制するために設けられているものであって、導体パターン面上に、第３配線板１９との接合部の外側縁端となる領域に沿って環状に閉じた状態で形成されている。外側帯状パターン３４は、図１，４に示すように、導体パターン３０が形成されていないパターン非形成領域に、約３０μｍの厚さで形成されている。
【００３４】尚、図１に示すように、第１の配線板としての第１配線板１７の第５配線層２４と、第２の配線板としての第２配線板１８の第４配線層２３とについても、第１配線板１７の第５配線層２４が形成された導体パターン面に、両配線板１７，１８の接合部の内側縁端に沿って内側帯状パターン３３が形成され、同じく接合部の外側縁端に沿って外側帯状パターン３４が形成されている。
【００３５】次に、多層配線部の製造方法について説明する。まず、各配線板１７〜１９を、銅張積層板から製造する。銅張積層板にサブトラクティブ法によって各配線層２０〜２５を形成する導体パターン３０を約３０μｍの厚さに形成する。このとき、擬似パターン３１を形成する第１配線板１７の第５配線層２４、第２配線板１８の第３，４配線層２２，２３、及び、第３配線板１９の第２配線層２１については、導体パターン３０と共に擬似パターン３１を、電気的機能を具備しない導体パターンとして同一のパターン形成工程で形成する。
【００３６】次に、第１配線板１７の第５配線層２４と、第２配線板１８の第３配線層２２とに、ソルダレジストのスクリーン印刷により内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４をそれぞれ約３０μｍの厚さで形成する。
【００３７】各配線板１７〜１９に配線層２０〜２５を形成した後は、メタルスラグ１１及び各配線板１７〜１９を積層する。メタルスラグ１１と第１配線板１７とは、第１配線板１７の第６配線層２５をソルダマスク２８で被覆した上で、メタルスラグ１１側に接着層２７となる接着材を塗布して積層する。
【００３８】第１配線板１７と第２配線板１８、及び、第２配線板１８と第３配線板１９とは、プリプレグ３２のみを介在させた状態で加圧・加熱する。すると、図６に示すように、流動化したプリプレグ３２が、各配線層間２１，２２、２３，２４において、間隔が１００〜３００μｍの範囲内の幅とされた導体パターン３０同士の間、又は、導体パターン３０と擬似パターン３１との間の隙間にボイドを生じることなく良好に入り込む。このとき使用するプリプレグ３２は、Ａステージに近いＢステージのものであって含浸樹脂の流動性が高めのものが好ましい。
【００３９】又、第３配線板１９の第１配線層２０は、スクリーン印刷によるソルダマスク２９で被覆する。以上詳述したように、本実施の形態によれば、以下に記載の各効果を得ることができる。
【００４０】（１） プリプレグ３２を挟んで第３配線板１９と積層される第２配線板１８の第３配線層２２には、導体パターン面の一部に、両配線板１８，１９の積層時に流動化したプレプレグ樹脂が、両配線板１８，１９間から外部への流出を抑制するための内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４を形成した。従って、プリプレグ３２だけで導体パターン３０同士の間の隙間をボイドを生じることなく良好に充填するために、プリプレグ樹脂の硬化状態がＡステージに近いＢステージのものを使用しても、流動化したプリプレグ樹脂が両配線板１８，１９間から外部に流出し難い。このとき、内側帯状パターン３３が導体パターン面の一部にのみ形成されているので、導体パターン３０の上に内側帯状パターン３３がのった部分の厚さがプリプレグ３２の部分的な変形によって吸収され、従来のように配線パターン面全体に被覆層を形成する場合と異なり、積層された両配線板１８，１９の厚さが厚くならない。
【００４１】その結果、積層した配線板１８，１９間にボイドがないようにして剥離に対する信頼性を高くすることができ、しかも、積層した両配線板１８，１９の厚さが厚くならないようにすることができるとともに積層した両配線板１８，１９の接合部から外部へのプリプレグ樹脂の流出を抑制することができる。
【００４２】尚、外側帯状パターン３４は、導体パターン３０が設けられていない部分にのみ形成されているので、両配線板１８，１９を厚くすることはない。さらに、外側帯状パターン３４は、導体パターン３０が設けられていない両配線板１８，１９の接合部の外側縁端に沿って設けられているので、加工上の理由で導体パターン３０及び擬似パターン３１を設けることが望ましくない外側縁端に隙間ができないようにすることができる。従って、積層された両配線板１８，１９の外側縁端が外側帯状パターン３４及びプリプレグ樹脂で確実に封止されるので、各配線層２１，２２を外部から確実に封止することができる。
