【課題】耐久性が高く、ホール型の金属薄膜フィルタよりも光吸収が少なく、透過率と反射率が高く、光学特性を可変とする、ことが可能となる光学素子等を提供する。
【解決手段】誘電体基板と、
誘電体基板の表面上に、複数の第１の金属構造体が面内方向に孤立した状態で２次元的、かつ周期的に設けられた金属構造体群と、
金属構造体群を覆う誘電体層と、を備え、
金属構造体は、第１の方向に可視光領域における所定の波長である第１の波長以下の第１の長さと、該第１の方向と直交する第２の方向に第１の波長以下の第２の長さを有し、
誘電体基板若しくは誘電体層のうち、少なくとも一方の誘電率が可変とされており、
金属構造体と、誘電体基板または誘電体層に入射する光とが共鳴することにより、金属構造体の表面に誘起される局在表面プラズモンによって、
第１の波長の光の透過率を極小値とし、または第１の波長の光の反射率を極大値とする。 （もっと読む）

【課題】波長監視付きフィルタの透過波長を簡単に調整する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による波長監視付きフィルタは、２つの入力と２つの出力を有するマッハツェンダー干渉計（ＭＺＩ）と、前記２つの出力に接続された２つのアレイ導波路回折格子（ＡＷＧ）とから構成される。２つの入力のうち、ＭＺＩの消光波長と、２つのＡＷＧの透過スペクトルとが一致する方の入力から光を入力し、２つのＡＷＧから出力される光の透過スペクトルの各々について、２つのピークがほぼ等しい高さになるように、ＭＺＩの干渉条件を調整する。これにより、他方の入力から入力した場合におけるＭＺＩの透過波長を、ＡＷＧの透過波長に簡易に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】厳しい温度制御が必要なＥＡ／ＬＤを使うことなく、簡便な温度制御でＧＥ−ＰＯＮと１０ＧＥ−ＰＯＮとにおいて高速光信号を送受信可能な、小型で低消費電力の双方向光通信モジュールを提供する。
【解決手段】双方向光通信モジュール１は、波長λ１の信号光を送信する第１ＬＤ素子３と、波長λ１の信号光より伝送速度が高い波長λ２の信号光を送信する第２ＬＤ素子４と、波長λ３の信号光を受信するＰＤ素子２を備えるものであって、第１ＬＤ素子３の信号光の光強度をモニタする第１モニタＰＤ素子５と、第２ＬＤ素子４の信号光の光強度をモニタする第２モニタＰＤ素子６と、第２ＬＤ素子４の信号光を「１」レベルの波長光と「０」レベルの波長光とに分波する分波フィルタ１１と、「０」レベルの波長光の光強度をモニタする第３モニタＰＤ素子７と、を備え、分波フィルタ１１の分波特性が調整可能とされている。 （もっと読む）

【課題】光送信機を小型化及び低消費電力化する。
【解決手段】ＲＺ−ＤＱＰＳＫ送信器において、クロック信号及び送信データに基づいてＲＺパルス列を発生させる電子回路と、光源からの光及び前記ＲＺパルス列を入力され、ＲＺ変調された光信号を出力するマッハツェンダ型変調器と、を備え、ＲＺ変調器を省略する構成とする。 （もっと読む）

