【課題】半導体ダイオードを用いて精度良く温度を検出することができる温度測定回路を提供する。
【解決手段】温度測定用の半導体ダイオード５、電源電圧ＨＶｃｃ、定電流回路７、ＡＤ変換器１３とデジタル変換値に基づいて温度Ｔを算出する温度測定回路１において、基準電圧Ｖｒｅｆを前記ＡＤ変換器１３に出力する基準電源９を備え、前記ＡＤ変換器１３から出力された前記基準電圧Ｖｒｅｆのデジタル変換値Ｘ（Ｖｒｅｆ）ｒｅａｌと、前記電源電圧ＨＶｃｃに変動成分ΔＨＶｃｃが含まれない場合に前記ＡＤ変換器１３から出力される前記基準電圧Ｖｒｅｆのデジタル変換値Ｘ（Ｖｒｅｆ）ｉｄｅａｌとに基づいて、前記変動成分ΔＨＶｃｃを含む前記電源電圧ＨＶｃｃの電圧値「ＨＶｃｃ＋ΔＨＶｃｃ」を算出し、当該電圧値「ＨＶｃｃ＋ΔＨＶｃｃ」により前記両端電圧ＶＦのデジタル変換値、及び前記定電流の定電流値Ｉを補正して前記温度Ｔを算出する構成。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのベース−エミッタ間電圧に基づいて温度などの物理量を検出する検出回路において、ノイズによる影響を抑え、検出の精度を改善し得る検出回路を提供することを目的とする。
【解決手段】第１ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ１は、定電流源Ｉ０に導通するベースと、電源部Ｖｃに導通するコレクタと、エミッタとを備えている。また、第２ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ２は、第１ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ１のベースに導通すると共に定電流源Ｉ０に導通するコレクタと、グランドＧｎｄに導通するエミッタと、第１ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ１のエミッタに導通すると共に第１ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ１のエミッタ電流に応じたベース電流が流れるベースとを備えている。そして、第２ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ２のベース−エミッタ間の電圧を出力可能とされている。 （もっと読む）

【課題】 バイポーラトランジスタを使用する必要がないとともに、回路を構成する素子数が少なく低消費電流で動作することができる温度検出回路を提供する。
【解決手段】 半導体チップ上に形成された温度検出素子（Ｄ１）と、該温度検出素子と直列に接続され該温度検出素子に流れる電流を電圧に変換する電流−電圧変換素子（Ｍ５）と、直列形態の前記電流−電圧変換素子および温度検出素子と並列に接続され前記電流−電圧変換素子により変換された電圧をゲート端子に受けるＭＯＳトランジスタ（Ｍ６）と、前記温度検出素子に向かって所定の第１電流を流す第１電流源（Ｍ３）および前記ＭＯＳトランジスタに向かって所定の第２電流を流す第２電流源（Ｍ４）を有する定電流回路と、前記第２電流源と前記ＭＯＳトランジスタ（Ｍ６）との接続ノードに入力端子が接続された論理回路（ＣＭＯＳインバータ）とによって温度検出回路を構成するようにした。 （もっと読む）

【課題】検出閾値の設定に別途の基準電圧源を必要とせず、かつ、回路規模の縮小と消費電流の低減を実現することのできる温度検出回路を提供する。
【解決手段】温度検出回路２００は、基準電流Ｉ２０を生成する基準電流生成部（２０１、２０２、２０６、２０７、２１２、２１３）と、基準電流Ｉ２０に応じて第１電流Ｉ２１と第２電流Ｉ２２を生成するカレントミラー（２０８〜２１０）と、前記カレントミラーの下流側で基準電流Ｉ２０が流れる経路に挿入された第１抵抗２１４と、前記カレントミラーの下流側で第１電流Ｉ２１が流れる経路に挿入された第２抵抗２１５と、前記カレントミラーの下流側で第２電流Ｉ２２が流れる経路に挿入されたダイオード接続型トランジスタ２１１と、第１電流Ｉ２１と第２電流Ｉ２２を比較して温度検出信号Ｓ１を生成する電流比較部（２０３〜２０５、２１６）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＢＤサーミスタを飽和に至らない低電圧で駆動することで本来期待されていたＳ／Ｎを実現する。
【解決手段】本発明は、ＳＢＤサーミスタが、従来の飽和領域を使った駆動方法では自己発熱によりＳ／Ｎが高くならないという知見に基づき、ＳＢＤサーミスタを飽和に至らない低電圧で駆動することで本来期待されていたＳ／Ｎを実現できるようにしたものである。そのため、半導体に金属を接触させたショットキーバリアダイオードに流れる電流の変化を温度の変化として検出するショットキーバリアダイオード・サーミスタを構成するショットキーバリアダイオードを、非飽和特性領域の電圧領域の電圧である、±０.１Ｖの範囲内の電圧で駆動する。 （もっと読む）

