【課題】動作点（バイアス点）を所望の位置にすることができる光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器１０Ａは、基板１１と、基板１１に形成された光導波路１２と、基板１１上に設置された変調電極１４とを有する。光変調器１０Ａでは、幅寸法Ｗが位相シフト光導波路１２ｂの残余の箇所のそれよりも大きい位相調節部１５が位相シフト光導波路１２ｂの一部に形成され、変調電極の印加電圧と光導波路を伝搬して出力光導波路から出射する出力光との関係を表す特性曲線上の動作点（バイアス点）が所望の位置になるように、位相調節部１５の延伸方向の長さ寸法Ｌが調節されている。 （もっと読む）

【課題】磁気光学層／圧電層／薄膜トランジスタ回路層の順に下から積み上げていく基本概念を踏襲した上で、温度プロセス・ルールを守り、圧電体の分極処理を、ＴＦＴに損傷を与えることなく容易に行うことができ、圧電体の特性劣化が生じず、しかもＴＦＴの特性改善も行えるようにする。
【解決手段】基板１０上に磁気光学層（ＹＩＧ１２）及び圧電層（ＰＺＴ１６）を形成した後、ＴＦＴのＭＯＳ構造まで作製した段階で、水蒸気アニールによる欠陥修復処理を行い、次いでゲート電極及びソース／ドレイン領域にコンタクトホール３０を形成し、該コンタクトホールを通してそれらを一括接続するベタ導電膜３６を設け、ベタ導電膜と圧電層の共通電極１４間に電界を印加して分極を行い、その後、前記ベタ導電膜を除去する。これによって、基板上に磁気光学層、圧電層、薄膜トランジスタ回路層を、その順序で積層形成する。 （もっと読む）

【課題】低容量化と高い変換効率とを両立し得る半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１０は、基板上に形成された活性層を含むメサ構造の光導波路と、このメサ構造の両側面を被覆する高抵抗半導体からなる埋め込み層とを備える。メサ構造の光導波路は、複数のシングルモード光導波路１１Ｓと、これらシングルモード光導波路１１Ｓを介して光学的に直列で結合された１個以上のマルチモード干渉光導波路１１Ｍとを含む。光導波路全体の光伝搬方向の断面積は、光導波路の全長とシングルモード光導波路１１Ｓの幅との積の１．４倍以上３倍以下の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】磁気光学層／圧電層／薄膜トランジスタ回路層の順の積層構造であって、圧電体に含まれている重金属イオンによる半導体の汚染を防いで半導体の特性劣化を防止し、電極材料である白金族元素の触媒作用による圧電体の特性劣化が生じないようにする。
【解決手段】基板１６上に、磁気光学層１０、圧電層１２、薄膜トランジスタ回路層１４が、その順序で積層形成されている構造において、圧電層は、圧電体の磁気光学層側に共通電極２４を、薄膜トランジスタ回路層側に各画素決定要素毎に分離された白金族元素からなる個別電極２６を対設した構造であり、個別電極を覆い個別電極同士の間隙を埋めるように薄膜トランジスタ回路層との間に、圧電材料に含まれている重金属イオンのバリアとなり、白金族元素の触媒作用で酸欠になった圧電材料に酸素を供給する絶縁性酸化物を個別電極側から見て圧電層と対峙するように全面ベタ成膜したキャップ膜３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】パイロットトーンを使用せずに、光変調動作の最適バイアス電圧の補償制御を行って、回路規模の低減化、制御の簡易化を図る。
【解決手段】駆動部１３は、入力データ信号にバイアス電圧を加算して駆動信号を生成する。光変調部１０は、駆動信号に応じて、光源部１２から出力された入力光を変調し、信号光として出力する。正転側モニタ部１４ａは、光変調部１０の正転側の信号光のモニタを行って、正転側信号を出力する。反転側モニタ部１４ｂは、光変調部１０の反転側の信号光のモニタを行って、反転側信号を出力する。バイアス制御部１５は、光変調部１０の動作点が動作特性曲線に対して一定の位置にあるときの正転側信号と反転側信号との比率である目標値に対して、測定したモニタ比が目標値になるようにバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】高い二次電気光学効果を安定的に示すＰＬＺＴを基板上に形成した構造体、およびそれを用いた光制御素子を提供する
【解決手段】基板３２と、基板３２の上部に形成された光変調膜４６とを含む構造体であって、光変調膜４６は、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＬａを構成元素として含む多結晶ＰＬＺＴからなり、膜中のＬａの含有率が５原子％以上３０原子％以下であり、周波数１ＭＨｚにおける比誘電率が１２００以上であることを特徴とする構造体。 （もっと読む）

【課題】自己整合でエッチング可能かつ製造方法の容易な光変調装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極２と、下部電極２上に配置される強誘電体膜３と、強誘電体膜３上に配置される上部電極４とを備えた強誘電体キャパシタを含む光変調装置であって、上部電極４が、強誘電体膜３のエッチングマスクとして強誘電体膜３と自己整合パターニングされた導電膜を含んでいることを特徴とし、さらに強誘電体キャパシタを駆動するための制御回路を半導体基板１０上に有するとともに、強誘電体キャパシタを、下部電極２と上部電極４間に印加する電界に応じて強誘電体膜３の屈折率が変化するファブリーペロー型の共振器６として機能させる。 （もっと読む）

