【課題】 熱抵抗測定の際の半導体の温度ができるだけ均一となるような発熱手段を用いる半導体の熱抵抗の測定方法を提供する。
【解決手段】 本発明による半導体装置における熱抵抗の測定方法は、複数の回路ブロックを有し、該回路ブロックは複数のｐｎ接合の並列する構造が存在している半導体装置にて、該半導体装置の温度を変化させるとともに、前記複数のｐｎ接合のうち、所定の第１のｐｎ接合に発熱に影響しない順方向の微小な電流を流して発生する発生電圧を測定し、該発生電圧から半導体装置の熱抵抗を算出する、半導体装置における熱抵抗の測定方法において、前記半導体装置の温度を変化させる方法は、前記複数のｐｎ接合のうち、前記第１のｐｎ接合以外の第２のｐｎ接合が降伏状態になるように電流を流して発熱させる方法であることを特徴とする。そのため、半導体装置の熱抵抗を精度よく測定できる。 （もっと読む）

【課題】精度の高い検査に対応することができる測定用保持具及び測定装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る測定用保持具は、複数の半導体チップを含むパッケージ、前記パッケージの側面から露出し前記半導体チップの電極と導通する導通部、を有する被測定物を保持する測定用保持具である。測定用保持具は、前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、前記支持基板に対して少なくとも１軸方向に可動に設けられ前記導通部と接触する探針部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】バーンイン用ウエハをバーンイン毎に検査せずとも、半導体ウエハが正しい条件でバーンインされたことを保障することのできるバーンインシステム及びバーンイン方法を提供する。
【解決手段】バーンインシステムは、集積回路４１が形成されたチップ領域４０を複数有する半導体ウエハと、該半導体ウエハに貼り合わせた状態で、半導体ウエハに所定電圧とバーンイン信号を供給するバーンイン用ウエハを備える。そして、半導体ウエハは、集積回路４１に対応して形成された複数のテスト用回路４２を有し、テスト用回路４２には、対応する集積回路４１に供給される所定電圧とバーンイン信号が供給され、テスト用回路４２は、バーンインが正常に実行されると、バーンイン実行前と異なる状態を示しつつその状態を保持するバーンイン履歴素子を有する。 （もっと読む）

【課題】直流の電流および電圧を発生するときに、過剰な消費電力が出力アンプに作用しないように制御することを目的とする。
【解決手段】本発明の直流電流電圧源３は、出力設定部１１により設定された設定電圧Ｖｓｅｔを出力する出力アンプ１２と、出力アンプ１２が出力する出力電圧Ｖ１と出力アンプ１２に帰還されて入力される入力電圧Ｖ２とを入力して、出力アンプ１２の消費電力Ｐａｍｐを演算する演算部１９と、演算部１９により演算された消費電力Ｐａｍｐが予め設定された設定電力Ｐｌｉｍを超過しているか否かを比較する比較部２０と、消費電力Ｐａｍｐが設定電力Ｐｌｉｍを超過しているときには、出力設定部１１の設定値を低下させる制御を行う制御部２１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】検査対象デバイスの電源電流をより正確に測定し、検査対象デバイスの良または不良の判定をより正確に行なうこと。
【解決手段】複数の検査対象デバイス１６を、前記複数の検査対象デバイスの電源電流をそれぞれ測定する複数の電流測定装置１４を有する試験ボード１０に搭載し、前記複数の検査対象デバイスのバーンイン試験を行い、前記複数の電流測定装置が測定した前記複数の検査対象デバイスの電源電流に基づき、前記複数の検査対象デバイスのそれぞれについて前記バーンイン試験の良または不良の判定を行なう試験方法。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の動特性と、静特性たる飽和電圧とを１台の装置で精密に検査すること。
【解決手段】パワー半導体素子たるスイッチング素子６をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、検査時の短絡電流の発生に伴って前記スイッチング素子６を電気的に遮断するトランジスタ５３を備えた半導体検査装置１において、前記トランジスタ５３を定電流出力動作させる定電流回路６０を構成し、前記定電流回路６０によって前記トランジスタ５３が出力する定電流を前記スイッチング素子６に与えて飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を検査する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ラッチアップ試験において、被試験端子の状態がハイインピーダンス状態であるか否かを把握するとともに、被試験端子へ電流パルスを印加した際に被試験端子の論理状態が反転することによるラッチアップの誤判定を防ぐこと。
【解決手段】ラッチアップ試験装置は、被試験端子の電位をプルアップおよびプルダウンして被試験端子がハイインピーダンス状態であるか否かを検出するとともに、プルアップおよびプルダウン動作に伴って被試験端子の論理状態が反転する前後において、定電圧源から被試験デバイスの電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第１の差分とするとともに、被試験端子に電流パルスを印加する前後において定電圧源から電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第２の差分とし、第１の差分と第２の差分とを比較することで、ラッチアップが発生したか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイのソース・ドレイン間のWeak-SD欠陥と呼ばれる抵抗を介して導通状態にある欠陥を、保持時間を長くすることなく短時間で検出する。
【解決手段】ＴＦＴ基板のＴＦＴアレイに対して電圧を印加し、電子線照射により得られる二次電子を検出してＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイの欠陥検出において、ＴＦＴのソースおよび／又はゲートへの電圧を印加する電圧パターンにおいて、電圧値および／又は印加時期によってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させる特性パラメータに設定する。特性パラメータの設定において電圧値および／又は印加時期を設定することによってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させ、増加させたリーク電流によってＴＦＴの内部欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】被検査体を電気的接続装置に配置する作業を容易にすることにある。
【解決手段】
電気的接続装置は、板状部材と、該板状部材に配置された多数の端子とを含む。前記多数の端子は、同一面内に位置する上端面を備え、前記電気的接続装置に被検査体が配置されると、前記端子のうち少なくとも２つの端子を含む一組の端子が、それぞれ、複数の電極を備える被検査体の各電極に接触する。この接触した前記端子が特定され、特定された前記端子を介して被検査体とテスタとの間で電気信号が送受信される。これにより、被検査体の電気的試験が可能となる。 （もっと読む）

