【課題】欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず、一定の条件で行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなるという問題があった。また、パターン付きウェーハではマーキングに適さない方の膜上にマーキングしてしまうという問題があった。
【解決手段】マーキング予定位置を元素分析し、その結果に基づいて、圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。また、登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】測定感度および測定精度が高く、効率の良い、半導体ウェハプロセス用希ふっ酸溶液の不純物分析方法を提供すること。
【解決手段】希ふっ酸溶液を浸漬槽から採取するＡ工程と、液中のＳｉの質量数２８、Ｐの質量数３１およびＰＯ不純物の質量数４７の質量スペクトル強度を計測するＢ工程と、採取した希ふっ酸溶液を乾燥濃縮して固形化するＣ−１工程、この固形物中のＳｉ、Ｐ、ＰＯ元素の真空中でのエネルギー強度を測定するＣ−２工程と、前記固形物の真空中での質量スペクトル強度を計測するＣ−３工程、Ｃ−３工程で求めた目的の不純物の質量スペクトル強度とマトリックス質量のスペクトル強度とを合わせたスペクトル強度と目的の不純物の質量スペクトル強度との強度比を求め、この強度比によって前記Ｂ工程で求めた質量スペクトル強度を補正して、希ふっ酸溶液中のＳｉ、Ｐ，ＰＯの真の不純物量を求める。 （もっと読む）

【課題】ＸＰＳ法を用いた化学状態分析において、内殻スペクトルのピーク形状が非対称であっても、表面の化学状態を定量的に評価できる導電性材料表面化学状態の定量的評価方法を提供する。
【解決手段】表面に官能基修飾処理が施されていない導電性材料について、ＸＰＳ法によって構造の異なる２種類以上の内殻スペクトルそれぞれをＸＹ座標に表示する第一工程と、第一工程においてＸＹ座標に表示された内殻スペクトル全ての内殻スペクトルに当て嵌まるように、それら内殻スペクトルをＸＹ座標の２以上の対称な関数に分解し、それら２以上の対称な関数の和によってＸＹ座標に表示された非対称なピーク関数を定義する第二工程と、測定対象の導電性材料について、非対称なピークを第二工程において定義された非対称なピーク関数を用いて分解し、そのピーク関数のＸＹ座標の面積の和を非対称なピーク面積として算出する第三工程とを含む導電性材料表面の定量的評価方法である。 （もっと読む）

【課題】試料作製装置及び試料作製方法において、簡便な方法により加工対象の試料の膜厚を測定すること。
【解決手段】試料Sに第１の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第１の二次信号Is₁を取得するステップと、試料Sに第２の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第２の二次信号Is₂を取得するステップと、第２の二次信号Is₂と第１の二次信号Is₁との比Is₂／Is₁を算出するステップと、比Is₂／Is₁が試料Sの膜厚tに依存することを利用し、比Is₂／Is₁に基づいて膜厚tを算出するステップと、算出した試料Sの膜厚tに基づき、膜厚tが目標膜厚t₀となるのに要する試料Sの加工量を算出するステップと、試料SにイオンビームIBを照射して上記加工量だけ試料Sを加工して、膜厚tを目標膜厚t₀に近づけるステップとを有する試料作製方法による。 （もっと読む）

【課題】クリープ損傷を受ける金属の余寿命をＡパラメータ法によって診断するに際し、参照線を描く向きを精度よく定める。
【解決手段】
金属のレプリカを顕微鏡撮影することで、粒界の画像データを取得する画像取得ステップ（Ｓ３）と、画像データに向きが異なる仮想参照線データを複数本描く仮想参照線描画ステップ（Ｓ５，Ｓ６，Ｓ８）と、仮想参照線データのそれぞれについて、粒界データ上のボイド画像データを計数するボイド計数ステップ（Ｓ７、Ｓ８）と、ボイド画像データの数が最も多い仮想参照線データを、参照線データに決定する参照線決定ステップ（Ｓ９）とを含み、Ａパラメータ法を用いて前記金属の余寿命を診断する。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／ＴＥＭ分析のためにサンプルを抽出および取り扱うための改善された方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の好適な実施形態は、ラメラを基板表面を有する基板から抽出するための装置であって、１以上のステージ・コントローラに接続された基板用の可動ステージと、マイクロプローブと、可動ステージ上に設けられて基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダが基板を保持しているときに基板表面に対してある斜角で基板表面に光を当てるための斜照明と、基板を撮像する光学顕微鏡とを備える。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡等を用いて化粧料の断面を観察する化粧料の断面観察方法に関し、所望する位置での断面観察を可能とした化粧料の断面観察方法を提供する。
【解決手段】サンプルホルダに化粧料を配設して試料を作成する試料作成工程Ｓ１と、この試料を凍結させる凍結工程Ｓ２と、凍結された試料を集束イオンビームにより加工し試料に切断面を形成する切断工程Ｓ３と、走査型電子顕微鏡を用いて切断面の切断面画像を生成する切断面画像処理工程Ｓ４とを有する。また凍結工程Ｓ２において凍結された試料を凍結環境を保ったままシールド処理し、凍結環境を保ったまま切断工程Ｓ３及び切断面画像処理工程Ｓ４を実施する。この際、支持台として、人工皮膚、樹脂テープ、又は皮膚のいずれかを用い、かつ、シールド処理では真空状態又は不活性ガスを充填したシールド部材に凍結された試料を配設する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイ検査装置において、基板内で絶縁破壊（ＥＳＤ）を生じさせることなく、基板に帯電した電荷を放電する。
【解決手段】プローバーを基板に配置し、プローバーを介して検査信号を基板に供給し、基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、ＴＦＴアレイ検査時にプローバーを基板に配置した際に、基板をプローバーを介して接地された高抵抗の放電用抵抗に接続することによって、基板に帯電する電荷をプローバーおよび放電用抵抗を介して放電させる。基板に帯電する電荷を、基板からプローバーを介して放電用抵抗に導くことによって、ＴＦＴアレイ検査装置内において格別な機構を設けることなく基板に帯電する電荷を放電することができる。 （もっと読む）

