【課題】 導波路型光ゲートスイッチに関し、相変化材料部の放熱効率を高めて、相変化材料部のアモルファス化を確実に且つ短時間で行う。
【解決手段】 単結晶コア層と前記単結晶コア層を囲むクラッド層とからなる光導波路に設ける複素屈折率を変化させることによって前記光導波路を伝搬する光の透過量を変化させる相変化材料部を多層構造或いは１００ｎｍ以下の膜厚にする。 （もっと読む）

【課題】所望の応答時間を得ることができる導波路型可変光減衰器を提供する。
【解決手段】導波路素子の表面に配設されアーム導波路９Ｃを加熱するためのヒータ４とを備えた導波路型可変光減衰器において、２本のアーム導波路９Ｃ，９Ｄ間の中央部間寸法Ｌは、高熱伝導部材を用いることなく、ヒータ４への電圧印加を開始してから１０ｍｓｅｃ以内に、２本のアーム導波路９Ｃ，９Ｄがそれぞれ加熱され、かつ、所定の温度差となる寸法である。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣ導波路およびＬＮ導波路を備える光変調器において、ＬＮ導波路の高周波電気配線のためのＲＦコネクタをパッケージの自由な位置に配置可能とするとともに、高周波電気配線のクロストークを抑制すること。
【解決手段】光変調器１００は、ＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０と、ＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０を囲むパッケージ１２０と、パッケージ１２０に設けられた高周波（ＲＦ）コネクタ１２１と、ＲＦコネクタ１２１とＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０を構成するＬＮ導波路１１１の高周波電極１１１Ａとの間の高周波電気配線１３０とを備える。光変調器１００では、高周波電気配線１３０としてフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）を用いる。ＦＰＣは、例えばポリイミドや液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の基板上に銅配線が形成されたものだが、これらの材料は比誘電率がセラミックよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造を有する各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。コア層２及び上部ＤＢＲ層３には膜厚方向に延びる複数の空孔９が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔９に挟まれて空孔９が存在しない線欠陥部１０を有し、線欠陥部１０が光導波路として機能する。 （もっと読む）

【課題】高速で駆動電圧が低く、かつ製作の歩留まりの良い光変調器を提供する。
【解決手段】基板上に、位相変調用マッハツェンダ光導波路とカーバー用マッハツェンダ光導波路とが形成され、両光導波路は基板の短手方向に並んで形成され、基板の長手方向側の一端から入力された光が位相変調用マッハツェンダ光導波路、カーバー用マッハツェンダ光導波路の順で導波して基板の長手方向側の前記一端から出力され、位相変調用マッハツェンダ光導波路に基板の短手方向側の一端から入力された位相変調信号を印加する位相変調用進行波電極と、カーバー用マッハツェンダ光導波路に基板の短手方向側の前記一端から入力されたカーバー信号を印加するカーバー用進行波電極とを具備する光変調器において、位相変調マッハツェンダ光導波路が、カーバー用マッハツェンダ光導波路よりも、位相変調信号の入力部である基板の短手方向側の前記一端に近く配置されている。 （もっと読む）

【課題】 小型で、正確にプッシュプル駆動し、低損失な半導体マッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】
分波器１１ａと、合波器１１ｂと、半導体光導波路１３および１４と、信号電極１５と、正バイアス電極１７と、負バイアス電極１８とを有し、
分波器１１ａと合波器１１ｂとは、２本の半導体光導波路１３および１４により連結され、
信号電極１５は、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に接続され、かつ、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に共通の高周波信号を入力可能であり、
正バイアス電極１７は、半導体光導波路１３の下部に接続され、負バイアス電極１８は、他方の半導体光導波路１４の下部に接続されていることを特徴とする半導体マッハツェンダ型光変調器。 （もっと読む）

【課題】光デバイスや電子デバイスとそれらを駆動するための電気ドライバとの接続に適用する高周波コネクタの接合方法、及びこれにより製造した光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】誘電体または半導体からなる基板と、前記基板上に形成された電極と、前記電極の上方に所定距離離れて配置されたコネクタの芯線とを半田ペレットを用いて接合する、コネクタの芯線の接合方法において、前記半田ペレットは、前記所定距離よりも厚みが薄く形成されるともに、その幅が前記電極の幅よりも広く形成されており、前記所定距離離れた前記電極と前記コネクタの芯線との間に前記半田ペレットを挿入した状態で加熱して、前記半田ペレットを溶融させることにより、当該溶融した半田は前記基板には接合せず、かつ表面張力によって前記電極の上で上方に盛り上がって前記芯線と前記電極とを接合する。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を有する導波路構造において、簡易かつ精度よく、コア層と上部クラッド層におけるメサ中心のずれを小さくする。
【解決手段】下部クラッド層１０３とコア層１０２と上部クラッド層１０１とを積層し、上部クラッド層１０１上に、互いに並行に配置される第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂと、第一のストライプ状マスク１０５ａと第二のストライプ状マスク１０５ｂとの間に配置される第三のストライプ状マスク１０６とからなる３本のストライプ状マスク１０７を形成し、第一、第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂ及び第三のストライプ状マスク１０６をマスクとして第一メサを形成し、第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂをそれぞれ除去し、第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂを除去した後に、第三のストライプ状マスク１０６をマスクとして、第一メサの上部に位置し、第一メサよりも幅の狭い第二メサを形成する。 （もっと読む）