【課題】逆接続時における過電圧の印加による破壊を回避しつつ、一定の順方向電流を発光ダイオードに供給して順方向電圧を測定する。
【解決手段】定電流出力部４は、発光ダイオード１１の最大逆方向電圧のうちの最小電圧未満で、かつ最小順方向電圧のうちの最大電圧を超える電圧に規定された第１電圧Ｖ１、および発光ダイオード１１の順方向電圧のうちの最大電圧を超える電圧に規定された第２電圧Ｖ２のうちから選択される一方の電圧を最大出力電圧に設定可能に構成され、処理部５は、定電流出力部４に対して第１電圧Ｖ１を最大出力電圧として測定用定電流Ｉ１を出力させた状態で測定処理を実行して端子電圧Ｖ３を測定して、端子電圧Ｖ３が第１電圧Ｖ１と一致しているか否かを判別し、一致と判別したときには、定電流出力部４に第２電圧Ｖ２を出力させることなく、発光ダイオード１１が逆接続状態で接続されている旨を出力部６に出力する。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤの断線や剥離が生じた発光ダイオードを発見することができる搬送検査装置、テーピング装置、および搬送検査方法を提供する。
【解決手段】 発光ダイオードを搬送する搬送部２００と、該搬送部２００によって搬送されてきた発光ダイオードを検査する検査部３００とを備えるテーピング装置１０００において、搬送部２００には、搬送中の発光ダイオードの封止樹脂材１２を外部より加熱膨張させる電熱ヒータ２２２を設け、検査部３００には、発光ダイオードに順方向の電流を一定時間印加することで、該発光ダイオードの自己発熱と電熱ヒータ２２２による外部加熱との相乗効果により、該発光ダイオードのジャンクション温度を瞬時に上昇させる機能を有する電流電圧印加部３２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】試験コンタクト装置の台数を削減でき、試験機の構成部品や測定回路の共通化を可能にして設備コストの低減し、かつＡＣ試験条件（波形）の改善が可能とする。
【解決手段】統合試験装置は、ＡＣ試験機１６とＤＣ試験機１７が設けられ、中間電極板２０を挟んで、ＤＵＴ載置台２２とＡＣ試験回路部２４が上下方向に昇降可能に配置される。中間電極板２０はサポート板２１により固定され、ＤＵＴ載置台２２は、中間電極板２０の下部にあって、ＩＧＢＴモジュール１がその外部端子１Ｎ等を上向きの状態にして所定の位置に保持され、シリンダー２３により上下させることで各外部端子が中間電極板２０と接続・非接続の状態となる。中間電極板２０上の電極部分にＡＣ試験機１６、ＤＣ試験機１７各々との可動接触部を設けた一台のコンタクト装置で、ＤＣパラメータ、ＡＣパラメータ、および熱抵抗の各試験を切替えて行う。 （もっと読む）

