【課題】複数の半導体素子を備えており、半導体素子に流れる電流を検知する際の損失を低減可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態の半導体装置１は、配線パターン２２を有する配線基板２０と、配線基板上に搭載されるＮ個（Ｎは２以上の自然数）の半導体素子１０と、配線基板に搭載され、Ｎ個の半導体素子のうちから選択されたＭ個（Ｍは１以上Ｎ以下の自然数）の半導体素子１０のうちｍ個（ｍは、１以上Ｍ未満の自然数）の半導体素子１０に流れる電流を検知する電流検知部３０Ａ，３０Ｂと、を備える。Ｍ個の半導体素子は、配線パターンを介して電気的に並列接続されており、ｍ個の半導体素子は、電流検知部を介してＭ個の半導体素子のうちの他の前記半導体素子に電気的に並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】被測定ＡＣ信号の損失と反射を低減する。
【解決手段】ＤＣ−ＡＣプローブ・カード２０は、プローブ・ニードル２６及び３１を有し、これらは、ＤＵＴに接触する末端を夫々有する。接続経路２４及び３０は、試験計装２２及び２８をプローブ・ニードル２６及び３１に接続するよう使用できる。接続経路２４及び３０の夫々は、夫々の対応する試験計装２２及び２８と、プローブ・ニードル２６及び３１の間に、ＡＣ測定に適した所望特性インピーダンスと、ＤＣ測定に適したガードされた経路の両方を提供する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池パネルが備えるバイパスダイオードについて容易に診断することができる太陽光発電システムを提供する。
【解決手段】太陽光発電システム１は、バイパスダイオードを有し、太陽光を受けて発電する太陽電池ストリング３ａ，３ｂと、太陽電池ストリング３ａ，３ｂに診断電圧を印加することによって、発電時と同じ方向の電流を流す診断用電源１２ａ，１２ｂと、太陽電池ストリング３ａ，３ｂに診断電圧を印加するか否かを切り替えるスイッチ部１４ａ，１４ｂと、太陽電池ストリングに流れる電流を測定する電流検出部１５ａ，１５ｂとを備える。太陽光発電システム１はさらに、診断電圧が印加された場合に電流検出部１５ａ，１５ｂによって測定される電流の大きさと予め定められた診断閾値とを比較し、比較の結果に基づいてバイパスダイオードに不具合があるか否かを判断する制御部１７を備える。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡易な構成で、長期の実使用状態においても、太陽照射時の発電を妨げることなく太陽電池アレイの電気特性を診断する。
【解決手段】太陽電池アレイ１２の出力が予め定めた閾値以下のときに、入力コンデンサ２６を太陽電池の開放電圧まで充電し、ＳＷ２をオフして、ＳＷ３ｉ以外のＳＷ３を中立接点ｃ、ＳＷ３ｉを接点ａに切り替え、入力コンデンサ２６に可変直流電源４０を直列接続して合計電圧をｉ列目の太陽電池モジュールストリング１６に印加し、過渡現象の電圧及び電流を測定し、電圧依存領域のＩ−Ｖ特性を取得する。ＳＷ３ｉを接点ｂ１に切り替えて、入力コンデンサ２６を一旦放電させ、ＳＷ３ｉを接点ｂ２に切り替え、入力コンデンサ２６の充電時の過渡現象の電流及び電圧を測定し、電流依存領域のＩ−Ｖ特性を取得する。両領域のＩ−Ｖ特性を結合し、直列抵抗Ｒ_Ｓ、分路抵抗Ｒ_ｓｈ等を推算し、太陽電池アレイの故障状態を診断する。 （もっと読む）