【課題】広帯域で反射率のピーク波長が可変であり、かつ長さが短い波長可変光フィルタ、ならびに広帯域でレーザ光の波長が可変であり、かつレーザ光の強度が安定した波長可変レーザおよび波長可変レーザアレイを提供すること。
【解決手段】マルチモード干渉型導波路と、前記マルチモード干渉型導波路の長さ方向の一端に設けられた第１光入出力部と、前記マルチモード干渉型導波路の他の一端に設けられた反射手段と、前記マルチモード干渉型導波路の屈折率を変化させる手段と、を備え、前記マルチモード干渉型導波路の長さおよび幅は、前記第１光入出力部から入力した光を、前記反射手段により反射した後に、該第１光入出力部において所望の分岐比で結像させるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】 光機能導波路に関し、高度な加工技術を要することなく、無害なニオブ酸リチウム基板を用いた光機能導波路を小型化且つ高機能化する。
【解決手段】 ニオブ酸リチウム基板と、前記ニオブ酸リチウム基板の表面上に前記ニオブ酸リチウム基板とは異なった材料で形成されたストライプ状の異種材料光導波路と、前記ニオブ酸リチウム基板の前記異種材料光導波路に対向する表面側に前記異種材料光導波路中を伝搬する光が漏れ出して形成された基板内光導波部分、或いは、前記異種材料光導波路に対向する表面側に形成したＴｉ若しくはプロトンを導入した基板内光導波路のいずれか一方と、前記異種材料光導波路と、前記基板内光導波部分或いは前記基板内光導波路のいずれか一方とに変調電圧を印加する第１の電極と第２の電極とで光機能導波路を構成する。 （もっと読む）

【課題】多段のマッハツエンダー型光導波路素子、さらには複数のマッハツエンダー型光導波路が並列に配置されてなる多重のマッハツエンダー型光導波路素子において、動作点シフトを抑制し、高い信頼性を実現する。
【解決手段】第１のマッハツエンダー型光導波路３に対する変調用電極を構成する第１の接地電極７、第１の信号電極５、及び第２の接地電極８を、第１のマッハツエンダー型光導波路３の２本の分岐光導波路３−１及び３−２の中心II−IIに対して左右対称となるように形成する。また、第２のマッハツエンダー型光導波路４に対する変調用電極を構成する第２の接地電極８、第２の信号電極６、及び第２の接地電極９を、第２のマッハツエンダー型光導波路４の２本の分岐光導波路４−１及び４−２の中心III−IIIに対して左右対称となるように形成する。さらに、上記変調用電極が、第１及び第２のマッハツエンダー型光導波路３及び４の中心Ｉ−Ｉに対して左右対称となるようにする。 （もっと読む）