【課題】動作波長帯域が広く、作用長が短く、コンパクトな光変調器を実現する。
【解決手段】光変調器１を、マッハツェンダ干渉計４の第１光導波路２又は第２光導波路３を伝搬する光が結合する位置に、リング共振器５を構成するリング光導波路６が設けられており、伝搬する光の位相が変化するようにリング光導波路６の屈折率を変化させるための電極７が、リング光導波路６に沿って設けられているものとする。 （もっと読む）

【課題】特殊な光学系を用いることなく、簡単な装置構成で、所望の帯域幅の光信号が得られるとともに、リアルタイムでデータ変調を行うことができる波形発生装置を提供すること。
【解決手段】光パルス信号を出力する光パルス信号出力部（光パルス生成部１１）と、光パルス信号を変調するための変調データを書き換え可能に格納する格納部（リングバッファ２３）と、光パルス信号の振幅を、それぞれに供給された変調データに基づいて変調する複数の変調部（振幅変調部１４）と、複数の変調部からそれぞれ出力される光パルス信号を時分割多重化によって多重化する多重化部（合波部３１）と、多重化された光パルス信号を光電変換により電気パルス信号に変換する光電変換部（Ｏ／Ｅ変換部１９）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光変調素子において、光ファイバー伝搬光と光導波路の伝搬光との間のモードフィールドの不整合による光挿入損失を低減すると共に、素子に対して温度サイクルが加わった場合にも挿入損失の増大と消光比の悪化を防止することである。
【解決手段】光変調器２４は、支持基板５、電気光学材料からなる変調用基板１１、変調用基板の一方の主面３０側に設けられている光導波路１２、および基板１１の他方の主面３１を支持基板５に接着する接着層６を備えている。基板１１が、光導波路１２に対して電圧を印加し、伝搬光を変調する高周波相互作用部１１ｃ、光導波路に対して光を入射する入射部１１ａおよび光導波路からの光を出射する出射部１１ｂを備えている。変調用基板１１の主面３０側において相互作用部１１ｃが入射部１１ａおよび出射部１１ｂから凹んでおり、相互作用部１１ｃの厚さが入射部１１ａの厚さおよび出射部１１ｂの厚さよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】温度変化にさらされた時に改善される性能を伴う集積光素子が開示される。
【解決手段】光素子または集積光素子またはＭＩＯＣは、上面、＋Ｚ面および−Ｚ面を有する。素子は、リチウム ニオブ酸縁等の高い電子−光係数を有する結晶から形成される。開示される光素子の部品を方向付ける目的で、＋Ｚ結晶軸が＋Ｚ面から外側に伸び、このＺ軸は、それを横断して熱電気効果が示される軸となる。上面はＺ軸と直交している。上面上の入力導波路は、入力ポートから光信号を受信し、この信号を導波路ネットワークを介して、導波路ネットワークを出力ポートに接続する出力導波路に通す。＋Ｚおよび−Ｚ面の一部は、伝導性被覆物で少なくとも部分的に被覆される。伝導パスが＋Ｚおよび−Ｚ面を結合して、光素子の温度変化と熱電気効果に起因して電荷差が＋Ｚおよび−Ｚ面間に展開するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】入力電気信号の位相調整回路等を省いた簡易な駆動系でプッシュプル動作を可能とする光変調装置及び光変調装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に、入力光を分波した一方の光線を導波する第１の導波路１２２ａと、入力光を分波した他方の光線を導波する第１の導波路１２２ａと光路長が同一な第２の導波路１２２ｂと、第１の導波路１２２ａに少なくとも１つの第１の光位相変調器１２０ａと、第２の導波路１２２ｂに第１の導波路の第１の光位相変調器１２０ａと直交する結晶方位とした少なくとも１つの第２の光位相変調器１２０ｂとを備えた。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系半導体材料を用いて同一の基板上に集積した半導体レーザ及び半導体光変調器であって、Ａｌ系半導体材料の酸化とサイドエッチの影響を抑制し、ＢＪ結合面の反射や散乱を抑えた半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】同一の基板上に、Ａｌ系半導体材料からなる活性層１３を備えるレーザ部の光導波路とＡｌ系半導体材料からなる変調器層１８を備える変調器部の光導波路とをモノリシック集積した半導体光集積素子において、非Ａｌ系半導体材料からなる共通導波路層を設け、非Ａｌ系半導体材料からなる結合部を設けると共に、結合部の光導波路のリッジ幅を、レーザ部及び変調器部の光導波路のリッジ幅より大きくし、更に、活性層１３と結合部の半導体層２３及び変調器層１８と結合部の半導体層２３の結合面を、導波路方向に直交する方向に対して傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】異なる波長に対して機構部を必要とすることなく任意の回折角βを得ることができるとともに、同一の回折角βで所要の波長の光を分光して、回転機構等の機構を必要とすることなく回折できる回折格子、その回折格子を用いた画像表示装置、ゾーンプレート、ズームレンズおよび立体画像表示装置の提供。
【解決手段】複数のスピン注入型磁化反転素子が、基板上にアレイ状に配設された回折反射部と、磁化方向を反転させるスピン注入型磁化反転素子を選択する素子選択手段と、回折反射部に直線偏光した光ビームを入射する光ビーム入射手段とを備え、スピン注入により磁化方向が反転されたスピン注入型磁化反転素子によって偏光軸が磁化反転しない素子と逆方向に回転された反射光を干渉させて光ビームの回折を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光導波路素子の変調電極に変調信号を入力する線路上に、コンデンサを含むフィルタ回路を配置する光導波路素子モジュールにおいて、該コンデンサに積層セラミックコンデンサを使用した場合でも、数十ＧＨｚの広帯域に渡り光応答周波数特性を平坦化可能な光導波路素子モジュールを提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成される基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極（３）とを有する光導波路素子と、該変調電極に変調信号を入力する線路上に配置され、かつ、コンデンサを含むフィルタ回路（７）とを含む光導波路素子モジュールにおいて、該コンデンサは積層セラミックコンデンサであり、１個の静電容量が３ｐＦ以下のもののみを使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】他の光機能回路との集積が容易に可能で、使用波長帯域が広い光リミッタ回路および光受信回路を提供すること。
【解決手段】入力導波路１０１には分岐導波路１０２が接続され、出力導波路１０６には合波導波路１０５が接続され、それら分岐導波路１０２と合波導波路１０５との間を接続するように第１アーム導波路１０３、第２アーム導波路１０４が形成されている。このように、本光回路はマッハツェンダ型光干渉導波路を構成している。これらの光回路を半導体導波路（例えばシリコンＳｉ、リン化インジウムＩｎＰ、ヒ素化ガリウムＧａＡｓ等）で構成し、第１アーム導波路１０３に不純物ドーピング、低温成長やイオン注入等による欠陥増大を行うことによって第１アーム導波路１０３における吸収係数を高める。即ち、第１アーム導波路１０３と第２アーム導波路１０４の吸収係数に差が生じるようにそれぞれの吸収係数を設定する。 （もっと読む）