【課題】透過電子顕微鏡像の観察時に試料が受ける磁場の影響を低減することができる透過電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】透過電子顕微鏡１００は、電子線源２と、照射レンズ４と、対物レンズ６と、第２対物レンズ８と、制限視野絞り１６と、投影レンズ１０と、検出器１２と、少なくとも照射レンズ４、第２対物レンズ８、および投影レンズ１０を制御する制御部と、を含み、第１面１７は、第２対物レンズ８と投影レンズ１０との間に位置し、制御部２２は、試料Ｓに電子線Ｌが照射されるように照射レンズ４を制御し、試料Ｓの回折パターンが第１面１７に結像されるように第２対物レンズ８を制御し、第２対物レンズ８で結像された試料Ｓの透過電子顕微鏡像が第２面（受光部１３）に結像されるように投影レンズ１０を制御する第１処理を行う。 （もっと読む）

【課題】鋼中介在物の組成や大きさを迅速に測定すること。
【解決手段】鋼中介在物の分析方法は、鋼片試料に電子線を第１の加速電圧で照射することによって反射電子像を取得し、取得した反射電子像から鋼組織と鋼中介在物とを識別するステップと、鋼中介在物と判定された鋼片試料領域に電子線を第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で照射することによって発生する特性Ｘ線を検出し、検出された特性Ｘ線から鋼中介在物の組成に関する情報を取得するステップと、を含む。これにより、鋼中介在物の組成や大きさを迅速に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】X線等の電磁波や電子線、中性子線等の粒子線を利用し、試料の断層像を撮影するComputerized Tomography Method（CT法）において、密度等のスカラー場ではなく、磁気等のベクトル場の断層像を得る。
【解決手段】試料または入射エネルギー線をφ回転させて測定した強度I_φ(x_r)のx_r−φ分布から、２Ｉ_φ（ｘ_ｒ）・ｃｏｓ（φ）及び２Ｉ_φ（ｘ_ｒ）・ｓｉｎ（φ）を用いてサイノグラムを再構成し、ベクトル場の成分分離を行い、再構成することでベクトルの断層像を得る。 （もっと読む）

【課題】クリープ損傷を受ける金属の余寿命をＤパラメータ法で診断するに際し、余寿命診断処理を容易化する。
【解決手段】
診断用コンピュータ３に、金属表面における複数の粒界に対応する粒界画像データを取得させ（Ｓ３）、粒界画像データから、各粒界の始点座標と終点座標を含む粒界データを取得させ（Ｓ４）、配管の応力方向に垂直な参照方向を示す参照方向データを、粒界画像データに設定させ（Ｓ５）、参照方向データに基づいて、複数の粒界データの中から、参照方向を中心とする所定の角度範囲に属する垂直粒界データを抽出させ（Ｓ５）、垂直粒界データに対応する粒界上のボイド形成状態に基づいて、当該垂直粒界データが損傷粒界に対応する損傷粒界データか否かを判断させ（Ｓ６）、垂直粒界データに対応する粒界の数、及び、損傷粒界データに対応する粒界の数に基づき、Ｄパラメータ法を用いて金属の余寿命を診断させる（Ｓ８）。 （もっと読む）

【課題】有機光学結晶にレーザー光を照射して連続的に使用するために、あらかじめ非破壊で容易かつ簡便な有機光学結晶のレーザー被照射耐性を評価する方法を確立すること、またその評価方法によって評価されたレーザー被照射耐性を有する有機光学結晶を提供すること。
【解決手段】有機光学結晶にレーザーを照射する前に回折解析工程により、有機光学結晶のレーザー被照射耐性の有無を判断する評価方法を確立することができ、またその評価方法によって評価されたレーザー被照射耐性を有する有機光学結晶を非破壊で容易かつ簡便に幅広い分野へ提供することができる。 （もっと読む）