【課題】電気装置を別の装置に安定的に電気的に接続することができる電気的接続装置を提供すること。
【解決手段】本発明による電気的接続装置は、少なくとも１つの電気的構成要素の少なくとも１つの電極を電気的に接続しかつクランプするための少なくとも１つの治具を備える。治具は、第１のクランプ部、第２のクランプ部、および第１の検出弾性シートを備える。第２のクランプ部は第１のクランプ部に対向して配置される。電極は、第１のクランプ部と第２のクランプ部との間に電気的に接続されかつクランプされるように構成される。第１の検出弾性シートは第１のクランプ部で固定される。第１の検出弾性シートは第１のセンサに接続され、第１の接触部を形成される。第１のセンサは電気的構成要素の第１のパラメータを検知するために使用され、第１の接触部は電極と接触するために使用される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、テスト時に半導体の終端部での放電を防止することが可能な半導体テスト治具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体テスト治具は、プローブピン３と、プローブピン３を平面視で囲むように設けられた絶縁物２とが配設された土台１と、土台１のプローブピン３および絶縁物２が配設された側の面に対向して配置され、土台１側の面上に被検体４を載置することが可能なステージ６とを備え、ステージ６に被検体４を載置して土台１とステージ６とが接近する方向に移動する際、プローブピン３が被検体４に形成された電極と接触すると共に、絶縁物２が被検体４に接触することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】逆バイアス安全動作領域を正確に測定することができる逆バイアス安全動作領域測定装置を得る。
【解決手段】逆バイアス安全動作領域測定装置１は、被測定ＩＧＢＴ２の逆バイアス安全動作領域を測定するための装置である。逆バイアス安全動作領域測定装置１は、パワーＭＯＳＦＥＴ７と、被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧に基づいて制御電圧を生成してパワーＭＯＳＦＥＴ７のゲートに印加する制御電圧生成回路８とを備える。被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧がクランプ電圧を超えると、パワーＭＯＳＦＥＴ７がＯＮして、コレクタ電圧が下がる。一方、被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧がクランプ電圧を下回ると、パワーＭＯＳＦＥＴ７がＯＦＦして、コレクタ電圧が上がる。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の動特性と、静特性たる飽和電圧とを１台の装置で精密に検査すること。
【解決手段】パワー半導体素子たるスイッチング素子６をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、検査時の短絡電流の発生に伴って前記スイッチング素子６を電気的に遮断するトランジスタ５３を備えた半導体検査装置１において、前記トランジスタ５３を定電流出力動作させる定電流回路６０を構成し、前記定電流回路６０によって前記トランジスタ５３が出力する定電流を前記スイッチング素子６に与えて飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を検査する構成とした。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子に過剰な電流が流れることを防止可能な検査装置等を提供する。
【解決手段】 検査装置１００は、半導体素子１０と、電源２０と、スイッチング素子２４と、制御部５０と、切替部７０と、検査部２６とを備える。スイッチング素子２４が電源２０と半導体素子１０との間を接続し、且つ切替部７０が半導体素子１０をオンさせる状態で、電源２０によって半導体素子１０に電流が流れる時、制御部５０は、半導体素子１０が仮に電流破壊した時のスイッチング素子２４に流れ得る飽和電流を第１の値に設定する。スイッチング素子２４が電源２０と半導体素子１０との間を接続し、且つ切替部７０が半導体素子１０をオフさせる状態で、電源２０が半導体素子１０に電圧を印加する時、制御部５０は、半導体素子１０が仮に電圧破壊した時のスイッチング素子２４に流れ得る飽和電流を第１の値よりも小さい第２の値に設定する。 （もっと読む）

【課題】時間的に連続した負荷を被試験体に印加して、被試験体の試験を行うことを可能とする、評価試験装置および評価試験方法を提供する。
【解決手段】評価試験装置は、複数の外付端子を有するデバイス（被試験体）の前記複数の外付端子それぞれに、試験負荷信号を印加する複数の第１のバッファアンプを備えている。また、前記複数の外付端子の負荷状態をそれぞれ測定して測定結果信号として出力する複数の第２のバッファアンプを備えている。さらに、前記複数の第１のバッファアンプから前記試験負荷信号を印加させながら、前記複数の第２のバッファアンプを順次駆動して前記測定結果信号を出力させるよう制御する制御手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】試験の異常時において被試験デバイスへの電源供給を高速に遮断する。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、電源部と被試験デバイスとの間の経路上に設けられた誘導負荷部と、誘導負荷部と被試験デバイスとの間の経路上に直列に接続された複数の半導体スイッチと、被試験デバイスへの電圧の供給を遮断する場合において、複数の半導体スイッチをオフとする制御部と、を備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】被試験デバイスへ過剰な電流が流入することを防ぐ。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、前記被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、前記電源部から前記被試験デバイスに至る経路上に設けられた誘導負荷部と、前記誘導負荷部に対して前記被試験デバイスと並列に接続された第１半導体スイッチと、前記被試験デバイスに対する電源電圧の供給を遮断する場合に、前記第１半導体スイッチをオンとする制御部とを備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】被検査体を電気的接続装置に配置する作業を容易にすることにある。
【解決手段】
電気的接続装置は、板状部材と、該板状部材に配置された多数の端子とを含む。前記多数の端子は、同一面内に位置する上端面を備え、前記電気的接続装置に被検査体が配置されると、前記端子のうち少なくとも２つの端子を含む一組の端子が、それぞれ、複数の電極を備える被検査体の各電極に接触する。この接触した前記端子が特定され、特定された前記端子を介して被検査体とテスタとの間で電気信号が送受信される。これにより、被検査体の電気的試験が可能となる。 （もっと読む）