【００４３】（２） 半導体パッケージを構成する半導体搭載用基板１０の多層配線部１２の配線構造に実施したので、積層した配線板１７，１８、１８，１９間にボイドがないようにして半導体パッケージの信頼性を高くすることができ、しかも、多層配線部１２の厚さが厚くならないようにして半導体パッケージの薄型化を図ることができるとともに多層配線部１２の開口部１３側又は外周側がプリプレグ樹脂で汚染されないようにすることができる。
【００４４】（３） 半導体が搭載される開口部１３の縁端に沿ってボンディングパッド列１５が設けられた第２配線板１８の第３配線層２２の導体パターン面に、積層される第３配線板１９との接合部の内側縁端に沿って環状に閉じた状態で内側帯状パターン３３を設けた。従って、両配線板１８，１９からのボンディングパッド列１５側へのプリプレグ樹脂の流出が効果的に抑制されるので、開口部１３の周縁端に沿って設けられたボンディングパッド列１５がプリプレグ樹脂で汚染されないようにして、ボンディングパッド列１５に対するワイヤボンディングの信頼性を高くすることができる。
【００４５】（４） 両配線板１８，１９の接合部の外側縁端に沿って、環状に閉じた状態で外側帯状パターン３４を設けた。従って、両配線板１８，１９の接合部から外周側へのプリプレグ樹脂の流出が効果的に抑制されるので、多層配線部１２の外周側が汚染されないようにすることができる。
【００４６】（５） 内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４をソルダレジストのスクリーン印刷で形成するので、従来の工法で容易かつ確実に形成することができる。従って、上記（１）〜（４）に記載の各効果を備えた半導体搭載用基板１０を従来の工法だけで容易かつ確実に製造することができる。
【００４７】（６） 内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４を導体パターン３０と同じ厚さで形成したので、積層された配線板１８，１９が厚くならないようにしながら、両配線板１８，１９の接合部から外部へのプリプレグ樹脂の流出をより一層効果的に抑制することができる。
【００４８】（７） 導体パターン面の導体パターン３０が形成されていないパターン非領域に、導体パターン３０との間隔が１００〜３００μｍの範囲内の幅となるように擬似パターン３１を形成するとともに、樹脂の硬化状態がＡステージに近いＢステージのプリプレグ３２を使用した。従って、プリプレグ樹脂によるボンディングパッド列１５や、多層配線部１２の外側縁端の汚染を防止しながら、導体パターン３０同士の間の隙間、又は、導体パターン３０と擬似パターン３１との間の隙間をボイドを生じさせることなく確実に充填することができる。その結果、多層配線部１２の信頼性をより一層高くすることができる。
【００４９】尚、実施の形態は上記実施の形態に限らず、以下に記載の各別例のように変更してもよい。
・ 内側帯状パターン３３は、両配線板１８，１９の接合部から流出するプリプレグ樹脂がボンディングパッド列１５を汚染しないように設ければよく、必ずしも、環状に閉じていなくてもよい。例えば、接合部の内側縁端の内、ボンディングパッド列１５に相対する部分だけに設けてもよい。
【００５０】・ 外側帯状パターン３４は、両配線板１８，１９の接合部から流出するプリプレグ樹脂が多層配線部１２の外側端部を汚染しないように設ければよく、必ずしも、環状に閉じていなくてもよい。例えば、接合部の外側縁端に、不連続的に設けてもよい。
【００５１】・ 内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４を、ソルダレジストのフォトエッチングで形成してもよい。
・ 内側帯状パターン３３及び外側帯状パターン３４の厚さは、積層された両配線板１８，１９が厚くならず、又、接合部から外部へのプリプレグ樹脂の流出を抑制できれば導体パターン３０と同じでなくてもよい。例えば、導体パターン３０の厚さ、導体パターン３０同士の間隔、使用するプリプレグ樹脂の硬化状態等により、導体パターン３０よりも薄く、あるいは、導体パターン３０よりも厚くしもよい。
【００５２】・ 擬似パターン３１を導体パターン面に設けない配線構造に実施してもよい。この場合にも、樹脂の硬化状態がＡステージに近いＢステージのプリプレグ３２を使用して両配線板１８，１９間にボイドが生じないようにするとともに、接合部から外部に流出したプリプレグ樹脂によるボンディングパッド列１５等の汚染を防止することができる。
【００５３】・ 外側帯状パターン３４は、接合部から外側へのプリプレグ樹脂の流出を抑制することができればよく、第３配線板１９の第２配線層２１が形成された導体パターン面に設けてもよい。
