【課題】アバランシェ破壊した半導体素子に電流が流れ続けることを抑えることができる、半導体素子の試験装置を提供すること。
【解決手段】コイル１４と、コイル１４に接続される半導体素子１０がアバランシェ破壊した後にコイル１４に流れる電流を還流させる還流回路（コイル１４→リレー４→ダイオード１６→コイル１４の電流経路）とを備え、前記還流回路が、コイル１４と半導体素子１０が構成された閉回路（コイル１４→半導体素子１０→ダイオード１３，２１→コイル１４の電流経路）よりも低いインピーダンスを有する、半導体素子の試験装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップの耐圧測定を大気放電を発生させずに安価に行うことが可能な半導体テスト治具およびそれを用いた耐圧測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体テスト治具は、プローブピン３と、プローブピン３を平面視で囲むように設けられた絶縁物２とが配設されたサセプタ１と、サセプタ１のプローブピン３および絶縁物２が配設された側の面に対向して配置され、サセプタ１側の面上に半導体チップ４を載置することが可能な下電極ステージ７とを備え、下電極ステージ７に半導体チップ４を載置してサセプタ１と下電極ステージ７とが接近する方向に移動する際、プローブピン３が半導体チップ４に形成された表面電極５と接触するとともに、絶縁物２が半導体チップ４および下電極ステージ７の両方に接触することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被検体の破壊後に継続電流による被検体の損傷拡大や試験回路の損傷を抑制可能な半導体試験装置を提供する。
【解決手段】電源部２１と被検体１０との間に設けられ、被検体１０の破壊時に被検体１０に流れる電流を遮断する半導体スイッチ２２ａのターンオフ時に発生するサージ電圧を吸収するスナバ回路として、放電阻止型のスナバ回路２３を用いることで、半導体スイッチ２２ａがターンオフ後に流れる継続電流を減少でき、被検体１０の損傷の拡大及び試験回路の損傷が抑制される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ小型で精密な電気特性検査が可能なパワー半導体測定用コンタクトプローブを提供する。
【解決手段】パワー半導体測定用コンタクトプローブ１は、円筒状のスリーブ２と、スリーブ２内を摺動自在に嵌合するプランジャーコンタクト３と、プランジャーコンタクト３をパワー半導体の外部接続用端子へ向けて付勢するコイルスプリング４とを備え、プランジャーコンタクト４のコンタクト側を可動軸受け５に圧入して固定し、非コンタクト側を固定軸受け６に摺動自在に挿通し、可動軸受け５と、固定軸受け６とで、スリーブ２内にプランジャーコンタクト３を摺動自在とし、可動軸受け５と、固定軸受け６との間にコイルスプリング４をプランジャーコンタクト３に装着して配置し、コイルスプリング４を、スリーブ２、プランジャーコンタクト３、可動軸受け５、固定軸受け６に対して電気的に絶縁した。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを樹脂封止した半導体素子において、樹脂封止部１５の絶縁耐量試験とその他の特性試験を同時に行い、試験コストを低減できて、特性試験装置全体の占有面積を減少できる半導体素子の特性試験装置およびその装置を用いた半導体素子の特性試験方法を提供する。
【解決手段】絶縁耐量を試験するための電圧印加治具１を半導体素子の樹脂封止部１５に接触させ、この電圧印加治具１に静特性試験または動特性試験で印加される高電圧を印加することで、特性試験（漏れ電流試験、耐圧特性試験、Ｌ負荷試験など）と同時に樹脂封止部１５の絶縁耐量試験も行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無や位置を精度よく検出することが可能な半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】基板上にはんだ接合により半導体素子６を実装した半導体装置２の検査装置１において、半導体素子６にＯＮ電圧を印加する電源供給部１２と、半導体素子６にＯＮ電圧を印加したときに、半導体素子６に短絡電流を通電させる短絡回路１５と、はんだ接合部に生じるボイドのサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけ半導体素子６に短絡電流を通電する制御手段１１と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタにおける電流コラプスの発生の有無を迅速に判定する。
【解決手段】電界効果トランジスタ１０１をオン状態にするとともに、電界効果トランジスタ１０１のドレインに第１電圧を印加した状態において、電界効果トランジスタ１０１の第１オン抵抗を算出する第１の工程と、電界効果トランジスタ１０１をオフ状態にし、前記第１電圧よりも大きい第２電圧を、電界効果トランジスタ１０１のドレインに印加する第２の工程と、電界効果トランジスタ１０１をオン状態にするとともに、電界効果トランジスタ１０１のドレインに前記第２電圧を印加した状態において、電界効果トランジスタ１０１の第２オン抵抗を算出する。 （もっと読む）