【課題】短時間で立ち上がる電流を被試験デバイスに印加させる。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、被試験デバイスに電流を供給する電流源と、被試験デバイスに対応する電気的特性を有する擬似負荷と、電流源を擬似負荷に接続するか被試験デバイスに接続するかを切り替える切替部とを備え、切替部は、電流源を擬似負荷に接続した後に、擬似負荷に印加される電圧が予め定められた範囲内の電圧になると、電流源と擬似負荷との接続を切り離すとともに、電流源を被試験デバイスに接続する試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】試験コンタクト装置の台数を削減でき、試験機の構成部品や測定回路の共通化を可能にして設備コストの低減し、かつＡＣ試験条件（波形）の改善が可能とする。
【解決手段】統合試験装置は、ＡＣ試験機１６とＤＣ試験機１７が設けられ、中間電極板２０を挟んで、ＤＵＴ載置台２２とＡＣ試験回路部２４が上下方向に昇降可能に配置される。中間電極板２０はサポート板２１により固定され、ＤＵＴ載置台２２は、中間電極板２０の下部にあって、ＩＧＢＴモジュール１がその外部端子１Ｎ等を上向きの状態にして所定の位置に保持され、シリンダー２３により上下させることで各外部端子が中間電極板２０と接続・非接続の状態となる。中間電極板２０上の電極部分にＡＣ試験機１６、ＤＣ試験機１７各々との可動接触部を設けた一台のコンタクト装置で、ＤＣパラメータ、ＡＣパラメータ、および熱抵抗の各試験を切替えて行う。 （もっと読む）

【課題】前工程においてトランジスタごとに不純物の種類や量を変えることによる、製造コストや製造時間の増大を抑制する。
【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、第１の閾値電圧及び第１のドレイン・ソース間電流を呈するようなデバイスパラメータをもって設計された第１のトランジスタを含む半導体回路を形成する半導体回路形成工程（ステップＳ１１）と、第１のトランジスタにストレス電圧を印加して第１の閾値電圧とは異なる第２の閾値電圧及び前記第１のドレイン・ソース間電流とは異なる第２のドレイン・ソース間電流の少なくとも一方を第１のトランジスタが呈するようにする特性制御工程（ステップＳ１４）と、第１のトランジスタが第２の閾値電圧及び第２のドレイン・ソース間電流の少なくとも一方を呈する状態で出荷する出荷工程（ステップＳ１６）とを備える。 （もっと読む）

【目的】電圧検出回路を有するインバータ回路を搭載したパワー半導体モジュールにおいて、測定電圧のみを印加することで、インバータ回路の上下アームを構成する素子に流れる漏れ電流を簡便に正確に測定できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】分圧回路２３をインバータ回路５０からネジ部２７で切り離すことで、インバータ回路５０の上下アームを構成する素子（ＩＧＢＴ４ａ，４ｂ，ＦＷＤ５ａ，５ｂ）に流れる漏れ電流を簡便に正確に測定できる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ接合部の剥離やクラック発生による劣化を高精度かつ容易に診断可能とした半導体パワーモジュールの劣化診断方法及び劣化診断装置を提供する。
【解決手段】半導体パワーモジュールを構成する半導体チップとボンディングワイヤとの接合部の劣化を診断するための劣化診断方法において、半導体チップを複数、直列に接続して各半導体チップのオン時における飽和電圧の合計値を測定し、この合計値が閾値を超えたことから前記接合部に劣化が生じたと判断する。または、前記接合部を第１の接合部とすると共に、半導体チップとボンディングワイヤとの線膨張係数の差よりも大きい線膨張係数の差を持つようなダミー基板とボンディングワイヤとの接合部を、第２の接合部として別個に備え、第１の接合部と第２の接合部とを直列に接続して主回路電流を通流し、第２の接合部の劣化状態から第１の接合部の劣化を予測する。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電流測定時において、測定手法を変更することなく、従来の測定に加えて、１つのＤＣモジュールでの連続的な電流波形も測定することが可能な半導体試験装置を実現する。
【解決手段】被試験対象デバイスに電源電圧を供給すると共に被試験対象デバイスに流れる電流に応じた変換信号を出力するＤＣモジュールを複数有し、各ＤＣモジュールからの変換信号をマルチプレクサを切り替えて選択し、選択した変換信号をＡ／Ｄ変換器に与え、このＡ／Ｄ変換器を用いて電流を測定する半導体試験装置において、複数のＤＣモジュールからの変換信号がそれぞれ入力され、複数のＤＣモジュールのうちいずれか１つのＤＣモジュールからの変換信号を全ての出力端子に分配して出力する接続状態、または、複数のＤＣモジュールからのそれぞれの変換信号を各出力端子からそれぞれ出力する接続状態をとるスイッチ部を備える。 （もっと読む）

【課題】微小な電流が測定可能な電流測定方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】電気素子を流れる電流値を、直接測定するのではなく、所定の期間における電位変動から算出する。第１端子と第２端子を有する電気素子の、第１端子に所定の電位を与え、第２端子と接続されるノードの電位の変化量を測定し、電位の変化量から、電気素子の第１端子と第２端子との間を流れる電流値を算出する、電流測定方法である。これにより、微小な電流値を測定することが可能となる。 （もっと読む）