【００５４】・ 内側帯状パターン３３又は外側帯状パターン３４を、第２配線板１８の第３配線層２２が形成された導体パターン面だけでなく、第３配線板１９の第２配線層２１が形成された導体パターン面にも設けてもよい。この構成では、両配線板１８，１９の接合部から外部ヘのプリプレグ樹脂の流出をより効果的に抑制することができる。
【００５５】・ プリプレグ３２は両配線板１８，１９の間にボイドを生じさせることなくほぼ所定の厚さの層間絶縁層を形成して積層することができるものであればよく、積層前の厚さが６０μｍの厚さのものに限らないが、３０〜１２０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００５６】・ 擬似パターン３１を、電気的機能を具備しない導体パターンとして形成する代りに、例えばソルダレジスト等の樹脂で形成してもよい。擬似パターン３１をソルダレジストで形成するには、例えば、導体パターン３０を形成した導体パターン面に、フォトエッチングによって形成する。
【００５７】・ 半導体搭載用基板１０に限らず、その他の、多層配線構造を備えたプリント配線板に実施してもよい。
・ 両面プリント配線板同士を積層した多層配線構造に限らず、両面プリント板と片面プリント板、あるいは、片面プリント板同士を積層した多層配線構造に実施してもよい。
【００５８】以下、特許請求の範囲に記載した各発明の外に、前述した各実施の形態から把握される技術的思想をその効果とともに記載する。
（１） 請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の発明において、前記帯状パターンは前記導体パターンと同じ厚さで形成されている。このような構成によれば、積層した両基板を厚くすることなく接合部から外部へのプリプレグ樹脂の流出をより一層効果的に抑制することができる。
【００５９】（２） 請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の発明において、前記帯状パターンは、ソルダレジストで形成されている。このような構成によれば、従来の手法であるスクリーン印刷又はフォトエッチングにより帯状パターンを容易かつ確実に形成することができる。
【００６０】（３） 請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の発明において、前記プリプレグに向き合う前記導体パターン面には、前記導体パターンが形成されていないパターン非形成領域に、前記導体パターンとの間隔が所定の幅となるように擬似パターン（３１）が形成されている。このような構成によれば、導体パターン同士の間の隙間、又は、導体パターンと擬似パターンとの間の隙間にボイドを生じさせることなく確実に充填することができ、積層された両基板の信頼性をより一層高くすることができる。
【００６１】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜請求項４に記載の発明によれば、積層した基板間にボイドがないようにして剥離に対する信頼性を高くすることができ、しかも、積層した両基板の厚さが厚くならないようにすることができるとともに両基板の接合部から外部へのプリプレグ樹脂の流出を抑制することができる。
【００６２】請求項２〜請求項４に記載の発明によれば、半導体パッケージを構成する半導体搭載用基板の剥離に対する信頼性を高くすることができ、しかも、半導体パッケージの薄型化を図ることができるとともに多層配線部の開口部側又は外周側がプリプレグ樹脂で汚染されないようにすることができる。
【００６３】請求項３又は請求項４に記載の発明によれば、半導体が搭載される開口部の縁端に沿って設けられたボンディングパッド列がプリプレグ樹脂により確実に汚染されないようにすることができる。
【００６４】請求項４に記載の発明によれば、多層配線部の外周側がプリプレグ樹脂により確実に汚染されないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 半導体搭載用基板の多層配線部の一部を示す模式断面図。
【図２】 （ａ）は半導体搭載用基板の平面図、（ｂ）は同じく（ａ）におけるＡ−Ａ線模式断面図。
【図３】 第２配線板の第３配線層を示す模式平面図。
【図４】 第３配線層の一部を拡大した模式平面図。
【図５】 第３配線層の導体パターンの一部を示す模式平面図。
【図６】 第３配線層の導体パターンの一部を示す模式断面図。
【符号の説明】