【課題】再成長が不要である分離溝を形成する光変調器において、分離溝部で損失の増大を抑制することができる光変調器を提供することにある。
【解決手段】導波路構造の活性領域１６ａに接続して形成され、キャリアバリア層１４より上層にある層１５の少なくとも一部の幅が、導波路内光伝搬方向にて徐々に狭くなる第１のテーパ部１８と、第１のテーパ部に対向し、前記導波路構造の非活性領域に接続して形成され、キャリアバリア層１４より上層にある層１５の少なくとも一部の幅が、徐々に広くなる第２のテーパ部１９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 導波路型光ゲートスイッチ及び多段導波路型光ゲートスイッチに関し、作製上の誤差の影響を受けない、超小型の導波路型光ゲートスイッチを実現する。
【解決手段】 光導波路の一部分の複素屈折率を変化させることによって光の透過量を変化させる導波路型光ゲートスイッチであって、光導波路は、光軸方向において互いに対向する一対のコア層と、一対のコア層の間に配置された相変化材料部と、一対のコア層及び相変化材料部を覆うクラッド層とを有するとともに、相変化材料部に、相変化材料部の相を変化させる相変化手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れ、低コストおよび小型化が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による光変調器は、光導波路から構成される分岐回路を備えた第１の基板と、複数の変調回路を備えた第２の基板と、石英系の導波路から構成される合波回路を備えた第３の基板とを備える。光変調器の各回路に要求される特性に応じて、基板を分けることにより、信頼性に優れ、低コストおよび小型化が可能になる。 （もっと読む）

【課題】メサ構造を埋め込む埋め込み部のメサ構造部からの剥離を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ構造部２１を備えた光半導体素子と、メサ構造部２１を少なくとも側方から埋め込む埋め込み部２２と、メサ構造部２１に接続された電極２３と、が設けられている。埋め込み部２２には、メサ構造部２１の側方に形成された第１の有機絶縁膜８と、第１の有機絶縁膜８よりもメサ構造部２１から離間して形成された第２の有機絶縁膜１１と、第１の有機絶縁膜８と第２の有機絶縁膜１１との間に形成された無機絶縁膜１０と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体の光吸収により生じる直交成分による周波数チャーピングの影響を低減す
ることができる光位相変調器および光位相変調装置を提供する。
【解決手段】光変調器１００は、使用波長における初期位相差がπの第１及び第２のメイ
ンアーム光導波路１１ａ，１１ｂを有するメインマッハツェンダ干渉計１１と、第１のメ
インアーム光導波路１１ａに形成された使用波長における初期位相差が０の第１及び第２
のサブアーム光導波路２１ａ，２１ｂを有する第１のサブマッハツェンダ干渉計２１と、
第２のメインアーム光導波路に形成された使用波長における初期位相差が０の第３及び第
４のサブアーム光導波路２２ａ，２２ｂを有する第２のサブマッハツェンダ干渉計２２と
を有する。各メインアーム光導波路および第１乃至第４のサブアーム光導波路のうち、少
なくとも高周波電極が形成された部分は、半導体光導波路からなる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤを用いた基板間の接続による高周波電気信号の伝達ロスを低減する。
【解決手段】ケース本体２２の側面に固定された同軸コネクタ４１の中心ピン４１ａと、中継基板５０の伝送線路５１の中心ピン側である一方の端部５１ｂとの間が電気的に接続固定されている。中継基板５０の変調回路基板３０側の側部は、ケース本体２２の突出部２２ｂの上に固定された変調回路基板３０に重なり合い、その重なり合った部分で、伝送線路５１の他方の端部５１ａと変調回路基板３０の変調信号入力端子３１とが半田バンプ７５によって接続されている。中継基板５０は、同軸コネクタ４１の中心ピン４１ａと変調回路基板３０とによって支持されている。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな測定系の構築を必要とせず、簡便に光送信機に搭載される光変調器の動作条件を推定する。
【解決手段】光送信機２０に搭載された光変調器２２の仮定の動作条件である仮定動作パラメータを設定入力し、光変調器２２を搭載した光送信機２０からの被測定光のスペクトラムを測定するとともに、設定された仮定動作パラメータに基づく光スペクトラムを算出する。そして、測定した被測定光のスペクトラムと各仮定動作パラメータに基づき算出した光スペクトラムとの２乗平均誤差値を算出し、このうち最小の誤差値となる仮定動作パラメータに基づく光スペクトラムを判別抽出し、この抽出した光スペクトラムと被測定光の光スペクトラムのピーク値を合せた状態のスペクトラム波形とこれらの２乗平均誤差値とを表示部１７に表示する。 （もっと読む）