【課題】ノイズレベルを低減させた温度検出電圧を生成可能な温度検出回路及びこれを用いたセンサー装置を提供すること。
【解決手段】温度検出回路１は、温度検出電圧発生部１０と、温度検出電圧反転部２０と、温度検出電圧加算部と、を含む。温度検出電圧発生部１０は、所与の基準電圧１４を基準とする電圧レベルが温度に応じて変化する第１の温度検出電圧１２を発生させる。温度検出電圧反転部２０は、第１の温度検出電圧１２を、基準電圧１４を基準に反転させるとともに所与の利得で増幅又は減衰させて第２の温度検出電圧２２を生成する。温度検出電圧加算部３０は、第１の温度検出電圧１２と第２の温度検出電圧２２を加算する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体装置における温度検出部の断線異常および短絡異常を同時に検出することが可能なパワー半導体装置の温度測定装置を提供する。
【解決手段】シリコンチップにパワースイッチング素子５，６と温度検出用ダイオードＤＵ２，ＤＤ２とを設けたパワー半導体装置のチップ温度を検出するチップ温度検出回路１３，１４に設けたパルス幅変調回路７６を、三角波発生回路７８と、該三角波発生回路から出力される三角波信号と前記入力信号とを比較して前記パルス幅変調信号を出力する比較器ＩＣ５とを備えた構成とし、前記三角波発生回路７８から出力する三角波信号の上限値および下限値を、前記パワースイッチング素子の温度測定範囲における定電流を供給した時の前記温度検出用ダイオードの順方向電圧の範囲外に設定した。 （もっと読む）

【課題】ダイオード、抵抗のサイズをアナログスイッチにて切り替えることなく、温度に対して一次関数的に変化する電圧の特性をプログラマブルに変更する電圧発生回路の提供。
【解決手段】抵抗Ｒ１およびダイオードＱ１からなる第１直列回路と、抵抗Ｒ２，Ｒ３およびダイオードＱ２からなる第２直列回路と、抵抗Ｒ１およびダイオードＱ１の共通接続点と抵抗Ｒ２および抵抗Ｒ３の共通接続点の電位差を増幅するオペアンプＯＰと、該オペアンプＯＰの出力電圧に応じて第１直列回路に流れる電流Ｉ１と第２直列回路に流れる電流Ｉ２の値を調整する電流調整手段とを備える。該電流調整手段は、第１帰還トランジスタ群Ｍ３と、第２帰還トランジスタ群Ｍ４と、スイッチトランジスタ群Ｍ１と、スイッチトランジスタ群Ｍ２を有する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の温度依存性を示す曲線の曲率が小さく、レイアウト面積が小さな温度センサを提供する。
【解決手段】この温度センサは、アノードがノードＮ１に接続されたダイオードＤ０と、アノードが抵抗素子８を介してノードＮ２に接続されたダイオードＤ１〜Ｄｎと、ノードＮ１，Ｎ２の電圧を一致させる演算増幅器１と、抵抗素子９，１０を介してノードＮ１，Ｎ２に接続され、抵抗素子９，１０に流れる電流を調整し、温度センサの出力電圧ＶＯの温度依存性を示す曲線の曲率を小さくする電圧調整回路１２を備える。したがって、２つのサブ温度センサを設ける従来に比べ、レイアウト面積が小さくて済む。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく、かつ製造条件に左右される誤差要因を排除できる温度検出回路を提供する。
【解決手段】第１ｐｎ接合Ｑ１と、第１ｐｎ接合Ｑ１よりも順方向電圧の小さい第２ｐｎ接合Ｑ２と、第２ｐｎ接合Ｑ２に直列接続された第１抵抗Ｒ１と、ｐｎ接合Ｑ１，Ｑ２の順方向電圧との差に比例した第１電流Ｉ１を生成する第１電流生成回路２と、第１電流Ｉ１に比例した電流が供給される第３ｐｎ接合Ｑ３と、第１電流Ｉ１に比例した電流を電圧に変換する電圧変換抵抗Ｒ２，Ｒ３と、第３ｐｎ接合Ｑ３の順方向電圧と電圧変換抵抗Ｒ２，Ｒ３の電圧降下を比較する比較手段３と、を備えている （もっと読む）