【課題】遅延干渉計において、温度制御による位相調整よりも応答速度を速くする。
【解決手段】入力された信号光が第１光路及び第２光路を伝搬し、相対的な遅延を有して干渉する遅延干渉計であって、第１光路における信号光を円偏光に変える第１変更手段と、円偏光に対して磁気光学効果により光位相をシフトさせる位相調整手段と、位相シフトされた円偏光を直線偏光の信号光に変える第２変更手段と、第２光路における信号光の偏光状態を、直線偏光の偏光状態と同じにする第３変更手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電圧を印加することにより屈折率が可変な半導体コア領域と屈折率が可変ではないコア領域との接続部において、屈折率が可変な半導体コア領域から屈折率が可変ではないコア領域を経由した不要なリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】本発明の光学素子ＷＧ１は、一端部がコア１の外周部に達する第１ギャップ部３１と、第１ギャップ部３１の他端部から前記光の光軸を挟んで互いに反対方向に分岐し、それぞれがコア１の外周部に達する第２ギャップ部２１ａ及び第３ギャップ部２１ｂと、を有し、第１ギャップ部３１を挟んで対向する２つの分離領域Ａ，Ｂの一方が第１導電型、他方が第２導電型の半導体コア領域３２，３３をそれぞれ部分領域として含み、この２つの半導体コア領域３２，３３に電圧印加用の電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】少ない工数で製造可能で、しかもコンパクトな空間光変調器および該空間光変調器を装備した露光装置を提供する。
【解決手段】配線基板３３２では、下方主面に複数の導電性パッドが形成されるとともに、上方主面から下方主面に貫通する複数の貫通孔の各々に導電性部材が設けられている。また、この配線基板３３２の上方主面には複数の第１電極３３３が設けられ、各第１電極３３３の他方端部がそれに対応する導電性部材を介して導電性パッドに電気的に接続され、変調部から導電性パッドおよび導電性部材を介して電圧を付与される。したがって、変調部と各第１電極３３３とをワイヤーボンディング接続により電気的に接続していた従来技術に比べ、配線領域を狭めることができ、空間光変調器３３のコンパクト化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】0.5Ｗを超える戻り光が存在しても順方向入射側の偏光保持光ファイバーが破壊されない偏光依存型インライン光アイソレータを提供する。
【解決手段】ファラデー回転子11の順方向入射側と出射側に偏光子８と検光子10が配置され、偏光子の順方向入射側に偏光保持光ファイバー１とコリメートレンズ３を組み合わせた第一光ファイバーコリメータが配置され、検光子の順方向出射側に偏光保持光ファイバー２とコリメートレンズ４を組み合わせた第二光ファイバーコリメータが配置された構造の偏光依存型インライン光アイソレータであり、回折格子型偏光子により上記偏光子８を構成し、かつ、回折格子型偏光子８と第一光ファイバーコリメータのコリメートレンズ３間に孔100を有する遮蔽板７が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】 ウェハ貼り合わせ技術を用いる光変調器を提供する。ある実施形態に係る方法は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェハにエッチングを実施して、ＳＯＩウェハの第１の表面にシリコン導波路構造の第１の部分を形成する段階と、結晶質シリコン層を含む第２のウェハであって、結晶質シリコンの第１の表面を持つ第２のウェハを用意する段階とを備える。当該方法はさらに、ウェハ貼り合わせ技術を用いて、薄い酸化物を介して、第２のウェハの第１の表面を、ＳＯＩウェハの第１の表面に、貼り合わせる段階を備える。尚、シリコン導波路構造の第２の部分は、結晶質シリコン層にエッチングで形成される。 （もっと読む）

【課題】従来の導波路型可変光減衰器は可変光減衰器の光減衰量を増やしたときに、光減衰器の偏波依存性が大きいという解決すべき点を有していた。
【解決手段】基板上に形成された導波路で構成される導波路型可変光減衰器において、前記可変光減衰器が、入力導波路、第１の光カプラ、第２の光カプラ、前記第１と第２の光カプラを結ぶ２本のアーム導波路、および出力導波路から構成されており、前記第１と第２の光カプラは前記２本のアーム導波路が近接する領域を含み構成される方向性結合器であって、特に、前記アーム導波路の長さを、使用光波長を導波路複屈折で割って求められるビート長の整数倍に設計する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、溝を形成したリッジ構造型光導波路において、高温高湿試験（８５℃８５％）でも、複屈折が変動せず、偏波依存周波数差（ＰＤｆ）が長期間で変動しない、信頼性の高い光導波路を提供する。
【解決手段】本発明の光導波路は、基板上に作製された光導波路において、上記光導波路の一部に、上記光導波路の両脇に溝の間隔が異なる二対以上の溝が上記光導波路に沿って直列に設けられ、上記溝が設けられた部分の上記光導波路の複屈折の値が極小となるような溝の間隔をＷとしたとき、少なくとも１つ以上の間隔が、上記間隔Ｗより小さく、残りの間隔が上記間隔Ｗより大きいか、または、上記溝の深さの距離をＨとしたとき、少なくとも１つ以上の溝の間隔が、上記距離Ｈより小さく、残りの間隔が上記距離Ｈより大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、溝を形成したリッジ構造型光導波路において、高温高湿試験（８５℃８５％）でも、複屈折が変動せず、偏波依存周波数差（ＰＤｆ）が長期間で変動しない、信頼性の高い光導波路を提供する。
【解決手段】本発明の光導波路は、基板上に作製された光導波路において、上記光導波路の一部に、上記光導波路の両脇に一対の溝が設けられ、上記溝が設けられた部分の上記光導波路の複屈折の値が極小となるような溝の間隔をＷとしたとき上記溝の間隔がＷであるか、または上記溝の深さの距離をＨとしたとき、上記溝の間隔がＨと等しいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の光変調回路の各々から出力され出力ポートへの結合する光信号の強度比を精確に調整する手段を有する集積型光変調器をコンパクトに実現する。
【解決手段】光変調器は、入力ポートに入力された光信号を８分岐する光分岐回路（２１−１〜７）と、光変調回路（２４−１〜８）と、光信号を結合させ出力ポートに出力する光結合回路（２６−１〜７）とを備え、光分岐回路と光変調回路との間または光変調回路と光結合回路との間に設けられ光変調回路から出力される光強度を調整するための、光の強度の減衰量を調整可能なＭＺＩ回路（３０−１〜８）をさらに備える。 （もっと読む）