【課題】前工程においてトランジスタごとに不純物の種類や量を変えることによる、製造コストや製造時間の増大を抑制する。
【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、第１の閾値電圧及び第１のドレイン・ソース間電流を呈するようなデバイスパラメータをもって設計された第１のトランジスタを含む半導体回路を形成する半導体回路形成工程（ステップＳ１１）と、第１のトランジスタにストレス電圧を印加して第１の閾値電圧とは異なる第２の閾値電圧及び前記第１のドレイン・ソース間電流とは異なる第２のドレイン・ソース間電流の少なくとも一方を第１のトランジスタが呈するようにする特性制御工程（ステップＳ１４）と、第１のトランジスタが第２の閾値電圧及び第２のドレイン・ソース間電流の少なくとも一方を呈する状態で出荷する出荷工程（ステップＳ１６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】チップ間の接続を検査可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１電源ラインＬＶＤＤ１と第２電源ラインＬＶＤＤ２には、独立に電源電圧を供給可能となっている。バッファＢＵＦ１は、第１パッドＰ１ごとに設けられ、それぞれの出力端子が対応する第１パッドＰ１に接続され、信号を出力するイネーブル状態と、出力がハイインピーダンスとなるディスイネーブル状態が切りかえ可能となっている。試験時には、検査対象のワイヤと接続される第１パッドＰ１および第２パッドＰ２がハイインピーダンスとされ、第１電源ラインＬＶＤＤ１に電源電圧ＶＤＤ１を、第２電源ラインＬＶＤＤ２に接地電圧が供給される。テスト用パッドＰＴＥＳＴに対して試験電流Ｉ_ＴＥＳＴが供給され、テスト用パッドＰＴＥＳＴの電圧が測定される。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイデバイスの劣化検出装置を提供する。
【解決手段】予め設定された劣化検出用電流を伝達する電源部と、互いに隣接した複数のピクセルユニットを備え、前記複数のピクセルユニット各々は、前記電源部からの前記劣化検出用電流を伝達されるピクセル部と、前記複数のピクセルユニット各々に対応する複数のスイッチグループを有し、前記複数のピクセルユニット各々に前記電源部からの前記劣化検出用電流を伝達して順次に電圧が検出されるようにするが、該当するピクセルユニットに前記劣化検出用電流が伝達される間、該当のピクセルユニットの次の順番のピクセルユニットに前記劣化検出用電流を予め伝達する伝達部と、前記ピクセル部の複数のピクセルユニットのうち前記劣化検出用電流が伝達されたピクセルユニットの電圧を順次に検出し、デジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換部と、を含むことを特徴とする劣化検出装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】被試験デバイス及び試験装置を保護する。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、被試験デバイスに試験電流を流す経路に設けられた、誘導成分を有する誘導負荷部と、誘導負荷部からの試験電流を被試験デバイスに供給するか否かを切り替える切替部と、被試験デバイスの状態に応じて切替部を切り替えて経路を遮断する遮断制御部と、誘導負荷部と切替部との間の経路の電圧を、予め定められたクランプ電圧以下に制御する電圧制御部とを備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ接合部の剥離やクラック発生による劣化を高精度かつ容易に診断可能とした半導体パワーモジュールの劣化診断方法及び劣化診断装置を提供する。
【解決手段】半導体パワーモジュールを構成する半導体チップとボンディングワイヤとの接合部の劣化を診断するための劣化診断方法において、半導体チップを複数、直列に接続して各半導体チップのオン時における飽和電圧の合計値を測定し、この合計値が閾値を超えたことから前記接合部に劣化が生じたと判断する。または、前記接合部を第１の接合部とすると共に、半導体チップとボンディングワイヤとの線膨張係数の差よりも大きい線膨張係数の差を持つようなダミー基板とボンディングワイヤとの接合部を、第２の接合部として別個に備え、第１の接合部と第２の接合部とを直列に接続して主回路電流を通流し、第２の接合部の劣化状態から第１の接合部の劣化を予測する。 （もっと読む）

【課題】回路面積やコストの増加を抑制しつつ、被試験デバイスに安定的に電源供給可能な電源装置を提供する。
【解決手段】ＤＵＴ１に電源信号Ｓ２（Ｖｄｄ）を供給する試験装置用の電源装置１００が提供される。Ａ／Ｄコンバータ２２は、電源信号Ｓ２に応じたアナログ観測値Ｓ２’をアナログ／デジタル変換し、デジタル観測値Ｓ３を生成する。デジタル信号処理回路２４は、Ａ／Ｄコンバータ２２からのデジタル観測値Ｓ３が所定の基準値Ｒｅｆと一致するように調節される制御値Ｓ４をデジタル演算処理によって生成する。Ｄ／Ａコンバータ２６は、制御値Ｓ４をデジタル／アナログ変換し、ＤＵＴ１に電源信号Ｓ２として供給する。デジタル信号処理回路２４は、その信号処理の内容が変更可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】微小な電流が測定可能な電流測定方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】電気素子を流れる電流値を、直接測定するのではなく、所定の期間における電位変動から算出する。第１端子と第２端子を有する電気素子の、第１端子に所定の電位を与え、第２端子と接続されるノードの電位の変化量を測定し、電位の変化量から、電気素子の第１端子と第２端子との間を流れる電流値を算出する、電流測定方法である。これにより、微小な電流値を測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】稼働効率を低下させることなく、試験の信頼性の向上させる。
【解決手段】本発明に係るＥＳＤ試験装置１は、耐性試験用の静電気放電を発生させるＥＳＤ発生手段１１と、静電気放電の波形特性を測定するＥＳＤ波形測定手段２１，２２と、静電気放電の発生回数をカウントするカウンタ２３と、該発生回数が閾値に達した場合に静電気放電の波形特性の測定を行う制御手段１６とを備える。制御手段１６は、波形特性が所定の規格に適合するか否かを判定し、適合しないと判定した場合に耐性試験の実施を禁止することが好ましい。 （もっと読む）