【課題】ＥＡＤＦＢレーザにおいて、モニタ用ＥＡ変調器の吸収電流をもとに、モジュール温度を検出する。
【解決手段】分布帰還型レーザ１０１と、分布帰還型レーザ１０１の一方の端面１０１ａから出射された光が入射されてこの光を変調して光信号Ｓを出力する光変調用の電界吸収型変調器１０２と、分布帰還型レーザ１０１の他方の端面１０１ｂから出射された光が入射されるモニタ用の電界吸収型変調器１０３と、電気的分離部１０４，０１５とが、同一の半導体基板上にモノリシック集積して光送信モジュール１００が形成されている。モニタ用のＥＡ変調器１０３に吸収される吸収電流を検出することにより、モジュール温度を検出でき、光信号Ｓを予め決めた規定パワーとするのに必要な制御をすることができる。 （もっと読む）

【課題】各セルの保磁力の設定値からのずれを抑えると共に保磁力のバラツキを低減し、圧電層による応力印加によって、目的とするセルについてのみ必要な磁化方向の変化が生じるようにすることである。
【解決手段】それぞれ独立に磁化方向を設定可能で、磁気光学効果により入射光の偏光方向に回転を与える多数のセルを備えている磁気光学層１２と、変形することで前記の各セルに個別に応力を印加する多数の応力付与要素を備えている圧電層１４とを具備している空間光変調器である。磁気光学層は、非磁性ガーネットからなる基板の表面の画素位置に設けた凹部内に磁性ガーネット単結晶が結晶成長的に基板と一体化した状態で埋設され、且つ基板表面が平坦化されており、それによって凹部間の仕切り壁により互いに磁気的に分離されたセルが形成されるセル埋め込み構造である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１台で、各種変調方式の変調光を生成することができる光変調信号発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明の光変調信号発生装置９１は、ＤＰＳＫ変調又はＤＱＰＳＫ変調を行うＤＱＰＳＫ変調部１２と、ＲＺ変調又はＣＳＲＺ変調を行うＲＺ／ＣＳＲＺ変調部１４と、を備え、Ｉ信号生成用のＡＢＣ３７、Ｑ信号生成用のＡＢＣ３８及びＲＺ／ＣＳＲＺ信号生成用のＡＢＣ５３のバイアス電圧の設定を可変し、かつ、Ｉ信号生成用のドライバ３５、Ｑ信号生成用のドライバ３６及びＲＺ／ＣＳＲＺ信号生成用のドライバ５１、５２の出力信号を可変することにより、ＯＯＫ変調方式、光デュオバイナリ変調方式、ＤＰＳＫ変調方式、ＤＱＰＳＫ変調方式、ＲＺ−ＤＰＳＫ変調方式、ＣＳＲＺ−ＤＰＳＫ変調方式、ＲＺ−ＤＱＰＳＫ変調方式、及び、ＣＳＲＺ−ＤＱＰＳＫ変調方式、のいずれかの変調方式の変調光を生成することを特徴とする。 （もっと読む）

シリコン型光変調素子が、変調効率、及び「チャープ（ｃｈｉｒｐ）」（すなわち、経時変化する光学位相）の制御が改善されたのを呈示し、選択した変調デバイスの第１の領域（例えば、共通ノードとして規定される多結晶シリコン領域）に別個にバイアスをかけることによって提供される。共通ノードはシリコン型光変調素子の電圧振幅をその蓄積領域に遷移することによってバイアスをかけられ、印加電圧（ＯＭＡが大きくなる）及び消光比の改善の関数として位相において変化が大きくなることを呈示する。蓄積領域における応答は更に相対的に線形性であり、チャープは更に容易に制御できる。電気変調した入力信号（及び逆位の信号）は別個の入力として、変調素子の各アームの第２の領域（例えば、ＳＯＩ領域）に印加される。 （もっと読む）