【課題】表面処理を行ったフィルム、ここでは薬剤による化学的処理や微細形状加工などを除く、不安定で失効しやすい表面改質処理を行なったポリマーフィルムを対象とした評価を行うに当り、測定用装置によって生じたダメージに起因する誤差を修正して、より正確な初期表面状態を容易かつ簡便に評価可能な技術を提供することを課題とする。
【解決手段】コロナ処理など不安定な表面改質処理を行ったポリマーフィルムについて、その表面状態を定量的に評価するに際し、測定用装置によって生じたダメージに起因する誤差を修正して、より正確な初期表面状態の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】
従来の断面ＳＥＭやＴＥＭで撮像した断面画像とその倍率情報を元にユーザが物差しをあてて配線の寸法を計測したり、分度器をあてて配線の側壁の傾斜角度を計測する方法によっては、ユーザの裁量に依存する部分が大きいという課題があった。
【解決手段】
被検査対象試料の断面形状データに対して複数の形状モデルをフィッティングするフィッティング工程と、前記フィッティング工程にてフィッティングしたフィッティングモデルの精度の指標である誤差関数値に基づいて該複数の形状モデルから少なくとも一の形状モデルを最適モデルとして選択する選択工程とを有する被検査対象試料の断面形状推定方法である。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム又はイオンビーム撮像機器による極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）マスク検査の技術を提供する。
【解決手段】結合モジュールは、開口を定める上側部分と、マスク接触要素と、チャック接触要素と、マスク接触要素と上側部分の間に接続された中間要素とを含むことができる。開口の形状及びサイズは、極端紫外線（ＥＵＶＬ）マスクのパターン転写区域の形状及びサイズに対応することができる。結合モジュールは、マスク接触要素がＥＵＶＬマスクの上側部分に接触した状態でチャック接触要素がＥＵＶＬマスクを支持するチャックに接触するような形状及びサイズとすることができる。結合モジュールは、ＥＵＶＬマスクがチャック上に位置決めされた時にＥＵＶＬマスクの上側部分とチャックの間に少なくとも１つの導電経路を更に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】未処理の二軸延伸ＰＥＴフィルム或いはシートは工業用や包装用など幅広く使われており、機能材料を塗工したり、易接着材料やプラライマー材料を予め塗工した後に機能材料を貼り合せ（ラミネート）たりして高付加価値を付与している。その際、従来はぬれ張力や接触角などでぬれ性の良いＰＥＴ基材を選択してきたが、密着性との相関は高くはなかった。
【解決手段】これまでに無い密着性の指標として、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）分析により検出角度４５度で測定した最表面のＣ（炭素）、Ｏ（酸素）、Ｓｉ（珪素）のナロースペクトルから得られたＳｉ比率が０.２atomic％以下である場合は、ＰＥＴ基材の密着性が高いと考えられる。また、新たに加熱工程を経た場合には、Ｓｉ由来のＰＥＴ添加剤であるシリカフィラーがブリードして表出するので、再度ＸＰＳ分析を行い、Ｓｉ比率を把握することで品質管理を行うことが出来る。 （もっと読む）

【課題】 従来の光の散乱を用いた異物検出と、反射結像型電子顕微鏡による異物検出とでは、全く原理が異なることから、得られた異物検査データを直接比較することはできず、総合的な異物管理ができない課題があった。また、同一のウェハを、散乱光を用いた検査装置と反射結像型電子顕微鏡との別々の装置で検査を実施すると、二つの装置間でのウェハ搬送中に新たな異物が付着する危険性を除外できず、厳密な検査データの比較ができないという課題があった。
【解決手段】 反射結像型電子顕微鏡の対物レンズの周囲に、レーザー光導入システムと、散乱光検出器を配置し、同一の装置で散乱光による異物検出と、反射結像型電子顕微鏡による異物検出とを実施できるようにした。 （もっと読む）

【課題】金属材料の破壊原因を簡易かつ精度よく推定することが可能な方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】破断した金属材料の破壊原因を電子後方散乱回折像法により推定する。破断した金属材料において破断面と垂直な面を測定面とし、この測定面上に電子線を照射して電子後方散乱回折像を取得する。この電子後方散乱回折像に基づいて各照射点における結晶方位を決定し、各照射点における方位差を決定する。そして、測定面を破断面からの深さ方向において所定間隔毎に複数の区分に分割し、各区分毎にその区分に属する複数の照射点の方位差の平均値を求め、破断面からの深さを横軸、方位差を縦軸とした座標上にプロットし、このプロットに基づいて方位差曲線を得る。得られた方位差曲線のパターンを、あらかじめ破壊原因の分かっている標準試料を用いて求めた標準方位差曲線と比較することにより、破断した金属材料の破壊原因を判定する。 （もっと読む）