【課題】極めて短時間の放電光を安価な構成で検出できる放電光検出回路を提供する。
【解決手段】放電光検出回路１４は、端子１０ａに基準値以上の電圧が加えられた時に導通する電子部品１０において発生し得る放電光を検出する。放電光検出回路は、受光素子１４ａと、増幅部１４ｂと、判定部１４ｃと、オフディレイ部１４ｄと、制御部１４ｅとを備える。受光素子は、検査電極１１から端子に基準値以上の検査電圧または所定の検査電流が加えられた時に発生し得る放電光Ｌを受光して、電気信号Ａに変換する。増幅部は電気信号を増幅する。判定部は、増幅された電気信号Ｂが予め定められた判定値Ｘ以上である期間に判定信号Ｃを出力する。オフディレイ部は、判定信号のオフタイミングを遅延させた遅延判定信号Ｄを出力する。制御部は、遅延判定信号が出力されているか否か定期的に判定し、遅延判定信号が出力されている場合に放電光検出信号Ｅを出力する。 （もっと読む）

【課題】検査対象の複数個のデバイスに対して一括して、規格に適合した電流波形（または電圧波形）で明確かつ正確に高電圧印加試験を行うことにより、高電圧検査を大幅に効率よく行う。
【解決手段】ＥＳＤ試験装置１は、所定の高電圧を出力する高電圧電源２と、高電圧電源２からの所定の高電圧を蓄積する高電圧容量手段としての高圧コンデンサ４と、高圧コンデンサ４からの所定の高電圧を印加抵抗５を通して出力する高電圧出力部と、この高電圧電源２からの所定の高電圧を高圧コンデンサ４側に接続するかまたは高圧コンデンサ４からの所定の高電圧を高電圧出力部側に接続するように切り替える切替手段としての高耐圧リレー３とを有し、同一回路構成として、高圧コンデンサ４から高耐圧リレー３さらに印加抵抗５を通して高電圧出力部に至る回路を独立に、一括印加処理すべき複数の検査対象デバイス６の個数分だけ並列に有している。 （もっと読む）

【課題】逆バイアス安全動作領域を正確に測定することができる逆バイアス安全動作領域測定装置を得る。
【解決手段】逆バイアス安全動作領域測定装置１は、被測定ＩＧＢＴ２の逆バイアス安全動作領域を測定するための装置である。逆バイアス安全動作領域測定装置１は、パワーＭＯＳＦＥＴ７と、被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧に基づいて制御電圧を生成してパワーＭＯＳＦＥＴ７のゲートに印加する制御電圧生成回路８とを備える。被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧がクランプ電圧を超えると、パワーＭＯＳＦＥＴ７がＯＮして、コレクタ電圧が下がる。一方、被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧がクランプ電圧を下回ると、パワーＭＯＳＦＥＴ７がＯＦＦして、コレクタ電圧が上がる。 （もっと読む）