【課題】リブ型シリコン細線導波路型の可変光減衰器において、不要な電流の流れを防止し低消費電力で高速動作できるようにする可変光減衰器の作製方法を提供する。
【解決手段】シリコン基部１０１，埋め込み酸化層からなる下部クラッド層１０２，および表面シリコン層（ＳＯＩ層）２０１を備えるＳＯＩ基板を用意する。次に、ＳＯＩ層２０１を酸化処理して層厚５ｎｍ程度の酸化層２０２を形成する。例えば、酸素ガスの電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマを、ＳＯＩ層２０１の表面に４分程度照射することで、酸化層２０２を形成することができる。この酸化処理で形成した酸化層２０２が、コア上部の酸化シリコン層となる。 （もっと読む）

【課題】活性層を半絶縁半導体で埋め込む、埋め込みヘテロ型半導体光素子において、高速変調動作に対応するべく、活性層以外の寄生容量を低減する。
【解決手段】活性層を含むメサストライプ部１８の両側に成長させる半絶縁半導体の埋め込み層１０を、メサストライプ部１８と同じ高さまでの第１の層と、第１の層の表面にメサストライプ部１８上に沿って形成した、メサストライプより幅広のマスクの両側に成長させる第２の層とで構成する。第２の層を成長させない溝２８の底面２６は平坦で幅広に形成される。コンタクト用電極３０は底面２６内に配置可能となり、その狭幅化により面積が縮小され、当該電極３０の寄生容量が低減される。また、第２の埋め込み層の膜厚を厚くすることにより、パッド電極３４とｎ型基板２との間の寄生容量が低減される。 （もっと読む）

【課題】高速レベル等価動作を実現し、集積性および生産性を向上させる。
【解決手段】光レベル等価器は、入力光を任意の強度に減衰させて出力する可変光減衰器１−２と、入力光を分岐させる光タップ１−６と、光タップ１−６によって分岐された光の強度を検出する光検出器１−３と、光検出器１−３で検出された光強度に応じて可変光減衰器１−２の光減衰率を制御する制御用電子回路１−４とを、ワンチップに集積した構造を有する。可変光減衰器１−２は、シリコン光導波路を用いた導波路型可変光減衰器である。 （もっと読む）

【課題】低周波信号の周波数管理が容易になる光送信器を提供すること。
【解決手段】光送信器は、マッハツェンダ型変調器からなる複数の光変調部と前記複数の光変調部から出力される光を合波する合波部とを含む光変調器と、前記各光変調部に対するランダム信号であって電位がランダムに変化するランダム信号を生成するランダム信号生成部と、前記ランダム信号に基づいて、前記各光変調部に対するランダム性を有する信号を該光変調部に対するバイアス電圧に重畳した電圧を該光変調部に向け出力するバイアス制御部と、前記合波部で合波された光の出力強度と前記各光変調部に対する前記ランダム信号とに基づいて、該光変調部の光出力強度を最大に近づける前記バイアス電圧を決定する復調部と、を含み、前記各光変調部に対するランダム信号は互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】スポットサイズ変換導波路と細線導波路との幅および高さをより一致させて連結することにより、素子内の光の伝播損失を低減することができる、平面導波路素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に積層された第１積層部と、第１積層部上に積層され、第１積層部より高い屈折率を有する第２積層部４とを備えている。第２積層部４は、光が入射する入射側端面１２Ａ，１２Ｂおよび出射する出射側端面１４Ａ，１４Ｂを有する、略平行に並ぶように形成された複数の細線導波路５、および、１本以上の細線導波路５の入射側端面１２Ａに連結された出射側端面１１を有するスポットサイズ変換導波路６を含む。スポットサイズ変換導波路６と連結されている細線導波路５の入射側端面１２Ａの位置が、スポットサイズ変換導波路６と連結されていない細線導波路５の入射側端面１２Ｂの位置に対して、細線導波路５の中央部側に形成されている。 （もっと読む）