１１…搭載用基板としてのメタルスラグ、１２…多層配線部、１３…開口部、１４，１５…ボンディングパッド列、１７…第１の配線板としての第１配線板、１８…第１の配線板及び第２の配線板としての第２配線板、１９…第２の配線板としての第３配線板、３０，３０ａ…導体パターン、３２…接着層としてのプリプレグ、３３…帯状パターンとしての内側帯状パターン、３４…同じく外側帯状パターン。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 導体パターンが形成された導体パターン面を備えた配線板を含む一対の基板が、前記導体パターン面が内側となる状態で、前記両基板間に接着層を挟んで積層された配線構造において、前記両基板の少なくとも一方には、前記接着層に向き合う接合面の一部に、前記両基板の積層時に流動化した接着層樹脂の該両基板の接合部から外部への流出を抑制するための帯状パターンが形成されている配線構造。
【請求項２】 半導体が搭載される搭載用基板上に、導体パターンが形成された導体パターン面を備えた複数の配線板を積層して形成されるとともに前記半導体を囲んだ状態で前記搭載用基板上に搭載するための開口部を備えた多層配線部が設けられ、前記配線板の少なくとも１つは、前記導体パターン面に接着層が向き合う状態で積層されている半導体搭載用基板において、前記接着層に向き合う第１の配線板の前記導体パターン面、及び、該第１の配線板に前記接着層を挟んで積層された第２の配線板の接合面の少なくとも一方には、前記両配線板の接合部の内側縁端及び外側縁端の少なくとも一方に沿って、該両配線板の積層時に流動化した接着層樹脂の該接合部から外部への流出を抑制するための帯状パターンが形成されている半導体搭載用基板。
【請求項３】 前記第１の配線板は、前記導体パターンの一部により前記開口部の縁端に沿って形成されるとともに前記半導体にワイヤボンディングされるボンディングパッド列を備え、前記帯状パターンは、前記導体パターン面に前記接合部の内側縁端に沿って環状に閉じた状態で設けられている請求項２に記載の半導体搭載用基板。
【請求項４】 前記帯状パターンは、前記接合部の外側縁端に沿って環状に閉じた状態で設けられている請求項３に記載の半導体搭載用基板。
【請求項１】 導体パターンが形成された導体パターン面を備えた配線板を含む一対の基板が、前記導体パターン面が内側となる状態で、前記両基板間に接着層を挟んで積層された配線構造において、前記両基板の少なくとも一方には、前記接着層に向き合う接合面の一部に、前記両基板の積層時に流動化した接着層樹脂の該両基板の接合部から外部への流出を抑制するための帯状パターンが形成されている配線構造。
【請求項２】 半導体が搭載される搭載用基板上に、導体パターンが形成された導体パターン面を備えた複数の配線板を積層して形成されるとともに前記半導体を囲んだ状態で前記搭載用基板上に搭載するための開口部を備えた多層配線部が設けられ、前記配線板の少なくとも１つは、前記導体パターン面に接着層が向き合う状態で積層されている半導体搭載用基板において、前記接着層に向き合う第１の配線板の前記導体パターン面、及び、該第１の配線板に前記接着層を挟んで積層された第２の配線板の接合面の少なくとも一方には、前記両配線板の接合部の内側縁端及び外側縁端の少なくとも一方に沿って、該両配線板の積層時に流動化した接着層樹脂の該接合部から外部への流出を抑制するための帯状パターンが形成されている半導体搭載用基板。
【請求項３】 前記第１の配線板は、前記導体パターンの一部により前記開口部の縁端に沿って形成されるとともに前記半導体にワイヤボンディングされるボンディングパッド列を備え、前記帯状パターンは、前記導体パターン面に前記接合部の内側縁端に沿って環状に閉じた状態で設けられている請求項２に記載の半導体搭載用基板。
【請求項４】 前記帯状パターンは、前記接合部の外側縁端に沿って環状に閉じた状態で設けられている請求項３に記載の半導体搭載用基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０００−２５２５９６（Ｐ２０００−２５２５９６Ａ）
【公開日】平成１２年９月１４日（２０００．９．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願平１１−５４０５０
【出願日】平成１１年３月２日（１９９９．３．２）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１２年９月１４日（２０００．９．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１１年３月２日（１９９９．３．２）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
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