【課題】検査対象の複数個のデバイスに対して一括して、規格に適合した電流波形（または電圧波形）で明確かつ正確に高電圧印加試験を行う場合にも、簡単な構成でショート不良が混在することなく、高電圧検査を大幅に効率よく行う。
【解決手段】ＥＳＤ試験装置１は、所定の高電圧を出力する高電圧電源２と、高電圧電源２からの所定の高電圧を蓄積する高電圧容量手段としての高圧コンデンサ４と、高圧コンデンサ４からの所定の高電圧を印加抵抗５を通して出力する高電圧出力部と、この高電圧電源２からの所定の高電圧を高圧コンデンサ４側に接続するかまたは高圧コンデンサ４からの所定の高電圧を高電圧出力部側に接続するように切り替える切替手段としての高耐圧リレー３とを有する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の動特性と、静特性たる飽和電圧とを１台の装置で精密に検査すること。
【解決手段】パワー半導体素子たるスイッチング素子６をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、検査時の短絡電流の発生に伴って前記スイッチング素子６を電気的に遮断するトランジスタ５３を備えた半導体検査装置１において、前記トランジスタ５３を定電流出力動作させる定電流回路６０を構成し、前記定電流回路６０によって前記トランジスタ５３が出力する定電流を前記スイッチング素子６に与えて飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を検査する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ウエハテストで仕様最大電圧の試験を行うときに、半導体素子の電極間の距離を広げる方法や高価なプローバを使用する方法を用いずに、高電圧印加時の空気放電を防止することができる半導体素子試験方法および半導体素子試験装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子が作成されたウエハに対し、該半導体素子の電気的特性を検査する半導体素子試験方法であって、上記複数の半導体素子のうち検査対象の半導体素子の電極を、外部端子と電気的に接続させるステップ（Ｓ１１）と、上記電極と上記外部端子とが電気的に接続された状態で、上記検査対象の半導体素子の表面に、供給部から電離性の低い液体または気体を供給するステップ（Ｓ１２）と、上記表面が上記液体または気体で覆われた状態で、上記検査対象の半導体素子に、電圧印加部から上記外部端子を介して試験電圧を印加するステップ（Ｓ１３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】コンタクト回数によって、抵抗値がほぼ一定であって支障なく半導体パワーデバイス用コンタクトプローブとして使用し得ると共に、支障なく多数回使用することができる使用寿命の長い半導体パワーデバイス用コンタクトプローブを提供する。
【解決手段】スリーブを、先端から下方に向けてスリ割りを形成し、該スリ割りの位置の内周に凸部を有するバネ性を有する部材から形成することによって、コンタクト回数によって、抵抗値がほぼ一定とすることができる。また、スリーブに、プランジャーを摺動自在に嵌合し、該プランジャーに固定した耐熱性の材料から形成された絶縁性チューブを前記スリーブに嵌合し、コイルスプリングは、該絶縁性チューブの外周に固定するか、スリーブに嵌合させた別の絶縁性チューブ内に位置させて、前記プランジャーに固定した絶縁性チューブでコイルスプリングを押圧するように構成することによって、長寿命のコンタクトプローブとすることができる。 （もっと読む）

【課題】被試験デバイスへ過剰な電流が流入することを防ぐ。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、前記被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、前記電源部から前記被試験デバイスに至る経路上に設けられた誘導負荷部と、前記誘導負荷部に対して前記被試験デバイスと並列に接続された第１半導体スイッチと、前記被試験デバイスに対する電源電圧の供給を遮断する場合に、前記第１半導体スイッチをオンとする制御部とを備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】試験の異常時において被試験デバイスへの電源供給を高速に遮断する。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、電源部と被試験デバイスとの間の経路上に設けられた誘導負荷部と、誘導負荷部と被試験デバイスとの間の経路上に直列に接続された複数の半導体スイッチと、被試験デバイスへの電圧の供給を遮断する場合において、複数の半導体スイッチをオフとする制御部と、を備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成により電源電圧を一定に保つことが可能な試験装置を提供する。
【解決手段】半導体デバイスに電源電圧を供給する電源装置が提供される。メイン電源１０は、半導体デバイスの電源端子Ｐ１に電力を供給する。電源補償回路１２のソーススイッチ１２ｂは、電源端子Ｐ１と接地端子の間に設けられる。電源補償回路１２は、ソーススイッチ１２ｂをノーマリオンとして電流Ｉ_ＤＣを発生させ、スイッチングによってソーススイッチ１２ｂをオフしたときの電流の変化量を、ソース補償電流Ｉ_ＳＲＣとして半導体デバイスの電源端子Ｐ１に注入する。 （もっと読む）

【課題】電源の出力低下を引起こさずに試験対象の半導体装置への大電流かつ高速の断続通電を可能にする。
【解決手段】パワーサイクル試験装置１は、抵抗部ＤＥと電源部１０とを備える。抵抗部ＤＥは、試験対象の半導体装置ＴＥの通電時の抵抗値とほぼ等しい抵抗値を有し、試験対象の半導体装置ＴＥと並列に設けられる。電源部１０は、試験対象の半導体装置ＴＥと抵抗部ＤＥとに交互に通電する。 （もっと読む）