【課題】センサ装置の回路規模および製造コストを従来よりも抑制しつつ、負荷短絡保護機能を実現する。
【解決手段】センサ用出力ＩＣ１０は、センサからの検出信号に基づき、出力端子間をオン・オフするための出力用トランジスタ１１を備える。センサ用出力ＩＣ１０は、センサ用出力ＩＣ１０内の温度が所定値以上になると、出力用トランジスタ１１をオフ状態に維持する温度制限回路１３と、出力用トランジスタ１１のベース電位Ｖ_Ｂを所定値以下に制限する電圧制限回路１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、集積回路の基板上に組み込まれ、その集積回路の温度補償の基準となる温度センサ回路に関し、簡単な構成により所望の温度領域における温度係数を精度よく安定に得ることができることを目的とする。
【解決手段】温度係数が異なる複数ｐの感温素子と、前記複数ｐの感温素子に個別に流れる電流、またはこれらの電流の換算値と、前記複数ｐの感温素子に個別に対応した複数ｐの重みとの積和として温度を検知する合成検知回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換を行う複数の半導体素子の温度を正確に検知することができ、これを安価で小型な回路で実現すること。
【解決手段】複数のスイッチング素子３５ａ，３５ｂの温度検出回路１００として、各スイッチング素子３５ａ，３５ｂに対応付けられた複数のダイオード１２２ａ，１２２ｂの各々の電圧発生側に個別に接続され、各々の発生電圧をパルス幅変調により各々デューティが異なるデューティ信号ＡＤ，ＢＤに変換する複数のデューティ変換部１０６ａ，１０６ｂと、これらデューティ変換部１０６ａ，１０６ｂで変換された各々デューティの異なるデューティ信号ＡＤ，ＢＤを選択する切替スイッチ１０４と、この切替スイッチ１０４で各々デューティの異なるデューティ信号が交互に選択されるように制御する制御部１１０とを備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】安価で安定して温度を検出できる温度検出回路を提供することができる。
【解決手段】温度検出回路は、定電流を生成する定電流回路と、定電流が供給されると、温度に応じて変化する降伏電圧を生成するツェナーダイオードと、降伏電圧と所定電圧との大小関係に基づいて、ツェナーダイオードの温度が、降伏電圧が所定電圧となる際のツェナーダイオードの温度より高いか否かを示す出力信号を出力する信号出力回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の発熱箇所を有するブリッジ回路を構成するスイッチ素子の温度検出において、簡素で安価かつ確実にスイッチ素子温度を検出するスイッチ素子の温度検出方法を提供する。
【解決手段】ブリッジ回路を構成するスイッチ素子４１ａ〜４３ｂの温度を、スイッチ素子４１ａ〜４３ｂのそれぞれと同一チップ上に構成される温度検出用ダイオード素子４０２により検出する方法であって、スイッチ素子４１ａ〜４３ｂを同一放熱体４０上に配置すると共に、スイッチ素子４１ａ〜４３ｂから選択したスイッチ素子４１ａ、４２ａ、４３ａの温度検出用ダイオード素子４０２を直列接続し、スイッチ素子４１ａ、４２ａ、４３ａの温度を検出する。 （もっと読む）

本明細書は、温度を測定する方法を記載する。本発明によれば、ＲＦＩＤタグ(1)の局部発振器の周波数変化から温度を測定する。
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【課題】製造ばらつきを抑制し、かつ、検出感度が容易に変更できる温度検出回路を提供する。
【解決手段】第１の定電流が供給される第１のソースフォロア回路と、第２の定電流が供給される第２のソースフォロア回路と、第１のソースフォロア回路の出力電圧と前記第２のソースフォロア回路の出力電圧との差分を取る回路と、を含む。トランジスタのしきい値による測定誤差が差分を取ることにより相殺される。 （もっと読む）

【課題】 各種実施形態は、ダイオード等の半導体温度センサを用いてデバイスの温度を測定するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】 本発明によると、正弦波的に変化するフォーシング電流をダイオードに印可し、ダイオード両端の電圧の変化率を測定することにより、非較正のダイオードを温度センサとして使用することが可能になる。各実施形態は、温度センサに付随するリード抵抗の影響を実質的に無くしながら、高速で応答性の高い有利な測定法を提供する。 （もっと読む）

【課題】測定感度および測定範囲を向上させることができる温度検出方法および温度センサを提供する。
【解決手段】絶対温度に対し正の依存性を有する第１信号を出力する第１信号生成回路１００と、絶対温度に対し負の依存性を有し且つ正のオフセットを有する第２信号を出力する第２信号生成回路１２０と、第１信号から第２信号を減算したセンス信号に基くセンス電圧を出力する減算回路１１０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】温度検出素子の温度検出素子の静電破壊に対する耐性の向上と、測定精度の向上させることができる半導体装置を提供すること
【解決手段】半導体装置１００は、温度検出素子１０と、一方の端子が温度検出素子１０の電流入力端子に接続される抵抗器１１とをそれぞれが備え、互いに並列に接続される複数の温度検出素子列１２とを備える。また、複数の温度検出素子列１２の抵抗器１１の他方の端子が接続される第１の外部端子１４を備える。 （もっと読む）