【課題】広帯域で動作し低電圧駆動が可能な光導波路デバイスを、その特性を劣化させることなく低コストに実現する。
【解決手段】光導波路デバイスは、厚さ３０μｍ以下の光導波路基板と、光導波路基板を保持し光導波路基板より誘電率が低い樹脂製の保持基板と、を有する。光導波路基板と保持基板は厚さ９μｍ以下の接着剤層によって接着されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域で動作し低電圧駆動が可能な光導波路デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】厚さ３０μｍ以下の光導波路基板と、前記光導波路基板を保持する保持基板と、前記光導波路基板より誘電率が低く、前記光導波路基板と前記保持基板との間に介挿された低誘電率基板と、前記光導波路基板と前記低誘電率基板とを接着する厚さ９μｍ以下の接着剤層と、前記低誘電率基板を前記保持基板に固定する固定手段と、を備える （もっと読む）

【課題】光ファイバジャイロスコープにおいて使用するスティッチされた導波路を提供する。
【解決手段】光集積回路（１１５）は第１の材料の第１の導波路部（２００）を含む。第１の導波路部（２００）は第１及び第２の分岐部（２１５、２２０）が形成される接合部（２１０）で終了する入力ポート部（２０５）を含む。第２及び第３の導波路部（２２５、２３０）は第１及び第２の分岐部（２１５、２２０）にそれぞれ結合される。第２及び第３の導波路部（２２５、２３０）は第１の材料と異なる第２の材料で拡散される。第１及び第２の変調器（２３５、２４０）は第２及び第３の導波路部（２２５、２３０）にそれぞれ結合される。変調器（２３５、２４０）の各々はそれぞれの電界を生成するそれぞれの変調電圧を提供する。第２及び第３の導波路部（２２５、２３０）は電界が実質的に０であるそれぞれの位置で第１及び第２の分岐部（２１５、２２０）に結合される。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で制御が容易な波長可変フィルタ及び半導体発光デバイスを提供する。
【解決手段】 波長可変フィルタ１０は、第１の基板１２と、第１の基板上に設けられた光導波路コア層２０と、光導波路コア層の光軸方向に略直交する方向に位置しており光導波路コア層に光学的に結合している回折格子２４と、回折格子の光軸方向における一部２５ａに波長調整用の信号を供給するための第１の電極Ｅ２とを備える。そして、回折格子の光軸方向における一部の長さは、回折格子の光軸方向における他の部分２５ｂの長さより短い。電極による波長調整用の信号供給で、回折格子の一部の屈折率が変化するため位相シフト効果を得ることができる。その結果、第１の電極からの信号の供給量を調整することで、回折格子のストップバンド内において透過波長を容易に変えることが可能である。 （もっと読む）